JPH03218619A - 露光装置および露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は露光装置に関する。

（従来技術及び発明が解決しようとする課題）一般に、
半導体デバイスの製造におけるリソグラフィプロセスは
、表面処理工程、レジスト塗布工程、露光工程、現像工
程、エッチング工程の５つの工程を含む。これらの工程
では投影型露光装置やエッチング装置等の真空装置が用
いられている。このような真空装置類は、一般に、ウェ
ハを部材でクランプするメカニカル機構を有し、メカニ
カル機構によりウエハを搬送したりステージに固定した
りする。

しかしながら、レジスト塗布工程における後処理が不十
分であると、半導体ウェハの周縁部にレジストが残留し
ていることがある．このような場合に，メカニカル機構
でウェハをクランプすると，クランプ部材の接触により
残留レジストがウェハから剥離し、これがダスト等の異
物となってクリーンルームの清浄度が低下する。

このような事情から、異物（ダスト）発生防止手段とし
て、特公昭５３−３７７０６号公報、特開昭５５−１２
７５０号公報、特開昭５８−５８７３１号公報、特開昭
５８−１９１４３４号公報、実開昭６０−９４６６０号
公報、実開昭６１−１１１１５１号公報，特開昭６１−
１２１３３３号公報、並びに特開昭６１−１８４８２４
号公報に開示されたサイドリンス技術がある。

また、異物（ダスト）発生防止手段として、特開昭５８
−２００５３７号公報、実開昭５８−８１９３２号公報
，実開昭５９−６７９３０号公報、特開昭６０−１１０
１１８号公報、特開昭６０−１２１７１９号公報、特開
昭６０−１８９９３７号公報，並びに特開昭６１−２３
９６２５号公報に開示された裏面洗浄技術がある． （注記；上記の先行文献のうち、該当する米国特許番号
または米国出願番号が判明しているものがあれば、それ
を記入願います．審査官からこれらの先行文献の翻訳を
要求されることがありますから、もし不要なものがあれ
ば消除して下さい．下記の先行文献についても同様です
．） しかしながら，上記の各レジスト除去技術においては，
ウェハを回転させながら処理するので、ウェハのオリエ
ンテーションフラット（０．Ｆ．）の部分にレジストが
残留しやすく、これが剥離するおそれがある。これを解
消するために、レジスト除去範囲を広げると，ウェハ１
枚当たりの半導体デバイスの数が減り、製品歩留まりが
低下する．また，レジスト除去領域と非除去領域との境
界にてレジストが盛り上がり、露光領域以外の複数点を
焦点合せの目標とする装置を用いると、このレジスト盛
り上がり部分で焦点ボケが生じるという欠点がある． そこで，上記の不都合を解消するために、０．Ｆ．部以
外の周縁部と同様の処理をＯ．Ｆ．部に施す技術が、特
開昭５９−１１７１２３号公報および特開昭６１−２１
９１３５号公報に開示されている．　この技術によれば
、溶剤を含む多孔質部材をウェハ周縁部に当接させ，レ
ジストを除去する． しかしながら，上記の技術においても露光時の焦点ボケ
などの問題を解消することはできない。

露光時の焦点ボケを解消するために、ウェハ周縁部のレ
ジスト層を円環状に除去するための露光技術が，特開昭
５８−１５９５３５号公報、特開昭６１−７３３３０号
公報、並びに実開昭６０−９４６６１号公報に開示され
ている。

この技術によれば、半導体ウェハの輪郭形状と同形状の
カムを回転軸に備えたチャックにより、ウェハを吸着す
る。次いで、光ファイバで導かれる露光光源をカムに倣
わせた状態でウェハを回転させ、ウェハ周縁部を露光す
る。

しかしながら、上記の倣いカム方式の露光装置において
は、ウェハの種類に応じてカムを交換しなければならな
いという不都合があり、露光工程の自動化（ＦＡ）の妨
げとなっている．また，カムが摩耗してダストが発生す
るという欠点がある。

