JPH03216998A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
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- JPH03216998A JPH03216998A JP2009785A JP978590A JPH03216998A JP H03216998 A JPH03216998 A JP H03216998A JP 2009785 A JP2009785 A JP 2009785A JP 978590 A JP978590 A JP 978590A JP H03216998 A JPH03216998 A JP H03216998A
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- JP
- Japan
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- luminescent
- film
- electric field
- organic compound
- layer
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電界を印加することにより電気エネルギーを直
接光エネルギーに変換でき,従来の白熱灯、蛍光灯ある
いは発光ダイオードとは異なり大面積の面状発光体の実
現を可能による電界発光素子に関する。
接光エネルギーに変換でき,従来の白熱灯、蛍光灯ある
いは発光ダイオードとは異なり大面積の面状発光体の実
現を可能による電界発光素子に関する。
従来、電界電光素子としては無機化合物からなる薄膜を
積層構成したものが知られている。この無機薄膜型電界
発光素子は一般に第2図に示されるようにガラス基板上
に透明電極(ITO)、絶縁層(S13N4)、発光層
(ZnS:Mn)、絶緑層(Sl3N4)、金属電極(
AI2)の各層が順次形成されている。このような無機
薄膜型電界発光素子は発光輝度は高いものの,駆動電圧
は100〜200vと高く、専用の高耐圧駆動ICが必
要である。また発光層用母体材料や活性剤として使用で
きる材料は限定されており、しかも所望の発光波長で輝
度の高い素子が必ずしも得られるわけではない。
積層構成したものが知られている。この無機薄膜型電界
発光素子は一般に第2図に示されるようにガラス基板上
に透明電極(ITO)、絶縁層(S13N4)、発光層
(ZnS:Mn)、絶緑層(Sl3N4)、金属電極(
AI2)の各層が順次形成されている。このような無機
薄膜型電界発光素子は発光輝度は高いものの,駆動電圧
は100〜200vと高く、専用の高耐圧駆動ICが必
要である。また発光層用母体材料や活性剤として使用で
きる材料は限定されており、しかも所望の発光波長で輝
度の高い素子が必ずしも得られるわけではない。
これに対して、近年有機薄膜を積層した電界発光素子の
作製が試みられるようになった。これらは例えば特開昭
57−51781号公報に開示されている如く、発光体
となるべき有機化合物の薄層を電子及び/または正孔を
選択的に伝導する材料の薄層で扶持し、その両側に電極
を設けた構造を有する。
作製が試みられるようになった。これらは例えば特開昭
57−51781号公報に開示されている如く、発光体
となるべき有機化合物の薄層を電子及び/または正孔を
選択的に伝導する材料の薄層で扶持し、その両側に電極
を設けた構造を有する。
このような有機薄膜型電界発光素子においては無機薄膜
型電界発光素子と比べて、発光層用材科の選択の範囲が
広く、種々の発光波長を有するものが見出されている。
型電界発光素子と比べて、発光層用材科の選択の範囲が
広く、種々の発光波長を有するものが見出されている。
