JPH03218413A - 回転角度センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明はシャフトの回転角度を検出する回転角度センサ
に関し、特に磁気抵抗素子を用いた無接触型の回転角度
センサに係る。

［従来の技術］ 近時、回転角度あるいは回転位置を検出するセンサに間
し、無接触機構を構成し、あるいはシャフトの慣性損失
を小さくする等の要請から磁気センサの利用が注目され
ている。この磁気センサには磁気抵抗素子が用いられ、
素子の板面が例えばシャフトの先端に装着された永久磁
石に対向するように配置されている。

上記磁気抵抗素子としては、磁界中の強磁性体に関し磁
化方向と電流方向のなす角度によって抵抗が異方的に変
化する性質を利用した強磁性磁気抵抗素子が知られてい
る。この性質は異方性磁気抵抗効果と呼ばれ、磁界の大
きさによる負性磁気抵抗効果と区別される。即ち、通常
の強磁性体にあっては、異方性磁気抵抗効果により電流
と磁化方向が平行になった時に抵抗が最大となり、直交
した時に最小となる。而して、この効果を利用すべく基
板の板面に薄膜の強磁性金属が折線状に付着されて強磁
性磁気抵抗素子が構成され、例えば特開昭６２−２３７
３０２号公報に記載のように、強磁性磁気抵抗素子がシ
ャフトの端面とこの端面の対向位置の何れか一方に設け
られ、他方に永久磁石が設けられた回転位置検出装置が
知られている。

ところで、上記強磁性磁気抵抗素子を定電流電源あるい
は定電圧電源によって駆動した場合、強磁性磁気抵抗素
子は正の温度係数を有しているので、出力は温度の上昇
と共に略リニアに減少し、出力の温度係数は前者によっ
て駆動した場合の方が小である。このように、上記強磁
性磁気抵抗素子を含む磁気抵抗素子にあっては、温度変
化により出力特性が異なり、周囲温度、即ち外部環境温
度が変化する場合には温度補償が必要となる。このため
外部環境の温度変化に応じて出力を補償すべく電気回路
処理が行なわれるのが一般的であり、種々の処理が行な
われる。例えば、特開昭６３−４２４０３号公報におい
ては、磁気抵抗素子のブリッジに定電流を供給する定電
流回路と、これを駆動する定電圧回路との間に温度補償
用ダイオードと抵抗素子の直列回路を挿入し、その中間
接続点を定電流回路と接続する温度補償回路が提案され
ている。

［発明が解決しようとする課８］ 然し乍ら、上記公報に記載の温度補償回路においては、
回転検出用の磁気抵抗素子とは異なる素子を温度補償用
として付加することとしており、両素子が各々独自の温
度特性を示すこととなる。

このように、検出用磁気抵抗素子と温度補償用の素子と
の間の温度特性が相違すると、両者間の調整が必要とな
り、測定時の全温度範囲において安定した温度補償を行
なうことは至難である。しかも、種々の状況での外部環
境の温度変化に対し、状況に応じて個々に素子を選択し
調整を行なうことが必要となり、コストアップ要因とな
る。

これに対し、温度補償用の素子も強磁性磁気抵抗素子と
し、検出用の素子と温度補償用の素子とを同一材料で構
成することとすれば、両者が同様の抵抗値変化を示すこ
ととなるので、外部環境の温度変化による検出素子の出
力変動を抑えることができる。しかし、特開昭６２−２
３７３０２号公報に記載のように、検出素子を長手方向
が水平な素子を中心とする一対の水平ブロックと長手方
向が垂直な素子を中心とする一対の垂直ブロックとを交
互に接続したパターン形状の強磁性磁気抵抗素子によっ
て構成した場合において、これらのブロック間で抵抗値
が異なるときには、シャフトの回転角度によっては外部
環境温度変化に伴なう出力変動を十分抑えられないこと
がある。例えば、シャフトの回転角度が９０゛のときに
は外部環境温度変化に伴ない大きな出力変動を示すこと
になる。