また、上記の露光技術においては、半導体ウエハ搬送時
に，メカニカルアーム及びウエハの相互接触部からのレ
ジストの剥離を回避するために，この相互接触部のレジ
ストを予め除去しておく。

これによれば、相互接触部を含むウエハ外局部全体を露
光してレジストを除去するので、メカニカルアームと直
接接触しないウエハ周縁部のレジストまで不必要に除去
されるという欠点がある。

さらに，上記の露光技術においては、紫外光線を光ファ
イバでウェハ上に導き、これをウエハ上で移動させるた
め、駆動系の振動がファイバに伝わり，シャープな露光
像がえられないという欠点がある。

さらに，ＣＣＤラインセンサの読取り方法は、現状では
スループットが低い。

さらに，単位時間当たりの露光量の調整範囲が小さいた
めに、レジストの泡立ちが生じることがある。

この発明の目的は，ダスト等の異物の発生を防止し、か
つ、露光時の焦点ボケを防止することができる露光装置
を提供することにある。

さらに，例えば半導体ウェハの周縁部を輪郭形状に左右
されることもなく、高歩留りでウェハを露光処理できる
露光装置を提供するものである。

（Ｗ題を解決するための手段） 前記目的を達成するために本発明は，被処理体が設けら
れる載置台と，この載置台を回転させる回転機構と、前
記載置台の載置面に対向して設けられた光照射体と、こ
の光照射体を前記載置面の中心方向に往復動させる可動
機構と、前記被処理体の範囲を入力する露光範囲入力手
段と、入力された前記露光範囲を記憶する露光範囲記憶
手段と、前記被処理体の基準位置を検出する基準位置検
出手段と、前記基準位置と前記光照射体との相対的位置
関係を検出する相対的位置検出手段と，前記相対的位置
および前記露光範囲に対応して前記可動機構を制御する
可動機構制御手段と，前記相対的位置および前記露光範
囲に対応して前記光照射体から前記被処理板に照射され
る光の量を制御する光量制御手段とを具備することを特
徴とする。

（作用） 本発明では、基準位置検出手段によって被処理板の所定
位置が検出され、相対的位置検出手段によって前記基準
位置と光照射体との相対的位置関係が検比され、可動機
構制御手段によって、前記相対的位置および入力された
露光範囲に対応して前記可動機構が制御され，光量制御
手段によって前記相対的位置および前記露光範囲に対応
して前記光照射体から前記被処理板に照射される光の量
が制御される。

（実施例） 以下、この発明の種々の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。

この実施例では、露光装置をサイトリンス工程や裏面洗
浄工程に用いた例について説明する。第１図に示すよう
に、露光装置１０は、露光系１０ａ，制御系１０ｂ，ス
テージ系１０ｃにより構成されている。

露光系１０ａは駆動機構２３を有する。第２図に示すよ
うに、駆動機構２３はスライダ機構２２を水平面内で移
動させるためのものである。スライダ機構２２には光照
射体２１が取り付けられている。

第１図に示すように、駆動機構２３は，制御系１０ｂの
駆動回路３７，記憶素子３５，ステージ回転駆動回路３
３を介してステージ系１０ｃのステージ回転機構１１に
接続されている。また、一方では、駆動機構２３は、駆
動回路３７，記憶素子３５，センサ出力処理回路３４を
介してステージ系１０ｃの光センサ１７に接続されてい
る。さらに、記憶素子３５および基準信号発生器３０に
接続されたセンサ駆動回路３１が、光センサ１７の支持
部材を移動させる駆動機構（図示せず）に接続されてい
る。

なお，センサ駆動回路３１は、基準信号発生器３０から
発せられたクロック信号を用いて駆動パルスを形成する
機能を有する。一方、ステージ回転駆動回路３３は、基
準信号発生器３ｏのクロック信号が分周器３２で分周さ
れたパルスを用いて、駆動パルスを形成する機能を有す
る。

