JPH03218413A - Rotational angle sensor - Google Patents
Rotational angle sensorInfo
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- JPH03218413A JPH03218413A JP1454390A JP1454390A JPH03218413A JP H03218413 A JPH03218413 A JP H03218413A JP 1454390 A JP1454390 A JP 1454390A JP 1454390 A JP1454390 A JP 1454390A JP H03218413 A JPH03218413 A JP H03218413A
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明はシャフトの回転角度を検出する回転角度センサ
に関し、特に磁気抵抗素子を用いた無接触型の回転角度
センサに係る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a rotation angle sensor for detecting the rotation angle of a shaft, and more particularly to a non-contact rotation angle sensor using a magnetoresistive element.
[従来の技術]
近時、回転角度あるいは回転位置を検出するセンサに間
し、無接触機構を構成し、あるいはシャフトの慣性損失
を小さくする等の要請から磁気センサの利用が注目され
ている。この磁気センサには磁気抵抗素子が用いられ、
素子の板面が例えばシャフトの先端に装着された永久磁
石に対向するように配置されている。[Prior Art] Recently, the use of magnetic sensors has been attracting attention due to the need to construct a non-contact mechanism or to reduce the inertia loss of a shaft as a sensor for detecting rotational angle or rotational position. This magnetic sensor uses a magnetoresistive element,
The plate surface of the element is arranged to face, for example, a permanent magnet attached to the tip of the shaft.
上記磁気抵抗素子としては、磁界中の強磁性体に関し磁
化方向と電流方向のなす角度によって抵抗が異方的に変
化する性質を利用した強磁性磁気抵抗素子が知られてい
る。この性質は異方性磁気抵抗効果と呼ばれ、磁界の大
きさによる負性磁気抵抗効果と区別される。即ち、通常
の強磁性体にあっては、異方性磁気抵抗効果により電流
と磁化方向が平行になった時に抵抗が最大となり、直交
した時に最小となる。而して、この効果を利用すべく基
板の板面に薄膜の強磁性金属が折線状に付着されて強磁
性磁気抵抗素子が構成され、例えば特開昭62−237
302号公報に記載のように、強磁性磁気抵抗素子がシ
ャフトの端面とこの端面の対向位置の何れか一方に設け
られ、他方に永久磁石が設けられた回転位置検出装置が
知られている。As the above-mentioned magnetoresistive element, a ferromagnetic magnetoresistive element is known that utilizes the property that the resistance of a ferromagnetic substance in a magnetic field changes anisotropically depending on the angle formed between the magnetization direction and the current direction. This property is called the anisotropic magnetoresistive effect, and is distinguished from the negative magnetoresistive effect due to the magnitude of the magnetic field. That is, in a normal ferromagnetic material, due to the anisotropic magnetoresistance effect, the resistance is maximum when the current and the magnetization direction are parallel to each other, and minimum when the current and magnetization direction are perpendicular to each other. In order to take advantage of this effect, a ferromagnetic magnetoresistive element is constructed by attaching a thin film of ferromagnetic metal to the surface of the substrate in the form of a broken line.
As described in Japanese Patent Application No. 302, a rotational position detection device is known in which a ferromagnetic magnetoresistive element is provided on either an end face of a shaft or a position facing the end face, and a permanent magnet is provided on the other end.
ところで、上記強磁性磁気抵抗素子を定電流電源あるい
は定電圧電源によって駆動した場合、強磁性磁気抵抗素
子は正の温度係数を有しているので、出力は温度の上昇
と共に略リニアに減少し、出力の温度係数は前者によっ
て駆動した場合の方が小である。このように、上記強磁
性磁気抵抗素子を含む磁気抵抗素子にあっては、温度変
化により出力特性が異なり、周囲温度、即ち外部環境温
度が変化する場合には温度補償が必要となる。このため
外部環境の温度変化に応じて出力を補償すべく電気回路
処理が行なわれるのが一般的であり、種々の処理が行な
われる。例えば、特開昭63−42403号公報におい
ては、磁気抵抗素子のブリッジに定電流を供給する定電
流回路と、これを駆動する定電圧回路との間に温度補償
用ダイオードと抵抗素子の直列回路を挿入し、その中間
接続点を定電流回路と接続する温度補償回路が提案され
ている。By the way, when the above-mentioned ferromagnetic magnetoresistive element is driven by a constant current power supply or a constant voltage power supply, since the ferromagnetic magnetoresistive element has a positive temperature coefficient, the output decreases approximately linearly as the temperature rises. The temperature coefficient of the output is smaller when driven by the former. As described above, the output characteristics of magnetoresistive elements including the above-mentioned ferromagnetic magnetoresistive elements vary depending on temperature changes, and temperature compensation is required when the ambient temperature, that is, the external environment temperature changes. For this reason, electrical circuit processing is generally performed to compensate the output according to temperature changes in the external environment, and various processing is performed. For example, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-42403, a series circuit of a temperature compensation diode and a resistance element is installed between a constant current circuit that supplies a constant current to a bridge of a magnetoresistive element and a constant voltage circuit that drives it. A temperature compensation circuit has been proposed in which the intermediate connection point is connected to a constant current circuit.
[発明が解決しようとする課8]
然し乍ら、上記公報に記載の温度補償回路においては、
回転検出用の磁気抵抗素子とは異なる素子を温度補償用
として付加することとしており、両素子が各々独自の温
度特性を示すこととなる。[Problem 8 to be solved by the invention] However, in the temperature compensation circuit described in the above publication,
An element different from the magnetoresistive element for rotation detection is added for temperature compensation, and both elements exhibit their own unique temperature characteristics.
このように、検出用磁気抵抗素子と温度補償用の素子と
の間の温度特性が相違すると、両者間の調整が必要とな
り、測定時の全温度範囲において安定した温度補償を行
なうことは至難である。しかも、種々の状況での外部環
境の温度変化に対し、状況に応じて個々に素子を選択し
調整を行なうことが必要となり、コストアップ要因とな
る。In this way, if the temperature characteristics of the detection magnetoresistive element and the temperature compensation element differ, adjustment between the two becomes necessary, and it is extremely difficult to perform stable temperature compensation over the entire temperature range during measurement. be. Moreover, it is necessary to individually select and adjust elements depending on the situation in response to temperature changes in the external environment in various situations, which increases costs.
