JPH03215941A - 半導体装置並びに絶縁膜形成方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の表面に絶縁膜を形成する方法およ
びその装置ならびに該ｔ−１＋膜形成方法および装置に
よって絶縁膜を構成された半導体装置に係り、とくに試
作した半導体装置に部分的に存在する不良の箇所や原因
の特定あるいは不良の補修に好適な絶縁膜形成方法およ
びその装置ならびに半導体装置に関する。

〔従来の技術〕

半導体装置の高性能化、高速化をめざして、半導体装置
の微細化，高集積化が行われている。これにともない、
半導体装置の開発が難かしくなっており、開発期間の長
期化を招いている。かかる情況は、ＬＳＩ設計にもカツ
Ｉ−アンドトライなる回路製作技法が必要であることを
示している。すなわち、従来の設計で十分に動作しない
チップ上の不良部分を特定し、当該部分に存在する配線
を切断したり、任意の箇所に布線を施したり、不良・３ 配線を補修して、暫定的に完全な動作が得られる半導体
装置を製造すれば，それに引き続く特性評価や、設計変
更が迅速に行え，そのまま技術サンプルとしてユーザに
出荷することも可能となる。

一方従来技術としては、たとえばセミコンダクタワール
ド（　Ｓ　ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　　Ｗｏｒｌｄ）
　１９８７年９月号第２７頁乃至第３２頁に記載されて
いるように、ＦＩＢ　（集光イオンビーム）でＬＳＩチ
ップ表面のパシベーションおよび眉間絶縁膜に穴あけを
行い、配線を露出させたのち、ＣＶＤガスを導入して同
じ＜ＦＩＢにより金属配線を形成する方法が紹介されて
いる。

またエクステンデド・アブストラクツ・オブ・ザ・セブ
ンティーンス・コンファレンス・オン・ソリッドステイ
ト・デバイセズ・アンド・マテリアルズ・トウキヨウ（
１９８５年）第１９３頁乃至第１９６頁（Ｅｘｔｅｎｄ
ｅｄ　Ａｂｓｔｒａｃｔｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　１７ｔｈＣ
　ｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　　ｏｎ　　Ｓ　ｏｌｉｄ　　Ｓ
　ｔａｔｅ　　Ｄ　ｅｖｉｃｅｓａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉ
ａｌｓ，　Ｔｏｋｙｏ，　１９８５　ｐｐ］９３−１９
６）などに記載されているように、レーザＣＶＤ技術を
・　４ 用いてＳｉ○２で被覆されたＳｉ基板上にＭｏ配線を形
成する方式が紹介されている。

また従来技術としては特開昭６２−２２９９５６号公報
、特開昭６２　−　２２９９５７号公報、１９８８年秋
季応物学会予稿集１９８８．１０．ｐ５３４が知られて
いる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記第１の従来技術、あるいは第１の従来技術と第２の
従来技術の組合せにより、不要配線の切断と付加配線の
形成が可能で、これにより設計不良やプロセス不良のた
め動作しないＬＳＩチップを補修して、完全に動作する
Ｌ’Ｓ　Ｉを得ることができる。しかし、この様にして
得られたＬＳＩチップでは十分な信頼性が得られないと
いう課題を有するものであった。

また、第３〜第５の従来技術はレーザＣＶＤにより絶縁
膜を形成する方法が開示されているが、デポ速度が遅い
、プロセスが複雑等の課題があった。本発明の目的はよ
り簡便に絶縁膜を形成する方法を提供するものである。

即ち本発明の目的は、半導体装置上の任意配線を切断し
たり、接続を行・５ い完全な動作が得られる様に補修した半導体装置の出荷
を可能とする高信頼度な絶縁膜形成方法及びその装置並
びに半導体装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、補修のための切断箇所および配線を形成し
たチップ上に、少なくとも切断箇所および補修配線上を
含み、かつ接続用の電極（パッドあるいはバンプ）上を
除いた領域にインクジェットにより絶縁膜材料を付着さ
せ絶縁膜を形成することにより、達成される。

即ち上記目的は、補修部分を保護膜で覆うことにより、
補修チップの信頼性を得ることにある。

〔作用〕

切断，あるいは配線形成による補修の終わったＬＳＩを
ノズル先端に対向させ、ノズルから絶縁膜を形成するた
めの材料の微細液滴を吐出させて、上記補修部分を含む
表面上に上記材料膜を形成する。