また、出力処理回路３４は、光センサ１７の走査の１パ
ルス毎に出力信号レベルと設定されたしきい（スレショ
ルド）値とを比較することにより、ウェハ１３の周縁部
（０．Ｆ．部を含む）を検出する役割を有する。

第２図に示すように、ステージ回転機構１ｌはステッピ
ングモータ（図示せず）を有する。このステッピングモ
ータは、回路３３からの指令信号により回転角度がパル
ス制御できるように接続されている。回転機構１１は、
軸１１ａを介してステージ１２に連結されている。ステ
ージ１２上には，オリエンテーションフラットを有する
半導体ウェハＷが載置されている。

第３図に示すように、ステージ１２には中空部１４が形
成され、この中空部１４は真空ポンプ（図示せず）の吸
引口に連通している。端面検出手段１８が、ステージ１
２上のウェハＷの周縁部の近傍に設けられている。端面
検出手段ｌ８は，ウェハＷの露光基準位置を検出するた
めのものであり，パックライト１５，レンズ１６，並び
に光センサｌ７を有している。

バックライト１５は，ウェハＷの周縁部を挾んでレンズ
ｌ６に対面している。光センサ１７は，レンズｌ６の更
に上方に設けられている。

光センサ１７は、固体撮像素子たとえばＣＣＤ（Ｃｈａ
ｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌｅ　Ｄｅｖｉｃｅ）を用いた一次元
センサで構成されている。

第２図に示すように、光照射体２ｌが、ステージ１２上
に載置されたウェハＷの周縁部に対面している。光照射
体２ｌは、スライダ機構２２によってウェハＷの周縁部
近傍にガイドされている。すなわち、駆動機構２３によ
りスライダ機構２２が往復動されると、光照射体２ｌが
ウェハＷの上方エリアに出たり入ったりする。

第４図に示すように、光照射体２ｌは、絞り１０４，第
１および第２レンズ１０５，　１０６を有する。これら
は容器１０２に収納されている。容器１０２の上部開口
を介して光導管２０の末端が容器１０２に接続されてい
る。光導管２０は、光ファイバや液体ファイバ（Ｙ社の
商標ｒＵＬＴＬＡ　ＦＩＮＥ　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹＪ
　）でつくられている。光導管２０の基端部は、ＵＶ光
源（図示せず）に接続されている。

光導管２０により容器１０２内に導入されたＵＶ光は、
絞り１０４の孔１０３を通過する。孔１０は，方形また
は長方形に形成されている。絞り１０４の通過光路には
第１及び第２のレンズ１０５，　１０６が配列されてお
り、ＵＶ光のビームがウェハＷの周縁部表面に集束する
ようになっている。ウェハＷからの反射光が光照射体２
１に入射するのを防ぐために、リングスカート１０７が
光照射体２１の下部に取り付けられている。なお、光照
射体２１の容器１０２の内壁面は黒色であることが望ま
しい。

スライダ機構２２はポールスクリュウ（図示せず）を有
している。このポールスクリュウを介して駆動機構２３
からスライダ機構２２に駆動力が伝達される。駆動機構
２３は、ステッピングモータで駆動されるようになって
いる。なお、露光系１０ａを端面検出手段ｌ８と同じ位
置に設けてもよい。両者を同じ位置に設けることにより
、スループットを向上させることが期待できる。

これら端面検出手段１８および露光系１０ａの動作は，
制御系１０ｂで所定の指令信号および検出信号を送受信
することにより制御されるようになっている。

次に、第５図乃至第１５図および第１表を参照しながら
、上記の露光装置を用いて半導体ウェハＷを露光処理す
る場合について説明する．（Ｉ）　　先ず予め，各種半
導体ウェハＷの露光に必要なレシピ（ｒｅｃｉｐｅ）を
、入力部３６に入力する。レシピの入力は、キーボード
によるキー人力や、面センサによる平面センサによる平
面的データ読取り入力などに依存する。