また一般に駆動電圧も5〜60V程度と低く、且つ大面
積比も容易であることから、フルカラーディスプレイを
始めとする各種発光、表示デバイスへの応用が期待され
ている。
積比も容易であることから、フルカラーディスプレイを
始めとする各種発光、表示デバイスへの応用が期待され
ている。
しかし、上記の例を含む、有機化合物を発光体とする電
界発光素子はその研究も浅く、未だその材料研究やデバ
イス化への研究が充分になされているとは言えず,現状
では更なる輝度の向上、発光波長のコントロール,耐久
性の向上など、多くの課題をかかえているのが実情であ
る。
界発光素子はその研究も浅く、未だその材料研究やデバ
イス化への研究が充分になされているとは言えず,現状
では更なる輝度の向上、発光波長のコントロール,耐久
性の向上など、多くの課題をかかえているのが実情であ
る。
特に従来の有機薄膜型電界発光素子においてはモノマー
の有機化合物を真空蒸着法等により薄膜化して用いてい
るために,印加電圧に対する素子の絶縁耐圧に問題があ
り、わずかな過大電圧で素子が破壊したり、また有機化
合物層の結晶化の進行により、素子の寿命が制約されて
いた。
の有機化合物を真空蒸着法等により薄膜化して用いてい
るために,印加電圧に対する素子の絶縁耐圧に問題があ
り、わずかな過大電圧で素子が破壊したり、また有機化
合物層の結晶化の進行により、素子の寿命が制約されて
いた。
本発明は上記のような従来技術の欠点を克服し、低電圧
で駆動可能であって、発光性能が長時間に亘って持続す
ると共に発光波長のコントロールが容易であり、しかも
耐久性に優れた電界発光素子を提供することをその課題
とする。
で駆動可能であって、発光性能が長時間に亘って持続す
ると共に発光波長のコントロールが容易であり、しかも
耐久性に優れた電界発光素子を提供することをその課題
とする。
本発明者らは、上記課題を解決するための発光層の構成
要素について鋭意検討した結果、二つの電極間に挾持さ
れた一層または複数層の有機化合物より構成される電界
発光素子において、前記有機化合物層のうち少なくとも
一層を電界重合膜とすることにより上記課題が解決でき
ることを見い出も、本発明を完成するに至った。
要素について鋭意検討した結果、二つの電極間に挾持さ
れた一層または複数層の有機化合物より構成される電界
発光素子において、前記有機化合物層のうち少なくとも
一層を電界重合膜とすることにより上記課題が解決でき
ることを見い出も、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明によれば陽極および陰極とこれらの間
に挾持された一層または複数層の有機化合物層より構成
される電界発光素子において、有機化合物層のうち少な
くとも一層が電界重合法により形成されることを特徴と
する電界発光素子が提供される。
に挾持された一層または複数層の有機化合物層より構成
される電界発光素子において、有機化合物層のうち少な
くとも一層が電界重合法により形成されることを特徴と
する電界発光素子が提供される。
本発明においては電界発光素子を構成する有機化合物の
薄膜層のうち少なくとも一層を電界重合膜で構成したこ
とを特徴とする。電界重合法は水または適当な有機溶媒
中に電解質と七ノマーとを溶解し、その溶液中に一対の
電極を挿入して電流を流すことにより、電極面にポリマ
ーの薄膜を析出させる方法である。得られる膜は重合化
しているので、真空蒸着法やスピンコーティング法で形
成したモノマーの膜に比べて、極めて緻密であり、絶縁
耐圧も高い、また結晶化もしにくいため、電界発光素子
の一部に用いた場合,素子の絶縁破壊の防止,耐久性の
向上に寄与することができる。
薄膜層のうち少なくとも一層を電界重合膜で構成したこ
とを特徴とする。電界重合法は水または適当な有機溶媒