これに対し、温度補償用の素子も強磁性磁気抵抗素子と
し、検出用の素子と温度補償用の素子とを同一材料で構
成することとすれば、両者が同様の抵抗値変化を示すこ
ととなるので、外部環境の温度変化による検出素子の出
力変動を抑えることができる。しかし、特開昭62−2
37302号公報に記載のように、検出素子を長手方向
が水平な素子を中心とする一対の水平ブロックと長手方
向が垂直な素子を中心とする一対の垂直ブロックとを交
互に接続したパターン形状の強磁性磁気抵抗素子によっ
て構成した場合において、これらのブロック間で抵抗値
が異なるときには、シャフトの回転角度によっては外部
環境温度変化に伴なう出力変動を十分抑えられないこと
がある。例えば、シャフトの回転角度が90゛のときに
は外部環境温度変化に伴ない大きな出力変動を示すこと
になる。On the other hand, if the temperature compensation element is also a ferromagnetic magnetoresistive element, and the detection element and temperature compensation element are made of the same material, both will show the same change in resistance value. Therefore, fluctuations in the output of the detection element due to temperature changes in the external environment can be suppressed. However, JP-A-62-2
As described in Japanese Patent Application No. 37302, the detection element has a pattern shape in which a pair of horizontal blocks centered on an element whose longitudinal direction is horizontal and a pair of vertical blocks centered on an element whose longitudinal direction is vertical are connected alternately. In the case where the blocks are constructed using ferromagnetic magnetoresistive elements and the resistance values differ between these blocks, it may not be possible to sufficiently suppress output fluctuations due to changes in external environmental temperature depending on the rotation angle of the shaft. For example, when the rotation angle of the shaft is 90 degrees, large output fluctuations occur due to changes in the external environmental temperature.
そこで、本発明は回転角度センサにおいて、検出素子を
構成する各ブロックの強磁性磁気抵抗素子の抵抗値が異
なる場合でも、シャフトの回転角度に無関係に外部環境
の温度変化よる出力変動を容易且つ確実に抑え、安定し
た検出精度を確保することを目的とする。Therefore, the present invention provides a rotation angle sensor that easily and reliably suppresses output fluctuations due to temperature changes in the external environment, regardless of the rotation angle of the shaft, even when the resistance values of the ferromagnetic magnetoresistive elements of each block constituting the detection element are different. The purpose is to suppress the detection accuracy and ensure stable detection accuracy.
[課題を解決するための手段]
上記の目的を達成するため、本発明は長手方向が水平な
素子を中心とする一対の水平ブロックと長手方向が垂直
な素子を中心とする一対の垂直ブロックとを交互に接続
したパターン形状の強磁性磁気抵抗素子を基板の板面に
付着し、前記一対の水平ブロック及び前記一対の垂直ブ
ロックによりブリッジ回路を構成して成る検出素子と、
該検出素子に接続し定電流を供給する電流制御回路を備
え、前記検出素子に対するシャフトの回転に伴なう磁束
変化により該シャフトの回転角度を検出する回転角度セ
ンサにおいて、前記検出素子を構成する強磁性磁気抵抗
素子と同一材料の強磁性磁気抵抗素子であって、長平方
向が水平な素子を中心とする水平ブロックと、該水平ブ
ロックの抵抗値と異なる抵抗値を有し長手方向が垂直な
素子を中心とする垂直ブロックとを接続したパターン形
状の強磁性磁気抵抗素子を前記検出素子に隣接して配置
し前記基板の板面に付着すると共に、前記電流制御回路
に接続して成る温度補償抵抗素子を備え、該温度補償抵
抗素子の周囲温度変化に伴なう抵抗値変化に応じて前記
電流制御回路の供給電流を調整するようにしたものであ
る。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention includes a pair of horizontal blocks centered on an element whose longitudinal direction is horizontal, and a pair of vertical blocks centered on an element whose longitudinal direction is vertical. A detection element comprising a pattern-shaped ferromagnetic magnetoresistive element connected alternately to the plate surface of a substrate, and a bridge circuit configured by the pair of horizontal blocks and the pair of vertical blocks;
A rotation angle sensor comprising a current control circuit connected to the detection element and supplying a constant current, and configured to detect the rotation angle of the shaft by a change in magnetic flux accompanying rotation of the shaft relative to the detection element. A ferromagnetic magnetoresistive element made of the same material as the ferromagnetic magnetoresistive element, with a horizontal block centered on an element whose longitudinal direction is horizontal, and a horizontal block whose longitudinal direction is vertical and whose resistance value is different from that of the horizontal block. Temperature compensation comprising a pattern-shaped ferromagnetic magnetoresistive element connected to a vertical block centered on the element, arranged adjacent to the detection element, attached to the plate surface of the substrate, and connected to the current control circuit. A resistive element is provided, and the current supplied to the current control circuit is adjusted in accordance with a change in resistance value of the temperature-compensating resistive element due to a change in ambient temperature.
尚、上記電流制御回路は、前記検出素子を前記演算増幅
器の出力端子と反転入力端子との間に接続すると共に、
一端を電源に接続した抵抗を前記演算増幅器の反転入力
端子に接続し、前記温度補償抵抗素子の一端を電源に接
続し他端を前記演算増幅器の非反転入力端子に接続する
と共に抵抗を介して接地し、前記温度補償抵抗素子が演
算増幅器に対する基準電圧を設定する分割抵抗となるよ
うに構成することができる。Note that the current control circuit connects the detection element between the output terminal and the inverting input terminal of the operational amplifier, and
A resistor whose one end is connected to a power supply is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier, and one end of the temperature compensation resistance element is connected to the power supply and the other end is connected to the non-inverting input terminal of the operational amplifier. The temperature compensating resistive element can be grounded and configured such that the temperature compensating resistive element is a dividing resistor that sets a reference voltage for the operational amplifier.
[作用]
上記の構成になる回転角度センサにおいては、シャフト
の回転に応じて検出素子に対し磁束変化が生じ、磁気抵
抗効果により、ブリッジ回路を構成する各ブロックの強
磁性磁気抵抗素子の抵抗値が変化する。この検出素子に
は電流制御回路により定電流が供給されているので、上
記抵抗値変化に応じブリッジ回路出力としてシャフトの
回転角度が検出される。[Function] In the rotation angle sensor configured as described above, magnetic flux changes occur in the detection element as the shaft rotates, and due to the magnetoresistive effect, the resistance value of the ferromagnetic magnetoresistive element of each block that makes up the bridge circuit changes. changes. Since a constant current is supplied to this detection element by a current control circuit, the rotation angle of the shaft is detected as an output of the bridge circuit in accordance with the change in the resistance value.