レシピのパラメータには、『パススルーの指定』，「照
度下限値』，「プライマリーフラット長」，［シーケン
スパラメータ」等がある。

「パススルーの指定」は、露光処理の有無を指定するも
のである。例えば、露光処理Ｎｏ．　１〜５の処理はそ
れぞれパススルーを指定しない条件であり、露光処理Ｎ
Ｏ．６の処理はパススルーを指定する条件である。

「照度下限値」は、露光処理を開始させるために必要な
最低照度であり、光照射体２ｌの照度が設定された下限
値を満たすまでウエハＷは取り込まれない。例えば、設
定範囲を０〜９９００ｍＶ、設定範囲を１００ｍＷとし
，露光処理Ｎｏ．　１〜５の処理においてはいずれも照
・度下限値を１０００ｍＷと設定する。

なお，露光処理ＮＯ．６の処理においては設定する必要
はない。

「プライマリーフラット長」は、ウエハのＯ．Ｆ．部の
外端部の長さである。このフラット長に基づき、０．Ｆ
．部の外端部の中央部が基準位置として検出される．例
えば、設定範囲は１０〜１５０ｍｍ、設定単位は１ｍｍ
とし、露光処理ＮＯ．１〜６の露光処理はいずれもプラ
イマリーフラット長を５５１Ｉｍと設定する。ただし、
一周露光（露光範囲角度が３６０゜の露光）処理のとき
は設定不要である。

次に、［シーケンスパラメータ」について説明する。

「シーケンスパラメータ」は、露光領域を設定するため
のものであり、具体的には第１表の横欄を示す「露光開
始オリエンテーション』，『露光範囲角度」，「露光幅
」，「一周換算露光時間ｊの各パラメータの組み合わせ
をシーケンス単位とし、一度の露光処理での複数のシー
ケンス設定を可能としたものである． 「露光開始オリエンテーション」は、０．Ｆ．部のセン
ターポイントを基準位置とし、第１０図乃至第１４の図
中にて反時計方向回りの方位角として設定されるもので
ある。設定可能範囲は０〜３５９゜設定単位は１゜であ
る。一周露光する場合は、この設定は無視される。

「露光範囲角度」は，露光開始方位角から露光終了方位
角までの間に挟まれた角度として設定される。設定可能
範囲はＯ〜３６０゜、設定単位は１゜である。　これが
３６０＠に設定された場合は、一周露光として処理され
、露光開始オリエンテーションは無視される。

「露光幅」は、ウェハＷの周縁部より中心部に向かって
露光すべき位置を設定するものである．設定可能範囲は
Ｏ〜３５．０ｍｍ、設定単位は０．１ｍｍである。

「一周換算露光時間」は、露光処理時のウェハＷの回転
速度を時間で設定するためのものである。

設定された時間は、ウェハＷが一周，するときの換算時
間である。例えば、露光範囲角度が１８０゜で一周換算
露光時間が２０秒間と設定された場合に、ウェハＷの１
８０゜の範囲が１０秒間（　＝　２０　Ｘ　１８０／３
６０）だけ露光される。

（ＩＩ）　　上記のように所定のレシピが予め入力部３
６に入力設定されると、露光装Ｉ！１０のスイッチをオ
ンして露光処理を開始する．搬送機構（図示せず）　に
より半導体ウェハＷをステージ系１０ｃに搬入し（ＳＴ
ＥＰ７１）、　ウェハＷを位置決めした後にステージｌ
２上に載置する（ＳＴＥＰ７２）。

ウェハＷの表面には，所定厚さのレジストが塗布されて
いる。ウェハＷをステージ１２に載置すると、ウェハＷ
はステニジ１２に真空吸着される。

（ｍ）　　露光系１０ａ及びステージ系１０ｅを、それ
ぞれ制御系１０ｂからの指令信号に基づきシーケンス制
御する．すなわち、回路３３から機構ｌ１に信号を送り
、　ステージｌ２を１〜６　ｒｐｍの速度で回転させる
（ＳＴＥＰ７３）。