中に電解質と七ノマーとを溶解し、その溶液中に一対の
電極を挿入して電流を流すことにより、電極面にポリマ
ーの薄膜を析出させる方法である。得られる膜は重合化
しているので、真空蒸着法やスピンコーティング法で形
成したモノマーの膜に比べて、極めて緻密であり、絶縁
耐圧も高い、また結晶化もしにくいため、電界発光素子
の一部に用いた場合,素子の絶縁破壊の防止,耐久性の
向上に寄与することができる。
電界重合法により成膜できる材料としてはピロール、チ
オフェン等の複素五員環,アニリン、アミノピレン等の
芳香族アミン、ベンゼン、ピレン、フルオレン等の芳香
族炭化水素、N−ビニル力ルバゾール等のビニル化合物
などが挙げられるが、特に以下に示す化合物は電界発光
素子の構成要素として適した材料であり、 好ましく使用される. I C,H, 一 C2H, 《 C,H, し2n= C2H. 1 CHJ l CH2CH, H,N−◎−0−◎一NH2 02N一〇一S一〇一NH2 HよN−◎−O−◎−NH一◎ H2N−◎一S一◎−NH一◎ ◎−NH一〇一〇一〇−NH−◎ ◎−NH−◎一S−◎−NH一◎ ◎−NH−◎−O−◎一N{O)). ◎−NH−◎−s−Q−N−{o)2 (q枡N−◎−0−◎一N−C))2 具体的な電界重合膜はたとえば以下のようにして作成さ
れる。まずこれらの有機化合物のモノマーを,比誘電率
が高く、電解質を良く溶解する溶媒、たとえばアセトニ
トリル、ペンゾニトリル、プロピレンカーボネート、メ
チルアルコール等のアルコール類,ジメチルホルムアミ
ド、ニトロベンゼン、N−メチルピロリドン、テトラヒ
ド口フラン、ジメチルスルホキシドなどに溶かし、電解
質を適量加える。電解質としては有機溶媒に可溶で、イ
オン解離しやすい有機または無機の塩または複塩、錯塩
、イオン性染料などが用いられる。具体的なものとして
は(n−C4Hs)JCRO4. (C2H5)4NB
F4、(C.}I,)N}IsO.. (n−C.H9
)4N−CH,{トSO,、(C2HS).NPFG.
LiCQ04. NaAsFイAgBF,.ローズベ
ンガルなどが用いられる。これらの電界質は精製し真空
乾燥して使用するのが望ましい。この場合、重合反応に
おける電解質の濃度は0.Ol〜1.0+soQ/Q、
好ましくは0.05〜0.3moQ/Rの範囲である。
オフェン等の複素五員環,アニリン、アミノピレン等の
芳香族アミン、ベンゼン、ピレン、フルオレン等の芳香
族炭化水素、N−ビニル力ルバゾール等のビニル化合物
などが挙げられるが、特に以下に示す化合物は電界発光
素子の構成要素として適した材料であり、 好ましく使用される. I C,H, 一 C2H, 《 C,H, し2n= C2H. 1 CHJ l CH2CH, H,N−◎−0−◎一NH2 02N一〇一S一〇一NH2 HよN−◎−O−◎−NH一◎ H2N−◎一S一◎−NH一◎ ◎−NH一〇一〇一〇−NH−◎ ◎−NH−◎一S−◎−NH一◎ ◎−NH−◎−O−◎一N{O)). ◎−NH−◎−s−Q−N−{o)2 (q枡N−◎−0−◎一N−C))2 具体的な電界重合膜はたとえば以下のようにして作成さ
れる。まずこれらの有機化合物のモノマーを,比誘電率
が高く、電解質を良く溶解する溶媒、たとえばアセトニ
トリル、ペンゾニトリル、プロピレンカーボネート、メ
チルアルコール等のアルコール類,ジメチルホルムアミ
ド、ニトロベンゼン、N−メチルピロリドン、テトラヒ
ド口フラン、ジメチルスルホキシドなどに溶かし、電解
質を適量加える。電解質としては有機溶媒に可溶で、イ
オン解離しやすい有機または無機の塩または複塩、錯塩
、イオン性染料などが用いられる。具体的なものとして
は(n−C4Hs)JCRO4. (C2H5)4NB
F4、(C.}I,)N}IsO.. (n−C.H9
)4N−CH,{トSO,、(C2HS).NPFG.
