JPH03216911A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH03216911A JPH03216911A JP2011334A JP1133490A JPH03216911A JP H03216911 A JPH03216911 A JP H03216911A JP 2011334 A JP2011334 A JP 2011334A JP 1133490 A JP1133490 A JP 1133490A JP H03216911 A JPH03216911 A JP H03216911A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- capacitance
- temperature coefficient
- dielectric constant
- dielectric porcelain
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高く、良好
度Ｑにすぐれ、静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組
成物に関するものである．従来の技術 従来から、誘電率、絶縁抵抗が高く、良好度Ｑにすぐれ
、静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下
記のような系が知られている．・ＢａＯ ＴｉＯｚ
ＮｄｚＯｓ系・ＢａＯ Ｔｉｌｔ Ｓａ
ｇｅｓ系発明が解決しようとする課題 しかし、これらの組成は、例えば０．０９ＢａＯ −０
．５６ＴｉＯｚ ０．３５ＮｄＯｓｚｇの組成比か
らなる誘電体材料を使用し、円板形磁器コンデンサを作
製すると、誘電率：６７、静電容量温度係数： Ｎ４０
ＧＩＰＩＩ ／゜Ｃ、良好度Ｑ ： ３０００、絶縁抵
抗： ８．ＯＸ１０”Ω、絶縁破壊強度＝３０κＶ／
閣であり、満足のできる値ではない． 課題を解決するための手段 これらの課題を解決するために本発明は、一般ｘ［（Ｂ
ａＯ） １１−ａ） （ＭｇＯ） ａｌ ｙＴｉ
ｏｔ ｌＲｅｏ３ｙｘと表した時（ただし、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１．００、０＜ｍ≦０．５０、ＲｅＬｔＬａ， Ｐ
ｒ＋ Ｎｄ， Ｓｓから選ばれる一種以上の希土類元素
．）、ｘ，ｙ，ｚが以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ
，ｆで囲まれるモル比の範囲からなることを特徴とする
誘電体磁器組成物を提案するものである． 作用 第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する．すなわち、ＡｆＩＩ域で
は焼結が著しく困難である．また、ＢｓＪｌ域では良好
度Ｑが低下し実用的でな《なる。さらに、Ｃ，ＤｉＪｆ
域では静電容量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎ
て実用的でなくなる．そして、ＥｆｉＩ域では静電容量
温度係数がプラス方向に移行するが、誘電率が小さく実
用的でなくなる．また、ＲｅをＬａ， Ｐｒ． Ｎｄ＋
Ｓｗから選ぶことにより、Ｌａ， Ｐｒ， Ｎｄ，
Ｓ一の順で誘電率を大きく下げることなく、静電容量温
度係数をプラス方向に移行することが可能であり、Ｌａ
， Ｐｒ， Ｎｄ＋ ＳＩｌの１種あるいはそれらの組
合せにより静電容量温度係数の調節が可能である． また、ＢａＯをＭｇＯで置換することにより、誘電率、
良好度Ｑ、絶縁破壊強度の値を大きく変えることなく、
静電容量温度係数をプラス方向に移行させ、絶縁抵抗を
高くする効果を有しているが、その置換率ｍが０．０１
未満では置換効果はなく、方０．５０を趨えると誘電率
が低下し実用的でなくなる． 実施例 以下に、本発明を具体的実施例により説明する．（実施
例ｌ） 出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯコ， ＭｇＯ
，ＴＩＯＩ， ＬａｔＯｓ＋ ＰｒＪ＋＋＋ ＮｄｘＯ
ｓおよびＳａｇ（ｈ粉末を下記の第１表に示す組成比に
なるように秤量し、めのうボールを備えたゴム内張りの
ボールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥
した．この乾燥粉末を高アルミナ賞のルツボに入れ、空
気中で１１００℃にて２時間仮焼した．この仮焼粉末を
、めのうボールを備えたゴム内張りのボールミルに純水
とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した．この粉砕粉
末に、有機バインダーを加え、均質とした後、３２メッ
シュのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用い
て成形圧力１ｔｏｎ／ｃｊで直径１５■、厚み０．４閣
に成形した．次いで、この成形円板をジルコニア粉末を
敷いたアルミナ賞のサヤに入れ、空気中にて下記の第１
表に示す温度で２時間焼成し、第１表に示す組成比の誘
電体磁器を得た． このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
を測定し、誘電率、良好度Ｑ、静電容量温度係数測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
、絶縁抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円
板の外周より内側に１閣の幅で銀電極のない部分を設け
、銀電極を焼き付けた．そして、誘電率、良好度Ｑ、静
電容量温度係数は、横河・ヒューレソト・バッカード■
製デジタルＬＣＲメータのモデル４２７５ Ａを使用し
、測定温度２０゜Ｃ、測定電圧１．ＯＶｒｍｓ，測定周
波数ｌＭＨｚでの測定より求めた．なお、静電容量温度
係数は、２０゜Ｃと８５゜Ｃの静電容量を測定し、次式
により求めた． ＴＣ＝ （Ｃ−Ｃｏ）／ＣｏＸｉ／６５ＸｌＯ”ＴＣ：
静電容量温度係数（ｐｐｍ／”Ｃ）Ｃｏ：２０゜Ｃでの
静電容量（ ｐＦ ）Ｃ：８５゜Ｃでの静電容量（ｐＦ
