JPH03218673A - 電子デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、導電性又は絶縁性基板上に構築された電子デ
バイスに関するものであり、詳しくは、例えば密着型イ
メージセンサ、ＬＥＤアレイ又は液晶ディスプレイ等の
デバイス上部に透光性保護膜を有するものに関する。

〔従来技術〕

一般に、導電性又は絶縁性基板上に構築された電子デバ
イスにおいて、該デバイスの上部透光性保護膜は絶縁性
であり、デバイス作成工程中、例えばイオン注入工程，
プラズマＣＶＤ法などのような成膜工程、ＲＩＥのよう
なドライエッチング工程等において該保護膜に電荷が蓄
積し、絶縁破壊又は電気特性の悪化などを招くことが多
い，又、該電子デバイスを、例えばファクシミーリ、液
晶ディスプレイなどに搭載した場合，装置自体が有する
ノイズ発生源よりのノイズや外部より侵入するノイズに
より該保護膜に電荷が蓄積し電気特性を悪化させること
が多い。

又、上記電子デバイスが密着型イメージセンサ等光電変
換素子を有するものの場合、上部透光性保護膜は、紫外
域の光に対しほとんど吸収しないことがら光電変換素子
に紫外光が入射し光劣化を招くことが多い。

以下に導電性又は絶縁性基板上に構築された電子デバイ
スとして、原稿と寸法的に１＝１に光電変換素子を配置
した密着型イメージセンサを例にとり上記問題について
述べる。

一般に、基板上に複数個の光電変換素子列からなる受光
部と該素子列を保護する保護膜を有し、素子に対向して
設置された原稿からの反射光による光情報に応じた該各
素子の信号を順次時系列的に読み取る読取回路と駆動回
路を具備する密着型イメージセンサにおいて，原稿に照
射するための光源に冷陰極放電管や蛍光灯を用いている
場合，光源の照射する光には一部紫外域（波長４００ｎ
ｍ以下）の光が含まれていることから該素子は原稿から
の反射光により光劣化する。特に光電変換素子にａ−Ｓ
ｉ膜が用いられている場合、光劣化は重要な技術課題で
ある。

又、該構成の密着型イメージセンサにおいて、該センサ
がファクシミリ装置などに搭載された場合，ファクシミ
リ装置自体が有するノイズ発生源よりのノイズ及び原稿
からの光情報に応じた信号を読み取るための駆動・読取
回路からのノイズが、センサの共通電極や個別電極に誘
導され、それによって読み取り信号にノイズが加えられ
Ｓ／Ｎ比が低下する問題がある。

又、該構成の密着型イメージセンサにおいて、原稿と保
護膜は擦り合うために保護膜の内部に静電気が発生し，
これが共通・個別電極に到達し、その結果読み取り信号
にノイズが加えられＳ／Ｎ比が低下する問題がある。

又、該密着型イメージセンサの作成工程において、該保
護膜をＲＩＥなどのドライエッチング法により微細加工
した場合，エッチング中に該保護膜に電荷が蓄積し光電
変換素子の絶縁破壊を招くことが多い。

前記問題に対して、その対策として行なわれている従来
技術をファクシミリなどに搭載される密着型イメージセ
ンサを例にして以下に述べる。

特開昭６４−５７７５１号公報では、基板上に形成され
た光電変換素子列に対向して被検知体を配置し、該素子
列に対応した部位に置かれた光源より該被検知体に透光
し、その反射光を光電変換素子が受光して該素子列より
時系列的に読み取り信号を得るような読取装置において
、前記素子列と前記被検知体の間に絶縁膜を介在させて
導電体を形成し，該導電体を電気的にアース側に導通さ
せることにより、装置自体が有するノイズ発生源よりの
ノイズや原稿と保護膜の摩擦により発生する静電気のノ
イズを除去している。

実開昭６４−１８７５４号公報では、原稿からの反射光
を受光する受光素子列と、該受光素子列上側に原稿との
接触時に素子列を保護する保護膜を具える密着型イメー
ジセンサにおいて，前記保護膜上又は前記保護膜中に導
電層を設置し，更に前記導電層を素子列の共通電極に接
続することにより、原稿と保護膜の摩擦により生ずるノ
イズおよびセンサに侵入するノイズを除去している。