LiCQ04. NaAsFイAgBF,.ローズベ
ンガルなどが用いられる。これらの電界質は精製し真空
乾燥して使用するのが望ましい。この場合、重合反応に
おける電解質の濃度は0.Ol〜1.0+soQ/Q、
好ましくは0.05〜0.3moQ/Rの範囲である。
七ノマーの濃度は使用する溶媒に対する溶解度に左右さ
れるが,一般には1膳tmoQ/Q〜IIIloQ/Q
の範囲である。本発明の電界重合法においてはポリマー
の生成を促進させるために他に添加物として水素受容体
である2,6−ルチジン、ピリジン. 2,4.6−コ
リジンなどを加えることができる。添加物の濃度は任意
であるが、好ましくはモノマーと等モル〜20倍モルの
笥囲である。電界重合反応は二極でも二極でも可能であ
るが、二極で行なった方が、定電位または定電流重合が
行なえるため望ましい。二極法の場合の参照電極は一般
的なものが使用可能であるが,飽和力ロメル電極(SC
E)か、銀/塩化銀が良く使用される。電解電圧はSC
Hに対して1v以上で重合が可能であるが、重合に際し
ては定電位、定電流,サイクリック電位でもさしつかえ
ない。得られた重合膜は脱ドープを行なってカチオン活
性種を除くことにより、透明に近く、電気的に安定化し
た膜にすることができる・ 以下、本発明を図面によって説明する。
れるが,一般には1膳tmoQ/Q〜IIIloQ/Q
の範囲である。本発明の電界重合法においてはポリマー
の生成を促進させるために他に添加物として水素受容体
である2,6−ルチジン、ピリジン. 2,4.6−コ
リジンなどを加えることができる。添加物の濃度は任意
であるが、好ましくはモノマーと等モル〜20倍モルの
笥囲である。電界重合反応は二極でも二極でも可能であ
るが、二極で行なった方が、定電位または定電流重合が
行なえるため望ましい。二極法の場合の参照電極は一般
的なものが使用可能であるが,飽和力ロメル電極(SC
E)か、銀/塩化銀が良く使用される。電解電圧はSC
Hに対して1v以上で重合が可能であるが、重合に際し
ては定電位、定電流,サイクリック電位でもさしつかえ
ない。得られた重合膜は脱ドープを行なってカチオン活
性種を除くことにより、透明に近く、電気的に安定化し
た膜にすることができる・ 以下、本発明を図面によって説明する。
第1図(a)は本発明の電界発光素子の模式断面図であ
る。1はガラス基板ないしは合成樹脂基板であり、2は
基板上に形成された陽極電極層、4は陰極電極層である
。3aは正孔輸送能を有する電界重合膜でありその膜厚
は100人から2000人が好ましく,より好ましくは
200人から1000人である。3bは電子輸送能及び
発光機能を有する有機化合物の薄膜層であり、その膜厚
は100人から1500人が好ましく、より好ましくは
200人から1000人である。
る。1はガラス基板ないしは合成樹脂基板であり、2は
基板上に形成された陽極電極層、4は陰極電極層である
。3aは正孔輸送能を有する電界重合膜でありその膜厚
は100人から2000人が好ましく,より好ましくは
200人から1000人である。3bは電子輸送能及び
発光機能を有する有機化合物の薄膜層であり、その膜厚
は100人から1500人が好ましく、より好ましくは
200人から1000人である。
陽極材料としてはニッケル、金、白金、パラジウムやこ
れらの合金或いは酸化錫(SnO, )、酸化錫インジ
ウム(ITO)、沃化銅などの仕事関数の大きな金属や
それらの合金、化合物、更にはポリ(3一メチルチオフ
ェン)、ポリピロール等の導電性ボリマーなどを用いる
ことができる。一方、陰極材料としては、仕事関数の小
さな金属たとえば銀、錫、鉛、マグネシウム、マンガン
、アルミニウム、或いはこれらの合金が用いられる。陽
極及び陰極として用いる材料のうち少なくとも一方は、
素子の発光波長領域において十分透明であることが望ま
しい。具体的には80%以上の光透過率を有することが
好ましい。
れらの合金或いは酸化錫(SnO, )、酸化錫インジ
ウム(ITO)、沃化銅などの仕事関数の大きな金属や
それらの合金、化合物、更にはポリ(3一メチルチオフ
ェン)、ポリピロール等の導電性ボリマーなどを用いる
ことができる。一方、陰極材料としては、仕事関数の小
さな金属たとえば銀、錫、鉛、マグネシウム、マンガン
、アルミニウム、或いはこれらの合金が用いられる。陽
極及び陰極として用いる材料のうち少なくとも一方は、
素子の発光波長領域において十分透明であることが望ま
しい。具体的には80%以上の光透過率を有することが
好ましい。
第1図(b)は本発明の電界発光素子の他の態様を示す
模式断面図である。1,2,3a,3b,4は第1図(
a)と同一である。3cは電子輸送能を有する有機化合