そこで、本発明は回転角度センサにおいて、検出素子を
構成する各ブロックの強磁性磁気抵抗素子の抵抗値が異
なる場合でも、シャフトの回転角度に無関係に外部環境
の温度変化よる出力変動を容易且つ確実に抑え、安定し
た検出精度を確保することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するため、本発明は長手方向が水平な
素子を中心とする一対の水平ブロックと長手方向が垂直
な素子を中心とする一対の垂直ブロックとを交互に接続
したパターン形状の強磁性磁気抵抗素子を基板の板面に
付着し、前記一対の水平ブロック及び前記一対の垂直ブ
ロックによりブリッジ回路を構成して成る検出素子と、
該検出素子に接続し定電流を供給する電流制御回路を備
え、前記検出素子に対するシャフトの回転に伴なう磁束
変化により該シャフトの回転角度を検出する回転角度セ
ンサにおいて、前記検出素子を構成する強磁性磁気抵抗
素子と同一材料の強磁性磁気抵抗素子であって、長平方
向が水平な素子を中心とする水平ブロックと、該水平ブ
ロックの抵抗値と異なる抵抗値を有し長手方向が垂直な
素子を中心とする垂直ブロックとを接続したパターン形
状の強磁性磁気抵抗素子を前記検出素子に隣接して配置
し前記基板の板面に付着すると共に、前記電流制御回路
に接続して成る温度補償抵抗素子を備え、該温度補償抵
抗素子の周囲温度変化に伴なう抵抗値変化に応じて前記
電流制御回路の供給電流を調整するようにしたものであ
る。

尚、上記電流制御回路は、前記検出素子を前記演算増幅
器の出力端子と反転入力端子との間に接続すると共に、
一端を電源に接続した抵抗を前記演算増幅器の反転入力
端子に接続し、前記温度補償抵抗素子の一端を電源に接
続し他端を前記演算増幅器の非反転入力端子に接続する
と共に抵抗を介して接地し、前記温度補償抵抗素子が演
算増幅器に対する基準電圧を設定する分割抵抗となるよ
うに構成することができる。

［作用］ 上記の構成になる回転角度センサにおいては、シャフト
の回転に応じて検出素子に対し磁束変化が生じ、磁気抵
抗効果により、ブリッジ回路を構成する各ブロックの強
磁性磁気抵抗素子の抵抗値が変化する。この検出素子に
は電流制御回路により定電流が供給されているので、上
記抵抗値変化に応じブリッジ回路出力としてシャフトの
回転角度が検出される。

そして、回転角度センサの周囲温度が変化することによ
り検出素子の各ブロックの強磁性磁気抵抗素子の抵抗値
が変化すると、検出素子に隣接して配置した温度補償抵
抗素子も検出素子の強磁性磁気抵抗素子と同一材料の強
磁性磁気抵抗素子で構成されているため、これと同様の
抵抗値変化を示す。しかも、温度補償抵抗素子を構成す
る水平ブロックと垂直ブロックの少くとも何れか一方の
抵抗値が調整されて両ブロックの抵抗値が異なる値に設
定されているので、両ブロックの抵抗値の相違に応じて
シャフトの回転角度に対し温度補償抵抗値が所定の関係
を示すこととなる。

而して、この温度補償抵抗値の変化に応じ電流制御回路
の供給電流が調整され、周囲温度変化に起因する強磁性
磁気抵抗素子の抵抗値変化に伴なう検出素子の出力変動
が抑えられる。特にブリッジ回路を構成する各ブロック
の抵抗値が相違している場合であっても、温度補償抵抗
素子の抵抗値がシャフトの回転角度に対し所定の関係に
あるので、シャフトの回転角度の値に左右されることな
く検出素子の出力変動が抑えられる。

