JPH03218217A - 突入電流防止回路付電源回路 - Google Patents
突入電流防止回路付電源回路Info
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- JPH03218217A JPH03218217A JP1439390A JP1439390A JPH03218217A JP H03218217 A JPH03218217 A JP H03218217A JP 1439390 A JP1439390 A JP 1439390A JP 1439390 A JP1439390 A JP 1439390A JP H03218217 A JPH03218217 A JP H03218217A
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- JP
- Japan
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- circuit
- voltage
- power supply
- inrush current
- current
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、スイッチング電源等に使用される突入電流
防止回路付電源回路に関するものである。
防止回路付電源回路に関するものである。
［従来の技術１
第２図は従来のこの種の突入電流防止回路付電源回路を
示すもので、図示のように突入電流防止回路４００はト
ライアック４０１と抵抗器４０２を並列接続し、ダイオ
ードブリッジによる整流回路２００と交流電源１との間
に直列に挿入したものが多《使用されている。
示すもので、図示のように突入電流防止回路４００はト
ライアック４０１と抵抗器４０２を並列接続し、ダイオ
ードブリッジによる整流回路２００と交流電源１との間
に直列に挿入したものが多《使用されている。
トライアック４０１のゲート信号は、ＤＣ一ＤＣコンバ
ータ５００の１・ランス５０１にトランス巻線５０６を
設け、これを突入電流防止回路４００のダイオード４０
４，コンデンサ４０５等によって整流，平滑して与える
ように構成されている。
ータ５００の１・ランス５０１にトランス巻線５０６を
設け、これを突入電流防止回路４００のダイオード４０
４，コンデンサ４０５等によって整流，平滑して与える
ように構成されている。
整流回路２００の直流出力は平滑コンデンサ２に直結さ
れ、この出力によりＤＣ−ＤＣコンバータ５００に電力
を供給する。
れ、この出力によりＤＣ−ＤＣコンバータ５００に電力
を供給する。
ＤＣ−ＤＣコンバータ５００は、トランス５０１，スイ
ッチング素子５０２，ゲート回路５０３，ダイオード５
０４，コンデンサ５０５等からなっている。
ッチング素子５０２，ゲート回路５０３，ダイオード５
０４，コンデンサ５０５等からなっている。
なお、１００は雑音防止用チョークコイル、４０３は抵
抗器、Ｌは負荷、ＳＷは電源スイッチを示す この回路の突入電流防止機能は次のとおりである。
抗器、Ｌは負荷、ＳＷは電源スイッチを示す この回路の突入電流防止機能は次のとおりである。
トライアック４０１のゲートトリガ信号はＤＣ−ＤＣコ
ンバータ５００が発振動作をしているときのみ発生する
ようになっているので、この電源装置に交流電源１を投
入した直後はトライアツク４０１はオフしている。した
がって、抵抗器４ｏ２と整流器２００を通して平滑コン
デンサ２が徐々に充電される。抵抗器４０２の抵抗値を
Ｒ＋、交流電源１の電圧を■Ａｃとすると交流電源電流
Ｉｐはそのピーク値が、 以下に抑制される。平滑コンデンサ２の充電電圧が所定
の電圧に達すると、ＤＣ−ＤＣコンバータ５００が発振
動作を始め、トランス巻線５０６に高周波電圧が発生し
、これを整流，平滑してトライアック４０１がトリガさ
れるとトライアック４０１はターンオンして、それまで
抵抗器４０２を通して流れていた充電電流はトライアッ
ク４０１を通して流れる。以降この動作を継続する。ト
