JPH03217843A - 異物検査装置 - Google Patents
異物検査装置Info
- Publication number
- JPH03217843A JPH03217843A JP2012592A JP1259290A JPH03217843A JP H03217843 A JPH03217843 A JP H03217843A JP 2012592 A JP2012592 A JP 2012592A JP 1259290 A JP1259290 A JP 1259290A JP H03217843 A JPH03217843 A JP H03217843A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scattered light
- frame
- foreign matter
- height
- pellicle
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、枠にペリクルを形成した異物付着防止手段を
基板に装着した状態で、枠の高さを検出する方法及びそ
の装置に関する。
基板に装着した状態で、枠の高さを検出する方法及びそ
の装置に関する。
従来の異物検査装置は、第１図及び第２図に示すように
構成されていた。即ち、レテイクルまたはマスクの基板
１上に存在する異物６に対して斜め上方よりレーザ発振
器４より出射された偏光レーザ光５が照射されると、異
物６より散乱７が生じる。そこで、この散乱７の一部の
散乱光８を受光器９により検出することにより異物６の
存在を知ることができる。異物検査は、基板１の面上の
異物ばかりではなく、ペリクル膜３の膜上の異物１０を
対象にすることも必要になる。通常、偏光レーザ５と散
乱光８との各光路は一定位置に定めておく場合が多く，
このため、異物１０を検査する際には、ペリクル枠２の
高さ、即ち基板１の表面からペリクル膜３までの高さの
ずれ分だけＺ軸方向の位置調整を行なわなければならな
い。これまで、高さとしては，ペリクルのカタログ仕様
等より引用して固定の数値を検査開始前の条件設定時に
キー人力する方法等が用いられていた。装置の高感度化
に伴い、偏光レーザ光５のビーム径が小さくなりつつあ
り、その焦点深度も狭くなっていること，また高倍率顕
微鏡で異物観察も行なえるようにすると、やはり焦点深
度が狭くなるため、特に前述のペリクル枠２の高さは正
確な値が要求される。
構成されていた。即ち、レテイクルまたはマスクの基板
１上に存在する異物６に対して斜め上方よりレーザ発振
器４より出射された偏光レーザ光５が照射されると、異
物６より散乱７が生じる。そこで、この散乱７の一部の
散乱光８を受光器９により検出することにより異物６の
存在を知ることができる。異物検査は、基板１の面上の
異物ばかりではなく、ペリクル膜３の膜上の異物１０を
対象にすることも必要になる。通常、偏光レーザ５と散
乱光８との各光路は一定位置に定めておく場合が多く，
このため、異物１０を検査する際には、ペリクル枠２の
高さ、即ち基板１の表面からペリクル膜３までの高さの
ずれ分だけＺ軸方向の位置調整を行なわなければならな
い。これまで、高さとしては，ペリクルのカタログ仕様
等より引用して固定の数値を検査開始前の条件設定時に
キー人力する方法等が用いられていた。装置の高感度化
に伴い、偏光レーザ光５のビーム径が小さくなりつつあ
り、その焦点深度も狭くなっていること，また高倍率顕
微鏡で異物観察も行なえるようにすると、やはり焦点深
度が狭くなるため、特に前述のペリクル枠２の高さは正
確な値が要求される。
しかしながら、ペリクル枠２の高さは、公称値に対しば
らつきが多いこと、また基板１に取付ける際の接着剤の
厚み等も、焦点深度に比べて無視できないことから、数
値を入力する方法では性能に与える影響も大きい。また
、一つ一つその都度計測して数値を入力するのも実用的
ではない。
らつきが多いこと、また基板１に取付ける際の接着剤の
厚み等も、焦点深度に比べて無視できないことから、数
値を入力する方法では性能に与える影響も大きい。また
、一つ一つその都度計測して数値を入力するのも実用的
ではない。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点をなくして、枠の
高さの実寸法を検査の都度，簡単な構成で正確に測定し
、偏光レーザ光及び顕微鏡の各焦点位置に迅速に合せら
れる装置を提供することにある。
高さの実寸法を検査の都度，簡単な構成で正確に測定し
、偏光レーザ光及び顕微鏡の各焦点位置に迅速に合せら
れる装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、異物からの散乱光を受光す
る検出器とは別に独立した検出器をペリクル枠の真上の
位置に設けて、枠で散乱する光を検出して枠の高さを正