） また、誘電率は次式より求めた． Ｋ＝ １４３．８ｘ Ｃ ｏ Ｘ ｔ ／ Ｄ”Ｋ ：
誘電率 Ｃｏ：２０’Ｃでの静電容量（ｐＰ） Ｄ ：誘電体磁器の直径 （１） Ｌ ：誘電体磁器の厚み （謹） さらに、絶縁抵抗は、横河・ヒューレット・パッカード
■製ＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測定電圧
５０Ｖ．［ｌ．Ｃ．、測定時間１分間による測定より求
めた． そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業■製高電圧電源
ＰＨ５３５Ｋ−３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度５ＱＶ／ｓｅｅにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、１一当りの絶縁破壊強度と
した． 試験条件を第１表に併せて示し、試験結果を下記の第２
表に示す． 以下余白 なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ｂａ
ＣＯ１＋ ＭｇＯ， ＴｉＯｇ＋ ＬａｘＯｓ＋ Ｐｒ
＊０＋＋＋ Ｎｄ，ｏ，およびＳｅｘｅｓを使用したが
、この方法に限定されるものではなく、所望の組成比に
なるように、Ｂａ↑１０，などの化合物、あるいは炭酸
塩、水酸化物など空気中での加熱により、Ｂａｄ， Ｍ
ｇＯ＋ ｒｉｏｔ， ＬａｇＯｓ＋Ｐｒ．Ｏ＋＋＋
ＮＴｏＯｓおよびＳｍ．０１となる化合物を使用しても
実施例と同程度の特性を得ることができる．また、上述
の基本組成のほかに、ＳｉＯｇｎ ＭｎＯｇ，’ｅｔｏ
３＋ ＺｎＯなど一般にフランクスと考えられている塩
類、酸化物などを、特性を損なわない範囲で加えること
もできる． 発明の効果 以上のように本発明によれば、誘電率、絶縁抵抗、絶縁
破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、静電容量温度係数
が小さいため、製品の小型化、大容量化、特性向上が可
能である．
度Ｑにすぐれ、静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組
成物に関するものである．従来の技術 従来から、誘電率、絶縁抵抗が高く、良好度Ｑにすぐれ
、静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下
記のような系が知られている．・ＢａＯ ＴｉＯｚ
ＮｄｚＯｓ系・ＢａＯ Ｔｉｌｔ Ｓａ
ｇｅｓ系発明が解決しようとする課題 しかし、これらの組成は、例えば０．０９ＢａＯ −０
．５６ＴｉＯｚ ０．３５ＮｄＯｓｚｇの組成比か
らなる誘電体材料を使用し、円板形磁器コンデンサを作
製すると、誘電率：６７、静電容量温度係数： Ｎ４０
ＧＩＰＩＩ ／゜Ｃ、良好度Ｑ ： ３０００、絶縁抵
抗： ８．ＯＸ１０”Ω、絶縁破壊強度＝３０κＶ／
閣であり、満足のできる値ではない． 課題を解決するための手段 これらの課題を解決するために本発明は、一般ｘ［（Ｂ
ａＯ） １１−ａ） （ＭｇＯ） ａｌ ｙＴｉ
ｏｔ ｌＲｅｏ３ｙｘと表した時（ただし、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１．００、０＜ｍ≦０．５０、ＲｅＬｔＬａ， Ｐ
ｒ＋ Ｎｄ， Ｓｓから選ばれる一種以上の希土類元素
．）、ｘ，ｙ，ｚが以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ
，ｆで囲まれるモル比の範囲からなることを特徴とする
誘電体磁器組成物を提案するものである． 作用 第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する．すなわち、ＡｆＩＩ域で
は焼結が著しく困難である．また、ＢｓＪｌ域では良好
度Ｑが低下し実用的でな《なる。さらに、Ｃ，ＤｉＪｆ
域では静電容量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎ
て実用的でなくなる．そして、ＥｆｉＩ域では静電容量
温度係数がプラス方向に移行するが、誘電率が小さく実
用的でなくなる．また、ＲｅをＬａ， Ｐｒ． Ｎｄ＋
Ｓｗから選ぶことにより、Ｌａ， Ｐｒ， Ｎｄ，
Ｓ一の順で誘電率を大きく下げることなく、静電容量温
度係数をプラス方向に移行することが可能であり、Ｌａ
， Ｐｒ， Ｎｄ＋ ＳＩｌの１種あるいはそれらの組
合せにより静電容量温度係数の調節が可能である． また、ＢａＯをＭｇＯで置換することにより、誘電率、
良好度Ｑ、絶縁破壊強度の値を大きく変えることなく、
静電容量温度係数をプラス方向に移行させ、絶縁抵抗を
高くする効果を有しているが、その置換率ｍが０．０１
未満では置換効果はなく、方０．５０を趨えると誘電率
が低下し実用的でなくなる． 実施例 以下に、本発明を具体的実施例により説明する．（実施
例ｌ） 出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯコ， ＭｇＯ
，ＴＩＯＩ， ＬａｔＯｓ＋ ＰｒＪ＋＋＋ ＮｄｘＯ
ｓおよびＳａｇ（ｈ粉末を下記の第１表に示す組成比に
なるように秤量し、めのうボールを備えたゴム内張りの
ボールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥
した．この乾燥粉末を高アルミナ賞のルツボに入れ、空
気中で１１００℃にて２時間仮焼した．この仮焼粉末を
、めのうボールを備えたゴム内張りのボールミルに純水
とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した．この粉砕粉
末に、有機バインダーを加え、均質とした後、３２メッ
シュのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用い
て成形圧力１ｔｏｎ／ｃｊで直径１５■、厚み０．４閣
に成形した．次いで、この成形円板をジルコニア粉末を
敷いたアルミナ賞のサヤに入れ、空気中にて下記の第１
表に示す温度で２時間焼成し、第１表に示す組成比の誘
電体磁器を得た． このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