ここで絶縁膜を形成するための材料としてスピ・６ ン・オン・ガラス，ポリイミドなどが選ばれる。

上記材料膜を形成した後、チップをベーキングすること
により、スピン・オン・ガラスの場合は溶媒を除去し○
Ｈ基を消失させてＳｉｏ．膜に、あるいはポリイミドの
場合には脱水重合反応が進み、ポリイミド膜が得られる
。これにより補修部表面は絶縁膜（保護膜）で覆われる
ことになり、補修したＬＳＩの信頼性を確保することが
できる。

即ち本発明によれば、切断部のＡｔが露出していないの
で、Ａｌのエレクトロマイグレーション等により短絡す
る恐れはない。またＦ　Ｉ　Ｂ　（　ＦｏｃｕｓｅｄＩ
ｏｎ　Ｂｅａｍ）　ＣＶＤやレーザＣＶＤで形成した配
線が露出していないので、組立時の機械的な力や加熱，
水分浸透による腐食等により断線することはない。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について図に従って説明する。

第１図は本発明の一実施例である絶縁膜形成装置の全体
構成を示している。Ｆ　Ｉ　Ｂ　（　ＦｏｃｕｓｅｄＩ
ｏｎ　Ｂｅａｍ）加工による配線切断や接続穴の形成お
よびレーザＣＶＤあるいはＦＩＴ３ＣＶＤによる配線接
続が終了したＬＳＩチップ，即ち補修の終了したＬＳＩ
チップ］−はｘ−ｙ−ｚ−０ステージ２上に載置される
。ステージ２はＸ−Ｙ方向については例えばモータ３，
４により駆動される。

（Ｚ一θについても特に図示していないが、モータによ
り廓動される。）位置決め・観察光学系は対物レンズ５
，照明光源６，接眼レンズ７，撮像レンズ（リレーレン
ズ）８，ＴＶカメラ９から構成されており、チップ１の
位置決めや観察を接眼レンズ７あるいはモニタ１０によ
り行うことができる。また絶縁膜材料吐出部は圧電素子
で形成されたリング１１を備えたノズル１２と、パイプ
１３で接続された液だめ１４よりなり，絶縁膜材料１５
が納められている。また、駆動機構１６により開閉自在
な防護板１７がノズルに直下に設置されている。さらに
、ｘ−ｙ−ｚ−ｅステージ２の制御，圧電素子リング１
１および防護板１７の制御を行う制御装置１８を備えて
いる。

） 第１図に示した絶縁膜形成装置による絶縁膜の形成方法
について説明する。まず、第２図に示す様な、補修の終
了したＬＳＩチツプ１（ウエハでも可）を第１図に示し
たＸ−Ｙ−Ｚ一〇ステージ２上に載置する。このＬＳＩ
チップ１表面上には、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工
により、配線を切断するため保護膜あるいは必要に応じ
て層間絶縁膜を貫通して形成された穴の開口部２１．　
２１’および同様にして形成された接続六間を接続する
レーザＣＶＤあるいはＦＩＢＣＶＤにより形成した接続
配線２２．　２２’が露出している。通常ＬＳＩチップ
表面は、入出力端子であるパツド２３以外は最終的なパ
ッシベーション膜（保護膜）２４で覆われている。

ステージ２上にチップ１を載置した後、チップ１は光学
系の下に移動し、チップ１内の２ケ所のターゲットマー
ク（位置決め用のマーク）あるいは座標が既知の特定位
置（例えばチップの角，特定のパッドあるいは配線の位
置）をモニタ画面の中心と位置合せして、その時の図１
には示してい） ないがステージ２に取付けたリニアエンコーダ，モータ
３，４に取りつけたロータリエンコーダあるいはレーザ
干渉計などの手段により知ることができる。座標からＸ
−Ｙ−θの調整を行う。Ｚについては、対物レンズ５と
して高倍のレンズを使うことにより、１００倍対物レン
ズの場合で±０．５μｍ程度に調整することは可能であ
る。