このような従来技術に基づくセンサの断面図を第１図に
示す。第１図において，ガラスなどからなる透光性基板
１０１上には共通電極１０２がＣｒ．　Ａｆｆ等を蒸着
して形成され、共通電極１０２上にはａ−Ｓｉ等からな
る光電変換素子１０３が形成され、この光電変換素子１
０３上にはＩＴＯなどからなる透明電極１０４がスパッ
タリング又は真空蒸着法等によって形成される。更に共
通電極、光電変換素子、ＩＴＯを覆うように眉間絶縁膜
１０５が成膜され、その上に形成されている個別電極１
０６とのコンタクトホールが形成されている。個別電極
１０６はＡＬＣｒなどが真空蒸着法などにより形成され
，その上にセンサ全体を覆うように保護膜１０７が形成
されている。更に、上記保護膜１０７上に第１図に示す
ような所定部位にＣｒ．、ＡＬＴｉなどから成る導電膜
１０８を形成し、更にこの導電膜１０８を覆うように絶
縁性の保護膜１０９を形成する。そして、導電膜１０８
を電気的にアース側に接続する。これにより、上記ノイ
ズを導電膜１０８に誘導し、さらにアース側に導く。そ
してノイズが共通・個別電極に到達することを防止しＳ
／Ｎ比の低下を防いでいる。

しかし、上記従来技術によるセンサでは保護膜１０７，
　１０９が紫外域の光に対して吸収係数を有していない
ため素子の光劣化の問題は重要な問題として残っている
。

又、上記従来技術によるセンサでは保護膜１０７，１０
９が絶縁性の膜なので、該保護膜をＲＩＥなとのドライ
エッチング法により微細加工した場合、エッチング中に
該保護膜に電荷が蓄積し光電変換素子の絶縁破壊を招く
問題は依然重要な問題として残っている。

更に、導電膜１０８を形成するため工程が増加及び複雑
化し仕上り品の歩留まりを低下させる問題がある。

〔目　　的〕

本発明の目的は、 （Ｄ　デバイス作成工程中、例えばイオン注入工程、成
膜工程、ドライエッチング工程等において該保護膜に電
荷が蓄積し、絶縁破壊又は電気特性の悪化などを招くこ
とを防止する，■　該電子デバイスを例えばファクシミ
リ、液晶ディスプレイなどに搭載した場合に装置自体が
有するノイズ発生源よりのノイズや外部より侵入するノ
イズにより該保護膜に電荷が蓄積し電気特性を悪化させ
ることを防止する，■　該電子デバイスが密着型イメー
ジセンサ等光電変換素子を有するものの場合、上部透光
性保護膜を紫外域の光に対し吸収係数を有する膜で構成
することにより、光電変換素子に紫外光が入射し光劣化
を招くことを防止する、■　該センサが原稿を読み取る
場合、原稿と該透光性絶縁体が擦り合うために発生する
静電荷が、該透光性絶縁体に蓄積し、これが共通・個別
電極に到達し、その結果読み取り信号にノイズが加えら
れ．Ｓ／Ｎ比が低下することを防止する、 点にある。

〔構　　成〕

第１の本発明は、導電性又は絶縁性基板上に構築された
電子デバイスにおいて、上部透光性保護膜又は該膜の一
部が光学的バンドギャップＥ　ｇ−ｐｒＬ８〜６，５ｅ
Ｖを有しかつ光導電特性を有する膜であることを特徴と
する電子デバイスに関する。

第２の本発明は、基板上に複数個の光電変換素子列から
なる受光部と該素子列を保護する透光性絶縁体よりなる
保護膜、その上に形成された上部透光性保護膜とを有し
、素子に対向して設置された原稿からの反射光による光
情報に応じた該各素子の信号を順次時系列的に読み取る
読取回路と駆動回路を具備するイメージセンサにおいて
、前記上部透光性保護膜は光学的バンドギャップＥｇ。

，．１．８〜６．５ｅＶを有しかつ光導電特性を有する
ものであり、イメージセンサの光源は少なくとも前記上
部透光性保護膜が光導電性を示す波長域の光を含みかつ
該波長域の光の相対強度が前記光電変換素子が原稿より
の情報として読み取る光情報の主な波長域の光の強度に
対し１０％以上であることを特徴とするイメージセンサ
に関する。

第３の本発明は、基板上に複数個の光電変換素子列から
なる受光部と該素子列を保護する透光性絶縁体よりなる
保護膜、その上に形成された上部透光性保護膜とを有し
、前記基板上に設けられた採光窓を通過した入射光によ
り素子に対向して設置された原稿を照し、その反射光に
よる光情報に応じた該各素子の信号を順次時系列的に読
み取る読取回路と赴動回路を具歯する？メージセンサに
おいて，前記上部透光性保護膜は、光学的バンドギャッ
プＥｇａｐｙｌ・８〜６・５ｅＶを有しかつ光導電特性
を有するものであり、この上部透光性保護膜は採光窓上
部および／または薄膜トランジスタ素子間上部において
除去されており，またイメージセンサの光源は、少なく
とも前記上部透光性保護膜が光導電性を示す波長域の光
を含みかつ該波長域の光の相対強度が前記光電変換素子
が原稿よりの情報として読み取る光情報の主な波長域の
光の強度に対し１０％以上であることを特徴とするイメ
ージセンサに関する。