確に測定し、この高さに相当する分、Ｚ軸方向の位置調
整機構を駆動することによりペリクル面上の異物に焦点
位置を合わせられるようにしたものである。
る検出器とは別に独立した検出器をペリクル枠の真上の
位置に設けて、枠で散乱する光を検出して枠の高さを正
確に測定し、この高さに相当する分、Ｚ軸方向の位置調
整機構を駆動することによりペリクル面上の異物に焦点
位置を合わせられるようにしたものである。
異物からの散乱光を受光する検出器のみでは、異物から
の散乱光の他に枠からの散乱光も同時に受光してしまう
ために、枠からの散乱光のみを正確に弁別がしにくいが
、本発明の技術的手段によれば、枠からの散乱光のみを
とらえることができるので、正確に枠の高さを測定する
ことができる。
の散乱光の他に枠からの散乱光も同時に受光してしまう
ために、枠からの散乱光のみを正確に弁別がしにくいが
、本発明の技術的手段によれば、枠からの散乱光のみを
とらえることができるので、正確に枠の高さを測定する
ことができる。
以下、本発明の一実施例を第３図により説明する。レー
ザ発振器４より出射された偏光レーザ光５が基板１の表
面に照射されると，反射点１１で反射して散乱光８が生
じて受光器９により検出される。ここで反射点１１に異
物があると異物の大きさにより散乱光の強度も変わり、
異物の大きさを知ることができる。
ザ発振器４より出射された偏光レーザ光５が基板１の表
面に照射されると，反射点１１で反射して散乱光８が生
じて受光器９により検出される。ここで反射点１１に異
物があると異物の大きさにより散乱光の強度も変わり、
異物の大きさを知ることができる。
いま、基板１の位置を例えばＸまたはＹ軸方向に移動さ
せながら偏光レーザ光５を基板１に照射させると、Ｘ＋
αまたはＸ一αの位置では、反射点１１からまたは異物
からの散乱光８のみが検出される。一方、ちょうどＸの
位置では、反射点ｌ１からの散乱光は、ペリクル枠２の
天井コーナー・エッジ部に当たるため、ここで再度・散
乱光１２を生じ、散乱光１２の一部は受光器９で検出さ
れ、また一部はペリクル枠２の真上に設けられた受光器
１３で検出される。この散乱光１２が生ずる位置又は、
狭い範囲で定まるため、かなり正確にとらえることがで
きる．従って、Ｘ軸またはＹ軸方向を例えばエンコーダ
等で詳しく座標を読める手段を用いてＸ寸法を読みとれ
ば、ペリクル分２の高さはｈ＝ｘ−ｔａｎθ で求める
ことができる。ここで，θは，レーザ発振器４と受光器
９の固定されている配置及び基板１の表面の反射点１１
のそれぞれの位置関係により容易に求めることができる
。
せながら偏光レーザ光５を基板１に照射させると、Ｘ＋
αまたはＸ一αの位置では、反射点１１からまたは異物
からの散乱光８のみが検出される。一方、ちょうどＸの
位置では、反射点ｌ１からの散乱光は、ペリクル枠２の
天井コーナー・エッジ部に当たるため、ここで再度・散
乱光１２を生じ、散乱光１２の一部は受光器９で検出さ
れ、また一部はペリクル枠２の真上に設けられた受光器
１３で検出される。この散乱光１２が生ずる位置又は、
狭い範囲で定まるため、かなり正確にとらえることがで
きる．従って、Ｘ軸またはＹ軸方向を例えばエンコーダ
等で詳しく座標を読める手段を用いてＸ寸法を読みとれ
ば、ペリクル分２の高さはｈ＝ｘ−ｔａｎθ で求める
ことができる。ここで，θは，レーザ発振器４と受光器
９の固定されている配置及び基板１の表面の反射点１１
のそれぞれの位置関係により容易に求めることができる
。
以上のことから、受光器１３により散乱光が検出される
Ｘ軸またはＹ軸上のＸ位置を正確に検出し，増幅器１４
より信号を得てＣＰＵ１５へ入力する。そしてＣＰＵ１
５では．ｘ−ｔａｎθ の計算を行ない、これにより得
られた寸法ｈに相当する量をＺ軸の位置調整機構１６へ
信号を送り移動させ，ペリクル膜３の面を基板１の表面
の位置へ垂直に移動させる。この結果、ペリクル膜３の
上に付着する異物１０は、ちょうど反射点１１の高さに
正確に移動させることができ，偏光レーザ光５の焦点が
正しく合った高さにすることができるため、異物１０を
正確に検出できる。
Ｘ軸またはＹ軸上のＸ位置を正確に検出し，増幅器１４
より信号を得てＣＰＵ１５へ入力する。そしてＣＰＵ１
５では．ｘ−ｔａｎθ の計算を行ない、これにより得
られた寸法ｈに相当する量をＺ軸の位置調整機構１６へ
信号を送り移動させ，ペリクル膜３の面を基板１の表面
の位置へ垂直に移動させる。この結果、ペリクル膜３の
上に付着する異物１０は、ちょうど反射点１１の高さに
正確に移動させることができ，偏光レーザ光５の焦点が
正しく合った高さにすることができるため、異物１０を
正確に検出できる。
本発明によれば、ペリクル枠の高さ、即ち基板表面より
ペリクル膜面までの正確な高さが測定でき，ペリクル膜
上の異物に対して焦点を合わせることができるので、異