［実施例］ 以下、本発明の望ましい実施例を図面を参照して説明す
る。

第１図乃至第３図は本発明の回転角度センサの実施例を
示すもので、第２図に全体構成を示すように磁気センサ
１０が回路基板３０に実装され、これらに対向するよう
に磁石部材２０を備えたシャフト２が配置されている。

磁気センサ１０は、第１図に示すようにガラス等の素子
基板１１にＮｉ−Ｃｏ合金等の強磁性合金の磁気抵抗素
子の薄膜が付着され、検出素子１２及び温度補償抵抗素
子１３の各々のパターンが形成されている。この強磁性
磁気抵抗素子は例えば蒸着とホトエッチングといった集
積回路製造技術によって形成される。

検出素子１２及び温度補償抵抗素子１３を構成する強磁
性磁気抵抗素子（以下、単に磁気抵抗素子という）は、
高抵抗化を図るため帯状の薄膜強磁性合金が折曲され連
続したコ字状のパターンに形成されると共に、磁気抵抗
効果に鑑み複数のブロックに分割されている。即ち、検
出素子１２は長手方向が水平な素子を中心とする一対の
水平ブロックの磁気抵抗素子Ｒａ，Ｒｈと長手方向が垂
直な素子を中心とする一対の垂直ブロックの磁気抵抗素
子Ｒｃ．Ｒｄとが交互に接続された四つのブロックから
成るパターン形状に形成されている。そして、磁気抵抗
素子Ｒａ乃至Ｒｄの各ブロック間の接続点には端子１２
ａ乃至１２ｄが形成され、これらの磁気抵抗素子Ｒａ乃
至Ｒｄによりブリッジ回路が構成されている。即ち、端
子１２ａ，１２ｂは所謂ｉｔ流端子で、後述する第３図
に示すようにｔ流制御回路４１に接続されている。

端子１２ｃ，１２ｄは所謂電圧端子であり、これらから
検出信号が出力される。

また、温度補償抵抗素子１３は長手力向が垂直な素子を
中心とする垂直ブロックの磁気抵抗素子Ｒｌａと、長手
方向が水平な素子を中心とする水平ブロックの磁気抵抗
素子Ｒｉｂとが相互に直交するように接続されたパター
ン形状に形成されている。この両端には端子１３ａ，１
３ｂが形成されており、第３図に示すように端子１３ａ
は定電圧電源Ｖｃ（以下、単に電源Ｖｃという）に接続
され、端子１３ｂは抵抗Ｒ２を介して接地されている。

本実施例においては後述するように温度補償抵抗素子１
３は電流制御回路４１の一部を構成している。尚、本実
施例における温度補償抵抗素子１３は検出素子１２と共
に一つの素子基板１１上に付着されているが、これらを
別体で形成し近接配置することとしてもよい。

上記端子１２ａ乃至１２ｄ、１３ａ及び１３ｂは、第２
図に示す回路基板３０上に形成された複数のリード３１
に電気的に接続されている。回路基板３０の磁気センサ
１０が実装された面と反対側の面には後述する検出回路
を構成する回路素子が実装されており、これらの回路素
子に、リード３１及びこれに接合された端子３２を介し
て、検出素子１２及び温度補償抵抗素子１３が電気的に
接続されている。

そして、第２図に示すように磁石部材２０が磁気センサ
１０及び回路基板３０に対し、所定間陣を隔てて配置さ
れる．磁石部材２０は永久磁石２１とその両側面に接合
された一対の略し字状の磁性体腕部２２，２３から成り
、これら磁性体腕部２２，２３の長手方向に平行に、シ
ャフト２が永久磁石２１に固着されている。磁性体腕部
２２，２３は各屈曲部の先端部２２ａ．２３ａの噛面が
対向するように夫々永久磁石２１側面に接着等により接
合されており、先端部２２ａ，２３ａの端面間に空隙が
形成されている。而して、永久磁石２１により磁性体腕
部２２，２３の先端部２２ａ，２３ａに夫々Ｎ極、Ｓ８
ｉが形成され、両者間に磁束密度が均一な平行磁束の磁
界が形成される。これにより、磁気センサ１０は上記の
先端部２２ａ，２３ａ間に形成された均一な平行磁界中
にあって、素子基板１１の板面はこれに平行に位置し、
従って検出素子１２及び温度補償抵抗素子１３を構成す
る磁気抵抗素子には板面に平行な均一磁束が付与される
。