このあと、チップ１はノズル１２直下に移動する。

このノズル１２は、いわゆるインクジェッ１へ・ノズル
の機能を有するもので、インクのかわりに絶縁膜材料１
５を吐出するものである。ＴＶモニタ１０上の中心とノ
ズル１２から吐出され付着する位置の関係は既知であり
、チップ１上の相対座標に従い任意の位置に絶縁膜材料
を付着させることは容易である。なお、このインクジェ
ットについては例えば特公昭４７　−　７８４７号に示
されているものと類似の技術であるが、ここでは他から
の信号によりインクを偏向させて特定の印字を形成する
のではなく、外からの信号により絶縁膜材料１５の微細
粒子を一定の位置へ輸送し、付着させるものである。こ
こでは付着位置の調整はチップ１を載置しているＸＹ−
Ｚ一〇ステージ２によってのみ行う例で示しているが、
相対的にノズル１２位置を移動させても同様の結果が得
られる。

ここで、ノズル１２を形成しているガラス管には圧電素
子で形成されたリング１１がリング内面が接する様に設
置されていて、このリング１１に直流電圧パルスが印加
されると、隣間的にガラス管が収縮力を受け、中の絶縁
膜材料１５の一部が微細な液滴となって飛び出し５チツ
プ１上でつぶれ、ほぼ円形に近い領域を絶縁膜材料１５
で覆う。圧電素子は必ずしもリングである必要はなく、
圧電効果によりガラス管を圧縮できる構造であれば良い
。ノズル１２先端の内径が約５０μｍの場合で圧電素子
に７０Ｖ，２０〜４０ｍｓｅｃのパルスを印加すると直
径１００μｍ程度の液滴が吐出される。液の粘度，ノズ
ル径，圧電素子への印加電圧により吐出される液滴の大
きさを制御することができ、チップ上に付着した時の寸
法として５０μｍ径〜２００μｍ径を得ることができる
。即ちＦＩＢ加工で形成した六入口２１の座標，あるい
はレーザＣＶＤなどで形成した補修配線２２の形成デー
タに従ってステージ２を移動させながら一定のピッチで
（穴のみの場合には、穴の座標のみに］−ケ），絶縁膜
利料の液滴を付着させて行く。

この時、防護板１６の開閉、およびデータに従ったステ
ージ２の移動，圧電素子１１への電圧印加などは全て制
御装置１８により制御される。

第３図は補修配線２２の始点位置に１−ケの絶縁膜材料
液滴２５が付着した状態を示している。このあと、配線
データに従いステージ２を移動しつつ絶縁膜材料の液滴
を一定ピッヂで付着させ、最終的ｂこは第４図に示す様
に、補修部分全体を絶縁膜材料膜２６で覆う。

ここで絶縁膜材料としてスピン・オン・ガラスを用いた
場合について説明する。

スピン・オン・ガラスはＲｎＳｉ（○Ｈ　）．　−　．
．で示されるケイ素化合物と添加剤を例えばエタノール
などの有機溶剤に溶解したもので、２００℃以」二の温
度でベークすることにより，有機溶剤が除去され、Ｓｉ
ｎ．に近い性質の膜が得られる。特に６００℃以上の温
度でベークすると○Ｈ成分が消失し、Ｓｉ○２膜が得ら
れるが、ベーク温度はＬＳＩチップに許容される温度が
選ばれる。通常，ＡＱ配線へのダメージを最小にするた
め、４００℃以下が望ましい。

以上により、補修部はＳｉ○２あるいはＳｉｎ２に近い
性質の保護膜で覆われることになり、ＬＳＩとしての信
頼性が確保される。

次にポリイミド樹脂を用いた場合について説明する。材
料としてはプレポリマ（あるいはモノマ）状態の樹脂材
料をビロリドン，ジメチルアセトアミド等の溶．媒に溶
解したもので、２００〜４００℃の温度でベークするこ
とにより、溶媒が除去され脱水重合反応が進み、ポリイ
ミド膜が形成される。これにより、補修部はポリイミド
膜で覆われることになり、ＬＳＩとしての信頼性が確保
される。

ここでは、補修の方法即ち、不要配線の切断，接続穴の
形成，接続配線の形成の方法については特に触れないが
、例えば特開昭６３−１６４２４０に記載）．．′＼、 されている方法を採用することができる。

ただし、これに限定されるものではなく、いかなる方法
・手段にせよ補修（修正）した半導体チップの補修部分
を保護膜で覆い、これにより信頼性を確保することが、
本発明の主旨である。