ライアック４０１のオン電圧は定格電流条件で通常１．
５Ｖ＜らいであり、定常的な電流通電による損失は小さ
くおさえることができる。
ンバータ５００が発振動作をしているときのみ発生する
ようになっているので、この電源装置に交流電源１を投
入した直後はトライアツク４０１はオフしている。した
がって、抵抗器４ｏ２と整流器２００を通して平滑コン
デンサ２が徐々に充電される。抵抗器４０２の抵抗値を
Ｒ＋、交流電源１の電圧を■Ａｃとすると交流電源電流
Ｉｐはそのピーク値が、 以下に抑制される。平滑コンデンサ２の充電電圧が所定
の電圧に達すると、ＤＣ−ＤＣコンバータ５００が発振
動作を始め、トランス巻線５０６に高周波電圧が発生し
、これを整流，平滑してトライアック４０１がトリガさ
れるとトライアック４０１はターンオンして、それまで
抵抗器４０２を通して流れていた充電電流はトライアッ
ク４０１を通して流れる。以降この動作を継続する。ト
ライアック４０１のオン電圧は定格電流条件で通常１．
５Ｖ＜らいであり、定常的な電流通電による損失は小さ
くおさえることができる。
［発明が解決しようとする課題］
従来の突入電流防止回路付電源回路は、以上のように構
成され動作するので、次のような問題点があった。
成され動作するので、次のような問題点があった。
１）電源の高性能化を目的とした高周波化に対し、トラ
イアック４０１のゲートトリガ感度がパルス幅が狭《な
ると低下するので、ゲート駆動電流を増さねばならず、
ゲート駆動回路の損失が増大する（ＤＣ−ＤＣコンバー
タ５００のスイッチング３００ＫＨｚではＩＷ位消費す
る）。
イアック４０１のゲートトリガ感度がパルス幅が狭《な
ると低下するので、ゲート駆動電流を増さねばならず、
ゲート駆動回路の損失が増大する（ＤＣ−ＤＣコンバー
タ５００のスイッチング３００ＫＨｚではＩＷ位消費す
る）。
２）突入電流制限用の抵抗器４０２は大きな瞬時的な電
力損失に耐える必要があり、比較的大型のセメント抵抗
器が使用されるが、これはヒューズ機能の内蔵等で高価
である。
力損失に耐える必要があり、比較的大型のセメント抵抗
器が使用されるが、これはヒューズ機能の内蔵等で高価
である。
３）交流電源１の瞬断などＤＣ−ＤＣコンバータ５００
が停止しないうちに電源が再投入されると、トライアッ
ク４０１を通して平滑コンデンサ２への充電電流が流れ
る。この時には突入電流防止機能が働かないため、整流
回路２００やトライアック４０１，電源スイッチＳＷに
はサージ電流耐量の強い大形のものが必要となる。
が停止しないうちに電源が再投入されると、トライアッ
ク４０１を通して平滑コンデンサ２への充電電流が流れ
る。この時には突入電流防止機能が働かないため、整流
回路２００やトライアック４０１，電源スイッチＳＷに
はサージ電流耐量の強い大形のものが必要となる。
４）ＤＣ−ＤＣコンバータ５００をモジュール化して多
出力電源を構成する場合、ＤＣ−ＤＣコンバータモジュ
ールからトライアック駆動用の出力端子を設けなければ
ならず、小形化，経済性で問題がある。
出力電源を構成する場合、ＤＣ−ＤＣコンバータモジュ
ールからトライアック駆動用の出力端子を設けなければ
ならず、小形化，経済性で問題がある。
５） Ｄ Ｃ − Ｄ Ｃ ｍｌ ：／バータ５ｏＯの
トランス５０１にトライアツクトリガ用のトランス巻線
５０６が必要で高価になる。
トランス５０１にトライアツクトリガ用のトランス巻線
５０６が必要で高価になる。
なお、トライアツク４０１のかわりにサイリスクを使用
して整流回路２００の直流出力側に平滑コンデンサ２と
直列に接続して構成したサイリスタ方式の突入電流防止
回路も使用されているが、上記トライアック方式と同様
の欠点を持っている。
して整流回路２００の直流出力側に平滑コンデンサ２と
直列に接続して構成したサイリスタ方式の突入電流防止
回路も使用されているが、上記トライアック方式と同様
の欠点を持っている。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、高周波で使用しても制御電力損失が小さく
、小形で電源の瞬断に対しても応答の良い突入電流防止