物の薄膜層である。
模式断面図である。1,2,3a,3b,4は第1図(
a)と同一である。3cは電子輸送能を有する有機化合
物の薄膜層である。
本発明による電界発光素子はかかる電界重合膜を正孔輸
送層、発光層,電子輸送層、或いは電極等の構成要素と
して使用する。たとえば正孔輸送層として用いる場合に
は以下の手順により素子作成が行なわれる。すなわち基
板上に陽極としてたとえば酸化錫インジウム(ITO)
をスパッタリング,電子ビーム蒸着、スプレー法等によ
り形成する。
送層、発光層,電子輸送層、或いは電極等の構成要素と
して使用する。たとえば正孔輸送層として用いる場合に
は以下の手順により素子作成が行なわれる。すなわち基
板上に陽極としてたとえば酸化錫インジウム(ITO)
をスパッタリング,電子ビーム蒸着、スプレー法等によ
り形成する。
所定パターンにエッチングした後,前述したモノマー材
料のうち適当なものを電界質及び添加物とともに溶媒中
に溶解した溶液を作り、陽極側に設置する。参照電極と
してSCE、また陰極として白金を用い,所定時間電流
を流すとITO上に重合膜が析出する.得られた重合膜
は必要に応じて、逆電界を印加して電界質イオンの脱ド
ーブを行なった後、アセトン,メタノールで洗浄し、真
空乾燥する。このようにして形成された正孔輸送層の上
に順に電子輸送性発光層及び陰極を、例えば真空蒸着法
などにより形成すれば、第1図(a)のような電界発光
素子が作成される。
料のうち適当なものを電界質及び添加物とともに溶媒中
に溶解した溶液を作り、陽極側に設置する。参照電極と
してSCE、また陰極として白金を用い,所定時間電流
を流すとITO上に重合膜が析出する.得られた重合膜
は必要に応じて、逆電界を印加して電界質イオンの脱ド
ーブを行なった後、アセトン,メタノールで洗浄し、真
空乾燥する。このようにして形成された正孔輸送層の上
に順に電子輸送性発光層及び陰極を、例えば真空蒸着法
などにより形成すれば、第1図(a)のような電界発光
素子が作成される。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例1
陽極として厚さ500人のITO薄膜の形成されたガラ
ス基板を七分洗浄した後、下記溶液を用いて陽極上に正
孔輸送層を形成した. アセトニトリル 2〇−2,6−ル
チジン 0.05■oQ/QN,N
’−ジフエニルベンジジン 4,5mmoR/fl
◎−NH一◎−◎一NH−◎ すなわち上記組成よりなる溶液を電解セルに入れ、陽極
側に1丁0付ガラス基板、陰極として白金線、参照電極
としてSCEを使用した. SCHに対してOV−+2
V−+OV.掃引速度50mV/seeの三角波を印加
して重合を行なった。20秒間通電後、ITO付ガラス
基板を取り出し、プロピレンカーボネート/テトラーn
−プチルアンモニウムパーク口レート(0.1mo12
IQ)溶液中テSCHニ対シテ、OV−+−0.8V−
+OV. 1!引速度50■V/seeの三角波を印加
して、脱ドープを行なった。得られた重合膜は厚さ1
, 200人のほぼ透明に近い、淡黄色をした平滑な膜
であった。アセトン,メタノールで十分洗浄し、真空乾
燥した後、この重合膜の上に下記材料を真空蒸着により
約750人成膜し、電子輸送性発光層とした。
ス基板を七分洗浄した後、下記溶液を用いて陽極上に正
孔輸送層を形成した. アセトニトリル 2〇−2,6−ル
チジン 0.05■oQ/QN,N
’−ジフエニルベンジジン 4,5mmoR/fl
◎−NH一◎−◎一NH−◎ すなわち上記組成よりなる溶液を電解セルに入れ、陽極
側に1丁0付ガラス基板、陰極として白金線、参照電極
としてSCEを使用した. SCHに対してOV−+2
V−+OV.掃引速度50mV/seeの三角波を印加
して重合を行なった。20秒間通電後、ITO付ガラス
基板を取り出し、プロピレンカーボネート/テトラーn
−プチルアンモニウムパーク口レート(0.1mo12
IQ)溶液中テSCHニ対シテ、OV−+−0.8V−
+OV. 1!引速度50■V/seeの三角波を印加
して、脱ドープを行なった。得られた重合膜は厚さ1
, 200人のほぼ透明に近い、淡黄色をした平滑な膜
であった。アセトン,メタノールで十分洗浄し、真空乾
燥した後、この重合膜の上に下記材料を真空蒸着により
約750人成膜し、電子輸送性発光層とした。
更に陰極としてマグネシウム及び銀を、この上に二元蒸
着して合金膜として形成し、第1図(a)のような構成
の素子を作成した。このようにして得られた発光素子に
外部電源を接続して、陽極側が高電位になるように電圧
を印加したところ、黄緑色の発光が観測された。
着して合金膜として形成し、第1図(a)のような構成