（ＩＶ）　　機構１１のステッピングモータのステップ
毎に同期して、端面検出部１８の光センサ（ＣＯＤイメ
ージセンサ）１７を走査する．この走査によリウェハＷ
のエッジの位置が検出される（ＳＴＥＰ７４）。

ここで、光センサ１７からの出力信号は、ウェハＷのエ
ッジからの位置に比例した電圧レベル差として得られる
。この出力信号に基づいて回路３４によりウェハＷのエ
ッジから所定の位置までの露光領域の距離を算出する。

この場合に、バックライト１５からの照射光により、光
センサ１７の出力信号のコントラストが大きくなる．バ
ックライト１５には、一次元配列されたＬＣＤでもよく
、面光源でもよい。また、光センサ１７の感度が高い場
合には、バックライト１５を必ずしも点灯することを要
しない。

また、レンズ１６は光センサ１７の検出幅のためのもの
である．このため、処理対象となるウェハＷのサイズ差
があまり大きくない場合には、必ずしも使用する必要は
ない。

ここで、光センサｌ７に、固体撮像素子であるＣＯＤイ
メージセンサを用いることが望ましい。その理由は、Ｃ
ＣＤイメージセンサは，処理対象物がガラス等の光透過
性を有するものであっても高感度であり、僅かな光量差
も検出することができるからである。

なお、一周露光する場合は、前半の半周を検出した後に
、残りの半周の検出は前半の半周露光処理と平行処理す
るようにすれば処理時間を短縮することができる。

（Ｖ）　　次いで、ウェハＷのエッジ位置に関する検出
情報を、制御系１０ｂの記憶素子３５に記憶させる（Ｓ
ＴＥＰ７５）．この記憶された情報と、所定のレシピと
に基づき、サイドリンス又は裏面洗浄に必要な露光の処
理幅および０．Ｆ．部エッジのセンターポイント（基準
点）を算出する（ＳＴＥＰ７６）。

この算出結果に基づいて、露光系１０ａによる光の照射
位置を制御する。すなわち、光照射体２１に、光導管２
０を介して光源（図示せず）から光ビームを照射する。

露光用光源には、例えば水銀ランプやキセノンランプが
用いられる。

廁光ビーム光の照射位置は、記憶素子３５にストアされ
た情報に基づいて決定される。ウェハＷのサイドリンス
や裏面洗浄のために，露光すべき所望の領域を算出した
信号が、記憶素子３５から回路３７に送られる。この信
号に基づきスライダ機構２２及び駆動機構２３の動作が
、後述のように制御される。

（ＶＩ）　　先ず，ステージ１２を所定角度だけ回転さ
せ，光照射体２１に対してウェハＷが所定の露光開始方
位になる位置にて停止する（ＳＴＥＰ７７）。

次いで，光照射体２１を露光幅に応じて所定位置へ移動
させる（ＳＴＥＰ７８）。

次いで、ステージ１２を所定速度で回転させつつ、光照
射体２１から所定量の光を照射する（ＳＴＥＰ７９）。

これにより、ウェハＷの所望領域が露光される，この場
合に，光照射体２１からの光路にシャッタを設け、照射
光の光量調節を行なうようにしてもよい。例えばウェハ
Ｗはステージ１２上で固定した状態で，ステップモータ
によるステップ毎に連続的に露光する。これにより、ウ
エハＷの０．Ｆ．部や露光角度を指定した部分にも．他
のウェハ周縁部と同様に露光処理することができる。

なお、多重露光する場合は．　ＳＴＥＰ７９からＳＴＥ
Ｐ７７へ戻り、ＳＴＥＰ７７〜ＳＴＥＰ７９を再度実行
する。

第６図乃至第９図を参照しながら、ウェハＷの周縁部に
対する露光光の照射状態について詳しく説明する。

光ビーム１０３は．光照射体２１の絞り１０４により長
方形に絞られる。

第６図に示すように、ウェハＷの周縁部のみに光ビーム
１０７を照射してもよいが、望ましくは第７図に示すよ
うに、ウェハＷのエッジ部Ｅが光ビーム１０７を切るよ
うに照射する。なお、第６図，第７図においては、ウエ
ハＷのエッジ部をＥ誇張するために，三角形状に突出さ
せて図示した。