而して、シャフト２の回転により永久磁石２１が磁気セ
ンサ１０回りを回転すると、先端部２２ａ．２３ａ間の
磁界が回転し、磁気抵抗素子に対する磁化方向と電流方
向のなす角度が変化する。

この場合において、磁気抵抗素子に供給される電流と先
端部２２ａ，２３ａ間の磁界による磁化方向が平行にな
った時に磁気抵抗素子の抵抗値が最大となり、直交した
時最小となる。このため、検出素子１２の端子１２ｃ，
１２ｄの出力は略正弦波となり最大値と最小値近傍を除
く部分でシャフト２の回転角度に対じ略リニアな出力特
性が得られる。

一方、温度補償抵抗素子１３においては、直交する二つ
のブロックの磁気抵抗素子Ｒｌａ，Ｒｔｂのパターンは
第１図に示すように夫々磁気抵抗素子Ｒｅ，Ｒｂのパタ
ーンと平行になるように形成されている。これら磁気抵
抗素子Ｒｌａ，Ｒｌｂにはパターンを構成する各要素を
連結するりーＦＬＩ及びＬ２が夫々設けられており、こ
れらのりードＬｌ，Ｌ２を切断することによって抵抗値
を調整できるように構成されている。即ち、磁気抵抗素
子Ｒ１ａ．Ｒ１ｂが夫々所定の抵抗値を示すように、夫
々のパターンの各要素を連結するリードＬｌ，Ｌ２がレ
ーザトリミング装置によって切断される。本実施例にお
いては、磁界が付与されていないときの磁気抵抗素子Ｒ
ｌａの抵抗値に対し磁気抵抗素子Ｒｉｂの抵抗値が小さ
くなるように、且つシャフト２の回転角度即ち角度θが
０゜のときより角度θが９０゜のときの両者の合成抵抗
が大となるように設定されている。

第３図は磁気センサ１０に接続される検出回路の一実施
例を示すもので、ブリッジ回路４０は、第１図に示した
検出素子ｌ２を構成する四ブロックの磁気抵抗素子Ｒａ
乃至Ｒｄから成る。そして、前述のように端子１２ａ，
１２ｂには電流制御回路４ｌが接続されている。電流制
御回路４１は温度補償抵抗素子１３を備え、端子１３ａ
が電源Ｖｃに接続され、端子１３ｂは抵抗Ｒ２を介して
接地されている。磁気抵抗素子Ｒｌａ，Ｒｉｂから成る
温度補償抵抗素子１３は電流制御回路４１の一部を構成
している。端子１２ｃ，１２ｄはブリッジ回路４０の出
力端子で、夫々差動増幅回路４２に接続されている。そ
して、差動増幅回路４２の出力が出力端子■１から回転
角度信号として出力される。

電流制御回路４１は演算増幅器（以下、オペアンプとい
う）ＯＰ１を有し、その帰還回路にブリッジ回路４０が
接続されている。即ち、オペアンプｏｐｔの出力端子は
ブリッジ回路４０の磁気抵抗素子Ｒｂ，Ｒｄ間即ち前述
の端子１２ｂに接続され、磁気抵抗素子Ｒａ，Ｒｃ間即
ち端子１２ａがオペアンプＯＰ１の反転入力端子に接続
されると共に抵抗Ｒ３を介して電源Ｖｃに接続されてい
る。