回路付電源回路を得ることを目的とする。
れたもので、高周波で使用しても制御電力損失が小さく
、小形で電源の瞬断に対しても応答の良い突入電流防止
回路付電源回路を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
この発明は、突入電流防止回路として絶縁ゲート形八イ
ボーラトランジスタを用い、この絶縁ゲート形バイポー
ラトランジスタのコレクタ・エミッタと電流検出抵抗器
の直列接続体を主電流回路とし、電流検出抵抗器に流れ
る主電流を検出して、所定値以上の主電流が流れると絶
縁ゲート形バイポーラトランジスタのゲート電圧の抑制
をするゲート電圧抑制回路と、整流回路の出力電圧を分
圧して絶縁ゲート形バイポーラトランジスタのゲートに
印加する分圧回路とを備えたものである。
ボーラトランジスタを用い、この絶縁ゲート形バイポー
ラトランジスタのコレクタ・エミッタと電流検出抵抗器
の直列接続体を主電流回路とし、電流検出抵抗器に流れ
る主電流を検出して、所定値以上の主電流が流れると絶
縁ゲート形バイポーラトランジスタのゲート電圧の抑制
をするゲート電圧抑制回路と、整流回路の出力電圧を分
圧して絶縁ゲート形バイポーラトランジスタのゲートに
印加する分圧回路とを備えたものである。
［作用］
この発明においては、交流電源の投入により整流回路か
ら出力が出ると、ＩＧＢＴのゲート電圧が上昇し、ター
ンオンし、平滑コンデンサの充電が始まる。この充電電
流は電流検出抵抗器に電圧降下を発生し、これをゲート
電圧抑制回路が用いてＩ ＧＢＴを定電流動作するよう
に制御するので、突入電流もクリップされる。
ら出力が出ると、ＩＧＢＴのゲート電圧が上昇し、ター
ンオンし、平滑コンデンサの充電が始まる。この充電電
流は電流検出抵抗器に電圧降下を発生し、これをゲート
電圧抑制回路が用いてＩ ＧＢＴを定電流動作するよう
に制御するので、突入電流もクリップされる。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を第１図に基づいて説明する
。
。
第１図において、３００は突入電流防止回路で、主電流
回路は整流回路２００の直流出力端子間に平滑コンデン
サ２と直列接続されている。この主電流回路はＩＧＢＴ
３０１のコレクタ・エミッタ間と電流検出抵抗器３０２
の直列回路で構成される。Ｉ ＧＢＴ３０１のゲートは
抵抗器３０８と定電圧ダイオード３０７からなる分圧回
路を介して整流回路２００の正出力端子から給電される
。また、電流検出抵抗器３０２の両端はｎｐｎトランジ
スタ３０５のベース・エミッタ間に抵抗器３０３，３０
４を介して接続される。ｎｐｎ トランジスタ３０５の
コレクタはＩ ＧＢＴ３０１のゲートに接続され、ゲー
ト電圧抑制回路３０６が構成される。その他の部分は従
来の回路と同様なものであるが、この実施例では平滑コ
ンデンサ２の両端に接続されたＤＣ−ＤＣコンバータ５
００のトランス巻線からは突入電流制御用電力を得てい
ない。なお、３０９はダイオードである。
回路は整流回路２００の直流出力端子間に平滑コンデン
サ２と直列接続されている。この主電流回路はＩＧＢＴ
３０１のコレクタ・エミッタ間と電流検出抵抗器３０２
の直列回路で構成される。Ｉ ＧＢＴ３０１のゲートは
抵抗器３０８と定電圧ダイオード３０７からなる分圧回
路を介して整流回路２００の正出力端子から給電される
。また、電流検出抵抗器３０２の両端はｎｐｎトランジ
スタ３０５のベース・エミッタ間に抵抗器３０３，３０
４を介して接続される。ｎｐｎ トランジスタ３０５の
コレクタはＩ ＧＢＴ３０１のゲートに接続され、ゲー
ト電圧抑制回路３０６が構成される。その他の部分は従
来の回路と同様なものであるが、この実施例では平滑コ
ンデンサ２の両端に接続されたＤＣ−ＤＣコンバータ５
００のトランス巻線からは突入電流制御用電力を得てい
ない。なお、３０９はダイオードである。
次に、第１図の実施例の動作について説明する。
交流電源１が投入されると、整流回路２００の両端に整
流電圧が発生ずる。この電圧が抵抗器３０８を通してＩ