そして、回転角度センサの周囲温度が変化することによ
り検出素子の各ブロックの強磁性磁気抵抗素子の抵抗値
が変化すると、検出素子に隣接して配置した温度補償抵
抗素子も検出素子の強磁性磁気抵抗素子と同一材料の強
磁性磁気抵抗素子で構成されているため、これと同様の
抵抗値変化を示す。しかも、温度補償抵抗素子を構成す
る水平ブロックと垂直ブロックの少くとも何れか一方の
抵抗値が調整されて両ブロックの抵抗値が異なる値に設
定されているので、両ブロックの抵抗値の相違に応じて
シャフトの回転角度に対し温度補償抵抗値が所定の関係
を示すこととなる。When the resistance value of the ferromagnetic magnetoresistive element in each block of the detection element changes due to a change in the ambient temperature of the rotation angle sensor, the temperature compensation resistance element placed adjacent to the detection element also changes due to the ferromagnetic magnetism of the detection element. Since it is composed of a ferromagnetic magnetoresistive element made of the same material as the resistance element, it exhibits a similar change in resistance value. Moreover, since the resistance value of at least one of the horizontal block and the vertical block constituting the temperature compensation resistance element is adjusted and the resistance values of both blocks are set to different values, the difference in the resistance value of both blocks is Accordingly, the temperature compensation resistance value shows a predetermined relationship with the rotation angle of the shaft.
而して、この温度補償抵抗値の変化に応じ電流制御回路
の供給電流が調整され、周囲温度変化に起因する強磁性
磁気抵抗素子の抵抗値変化に伴なう検出素子の出力変動
が抑えられる。特にブリッジ回路を構成する各ブロック
の抵抗値が相違している場合であっても、温度補償抵抗
素子の抵抗値がシャフトの回転角度に対し所定の関係に
あるので、シャフトの回転角度の値に左右されることな
く検出素子の出力変動が抑えられる。Therefore, the supply current of the current control circuit is adjusted according to the change in the temperature compensation resistance value, and the output fluctuation of the detection element due to the change in the resistance value of the ferromagnetic magnetoresistive element due to the change in the ambient temperature is suppressed. . In particular, even if the resistance values of the blocks that make up the bridge circuit are different, the resistance value of the temperature compensation resistance element has a predetermined relationship with the rotation angle of the shaft. Fluctuations in the output of the detection element can be suppressed without being affected.
[実施例]
以下、本発明の望ましい実施例を図面を参照して説明す
る。[Embodiments] Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図乃至第3図は本発明の回転角度センサの実施例を
示すもので、第2図に全体構成を示すように磁気センサ
10が回路基板30に実装され、これらに対向するよう
に磁石部材20を備えたシャフト2が配置されている。1 to 3 show an embodiment of the rotation angle sensor of the present invention. As shown in FIG. 2, a magnetic sensor 10 is mounted on a circuit board 30, and a magnet is placed opposite to the magnetic sensor 10. A shaft 2 with a member 20 is arranged.
磁気センサ10は、第1図に示すようにガラス等の素子
基板11にNi−Co合金等の強磁性合金の磁気抵抗素
子の薄膜が付着され、検出素子12及び温度補償抵抗素
子13の各々のパターンが形成されている。この強磁性
磁気抵抗素子は例えば蒸着とホトエッチングといった集
積回路製造技術によって形成される。As shown in FIG. 1, the magnetic sensor 10 has a thin film of a magnetoresistive element made of a ferromagnetic alloy such as a Ni-Co alloy attached to an element substrate 11 made of glass or the like. A pattern is formed. The ferromagnetic magnetoresistive element is formed by integrated circuit manufacturing techniques such as vapor deposition and photoetching.
検出素子12及び温度補償抵抗素子13を構成する強磁
性磁気抵抗素子(以下、単に磁気抵抗素子という)は、
高抵抗化を図るため帯状の薄膜強磁性合金が折曲され連
続したコ字状のパターンに形成されると共に、磁気抵抗
効果に鑑み複数のブロックに分割されている。即ち、検
出素子12は長手方向が水平な素子を中心とする一対の
水平ブロックの磁気抵抗素子Ra,Rhと長手方向が垂
直な素子を中心とする一対の垂直ブロックの磁気抵抗素
子Rc.Rdとが交互に接続された四つのブロックから
成るパターン形状に形成されている。そして、磁気抵抗
素子Ra乃至Rdの各ブロック間の接続点には端子12
a乃至12dが形成され、これらの磁気抵抗素子Ra乃
至Rdによりブリッジ回路が構成されている。即ち、端
子12a,12bは所謂it流端子で、後述する第3図
に示すようにt流制御回路41に接続されている。The ferromagnetic magnetoresistive element (hereinafter simply referred to as magnetoresistive element) that constitutes the detection element 12 and the temperature compensation resistance element 13 is as follows:
In order to achieve high resistance, a strip-shaped thin film ferromagnetic alloy is bent to form a continuous U-shaped pattern, and is also divided into a plurality of blocks in consideration of the magnetoresistive effect. That is, the detection element 12 consists of a pair of horizontal blocks of magnetoresistive elements Ra, Rh centered on an element whose longitudinal direction is horizontal, and a pair of vertical blocks of magnetoresistive elements Rc.Rc, centered on an element whose longitudinal direction is vertical. Rd is formed in a pattern shape consisting of four blocks connected alternately. A terminal 12 is connected to the connection point between each block of the magnetoresistive elements Ra to Rd.
A to 12d are formed, and a bridge circuit is constituted by these magnetoresistive elements Ra to Rd. That is, the terminals 12a and 12b are so-called IT flow terminals, and are connected to a T flow control circuit 41 as shown in FIG. 3, which will be described later.
端子12c,12dは所謂電圧端子であり、これらから
検出信号が出力される。The terminals 12c and 12d are so-called voltage terminals, and detection signals are output from these terminals.