を測定し、誘電率、良好度Ｑ、静電容量温度係数測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
、絶縁抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円
板の外周より内側に１閣の幅で銀電極のない部分を設け
、銀電極を焼き付けた．そして、誘電率、良好度Ｑ、静
電容量温度係数は、横河・ヒューレソト・バッカード■
製デジタルＬＣＲメータのモデル４２７５ Ａを使用し
、測定温度２０゜Ｃ、測定電圧１．ＯＶｒｍｓ，測定周
波数ｌＭＨｚでの測定より求めた．なお、静電容量温度
係数は、２０゜Ｃと８５゜Ｃの静電容量を測定し、次式
により求めた． ＴＣ＝ （Ｃ−Ｃｏ）／ＣｏＸｉ／６５ＸｌＯ”ＴＣ：
静電容量温度係数（ｐｐｍ／”Ｃ）Ｃｏ：２０゜Ｃでの
静電容量（ ｐＦ ）Ｃ：８５゜Ｃでの静電容量（ｐＦ
） また、誘電率は次式より求めた． Ｋ＝ １４３．８ｘ Ｃ ｏ Ｘ ｔ ／ Ｄ”Ｋ ：
誘電率 Ｃｏ：２０’Ｃでの静電容量（ｐＰ） Ｄ ：誘電体磁器の直径 （１） Ｌ ：誘電体磁器の厚み （謹） さらに、絶縁抵抗は、横河・ヒューレット・パッカード
■製ＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測定電圧
５０Ｖ．［ｌ．Ｃ．、測定時間１分間による測定より求
めた． そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業■製高電圧電源
ＰＨ５３５Ｋ−３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度５ＱＶ／ｓｅｅにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、１一当りの絶縁破壊強度と
した． 試験条件を第１表に併せて示し、試験結果を下記の第２
表に示す． 以下余白 なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ｂａ
ＣＯ１＋ ＭｇＯ， ＴｉＯｇ＋ ＬａｘＯｓ＋ Ｐｒ
＊０＋＋＋ Ｎｄ，ｏ，およびＳｅｘｅｓを使用したが
、この方法に限定されるものではなく、所望の組成比に
なるように、Ｂａ↑１０，などの化合物、あるいは炭酸
塩、水酸化物など空気中での加熱により、Ｂａｄ， Ｍ
ｇＯ＋ ｒｉｏｔ， ＬａｇＯｓ＋Ｐｒ．Ｏ＋＋＋
ＮＴｏＯｓおよびＳｍ．０１となる化合物を使用しても
実施例と同程度の特性を得ることができる．また、上述
の基本組成のほかに、ＳｉＯｇｎ ＭｎＯｇ，’ｅｔｏ
３＋ ＺｎＯなど一般にフランクスと考えられている塩
類、酸化物などを、特性を損なわない範囲で加えること
もできる． 発明の効果 以上のように本発明によれば、誘電率、絶縁抵抗、絶縁
破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、静電容量温度係数
が小さいため、製品の小型化、大容量化、特性向上が可
能である．
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を説
明する三元図である． 第 ｌ 図
明する三元図である． 第 ｌ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ｘ［（ＢａＯ）＿（＿１＿−＿ｍ＿）（ＭｇＯ）＿ｍ］
−ｙＴｉＯ＿２−ｚＲｅＯ＿３＿／＿２と表した時（た
だし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００，０．０１＜ｍ≦０．５０
、ＲｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる一種以上
の希土類元素。）、ｘ，ｙ，ｚが以下に表す各点ａ，ｂ
，ｃ，ｄ，ｅ，ｆで囲まれるモル比の範囲からなること
を特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011334A JPH03216911A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011334A JPH03216911A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03216911A true JPH03216911A (ja) | 1991-09-24 |
Family
ID=11775137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011334A Pending JPH03216911A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03216911A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6844797B2 (en) | 2002-02-21 | 2005-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency dielectric ceramic member, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication device |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP2011334A patent/JPH03216911A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6844797B2 (en) | 2002-02-21 | 2005-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency dielectric ceramic member, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication device |
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