一方、温度補償抵抗素子１３を構成する磁気抵抗素子Ｒ
１ａ．Ｒ１ｂと抵抗Ｒ２との直列回路が電源Ｖｃに接続
され、磁気抵抗素子Ｒｉｂと抵抗Ｒ２の接続点がオペア
ンプＯＰＩの非反転入力端子に接続されている。従って
、印加される定電圧が磁気抵抗素子Ｒ１ａ．Ｒ１ｂと抵
抗Ｒ２によって分割され、基準電圧Ｖｓとしてオペアン
プＯＰ１に入力される。而して、基準電圧Ｖｓによって
抵抗Ｒ３の両端の電圧が決り、ブリッジ回路４０全体の
抵抗値の変化に応じてオペアンプＯＰＩの出力電圧が変
化し、定電流が供給される。即ち、ブリッジ回路４０を
構成する磁気抵抗素子Ｒａ乃至Ｒｄの抵抗値が変化して
もブリッジ回路４０には一定の電流が供給される。

そして、ブリッジ回路４０の出力端子は差動増幅回路４
２に接続されている。ブリッジ回路４０の磁気抵抗素子
Ｒａ，Ｒｄ間即ち端子１２ｄはオペアンプＯＰ２の非反
転入力端子に接続され、磁気抵抗素子Ｒｂ．Ｒｃ間即ち
端子１２ｃはオペアンプＯＰ３の非反転入力端子に接続
されている。

オペアンプＯＰ２の出力端子は帰還抵抗Ｒ４を介して反
転入力端子に接続されると共に、抵抗Ｒフを介してオペ
アンプＯＰ４の反転入力端子に接続されている。オペア
ンブＯＰ３の出力端子は帰還抵抗Ｒ６を介して反転入力
端子に接続されると共に、抵抗Ｒ８を介してオペアンプ
ＯＰ４の非反転入力端子に接続されている。またオペア
ンブＯＰ２、ＯＰ３の反転入力端子間は可変抵抗Ｒ５を
介して接続されている。

オペアンプＯＰ４の出力端子は抵抗Ｒ９を介して反転入
力端子に接続されると共に、出力端子ＶＴＡに接続され
ている。オペアンプＯＰ４の非反転入力端子と抵抗Ｒ８
の接続点は抵抗ＲＩＯを介してオペアンプＯＰ５の出力
端子に接続されている。オペアンプＯＰ５の非反転入力
端子には、電源Ｖｃの定電圧が抵抗Ｒｌｌ及び可変抵抗
Ｒ１２により分割されて基準電圧Ｖｔとして入力される
。オペアンプＯＰ５０反転入力端子は出力端子に接続さ
れている。

而して、第２図のシャフト２の回動に応じ、前述のよう
に磁気センサ１０の検出素子１２の抵抗値が変化する。

この検出素子１２により′ｆ％３図に示すようにブリッ
ジ回路４０が構成されており、これに電流制御回路４１
を介して定電流が供給されている。従って、検出素子１
２の各ブロックの抵抗値の変化に応じてブリッジ回路４
０の磁気抵抗素子Ｒａ，Ｒｄの接続点と磁気抵抗素子Ｒ
ｈ，Ｒｅの接続点との間に不平衡電位差が生ずる。これ
が、差動増幅回路４２に人力し、出力端子ＶＴＡから回
転角度信号たる電圧出力が得られる。即ち、最大値と最
小値近傍を除き回転角度に対しリニアに増加する電圧出
力が得られる。

そして、検出素子１２の周囲温度が変化し磁気抵抗素子
Ｒａ乃至Ｒｄの抵抗値が変化するとき、温度補償抵抗素
子１３を構成する磁気抵抗素子Ｒｌａ，Ｒｉｂの抵抗値
も同様に変化する。従って、例えば周囲温度が上昇し磁
気抵抗素子Ｒａ乃至Ｒｄの抵抗値が上昇し出力が減少傾
向を示すと、磁気抵抗素子Ｒ１ａ．Ｒ１ｂの抵抗値の上
昇に応じ、電流制御回路４１のブリッジ回路４０に対す
る供給電流が増加するように制御される。