また、温度補償抵抗素子13は長手力向が垂直な素子を
中心とする垂直ブロックの磁気抵抗素子Rlaと、長手
方向が水平な素子を中心とする水平ブロックの磁気抵抗
素子Ribとが相互に直交するように接続されたパター
ン形状に形成されている。この両端には端子13a,1
3bが形成されており、第3図に示すように端子13a
は定電圧電源Vc(以下、単に電源Vcという)に接続
され、端子13bは抵抗R2を介して接地されている。In addition, the temperature-compensated resistance element 13 has a vertical block of magnetoresistive elements Rla centered on an element whose longitudinal direction is perpendicular, and a horizontal block of magnetoresistive elements Rib centered on an element whose longitudinal direction is horizontal, which are orthogonal to each other. It is formed into a pattern shape that is connected in such a way that the At both ends are terminals 13a, 1
3b is formed, and as shown in FIG.
is connected to a constant voltage power supply Vc (hereinafter simply referred to as power supply Vc), and the terminal 13b is grounded via a resistor R2.
本実施例においては後述するように温度補償抵抗素子1
3は電流制御回路41の一部を構成している。尚、本実
施例における温度補償抵抗素子13は検出素子12と共
に一つの素子基板11上に付着されているが、これらを
別体で形成し近接配置することとしてもよい。In this embodiment, a temperature compensation resistance element 1 is used as described later.
3 constitutes a part of the current control circuit 41. Although the temperature compensation resistance element 13 and the detection element 12 in this embodiment are attached on one element substrate 11, they may be formed separately and placed close to each other.
上記端子12a乃至12d、13a及び13bは、第2
図に示す回路基板30上に形成された複数のリード31
に電気的に接続されている。回路基板30の磁気センサ
10が実装された面と反対側の面には後述する検出回路
を構成する回路素子が実装されており、これらの回路素
子に、リード31及びこれに接合された端子32を介し
て、検出素子12及び温度補償抵抗素子13が電気的に
接続されている。The terminals 12a to 12d, 13a and 13b are the second
A plurality of leads 31 formed on the circuit board 30 shown in the figure
electrically connected to. On the surface of the circuit board 30 opposite to the surface on which the magnetic sensor 10 is mounted, circuit elements constituting a detection circuit, which will be described later, are mounted. The detection element 12 and the temperature compensation resistance element 13 are electrically connected via.
そして、第2図に示すように磁石部材20が磁気センサ
10及び回路基板30に対し、所定間陣を隔てて配置さ
れる.磁石部材20は永久磁石21とその両側面に接合
された一対の略し字状の磁性体腕部22,23から成り
、これら磁性体腕部22,23の長手方向に平行に、シ
ャフト2が永久磁石21に固着されている。磁性体腕部
22,23は各屈曲部の先端部22a.23aの噛面が
対向するように夫々永久磁石21側面に接着等により接
合されており、先端部22a,23aの端面間に空隙が
形成されている。而して、永久磁石21により磁性体腕
部22,23の先端部22a,23aに夫々N極、S8
iが形成され、両者間に磁束密度が均一な平行磁束の磁
界が形成される。これにより、磁気センサ10は上記の
先端部22a,23a間に形成された均一な平行磁界中
にあって、素子基板11の板面はこれに平行に位置し、
従って検出素子12及び温度補償抵抗素子13を構成す
る磁気抵抗素子には板面に平行な均一磁束が付与される
。Then, as shown in FIG. 2, the magnet member 20 is placed at a predetermined distance from the magnetic sensor 10 and the circuit board 30. The magnet member 20 consists of a permanent magnet 21 and a pair of abbreviated magnetic arms 22 and 23 joined to both sides of the permanent magnet. It is fixed to the magnet 21. The magnetic arm portions 22 and 23 have a tip portion 22a of each bent portion. Each of the magnets 23a is bonded to the side surface of the permanent magnet 21 by adhesive or the like so that the engaging surfaces thereof face each other, and a gap is formed between the end surfaces of the tip portions 22a and 23a. Thus, the permanent magnet 21 attaches an N pole and an S8 to the tips 22a and 23a of the magnetic arms 22 and 23, respectively.
i is formed, and a magnetic field of parallel magnetic flux with uniform magnetic flux density is formed between the two. As a result, the magnetic sensor 10 is in a uniform parallel magnetic field formed between the tips 22a and 23a, and the plate surface of the element substrate 11 is located parallel to this.
Therefore, a uniform magnetic flux parallel to the plate surface is applied to the magnetic resistance elements constituting the detection element 12 and the temperature compensation resistance element 13.
而して、シャフト2の回転により永久磁石21が磁気セ
ンサ10回りを回転すると、先端部22a.23a間の
磁界が回転し、磁気抵抗素子に対する磁化方向と電流方
向のなす角度が変化する。When the permanent magnet 21 rotates around the magnetic sensor 10 due to the rotation of the shaft 2, the tip portion 22a. The magnetic field between the magnetoresistive elements 23a rotates, and the angle between the magnetization direction and the current direction with respect to the magnetoresistive element changes.
この場合において、磁気抵抗素子に供給される電流と先
端部22a,23a間の磁界による磁化方向が平行にな
った時に磁気抵抗素子の抵抗値が最大となり、直交した
時最小となる。このため、検出素子12の端子12c,
12dの出力は略正弦波となり最大値と最小値近傍を除
く部分でシャフト2の回転角度に対じ略リニアな出力特
性が得られる。In this case, the resistance value of the magnetoresistive element is maximum when the current supplied to the magnetoresistive element and the direction of magnetization due to the magnetic field between the tips 22a and 23a are parallel to each other, and is minimum when they are perpendicular to each other. Therefore, the terminal 12c of the detection element 12,
The output of the shaft 12d is a substantially sinusoidal wave, and an output characteristic that is substantially linear with respect to the rotation angle of the shaft 2 is obtained except for the vicinity of the maximum and minimum values.
一方、温度補償抵抗素子13においては、直交する二つ
のブロックの磁気抵抗素子Rla,Rtbのパターンは
第1図に示すように夫々磁気抵抗素子Re,Rbのパタ
ーンと平行になるように形成されている。これら磁気抵
抗素子Rla,Rlbにはパターンを構成する各要素を
連結するりーFLI及びL2が夫々設けられており、こ
れらのりードLl,L2を切断することによって抵抗値
を調整できるように構成されている。即ち、磁気抵抗素
子R1a.R1bが夫々所定の抵抗値を示すように、夫
々のパターンの各要素を連結するリードLl,L2がレ
ーザトリミング装置によって切断される。本実施例にお
いては、磁界が付与されていないときの磁気抵抗素子R
laの抵抗値に対し磁気抵抗素子Ribの抵抗値が小さ
くなるように、且つシャフト2の回転角度即ち角度θが
0゜のときより角度θが90゜のときの両者の合成抵抗
が大となるように設定されている。On the other hand, in the temperature compensation resistance element 13, the patterns of the magnetoresistive elements Rla and Rtb in two orthogonal blocks are formed parallel to the patterns of the magnetoresistive elements Re and Rb, respectively, as shown in FIG. There is. These magnetoresistive elements Rla and Rlb are provided with leads FLI and L2, respectively, which connect the elements constituting the pattern, and the resistance value can be adjusted by cutting these leads Ll and L2. ing. That is, the magnetoresistive element R1a. Leads Ll and L2 connecting the elements of each pattern are cut by a laser trimming device so that R1b each exhibits a predetermined resistance value. In this example, the magnetoresistive element R when no magnetic field is applied is
The resistance value of the magnetoresistive element Rib is smaller than the resistance value of la, and the combined resistance of both is larger when the rotation angle of the shaft 2, that is, when the angle θ is 90° than when the angle θ is 0°. It is set as follows.