次に別な実施例である絶縁膜形成装置および形成方法に
ついて説明する。第５図は絶縁膜形成装置の全体構成を
示している。

補修済のチップ３１（あるいはウエハ）を載置するため
のＸ−Ｙ−Ｚ一θステージ３２とそれを駆動するための
モータ３３，　３４　（他に図示していないがＺθにつ
いてもモータで旺動する）と対物レンズ３５，照明装置
３６，接眼レンズ３７，撮影用リレーレンズ３８，ＴＶ
カメラ３９，モニタ４０からなる観察光学系，縞パター
ンのマスク４１の像をチツプ１上に投影するための光源
４２，プリズム４３で分離した縞パターン像を線状に集
光するためのシリンドリ力ルレンズ４４．　４４’　リ
ニアイメージセンサ４５，　４５’および制御回路４６
からなる自動焦点系，圧電素子リング５１，ノズル５２
，パイプ５３，絶総膜材料５４を１′べ 納めた液だめ５５からなる絶縁膜材料吐出部、および全
体の制御を行う制御装置５６から構成されている。第１
図に示した実施例との大きな相違点は自動焦点機能を有
することと、観察位置と絶縁膜付着位置が同一でありａ
察しながら絶縁膜形成が行える点である。

まず、配線の切断・接続配線の形成といった補修の終了
したチップ（あるいはウェハ）３１をＸｙ−ｚ−ｏステ
ージ３２上に載置する。チップ３１表面が観察光学系の
視野内に入ったら、光源４２により縞パターンマスク４
１を照明してその透過像をチップ３１の表面に投影する
。これは通常の可視光でも良いし、赤外光（ただし対物
レンズ３５で結像できる範囲の波長を持つ）でも良く、
接眼レンズ３７あるいはＴＶカメラ３９の視野内にあっ
ても、また視野外でも良い。この縞パターン像をプリズ
ム４３で分割（赤外の場合には分離も可能）してシリン
ドリ力ルレンズ４４．　４４’で縞方向に圧縮した像に
変換してリニアイメージセンサ４５，　４５’　に入力
する。この時の像のコントラストが最も大きい場合が合
焦点であり、リニアイメージセンサとシリンドリ力ルレ
ンズは一組でも良いが、それぞれを合焦点位置よりわず
かに前後する位置関係に置き、コン１〜ラストが等しく
なった点を合焦点としても良い。特に後者の場合は、ピ
ントがどちらにずれているかを検出できるため、自動焦
点系としてすぐれている。この系により、リニアイメー
ジセンサ４５，　４５’で得られる信号のコン１〜ラス
１〜が常に等しくなる様にＺステージを暉動することに
より観察光学系は常にピントが合った状態となり、仮に
チップ（あるいはウェハが）がうねっていたり、下に異
物をはさみ込んで、傾いても問題がない。

ここでチップ３１内の２ケ所のターゲットマーク（位置
決め用のマーク）あるいは座標が既知の特定位置（例え
ばチップの角，特定のパッド，あるいは配線の位置）を
モニタ４０画面の中心（あるいは電子ライン等で特定で
きる点）に位置合せして、図示していないリニアエンコ
ーダなどの手段によりその位置座標を得、ステージ３２
を調整特にＯ方向のする。

このあと、制御装置５６により補修データから切断箇所
，あるいは補修配線の始点位置がモニタ４０の中心（あ
るいは特定の位置）に位置合せされる。

この位置はノズル５２から吐出される絶縁膜材料５４液
滴が付着と一致する様に予め調整されている。

対物レンズ３５としては比較的長作動距離のものが選ば
れ、またノズル５２から絶縁膜材料５４の微細液滴は斜
方より吐出されるが、常に自動焦点が動作し液滴の付着
位置は予め調整された位置（モニタ４０の画面中央）に
一致する。この後、補修配線の場合には、配線を形成し
た時のデータ（始点，折点，終点の座標）に従いステー
ジ３２が移動し、定ピッチごとに制御装置５６からの直
流電圧パルス印加により絶縁膜材料液滴を吐出し、第４
図に示した様に、切断穴および補修配線上を絶縁膜材料
の膜で覆うことができる。なお、この時作業者は接眼レ
ンズ３７あるいはＴＶモニタ４０により、絶縁膜材料の
液滴が付着する様子を観察・確認することができる。全
ての補修箇所を絶縁膜材料の膜で覆った後、チップ（ま
たはウェハ）３１は熱処理・１７　・ （ベーク）が施される。絶縁膜材料としてはＳ○Ｇ（ス
ピン・オン・ガラス），ポリイミド樹脂などが選ばれ、
それぞれに最適なベーク温度によるベーキングが施され
る。これにより、ＬＳＩチツプの補修部は保護膜（絶縁
膜）で覆われることになり、ＬＳＩとしての信頼性が確
保される。