ＧＢＴ３０１のゲート電圧を上昇させる。Ｉ ＧＢＴ３
０ １のしきい値電圧をこえるとＩ ＧＢＴ３０ １は
ターンオンし、ＩＧＢＴ３０１と電流検出抵抗器３０２
を通して平滑コンデンサ２の充電が始まる。この時、充
電電流は電流検出抵抗器３０２に電圧降下を発生し、抵
抗器３０３，３０４による分圧電圧がｎｐｎ トランジ
スタ３０５のベース・エミッタ間障壁電位をこえるとコ
レクタ電流が流れ、ＩＧＢＴ３０１のゲト電圧を下げる
ように動作する。ＩＧＢＴ３０１はこの結果定電流動作
を示し、 で突入電流はクリップされる。
流電圧が発生ずる。この電圧が抵抗器３０８を通してＩ
ＧＢＴ３０１のゲート電圧を上昇させる。Ｉ ＧＢＴ３
０ １のしきい値電圧をこえるとＩ ＧＢＴ３０ １は
ターンオンし、ＩＧＢＴ３０１と電流検出抵抗器３０２
を通して平滑コンデンサ２の充電が始まる。この時、充
電電流は電流検出抵抗器３０２に電圧降下を発生し、抵
抗器３０３，３０４による分圧電圧がｎｐｎ トランジ
スタ３０５のベース・エミッタ間障壁電位をこえるとコ
レクタ電流が流れ、ＩＧＢＴ３０１のゲト電圧を下げる
ように動作する。ＩＧＢＴ３０１はこの結果定電流動作
を示し、 で突入電流はクリップされる。
ＩＧＢＴ３０１は活性部動作をするため、突入電流印加
時は最大ＶＡｃＸ５ｘＩｃｐの瞬時電力が印加されるが
、通常この電力の印加時間はＳｍｓ以内であり、電源投
入が低温状態から行われることを考えると、ＩＧＢＴ３
０１の安全動作領域内に収まるよう設計することは比較
的容易である。
時は最大ＶＡｃＸ５ｘＩｃｐの瞬時電力が印加されるが
、通常この電力の印加時間はＳｍｓ以内であり、電源投
入が低温状態から行われることを考えると、ＩＧＢＴ３
０１の安全動作領域内に収まるよう設計することは比較
的容易である。
平滑用コンデンサ２への充電が進行すると充電電流が減
少し、定電流設定値Ｉ ｃｐ以下になると■ＧＢＴ３０
１は定電圧ダイオード３０７のクランブ電圧でゲート
バイアスされ完全にオン状態となる。このため、定常状
態でのオン電圧は１．５ｖ程度と小さ《、損失はトライ
アックを使用した従来回路と同等まで減らすことができ
る。
少し、定電流設定値Ｉ ｃｐ以下になると■ＧＢＴ３０
１は定電圧ダイオード３０７のクランブ電圧でゲート
バイアスされ完全にオン状態となる。このため、定常状
態でのオン電圧は１．５ｖ程度と小さ《、損失はトライ
アックを使用した従来回路と同等まで減らすことができ
る。
主要部分の回路定数の具体例を示すと下記のようになる
。
。
ＩＧＢＴ（３０１）＝ＣＴ２０ＴＭ−８Ｒ （３０２１
＝０． １ ２Ω Ｒ（３０３１＝５６０Ω Ｒ（３０４１＝５６０Ω Ｔ ｒ （３０５） ＝ ２ ３ Ｃ ２ ６ ０ ３
ＤＺ（３０７１ ＝２０Ｖ Ｒ（３０８１ ＝４７ＫΩ ＶＡＣ＝ １ ０ ０ Ｖ ｒ ｍ ｓ］２）＝３７０
μＦ Ｄ（３０９） ＝ＳＲ Ｉ ＦＭ−８ ＩＧＢＴ３０１は電圧駆動形デバイスでオン状態を維持
する電流を流す必要がないため、ゲートバイアス用の抵
抗を高く設計することができる。
＝０． １ ２Ω Ｒ（３０３１＝５６０Ω Ｒ（３０４１＝５６０Ω Ｔ ｒ （３０５） ＝ ２ ３ Ｃ ２ ６ ０ ３
ＤＺ（３０７１ ＝２０Ｖ Ｒ（３０８１ ＝４７ＫΩ ＶＡＣ＝ １ ０ ０ Ｖ ｒ ｍ ｓ］２）＝３７０
μＦ Ｄ（３０９） ＝ＳＲ Ｉ ＦＭ−８ ＩＧＢＴ３０１は電圧駆動形デバイスでオン状態を維持
する電流を流す必要がないため、ゲートバイアス用の抵
抗を高く設計することができる。
したがって制御回路の損失が小さい（前記定数で約０．
４Ｗ）。同様な回路構成はバイボーラＴｒやＭＯＳＦＥ
Ｔでも実現可能ではあるが、バイボーラＴｒではバイア
ス抵抗を低い値に選定する必要があり、駆動回路損失大
となって実用性に問題がある。また、ＭＯＳＦＥＴでは
オン電圧が高く定常動作時のオン状態損失大となり、低
損失化するにはコストがかかりすぎる等の問題点がある
。
４Ｗ）。同様な回路構成はバイボーラＴｒやＭＯＳＦＥ
Ｔでも実現可能ではあるが、バイボーラＴｒではバイア
ス抵抗を低い値に選定する必要があり、駆動回路損失大