第3図は磁気センサ10に接続される検出回路の一実施
例を示すもので、ブリッジ回路40は、第1図に示した
検出素子l2を構成する四ブロックの磁気抵抗素子Ra
乃至Rdから成る。そして、前述のように端子12a,
12bには電流制御回路4lが接続されている。電流制
御回路41は温度補償抵抗素子13を備え、端子13a
が電源Vcに接続され、端子13bは抵抗R2を介して
接地されている。磁気抵抗素子Rla,Ribから成る
温度補償抵抗素子13は電流制御回路41の一部を構成
している。端子12c,12dはブリッジ回路40の出
力端子で、夫々差動増幅回路42に接続されている。そ
して、差動増幅回路42の出力が出力端子■1から回転
角度信号として出力される。FIG. 3 shows an embodiment of a detection circuit connected to the magnetic sensor 10. The bridge circuit 40 includes four blocks of magnetoresistive elements Ra that constitute the detection element l2 shown in FIG.
Consisting of Rd to Rd. Then, as described above, the terminals 12a,
A current control circuit 4l is connected to 12b. The current control circuit 41 includes a temperature compensation resistance element 13, and has a terminal 13a.
is connected to the power supply Vc, and the terminal 13b is grounded via a resistor R2. The temperature compensation resistance element 13 made up of magnetoresistive elements Rla and Rib constitutes a part of the current control circuit 41. Terminals 12c and 12d are output terminals of the bridge circuit 40, and are connected to a differential amplifier circuit 42, respectively. Then, the output of the differential amplifier circuit 42 is output as a rotation angle signal from the output terminal (1).
電流制御回路41は演算増幅器(以下、オペアンプとい
う)OP1を有し、その帰還回路にブリッジ回路40が
接続されている。即ち、オペアンプoptの出力端子は
ブリッジ回路40の磁気抵抗素子Rb,Rd間即ち前述
の端子12bに接続され、磁気抵抗素子Ra,Rc間即
ち端子12aがオペアンプOP1の反転入力端子に接続
されると共に抵抗R3を介して電源Vcに接続されてい
る。The current control circuit 41 has an operational amplifier (hereinafter referred to as an operational amplifier) OP1, and a bridge circuit 40 is connected to its feedback circuit. That is, the output terminal of the operational amplifier opt is connected between the magnetoresistive elements Rb and Rd of the bridge circuit 40, that is, the terminal 12b, and the terminal 12a of the bridge circuit 40 is connected between the magnetoresistive elements Ra and Rc, that is, the terminal 12a is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier OP1. It is connected to the power supply Vc via a resistor R3.
一方、温度補償抵抗素子13を構成する磁気抵抗素子R
1a.R1bと抵抗R2との直列回路が電源Vcに接続
され、磁気抵抗素子Ribと抵抗R2の接続点がオペア
ンプOPIの非反転入力端子に接続されている。従って
、印加される定電圧が磁気抵抗素子R1a.R1bと抵
抗R2によって分割され、基準電圧Vsとしてオペアン
プOP1に入力される。而して、基準電圧Vsによって
抵抗R3の両端の電圧が決り、ブリッジ回路40全体の
抵抗値の変化に応じてオペアンプOPIの出力電圧が変
化し、定電流が供給される。即ち、ブリッジ回路40を
構成する磁気抵抗素子Ra乃至Rdの抵抗値が変化して
もブリッジ回路40には一定の電流が供給される。On the other hand, the magnetoresistive element R constituting the temperature compensation resistance element 13
1a. A series circuit of R1b and resistor R2 is connected to power supply Vc, and a connection point between magnetoresistive element Rib and resistor R2 is connected to a non-inverting input terminal of operational amplifier OPI. Therefore, the constant voltage applied to the magnetoresistive element R1a. It is divided by R1b and resistor R2 and inputted to operational amplifier OP1 as reference voltage Vs. Thus, the voltage across the resistor R3 is determined by the reference voltage Vs, and the output voltage of the operational amplifier OPI changes in accordance with changes in the resistance value of the entire bridge circuit 40, and a constant current is supplied. That is, even if the resistance values of the magnetoresistive elements Ra to Rd forming the bridge circuit 40 change, a constant current is supplied to the bridge circuit 40.
そして、ブリッジ回路40の出力端子は差動増幅回路4
2に接続されている。ブリッジ回路40の磁気抵抗素子
Ra,Rd間即ち端子12dはオペアンプOP2の非反
転入力端子に接続され、磁気抵抗素子Rb.Rc間即ち
端子12cはオペアンプOP3の非反転入力端子に接続
されている。The output terminal of the bridge circuit 40 is connected to the differential amplifier circuit 4.
Connected to 2. The bridge circuit 40 between the magnetoresistive elements Ra and Rd, that is, the terminal 12d, is connected to the non-inverting input terminal of the operational amplifier OP2, and the magnetoresistive element Rb. The terminal 12c is connected to the non-inverting input terminal of the operational amplifier OP3.
オペアンプOP2の出力端子は帰還抵抗R4を介して反
転入力端子に接続されると共に、抵抗Rフを介してオペ
アンプOP4の反転入力端子に接続されている。オペア
ンブOP3の出力端子は帰還抵抗R6を介して反転入力
端子に接続されると共に、抵抗R8を介してオペアンプ
OP4の非反転入力端子に接続されている。またオペア
ンブOP2、OP3の反転入力端子間は可変抵抗R5を
介して接続されている。The output terminal of the operational amplifier OP2 is connected to the inverting input terminal via the feedback resistor R4, and is also connected to the inverting input terminal of the operational amplifier OP4 via the resistor Rf. The output terminal of operational amplifier OP3 is connected to the inverting input terminal via feedback resistor R6, and is also connected to the non-inverting input terminal of operational amplifier OP4 via resistor R8. Further, the inverting input terminals of operational amplifiers OP2 and OP3 are connected via a variable resistor R5.