次に別な実施例である絶縁膜形成装置について、第６図
に示す。これは第１図に示した装置の光学系にダイクロ
イックミラ−６１を介してレーザ光学系を結合したもの
である。即ち、レーザ発振器６２から発振したレーザ光
６３をミラー６４．６５を介して開ロスリット６６で任
意の大きさの矩形に成形し、対物レンズ５によりチップ
１に縮小投影するもので、参照光源６７の参照先により
、レーザ光６３の照射位置・寸法が調整できる構成にな
っている。なお、ノズル１２を含めた絶縁膜材料吐出部
も第１図と同様であるが、ここでは省略してある。この
装置によるＩｌ４Ａｍ膜形成方法について述べる。まず
配線の切断・接続等の補修を完了したチツプ１をＸＹ−
Ｚ一〇ステージ２上に載置し、ターゲット１ ・１８　゛ マークあるいは座標が既知の特定位置でＸＹθの調整を
行う。この後、チツプ１をノズル直下に移動させ、補修
部分、即ち切断部の開口、および補修配線上に絶縁膜材
料の微細液滴を一定ピッチで付着させて絶縁膜材料の膜
を形成する。これは第１図〜第４図の説明で述べた通り
である。

この後、チップ１は再び光学系直下に移動する。

そして、補修部分を覆っている絶縁膜材料の膜に参照先
による矩形開ロスリット６６の像位置合せし、レーザ発
振器６２からのレーザ光６３を照射しながら補修配線デ
ータに従い、ステージを移動させる。

絶縁膜材料としてスピン・オン・ガラスを使用した場合
にはレーザとしてＣ○２　レーザが最も望ましい。これ
は、波長が１０．６μｍであり、絶縁膜材料によく吸収
されるためであるが、ＹＡＧレーザ（波長１．０６μｍ
）およびその高調波，Ａｒレーザなどでも局部加熱がで
きればその目的を達することができる。また、絶縁膜材
料としてポリイミドを使用した場合でも、Ａｒ　レーザ
、ＹＡＧレーザおよびその高調波、ＣＯ２レーザなどを
用いることができる。ただし、波長が３５０ｎ　ｍ以下
のレーザでは、ポリイミドを分解してしまうため使用で
きない。

以」二述べた様に、スピン・オン・ガラスの場合でもポ
リイミドの場合でも、膜形成後チップ全体のベータを行
なわず、レーザ照射により絶縁膜材料膜のみをベークす
ることができ、その効果は全体をベークした場合と同じ
である。

また、ここでは詳しく述べないが、第５図に示した絶縁
膜形成装置の光学系に対しても、第６図に示したレーザ
光学系を付加することができ、同様の効果が得られるこ
とは明らかである。

次に別な実施例について述べる。第７図はセラミック等
の基板７１上にポリイミド膜７２も層間絶縁膜としてＡ
０，Ｃｕ，Ｗなどの金属薄膜の多層配線が形成される電
子回路基板の製造途中を示している。即ち、セラミック
基板７】上にポリイミド膜７２を形成し、ＡＩ薄膜を成
膜した後パターニングしてＡＱ配線７３を形成し、その
上に眉間絶縁膜としてのポリイミド膜７４が形成されて
いる。通常、この後、ポリイミド膜７４にエッチング技
術を適用してコンタク１・ホールを形成し、２Ｍ目の配
線層を形成するが、異物などの原因によりポリイミド膜
７４に欠陥７５が生じる場合がある。即ち局部的にポリ
イミド膜が除去され、一層目の配線が露出してい。この
まま、後のプロセスを続けると一層目と二層目の配線に
短絡が生じ、この電子回路基板は不良となってしまう。

そこで、第１図あるいは第５図あるいは第６図に示した
絶縁膜形成装置（ここでは第５図に示した装置を使用し
た場合で説明する）のｘ−ｙ−ｚθステージ３２上に載
置しｘ−ｙ−ｏの調整を行った後、検査装置による検査
結果から欠陥７５位置を再現する。接眼レンズ３７ある
いはモニタ４０で観察しながら、ノズル５２から絶縁膜
材料としてポリイミドの微細液滴を欠陥内部に付着させ
、欠陥７５を埋める。欠陥７５の大きさによっては１ヶ
の液滴で十分な場合もあるし、ステージ３２を移動させ
ながら数ヶ〜数１０ケの液滴を必要とする場合もある。