となって実用性に問題がある。また、ＭＯＳＦＥＴでは
オン電圧が高く定常動作時のオン状態損失大となり、低
損失化するにはコストがかかりすぎる等の問題点がある
。
このような点でＩＧＢＴ３０１を応用したこの実施例の
回路は最も実用性の高いものと言える。
回路は最も実用性の高いものと言える。
なお、第１図の実施例において、定電圧ダイオード３０
７は抵抗器に置換えることができる。また、ダイオード
３０９は整流回路２００の逆回復電流や接合容量によっ
てＩＧＢＴ３０１のオフ時に逆電圧が印加されるのを防
ぐために接続したものであるが、なくても同様な動作を
することは可能である。
７は抵抗器に置換えることができる。また、ダイオード
３０９は整流回路２００の逆回復電流や接合容量によっ
てＩＧＢＴ３０１のオフ時に逆電圧が印加されるのを防
ぐために接続したものであるが、なくても同様な動作を
することは可能である。
〔発明の効果］
以上説明したように、この発明は、突入電流防止回路と
して絶縁ゲート形パイボーラトランジス１ １ 夕を用い、この絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの
コレクタ・エミッタと電流検出抵抗器の直列接続体を主
電流回路とし、これに電流検出抵抗器に流れる主電流を
検出して、所定値以上の主電流が流れると絶縁ゲート形
バイポーラトランジスタのゲート電圧の抑制をするゲー
ト電圧抑制回路と、整流回路の出力電圧を抵抗器と定電
圧ダイオードにより分圧して絶縁ゲート形バイポーラト
ランジスタのゲートに印加する分圧回路とを備えたので
、以下のような効果が得られる。
して絶縁ゲート形パイボーラトランジス１ １ 夕を用い、この絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの
コレクタ・エミッタと電流検出抵抗器の直列接続体を主
電流回路とし、これに電流検出抵抗器に流れる主電流を
検出して、所定値以上の主電流が流れると絶縁ゲート形
バイポーラトランジスタのゲート電圧の抑制をするゲー
ト電圧抑制回路と、整流回路の出力電圧を抵抗器と定電
圧ダイオードにより分圧して絶縁ゲート形バイポーラト
ランジスタのゲートに印加する分圧回路とを備えたので
、以下のような効果が得られる。
■ 装置の消費電力が低減でき、高周波化への対応が容
易である。
易である。
■ 電源の瞬断等による電源の再投入に対しても突入防
止が働くので保護が完全となり、整流回路，電源スイッ
チにはサージ電流耐量の低い小形，安価なものが使用可
能となり、平滑コンデンサのリップル耐量も低いものが
使える。
止が働くので保護が完全となり、整流回路，電源スイッ
チにはサージ電流耐量の低い小形，安価なものが使用可
能となり、平滑コンデンサのリップル耐量も低いものが
使える。
■ ＤＣ−ＤＣコンバータと突入電流防止回路が独立し
ているので、ＤＣ−ＤＣコンバータのモジュール化によ
る多出力化に対応することが容易１ ２ で、トランスも巻線が減り安価になる。
ているので、ＤＣ−ＤＣコンバータのモジュール化によ
る多出力化に対応することが容易１ ２ で、トランスも巻線が減り安価になる。
■ 電流検出抵抗器には突入時にも大きな電力は印加さ
れないので、小形のものが使用でき、セットの小形化が
可能になる。
れないので、小形のものが使用でき、セットの小形化が
可能になる。
第１図はこの発明の突入電流防止回路付電源回路の構成
を示す図、第２図は従来の突入電流防止回路付電源回路
を示す図である。 図において、１は交流電源、２は平滑コンデンサ、１０
０は雑音防止用チョークコイル、２００は整流回路、３
００は突入電流防止回路、３０１はＩ ＧＢＴ、３０２
は電流検出抵抗器、３０６はゲート電圧抑制回路、３０
７は定電圧ダイオード、３０８は抵抗器、５００はＤＣ
−ＤＣコンバータである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
を示す図、第２図は従来の突入電流防止回路付電源回路
を示す図である。 図において、１は交流電源、２は平滑コンデンサ、１０