オペアンプOP4の出力端子は抵抗R9を介して反転入
力端子に接続されると共に、出力端子VTAに接続され
ている。オペアンプOP4の非反転入力端子と抵抗R8
の接続点は抵抗RIOを介してオペアンプOP5の出力
端子に接続されている。オペアンプOP5の非反転入力
端子には、電源Vcの定電圧が抵抗Rll及び可変抵抗
R12により分割されて基準電圧Vtとして入力される
。オペアンプOP50反転入力端子は出力端子に接続さ
れている。The output terminal of the operational amplifier OP4 is connected to the inverting input terminal via a resistor R9, and is also connected to the output terminal VTA. Non-inverting input terminal of operational amplifier OP4 and resistor R8
The connection point of is connected to the output terminal of the operational amplifier OP5 via a resistor RIO. A constant voltage of the power supply Vc is divided by a resistor Rll and a variable resistor R12 and input as a reference voltage Vt to a non-inverting input terminal of the operational amplifier OP5. The operational amplifier OP50 inverting input terminal is connected to the output terminal.
而して、第2図のシャフト2の回動に応じ、前述のよう
に磁気センサ10の検出素子12の抵抗値が変化する。As described above, the resistance value of the detection element 12 of the magnetic sensor 10 changes in accordance with the rotation of the shaft 2 shown in FIG.
この検出素子12により′f%3図に示すようにブリッ
ジ回路40が構成されており、これに電流制御回路41
を介して定電流が供給されている。従って、検出素子1
2の各ブロックの抵抗値の変化に応じてブリッジ回路4
0の磁気抵抗素子Ra,Rdの接続点と磁気抵抗素子R
h,Reの接続点との間に不平衡電位差が生ずる。これ
が、差動増幅回路42に人力し、出力端子VTAから回
転角度信号たる電圧出力が得られる。即ち、最大値と最
小値近傍を除き回転角度に対しリニアに増加する電圧出
力が得られる。This detection element 12 constitutes a bridge circuit 40 as shown in Figure 'f%3, and a current control circuit 41 is connected to this.
A constant current is supplied through the Therefore, the detection element 1
Bridge circuit 4 according to the change in resistance value of each block of 2.
The connection point of magnetoresistive elements Ra and Rd of 0 and magnetoresistive element R
An unbalanced potential difference occurs between the connection point of h and Re. This is applied to the differential amplifier circuit 42, and a voltage output as a rotation angle signal is obtained from the output terminal VTA. That is, a voltage output that increases linearly with the rotation angle except for the vicinity of the maximum and minimum values can be obtained.
そして、検出素子12の周囲温度が変化し磁気抵抗素子
Ra乃至Rdの抵抗値が変化するとき、温度補償抵抗素
子13を構成する磁気抵抗素子Rla,Ribの抵抗値
も同様に変化する。従って、例えば周囲温度が上昇し磁
気抵抗素子Ra乃至Rdの抵抗値が上昇し出力が減少傾
向を示すと、磁気抵抗素子R1a.R1bの抵抗値の上
昇に応じ、電流制御回路41のブリッジ回路40に対す
る供給電流が増加するように制御される。When the ambient temperature of the detection element 12 changes and the resistance values of the magnetoresistive elements Ra to Rd change, the resistance values of the magnetoresistive elements Rla and Rib that constitute the temperature compensation resistance element 13 also change in the same way. Therefore, for example, when the ambient temperature rises and the resistance values of the magnetoresistive elements Ra to Rd increase and the output tends to decrease, the magnetoresistive elements R1a. The current supplied to the bridge circuit 40 by the current control circuit 41 is controlled to increase in accordance with the increase in the resistance value of R1b.
具体的には、磁気センサ10の周囲温度が上昇し正の温
度係数を有する磁気抵抗素子Rla,R1bの抵抗値が
増加すると、オペアンプOPIの非反転入力端子の入力
電圧が減少する。従って、オペアンプOPIの出力電圧
が減少しブリッジ回路40に供給される電流が増加する
。このとき、磁気抵抗素子Rla,Ribと略同環境に
あるブリッジ回路40を構成する磁気抵抗素子Ra乃至
Rdの各々は磁気抵抗素子Rla,Ribと同様抵抗値
が増加しているが、上述のようにオペアンプOPIから
供給される電流が増加するので周囲温度の上昇に伴なう
出力低下を惹起することなく、回転角度に対応した出力
が確保される。Specifically, when the ambient temperature of the magnetic sensor 10 rises and the resistance values of the magnetoresistive elements Rla and R1b having positive temperature coefficients increase, the input voltage at the non-inverting input terminal of the operational amplifier OPI decreases. Therefore, the output voltage of the operational amplifier OPI decreases and the current supplied to the bridge circuit 40 increases. At this time, each of the magnetoresistive elements Ra to Rd forming the bridge circuit 40, which are in approximately the same environment as the magnetoresistive elements Rla and Rib, has an increased resistance value as well as the magnetoresistive elements Rla and Rib, but as described above, Since the current supplied from the operational amplifier OPI increases, the output corresponding to the rotation angle is ensured without causing a decrease in output due to a rise in ambient temperature.
第4図はブリッジ回路40の出力特性を示すもので、温
度補償抵抗素子13を設けないときには破線のように周
囲温度の上昇に伴ない出力が低下する特性となる。尚、
第4図の上方の特性は第1図中の角度θが90°のとき
、即ちシャフト2の回転角度が90゛のときの特性を示
し、第4図の下方の特性は角度θがO゜のときの特性を
示す。FIG. 4 shows the output characteristics of the bridge circuit 40, and when the temperature compensating resistance element 13 is not provided, the output decreases as the ambient temperature rises, as shown by the broken line. still,
The upper part of Fig. 4 shows the characteristics when the angle θ in Fig. 1 is 90°, that is, the rotation angle of the shaft 2 is 90°, and the lower part of Fig. 4 shows the characteristics when the angle θ is 0°. The characteristics when .