具体的には、磁気センサ１０の周囲温度が上昇し正の温
度係数を有する磁気抵抗素子Ｒｌａ，Ｒ１ｂの抵抗値が
増加すると、オペアンプＯＰＩの非反転入力端子の入力
電圧が減少する。従って、オペアンプＯＰＩの出力電圧
が減少しブリッジ回路４０に供給される電流が増加する
。このとき、磁気抵抗素子Ｒｌａ，Ｒｉｂと略同環境に
あるブリッジ回路４０を構成する磁気抵抗素子Ｒａ乃至
Ｒｄの各々は磁気抵抗素子Ｒｌａ，Ｒｉｂと同様抵抗値
が増加しているが、上述のようにオペアンプＯＰＩから
供給される電流が増加するので周囲温度の上昇に伴なう
出力低下を惹起することなく、回転角度に対応した出力
が確保される。

第４図はブリッジ回路４０の出力特性を示すもので、温
度補償抵抗素子１３を設けないときには破線のように周
囲温度の上昇に伴ない出力が低下する特性となる。尚、
第４図の上方の特性は第１図中の角度θが９０°のとき
、即ちシャフト２の回転角度が９０゛のときの特性を示
し、第４図の下方の特性は角度θがＯ゜のときの特性を
示す。

これに対し、磁気抵抗素子ＲｌａとＲｉｂが同一の抵抗
値の温度補償抵抗素子を介装した場合には温度補償によ
り出力特性が向上するが、磁気抵抗素子Ｒａ乃至Ｒｄの
各抵抗値が相違していると、第４図に一点鎖線で示すよ
うに角度θが９０”のときの出力の温度補償が不十分と
なる。尚、角度θが０゜のときは実線で示す特性となる
。

本実施例においては前述のように磁気抵抗素子Ｒｌａと
Ｒｉｂとで抵抗値が異なるように設定され、角度θが９
０゜となったときにも温度上昇に伴なう抵抗値の上昇量
が温度補償に十分となるように設定されており、３４４
図に実線で示す出力特性が得られる。而して、ブリッジ
回路４０の出力が全測定領域の角度θに対し、周囲温度
変化に影響されることなく一定の値に維持され、シャフ
ト２の回転角度にのみ対応した出力となる。

上記のように構成された回転角度センサは種々の装置に
装着し得るが、例えば内燃機関のスロットルポジション
センサに内蔵される．第５図及び第６図は上記第１図乃
至第３図に示した回転角度センサを内蔵したスロットル
ポジションセンサ１を示すもので、図示しないスロット
ルボデーに装着され、シャフト２が図示しないスロット
ルシャフトに連動して回動するように支持されている。

即ち、スロットルポジションセンサ１は隣接する二つの
凹部３ａ．３ｂを有する合成樹脂製のハウジング３を備
え、これら凹部３ａ．３ｂ間の隔壁３Ｃに、軸受４を介
してシャフト２が回動自在に支持されている。

シャフト２の一端にはハウジング３の一方の凹部３ａ内
に収容されたレバー５が固着されており、レバー５は図
示しないスロットルシャフトに連結されている。ハウジ
ング３とレバー５との間にはリターンスプリング６が介
装されており、レバー５が所定の初期位置方向に付勢さ
れている。

従って、図示しないスロットルバルブの間作動に伴ない
、スロットルシャフトに連動するレバー５がリターンス
プリング６の付勢力に抗して駆動され、シャフト２が回
動するように構成されている。

シャフト２の他端には磁石部材２０が固着され、ハウジ
ング３の他方の凹部３ｂ内に収容されている。そして、
磁石部材２０を構成する永久磁石２１に対向し、且つそ
の両端の磁性体腕部２２．２３間に位置するように磁気
センサ１０が配設される。磁気センサ１０は前述のよう
に素子基板１１とその板面に付着された検出素子１２及
び温度補償抵抗素子１３を備え、回路基板３０の一方の
面に実装される。回路基板３０の他方の面には前述の検
出回路を構成するオペアンブＯＰ１等の素子が実装され
ている。回路基板３０の一方の端部には表裏面のリード
間を接続する複数の端子３２が設けられており、他方の
端部には複数のリード部材７が接続されている。これら
のリード部材７はハウジング３内に埋設されており、側
方に延出してハウジング３と一体にコネクタ８が形成さ
れている。回路基板３０はハウジング３の凹郎３ｂ内に
収容、固定され、この凹郎３ｂは合成樹脂製のカバー９
により密閉されている。