の素子を作成した。このようにして得られた発光素子に
外部電源を接続して、陽極側が高電位になるように電圧
を印加したところ、黄緑色の発光が観測された。
比較例として、同一材料を用いて,すべて真空蒸着法に
より素子を作成した。同様に外部電源を接続し、電圧を
印加したところ、同じように黄緑色の発光を生じたが、
本実施例の素子に比べて、より低い電圧で絶縁破壊を生
じ,また輝度の低下を短時間で生じた。
より素子を作成した。同様に外部電源を接続し、電圧を
印加したところ、同じように黄緑色の発光を生じたが、
本実施例の素子に比べて、より低い電圧で絶縁破壊を生
じ,また輝度の低下を短時間で生じた。
実施例2
実施例1と同様なITO付ガラス基板の上に、下記溶液
を用いて正孔輸送層を形成した。
を用いて正孔輸送層を形成した。
ニトロベンゼン 20+alll
2,6−ルチジン 0.05+soQ/Q 1 C2H, 重合条件と後処理は実施例1と同様に行ない、平滑な電
界重合膜を得た。次に発光層としてヘキサフェニルベン
ゼン 電子輸送層としてペリレン誘導体 をそれぞれ250人、及び750人ずつ、この順に真空
蒸着により形成した。最後にマグネシウム/銀による陰
極を二元蒸着して、第1図(b)のような構成の素子を
作成した。つぎに5実施例1の場合と同様にすべて真空
蒸着法で作成した電界発光素子とその特性比較を行なっ
たところ、いずれの素子においても黄橙色の発光が観測
されたものの,絶縁耐圧及び素子の寿命の点において、
電界重合膜を用いた本実施例の素子の方がすぐれている
ことが確認された。
2,6−ルチジン 0.05+soQ/Q 1 C2H, 重合条件と後処理は実施例1と同様に行ない、平滑な電
界重合膜を得た。次に発光層としてヘキサフェニルベン
ゼン 電子輸送層としてペリレン誘導体 をそれぞれ250人、及び750人ずつ、この順に真空
蒸着により形成した。最後にマグネシウム/銀による陰
極を二元蒸着して、第1図(b)のような構成の素子を
作成した。つぎに5実施例1の場合と同様にすべて真空
蒸着法で作成した電界発光素子とその特性比較を行なっ
たところ、いずれの素子においても黄橙色の発光が観測
されたものの,絶縁耐圧及び素子の寿命の点において、
電界重合膜を用いた本実施例の素子の方がすぐれている
ことが確認された。
なお、以上の例では電界重合法を、正孔輸送層形成のた
めに採用したが、蛍光性モノマーを用いた場合には発光
層を電界重合法で形成することができた。
めに採用したが、蛍光性モノマーを用いた場合には発光
層を電界重合法で形成することができた。
本発明の電界発光素子は、陽極及び陰極により挾持され
た有機化合物薄膜のうち、少なくとも一層を電界重合法
により形成したことから、素子の絶縁耐圧を高め、且つ
長期間にわたって安定した発光特性を得ることができる
.また同一基板上に互いに分離された複数の電極を存在
させた場合には,重合時の電極を適当に選択することに
より、電極ごとに異なる重合膜を形成でき電極により、
発光特性を変えることができる。
た有機化合物薄膜のうち、少なくとも一層を電界重合法
により形成したことから、素子の絶縁耐圧を高め、且つ
長期間にわたって安定した発光特性を得ることができる
.また同一基板上に互いに分離された複数の電極を存在
させた場合には,重合時の電極を適当に選択することに
より、電極ごとに異なる重合膜を形成でき電極により、
発光特性を変えることができる。
第1図(.)及び第1図(b)は各々本発明に係る電界
発光素子の模式断面図、 第2図は従来の電界発光 素子の模式断面図である。
発光素子の模式断面図、 第2図は従来の電界発光 素子の模式断面図である。
Claims (3)
- (1) 陽極および陰極とこれらの間に挾持された一層
または複数層の有機化合物層より構成される電界発光素
子において、有機化合物層のうち少なくとも一層が電界
重合法により形成されることを特徴とする電界発光素子
。 - (2) 有機化合物層のうち少なくとも一層が電界重合
膜であることを特徴とする請求項(1)の電界発光素子
。 - (3) 陽極および/または陰極が互いに分離された複
数の副電極よりなり、各々の副電極のうち少なくとも1
つは他の副電極とは異なる電界重合膜が形成されている
ことを特徴とする請求項(1)又は(2)の電界発光素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009785A JPH03216998A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009785A JPH03216998A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 電界発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03216998A true JPH03216998A (ja) | 1991-09-24 |