これに対し、磁気抵抗素子RlaとRibが同一の抵抗
値の温度補償抵抗素子を介装した場合には温度補償によ
り出力特性が向上するが、磁気抵抗素子Ra乃至Rdの
各抵抗値が相違していると、第4図に一点鎖線で示すよ
うに角度θが90”のときの出力の温度補償が不十分と
なる。尚、角度θが0゜のときは実線で示す特性となる
。On the other hand, if the magnetoresistive elements Rla and Rib are interposed with temperature-compensated resistance elements with the same resistance value, the output characteristics will improve due to temperature compensation, but the resistance values of the magnetoresistive elements Ra to Rd will differ. If the angle θ is 90”, the temperature compensation of the output becomes insufficient as shown by the dashed line in FIG. 4. When the angle θ is 0°, the characteristic is shown by the solid line.
本実施例においては前述のように磁気抵抗素子Rlaと
Ribとで抵抗値が異なるように設定され、角度θが9
0゜となったときにも温度上昇に伴なう抵抗値の上昇量
が温度補償に十分となるように設定されており、344
図に実線で示す出力特性が得られる。而して、ブリッジ
回路40の出力が全測定領域の角度θに対し、周囲温度
変化に影響されることなく一定の値に維持され、シャフ
ト2の回転角度にのみ対応した出力となる。In this embodiment, as described above, the resistance values of the magnetoresistive elements Rla and Rib are set to be different, and the angle θ is 9.
It is set so that even when the temperature reaches 0°, the amount of increase in resistance value due to temperature rise is sufficient for temperature compensation, and 344
The output characteristics shown by the solid line in the figure are obtained. Thus, the output of the bridge circuit 40 is maintained at a constant value for the angle θ of the entire measurement region without being affected by changes in ambient temperature, and becomes an output corresponding only to the rotation angle of the shaft 2.
上記のように構成された回転角度センサは種々の装置に
装着し得るが、例えば内燃機関のスロットルポジション
センサに内蔵される.第5図及び第6図は上記第1図乃
至第3図に示した回転角度センサを内蔵したスロットル
ポジションセンサ1を示すもので、図示しないスロット
ルボデーに装着され、シャフト2が図示しないスロット
ルシャフトに連動して回動するように支持されている。Although the rotation angle sensor configured as described above can be installed in various devices, for example, it is built into a throttle position sensor of an internal combustion engine. FIGS. 5 and 6 show a throttle position sensor 1 incorporating the rotation angle sensor shown in FIGS. They are supported so as to rotate in conjunction with each other.
即ち、スロットルポジションセンサ1は隣接する二つの
凹部3a.3bを有する合成樹脂製のハウジング3を備
え、これら凹部3a.3b間の隔壁3Cに、軸受4を介
してシャフト2が回動自在に支持されている。That is, the throttle position sensor 1 is located between two adjacent recesses 3a. 3b, the housing 3 is made of synthetic resin and has recesses 3a. A shaft 2 is rotatably supported via a bearing 4 on the partition wall 3C between the partition walls 3b.
シャフト2の一端にはハウジング3の一方の凹部3a内
に収容されたレバー5が固着されており、レバー5は図
示しないスロットルシャフトに連結されている。ハウジ
ング3とレバー5との間にはリターンスプリング6が介
装されており、レバー5が所定の初期位置方向に付勢さ
れている。A lever 5 housed in one recess 3a of the housing 3 is fixed to one end of the shaft 2, and the lever 5 is connected to a throttle shaft (not shown). A return spring 6 is interposed between the housing 3 and the lever 5, and the lever 5 is urged toward a predetermined initial position.
従って、図示しないスロットルバルブの間作動に伴ない
、スロットルシャフトに連動するレバー5がリターンス
プリング6の付勢力に抗して駆動され、シャフト2が回
動するように構成されている。Therefore, as the throttle valve (not shown) is operated, the lever 5 interlocked with the throttle shaft is driven against the biasing force of the return spring 6, and the shaft 2 is rotated.
シャフト2の他端には磁石部材20が固着され、ハウジ
ング3の他方の凹部3b内に収容されている。そして、
磁石部材20を構成する永久磁石21に対向し、且つそ
の両端の磁性体腕部22.23間に位置するように磁気
センサ10が配設される。磁気センサ10は前述のよう
に素子基板11とその板面に付着された検出素子12及
び温度補償抵抗素子13を備え、回路基板30の一方の
面に実装される。回路基板30の他方の面には前述の検
出回路を構成するオペアンブOP1等の素子が実装され
ている。回路基板30の一方の端部には表裏面のリード
間を接続する複数の端子32が設けられており、他方の
端部には複数のリード部材7が接続されている。これら
のリード部材7はハウジング3内に埋設されており、側
方に延出してハウジング3と一体にコネクタ8が形成さ
れている。回路基板30はハウジング3の凹郎3b内に
収容、固定され、この凹郎3bは合成樹脂製のカバー9
により密閉されている。A magnet member 20 is fixed to the other end of the shaft 2 and housed in the other recess 3b of the housing 3. and,
The magnetic sensor 10 is disposed so as to face the permanent magnet 21 constituting the magnet member 20 and to be located between the magnetic arms 22 and 23 at both ends thereof. As described above, the magnetic sensor 10 includes the element substrate 11, the detection element 12 and the temperature compensation resistance element 13 attached to the surface of the element substrate 11, and is mounted on one surface of the circuit board 30. On the other surface of the circuit board 30, elements such as the operational amplifier OP1 constituting the aforementioned detection circuit are mounted. A plurality of terminals 32 are provided at one end of the circuit board 30 to connect the leads on the front and back surfaces, and a plurality of lead members 7 are connected to the other end. These lead members 7 are embedded within the housing 3, and extend laterally to form a connector 8 integrally with the housing 3. The circuit board 30 is housed and fixed in a groove 3b of the housing 3, and this groove 3b is covered with a cover 9 made of synthetic resin.
It is sealed by.
而して、第1図乃至第3図に示した回転角度センサを備
えたスロットルポジションセンサ1によれば、図示しな
いスロットルバルブに連動して第5図に示すレバー5が
駆動されシャフト2が軸受4回りを回動し、無接触にて
スロットルバルブの回転角度信号を得ることができる。According to the throttle position sensor 1 equipped with the rotation angle sensor shown in FIGS. 1 to 3, the lever 5 shown in FIG. It rotates 4 times, and the rotation angle signal of the throttle valve can be obtained without contact.