０は雑音防止用チョークコイル、２００は整流回路、３
００は突入電流防止回路、３０１はＩ ＧＢＴ、３０２
は電流検出抵抗器、３０６はゲート電圧抑制回路、３０
７は定電圧ダイオード、３０８は抵抗器、５００はＤＣ
−ＤＣコンバータである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 交流電源に接続されたダイオードブリッジによる整流回
路と、この整流回路の直流出力側に接続された平滑コン
デンサと突入電流防止回路との直列接続体と、前記平滑
コンデンサの両端に並列に接続されたインバータ回路を
含み負荷に電力を供給する電源回路において、前記突入
電流防止回路として絶縁ゲート形バイポーラトランジス
タを用い、この絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの
コレクタ・エミッタと電流検出抵抗器との直列接続体を
主電流回路とし、前記電流検出抵抗器に流れる主電流を
検出して、所定値以上の主電流が流れると前記絶縁ゲー
ト形バイポーラトランジスタのゲート電圧の抑制をする
ゲート電圧抑制回路と、前記整流回路の出力電圧を分圧
して前記絶縁ゲート形バイポーラトランジスタのゲート
に印加する分圧回路とを備えたことを特徴とする突入電
流防止回路付電源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1439390A JPH03218217A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 突入電流防止回路付電源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1439390A JPH03218217A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 突入電流防止回路付電源回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218217A true JPH03218217A (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=11859817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1439390A Pending JPH03218217A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 突入電流防止回路付電源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03218217A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110673010A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-01-10 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法及装置 |
-
1990
- 1990-01-23 JP JP1439390A patent/JPH03218217A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110673010A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-01-10 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法及装置 |
| CN110673010B (zh) * | 2019-10-29 | 2022-01-21 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法及装置 |
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