而して、第１図乃至第３図に示した回転角度センサを備
えたスロットルポジションセンサ１によれば、図示しな
いスロットルバルブに連動して第５図に示すレバー５が
駆動されシャフト２が軸受４回りを回動し、無接触にて
スロットルバルブの回転角度信号を得ることができる。

しかも、本実施例に用いられる回転角度センサは上述の
ように周囲温度による誤差を抑えることができるので、
厳しい外部環境においても安定した検出精度を確保する
ことができる。

Ｃ発明の効果コ 本発明は上述のように構成されているので、以下に記載
する効果を奥する。

即ち、本発明の回転角度センサにおいては、検出素子を
構成する強磁性磁気抵抗素子と同一材料で互いに異なる
抵抗値の水平ブロックと垂直ブロックとを接続したパタ
ーン形状の強磁性磁気抵抗素子を基板に付着し、検出素
子に隣接して配置すると共に電流制御回路に接続した温
度補償抵抗素子を設けることとしたので、検出素子を構
成する各ブロックの強磁性磁気抵抗素子の抵抗値が異な
る場合でもシャフトの回転角度に無関俤に、全測定角度
領域において周囲の温度変化による出力変動を確実に抑
え、安定した検出精度を確保することができる。しかも
、温度補償抵抗素子は検出素子と同時に形成することが
できるので、製造が容易であり安価な回転角度センサを
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の回転角度センサの構成図、
第２図は同、回転角度センサの斜視図、第３図は同、検
出回路の電気回路図、第４図は同、ブリッジ回路の周囲
温度変化に対する出力特性を示すグラフ、＝５図は本発
明の一実施例に係る回転角度センサを内蔵したスロット
ルボジシコンセンサの縦断面図、第６図は同、スロット
ルポジションセンサのカバーを取り除いた状態の平面図
である。 ・・・磁気センサ． １２・・・検出素子 ２０・・・磁石部材． ３０・・・回路基板． ４１・・・電流制御回路， ・・・シャフト，１０ １・・・素子基板 ３・・・温度補償抵抗素子， １・・・永久磁石． ０・・・ブリッジ回路， ２・・・差動増幅回路

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）長手方向が水平な素子を中心とする一対の水平ブ
   ロックと長手方向が垂直な素子を中心とする一対の垂直
   ブロックとを交互に接続したパターン形状の強磁性磁気
   抵抗素子を基板の板面に付着し、前記一対の水平ブロッ
   ク及び前記一対の垂直ブロックによりブリッジ回路を構
   成して成る検出素子と、該検出素子に接続し定電流を供
   給する電流制御回路を備え、前記検出素子に対するシャ
   フトの回転に伴なう磁束変化により該シャフトの回転角
   度を検出する回転角度センサにおいて、前記検出素子を
   構成する強磁性磁気抵抗素子と同一材料の強磁性磁気抵
   抗素子であって、長手方向が水平な素子を中心とする水
   平ブロックと、該水平ブロックの抵抗値と異なる抵抗値
   を有し長手方向が垂直な素子を中心とする垂直ブロック
   とを接続したパターン形状の強磁性磁気抵抗素子を前記
   検出素子に隣接して配置し前記基板の板面に付着すると
   共に、前記電流制御回路に接続して成る温度補償抵抗素
   子を備え、該温度補償抵抗素子の周囲温度変化に伴なう
   抵抗値変化に応じて前記電流制御回路の供給電流を調整
   するようにしたことを特徴とする回転角度センサ。