Family
ID=11729886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009785A Pending JPH03216998A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03216998A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03274693A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-05 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| WO1999048122A1 (en) * | 1998-03-13 | 1999-09-23 | The University Of Liverpool | Field emission cathode and field emission display |
| WO2000051404A1 (en) * | 1999-02-23 | 2000-08-31 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Electroluminescent element |
| WO2012103663A1 (es) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | Universidad De Chile | Procedimiento de polimerización in situ para obtener un aparato electro-óptico, dicho polímero y aparato electro-óptico; y usos |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP2009785A patent/JPH03216998A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03274693A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-05 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| WO1999048122A1 (en) * | 1998-03-13 | 1999-09-23 | The University Of Liverpool | Field emission cathode and field emission display |
| WO2000051404A1 (en) * | 1999-02-23 | 2000-08-31 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Electroluminescent element |
| US6632545B1 (en) | 1999-02-23 | 2003-10-14 | Junji Kido | Electroluminescent element |
| WO2012103663A1 (es) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | Universidad De Chile | Procedimiento de polimerización in situ para obtener un aparato electro-óptico, dicho polímero y aparato electro-óptico; y usos |
| US9664930B2 (en) | 2011-01-31 | 2017-05-30 | Universidad De Chile | In situ polymerisation process for obtaining an electro-optical apparatus, said polymer and electro-optical apparatus; and uses thereof |
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