後の工程で配線膜が段切れを起こさない程度に第占・ ８図に示す様に欠陥７５部をポリイミド膜７Ｇ（正確に
はまだボリマ化していない）で埋めた後、電子回路基板
をベークして修正を完了する。その後，必要に応じて次
の製造工程に進。

これにより、電子回路基板の製造歩留りを向上すること
ができる。また、完成した電子回路基板に対して、前述
した半導体装置と同様に部分的な欠陥や回路変更の必要
が生じた場合に、レーザ加工、ＦＩＢ加工あるいはフォ
１ヘエッチングプロセスによる配線の切断や、レーザＣ
ＶＤ，ＦＩＢＣＶＤ，マスキングによる部分蒸着、レー
ザで加速したメッキ、あるいは通常のフォトプロセスに
よる配線形成を行い、それら補修位置を絶縁膜で覆うこ
とにより、電子回路基板の信頼性を確保することができ
る。

〔発明の効果〕

本発明によれば、半導体装置の補修のため配線を切断し
た部分で配線が露出していないので、水分の浸透、エレ
クトロマイグレーションなどによる短絡が生じない。ま
た補修配線が露出していな・２２　゜ いのて、組立時の機械的な力、加熱、水分浸透による腐
食等により断線することはない。即ち、補修した半導体
装１ｖＣの信頼性を確保することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す絶縁膜形成装置の構成
図、第２図は本発明の対象である補修済みの半導体チッ
プを示す図、第３図および第４図は各々本発明の絶縁膜
形成方法を説明するための図、第５図および第６図は各
々本発明の他の一実施例を示す絶縁膜形成装置の構成図
、第７図および第８図は各々本発明の電子回路基板への
絶縁膜形１反方法を説明するための図である。 １，３］・・・ＬＳＩチップ、 ２，３２・・ＸＹＺＯステージ、 １．２．５２・・ノズル、　　　　１５．　５４・・Ｉ
ＩＡ縁膜材料、２１　　開口、　　　　　　　２２・・
接続配線、２Ｇ・・絶縁膜材料膜、　　　６２　　レー
ザ発振器、・２３

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、不要配線の切断、接続配線の付加形成による補修を
   行った半導体装置であって、少なくとも上記補修部分を
   含む表面に液状の絶縁膜材料を付着せしめて溶媒を除去
   して固化させた絶縁膜を形成したことを特徴とする半導
   体装置。 ２、不要配線の切断、接続配線の付加形成による補修を
   行った半導体装置に対して、少なくとも上記補修部分を
   含む表面に、液状の絶縁膜材料を付着せしめ、溶媒を除
   去して固化させることを特徴とする絶縁膜形成方法。 ３、インクジェットノズルから吐出させて上記液状の絶
   縁膜材料を付着せしめる請求項２記載のことを特徴とす
   る絶縁膜形成方法。 ４、上記液状の絶縁膜材料がスピン・オン・ガラスを主
   成分とすることを特徴とする請求項２記載の絶縁膜形成
   方法。 ５、上記液状の絶縁膜材料ポリイミドを主成分とするこ
   とを特徴とする請求項２記載の絶縁膜形成方法。 ６、レーザ照射によって上記溶媒を除去して固化させる
   ことを特徴とする請求項２記載の絶縁膜形成方法。 ７、複数の絶縁層と複数の配線層を有する電子回路基板
   の絶縁層の一部が欠落した欠陥に対して、上記欠陥部の
   みに液状の絶縁膜材料を付着せしめ、溶媒を除去して固
   化させることを特徴とする絶縁膜形成方法。 ８、対象となる基板を載置するステージと、基板表面を
   観察する観察光学系と、液状の絶縁膜材料を吐出する手
   段と、ステージの駆動および絶縁膜材料の吐出を制御す
   る制御装置とを備えたことを特徴とする絶縁膜形成装置
   。 ９、上記制御装置は、上記観察光学系によって観察する
   視野内に絶縁膜材料を吐出制御し、絶縁膜材料の付着と
   表面の観察が同時に行える様に構成されたことを特徴と
   する請求項８記載の絶縁膜形成装置。