第８図に示すように、光ビーム１０７の結像形状を長方
形としてもよいが、望ましくは第９＠に示すように、長
方形の各コーナーを滑らかにする．さらに、　光ビーム
１０７の結像形状を楕円形スポットとしてもよい．この
理由は、照射領域のコーナ一部の角度が狭くなると、各
コーナ一部での光の照度が低くなり、均一な周辺露光が
阻害されるからである。

（■）　　ＳＴＥＰ７９までの所望の露光処理が終了す
ると、ウェハＷを搬送機構（図示せず）で露光装置１０
から搬出する（ＳＴＥＰ８０）。搬出後、ウェハＷを現
像・洗浄処理し、レジスト膜を部分的に除去し、所定パ
ターンを得る。

次に、第１０図〜第１５図及び第１表を参照しながら、
ウエハＷを種々条件を変えて露光した場合について説明
する。

第１０図に示すウェハＷは、第１表中の露光処理Ｎｏ．
１に該当する条件で露光したものである。図中、斜線部
１３ａは、ウェハＷの周縁部を幅４ｍｍで３６０゜露光
した露光エリアを示す。

第１１図に示すウェハＷは、第１表中の露光処理Ｎｏ，
２に該当する条件で露光したものである。図中，斜線部
１３ａ，　１３ｂは，ウェハＷの周縁部を幅４ｍｍおよ
び幅８ｍｍでそれぞれ３６０゜ アを示す。

多重露光した露光エリ 第 １ 表 第１２図に示すウェハＷは、第１表中の露光処理Ｎｏ．
３に該当する条件で露光したものである。図中，斜線部
１３ａは、露光開始方位９０″に選び、ウエハＷの周縁
部を幅４ＩＩＩＩｍで３０゜だけ部分露光した露光エリ
アを示す。

第１３図に示すウェハＷは、第１表中の露光処理Ｎｏ．
４に該当する条件で露光したものである．図中、斜線部
１３ａはウェハＷの周縁部を幅４＋ａ＋ａで３６０”露
光した露光エリアを示し、斜線部１３ｂはウェハＷの周
縁部を幅８ｍｍで３０゜だけ部分露光した露光エリアを
示し，斜線部１３ｃはウェハＷの周縁部を幅６−―で３
０’だけ部分露光した露光エリアを示す．第１４図に示
すウェハＷは、第１表中の露光処理Ｎｏ．５に該当する
条件で露光したものである．図中、斜線部１３ａ，　１
３ｂ，　１３ｃは，それぞれ露光開始方位を４５°，　
１６５”　，　２８５”に選び、ウェハＷの周縁部をそ
れぞれ幅４ｍ＋ａで３０″だけ部分露光した露光エリア
を示す． 第１５図に示すウェハＷは、第１表中の露光処理Ｎｏ．
６に該当する条件、すなわち、パススルー指定により露
光処理を省略したものを示す。

上記第１０図乃至第１４図に示す各ウェハＷをそれぞれ
現像・洗浄処理した結果、レジスト膜の局部的な盛り上
がりが生じなくなった。このため，いわゆる焦点ボケの
発生を防止することができ、半導体ウェハＷに鮮明な微
細パターンを容易に形成することができた。

なお，第１２図および第１５図に示したウェハＷの識別
マークＭを利用して、０．Ｆ．部のセンサーポイントの
代わりに、識別マークＭのセンターポイントを基準点に
選び、露光エリアを設定してもよい． また，上記実施例では、端面検出手段１８の光センサ１
７にＣＣＤイメージセンサを採用したが、ウェハＷの周
縁部を非接触的に検出できるものであればどのようなセ
ンサを用いてよい。