物の検出性能が向上する他に、顕微鏡観察の際にも像の
ボケをなくすことができる。さらに、構成も簡素にまと
めることができる．
ペリクル膜面までの正確な高さが測定でき，ペリクル膜
上の異物に対して焦点を合わせることができるので、異
物の検出性能が向上する他に、顕微鏡観察の際にも像の
ボケをなくすことができる。さらに、構成も簡素にまと
めることができる．
第１図，第２図は異物検査装置の異物検査原理を示す概
略図、第３図は本発明を示す図である。 １・・・基板、２・・・ペリクル枠、３汽・ペリクル膜
、４・・・レーザ発振器、５・・・偏光レーザ光、６，
１０・・・異物、７，８．１２・・・散乱光、９，１３
・・・受光器、１１・・・反射点、１４・・・増幅器、
１５・・・ＣＰＵ、１６・・・位置調整機構。
略図、第３図は本発明を示す図である。 １・・・基板、２・・・ペリクル枠、３汽・ペリクル膜
、４・・・レーザ発振器、５・・・偏光レーザ光、６，
１０・・・異物、７，８．１２・・・散乱光、９，１３
・・・受光器、１１・・・反射点、１４・・・増幅器、
１５・・・ＣＰＵ、１６・・・位置調整機構。
Claims (1)
- １、ペリクル枠材きの基板上を光ビームで走査し、該光
ビームの焦点位置からの散乱光を光電検出することによ
つて異物を検出する異物検査装置において、前記基板上
の光ビーム焦点位置で反射する第一次の散乱光を光電検
出する一つもしくは複数の検出手段と、前記散乱光がペ
リクル枠のコーナー・エッジ部分に当つたときに再度発
生する第二次の散乱光をペリクル枠の上部にて光電検出
するための前記検出手段とは別の一つもしくは複数の検
出手段とを備え、前記該ペリクル枠の上部にて光電検出
した信号を用いてペリクル枠と前記ビームの焦点位置と
の距離の特定を行ない、該焦点位置を第一次の散乱光の
検出器との角度をもとに、ペリクル枠の高さを求め、該
高さに相当する量を高さ方向に位置調整を行ない、この
結果、ペリクル膜上に、前記光ビームの焦点位置を合わ
せることができるようにしたことを特徴とする異物検査
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012592A JPH03217843A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012592A JPH03217843A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 異物検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03217843A true JPH03217843A (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=11809620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012592A Pending JPH03217843A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03217843A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1715329A1 (en) * | 2005-04-20 | 2006-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Particle inspection apparatus and method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP2012592A patent/JPH03217843A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1715329A1 (en) * | 2005-04-20 | 2006-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Particle inspection apparatus and method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US7388659B2 (en) | 2005-04-20 | 2008-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Particle inspection apparatus and method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
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