しかも、本実施例に用いられる回転角度センサは上述の
ように周囲温度による誤差を抑えることができるので、
厳しい外部環境においても安定した検出精度を確保する
ことができる。Moreover, the rotation angle sensor used in this example can suppress errors caused by ambient temperature as described above.
Stable detection accuracy can be ensured even in harsh external environments.
C発明の効果コ
本発明は上述のように構成されているので、以下に記載
する効果を奥する。C Effects of the Invention Since the present invention is configured as described above, the effects described below can be realized.
即ち、本発明の回転角度センサにおいては、検出素子を
構成する強磁性磁気抵抗素子と同一材料で互いに異なる
抵抗値の水平ブロックと垂直ブロックとを接続したパタ
ーン形状の強磁性磁気抵抗素子を基板に付着し、検出素
子に隣接して配置すると共に電流制御回路に接続した温
度補償抵抗素子を設けることとしたので、検出素子を構
成する各ブロックの強磁性磁気抵抗素子の抵抗値が異な
る場合でもシャフトの回転角度に無関俤に、全測定角度
領域において周囲の温度変化による出力変動を確実に抑
え、安定した検出精度を確保することができる。しかも
、温度補償抵抗素子は検出素子と同時に形成することが
できるので、製造が容易であり安価な回転角度センサを
提供することができる。That is, in the rotation angle sensor of the present invention, a pattern-shaped ferromagnetic magnetoresistive element in which a horizontal block and a vertical block made of the same material as the ferromagnetic magnetoresistive element constituting the detection element and having different resistance values are connected is mounted on a substrate. Since we decided to provide a temperature-compensated resistance element attached to the sensor element, placed adjacent to the detection element, and connected to the current control circuit, the shaft It is possible to reliably suppress output fluctuations due to changes in ambient temperature in the entire measurement angle range, regardless of the rotation angle of the sensor, and ensure stable detection accuracy. Furthermore, since the temperature compensation resistance element can be formed at the same time as the detection element, it is possible to provide a rotation angle sensor that is easy to manufacture and inexpensive.
第1図は本発明の一実施例の回転角度センサの構成図、
第2図は同、回転角度センサの斜視図、第3図は同、検
出回路の電気回路図、第4図は同、ブリッジ回路の周囲
温度変化に対する出力特性を示すグラフ、=5図は本発
明の一実施例に係る回転角度センサを内蔵したスロット
ルボジシコンセンサの縦断面図、第6図は同、スロット
ルポジションセンサのカバーを取り除いた状態の平面図
である。
・・・磁気センサ.
12・・・検出素子
20・・・磁石部材.
30・・・回路基板.
41・・・電流制御回路,
・・・シャフト,10
1・・・素子基板
3・・・温度補償抵抗素子,
1・・・永久磁石.
0・・・ブリッジ回路,
2・・・差動増幅回路FIG. 1 is a configuration diagram of a rotation angle sensor according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a perspective view of the rotation angle sensor, Figure 3 is an electric circuit diagram of the detection circuit, Figure 4 is a graph showing the output characteristics of the bridge circuit with respect to ambient temperature changes, and Figure 5 is the same. FIG. 6 is a longitudinal sectional view of a throttle position sensor incorporating a rotation angle sensor according to an embodiment of the invention, and is a plan view of the throttle position sensor with the cover removed. ...Magnetic sensor. 12...Detection element 20...Magnet member. 30...Circuit board. 41...Current control circuit,...Shaft, 10 1...Element board 3...Temperature compensation resistance element, 1...Permanent magnet. 0... Bridge circuit, 2... Differential amplifier circuit
Claims (1)
ロックと長手方向が垂直な素子を中心とする一対の垂直
ブロックとを交互に接続したパターン形状の強磁性磁気
抵抗素子を基板の板面に付着し、前記一対の水平ブロッ
ク及び前記一対の垂直ブロックによりブリッジ回路を構
成して成る検出素子と、該検出素子に接続し定電流を供
給する電流制御回路を備え、前記検出素子に対するシャ
フトの回転に伴なう磁束変化により該シャフトの回転角
度を検出する回転角度センサにおいて、前記検出素子を
構成する強磁性磁気抵抗素子と同一材料の強磁性磁気抵
抗素子であって、長手方向が水平な素子を中心とする水
平ブロックと、該水平ブロックの抵抗値と異なる抵抗値
を有し長手方向が垂直な素子を中心とする垂直ブロック
とを接続したパターン形状の強磁性磁気抵抗素子を前記
検出素子に隣接して配置し前記基板の板面に付着すると
共に、前記電流制御回路に接続して成る温度補償抵抗素
子を備え、該温度補償抵抗素子の周囲温度変化に伴なう
抵抗値変化に応じて前記電流制御回路の供給電流を調整
するようにしたことを特徴とする回転角度センサ。(1) A ferromagnetic magnetoresistive element with a pattern shape in which a pair of horizontal blocks centered around an element whose longitudinal direction is horizontal and a pair of vertical blocks centered around an element whose longitudinal direction is vertical are connected alternately to a substrate. A shaft for the detection element, comprising a detection element attached to a surface and configured as a bridge circuit by the pair of horizontal blocks and the pair of vertical blocks, and a current control circuit connected to the detection element and supplying a constant current. In a rotation angle sensor that detects the rotation angle of the shaft by changes in magnetic flux accompanying the rotation of the shaft, the sensor is a ferromagnetic magnetoresistive element made of the same material as the ferromagnetic magnetoresistive element constituting the detection element, and whose longitudinal direction is horizontal. Detecting the ferromagnetic magnetoresistive element having a pattern shape in which a horizontal block centered on an element whose resistance value is different from the resistance value of the horizontal block and a vertical block centered on an element whose longitudinal direction is perpendicular to the resistance value of the horizontal block is connected. A temperature-compensating resistor element is provided adjacent to the element, attached to the plate surface of the substrate, and connected to the current control circuit, and the temperature-compensating resistor element is adapted to resist changes in resistance due to changes in ambient temperature of the temperature-compensating resistor element. A rotation angle sensor characterized in that the current supplied to the current control circuit is adjusted accordingly.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1454390A JPH03218413A (en) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | Rotational angle sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1454390A JPH03218413A (en) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | Rotational angle sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218413A true JPH03218413A (en) | 1991-09-26 |
Family
ID=11864071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1454390A Pending JPH03218413A (en) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | Rotational angle sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03218413A (en) |
-
1990
- 1990-01-23 JP JP1454390A patent/JPH03218413A/en active Pending
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