また、上記実施例では，スライダ機構２２にポールスク
リュウを用いた場合について説明したが，この発明はこ
れのみに限定されることなく、タイミングベルト及びリ
ニアモータ等を有する機構を採用してもよい。

さらに、第１６図に示すように、スライダ機構４２及び
駆動機構４３をウェハＷより低い位置に設けてもよい．
このようにすると、各機構４２．　４３で生じるダスト
がウェハＷにダストが付着し難くなる．また、装置全体
としてもクリーン度が増すことができる。

また、上記実施例では、露光処理対象物に半導体ウェハ
を用いた場合を説明したが、処理対象物はこれのみに限
定されるものではなく、膜塗布された液晶表示（ＬＣＤ
）デバイス等の角型ガラス基板を処理してもよい． また、上記実施例では、半導体ウェハの表面を処理する
場合について説明したが、周縁部の処理であればよく、
裏面も同様に処理することができる。

また、上記実施例では、半導体ウェハを回転軸を固定さ
せた状態で周縁部を露光したが、ウェハエッジ部のデー
タ情報に基づき、回転軸の位置を調整してもよい。

また、上記実施例では、露光光の照度を一定のものとし
て露光処理した場合について説明したが、照度が使用初
期よりも低下したときにも対処することができる。いわ
ゆる積算露光と呼ばれるものがこれにあたり、照度低下
の分を露光時間延長により補償する機能を、制御系に持
たせることで実現することができる。

〔発明の効果〕

本発明の露光装置によれば、レジスト以外の異物の発生
を防止することができる．また、焦点ボケを防止するこ
とができる。

さらに、被処理板の所望部分のみを選択的に部分露光す
ることができる。また、被処理板の輪郭形状に左右され
ることなく，高歩留まりで露光処理することができる。

本願発明の装置が上記のような種々の効果を有する効果
、露光プロセス全体の信頼性が向上すると共に，スルー
プットの向上を図ることができる．

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る露光装置の一実施例を説明する
ためのブロック図、第２図は、第１図の光学系を説明す
るための斜視図，第３図は、第２図のウェハ載置台を切
り欠いて示す縦断面図、第４図は第３図の光照射体の光
学系を模式的に示す図、第５図は、第１図の露光工程を
示す工程図，第６図及び第７図は、第３回のそれぞれ光
の照射状態を説明するために、半導体ウェハの周縁部を
側方から見て模式的に示す側面図，第８図及び第９図は
，第６図及び第７図のそれぞれ光の照射状態を説明する
ために，半導体ウェハの周縁部を上方から見て模式的に
示す平面図、第ｌＯ図乃至第１５図は、それぞれ所定条
件下で露光処理した状態の半導体ウェハを説明するため
の平面図、第１６図は、第２図の他の実施例を説明する
ための露光装置の主要部を示す斜視図である。 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図 第 ８ 図 第 ９ 図 第 １０ 図 第 １４ 図 第 １１ 図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）被処理体が設けられる載置台と、 この載置台を回転させる回転機構と、 前記載置台の載置面に対向して設けられた光照射体と、 この光照射体を前記載置面の中心方向に往復動させる可
   動機構と、 前記被処理体の露光範囲を入力する露光範囲入力手段と
   、 入力された前記露光範囲を記憶する露光範囲記憶手段と
   、 前記被処理体の基準位置を検出する基準位置検出手段と
   、 前記基準位置と前記光照射体との相対的位置関係を検出
   する相対的位置検出手段と、 前記相対的位置および前記露光範囲に対応して前記可動
   機構を制御する可動機構制御手段と、前記相対的位置お
   よび前記露光範囲に対応して前記光照射体から前記被処
   理板に照射される光の量を制御する光量制御手段と を具備することを特徴とする露光装置。
2. （２）前記露光範囲入力手段が面センサを有するもので
   ある請求項第１項記載の露光装置。
3. （３）前記光量制御手段が、前記露光範囲に選択的に露
   光する請求項第１項記載の露光装置。