また、前記光導電特性としては、擬似太陽光ＡＭ−Ｉ　
（標準光源）による１００ｍＷ／ｃｍ”照射時の光導電
率σ．とσ．の比σ■／σ，が５以上の値をとることが
好ましい。また、該上部透光性保護膜は、可視光におけ
る屈折率が１．２〜２．４であることが好ましい。

なお、Ｅ　ｇ　ＩＩＦＴとσｐｈ、σ，の測定方法は下
記の通りである。

■　Ｅｇ−ｐｒの測定方法 求めたい膜に可視光から紫外光まで，徐々に波長を変え
て光を照射し、その吸収スペクトルから吸収係数を求め
る。そして吸収係数と波長に対応するエネルギーより算
出する。

■　σ、、σ，の測定方法 標準光源である擬似太陽光ＡＭ　　Ｉを該上部透光性保
護膜に、１００ｍＷ／ｃｍ”の照射量で照射する。照射
時の該膜の導電率をσ、，非照射時の導電率をσ．とす
る。

このような上部透光性保護膜は、その組成が、（イ）　
シリコン、アルミニウム又は硼素のうちの１種以上を含
むこと、 （口）ｒ！１素、戻素又は窒素のうちの１種以上を含む
こと， （ハ）水素又は重水素のうちの１種以上を含むこと、お
よび （二）水素又は重水素の含有量が１〜３０原子％である
こと、 により達成される。

また、上部透光性保護膜がシリコンを構成要素に有する
場合、該上部透光性保護膜のＳｉＨ赤外吸収ピーク２０
００ｃｍ−’のＳｉＯ赤外吸収ピーク１０２０ｃｍ−１
に対するピーク強度比ＳｉＨ／ＳｉＯが０．００１より
大きいことが好ましい。

本発明にお↓ナる上部透光性保護膜は、第２図に示すよ
うに，従来の絶縁性保護層を本発明の上部透光性保護膜
としたタイプのものがあるほか、第４図のように従来の
絶縁性保護層の上にさらに本発明の上部透光性保護層を
設けたタイプのものもある。

また、透明接着剤層、薄板ガラス層の上に本発明の上部
透光性保護膜を設けるタイプ、透光性絶縁膜、透明接着
剤層、薄板ガラス層、本発明の上部透光性保護膜という
層構成のタイプ、眉間絶縁膜を透光性絶縁体とし、その
上に本発明の透光性保護膜を設けるタイプなどが存在す
る。

前記電子デバイスとしては、イメージセンサ、ＬＥＤア
レイ，液晶ディスプレイ、薄膜トランジスタ（Ｔ　Ｐ　
Ｔ）等を挙げることができる。

つぎに、導電性又は絶縁性基板上に構築された電子デバ
イスにおいて、上部透光性保護膜又は該膜の一部が光学
的バンドギャップＥｇ−ｐｒ１．８〜６．５ｅＶを有し
かつ光導電特性を有する膜であることによる作用につい
て以下に説明するが，一口で言えば，該上部透光性保護
膜は、該光学的バンドギャップに対応する波長より短波
長側に位置する波長の光を吸収し光導電性を示し，かつ
上記光電変換素子が原稿よりの情報として読み取る光情
報の主な波長域の光に対し透過し光導電性を示さない性
質をもつものである。

一般に、ある特定波長の光は物理学的に以下に示す（１
）式よりエネルギーＥに変換できる。

Ｅ＝ｈ−ｃ／λ （１）式をグラフ化した図を第１１図に示す。なお，第
１１図には上部透光性保護膜の光学的バン？キャップに
対応する光の波長をともに示した。

第１１図において、横軸は波長を，左縦軸はエネルギー
を、λ．は該上部透光性保護膜の光学的バンドキャップ
に対応する光の波長を示す。

該上部透光性保護膜又は該上部透光性保護膜の一部があ
るＥ　ｇ　６１１１を有する場合，該上部透光性保護膜
への入射光に対し、Ｅｇ。１１に対応する波長（以後λ
，．，と称す）より長波長側の光については吸収せずに
透過する。反対に、λ５■より短波長側の光については
吸収し光電変換される。例えば、該上部透光性保護膜又
は該上部透光性保護膜の一部がＥ　ｇ　＊ｔｔ．＝３．
１１ｅＶなる値を有する場合，該上部透光性保護膜又は
該上部透光性保護膜の一部は３，１１ｅＶに対応する光
、すなわち４００ｎｍの光より長波長側の光については
吸収せずに透過し、短波長側の光については吸収し光電
変換される。

以上の様に、該上部透光性保護膜又は該上部透光性保護
膜の一部が光学的バンドギャップＥｇ　＊ｔｔに対応す
る波長より短波長側にある波長の光を吸収し光電変換す
ることから、Ｅｇ。．，，に対応する波長より短波長側
にある光の照射により該上部透光性保護膜の導電率は上
昇する。

又、該上部透光性保護膜の成膜方法にプラズマＣＶＤ法
や光ＣＶＤ法を用いた場合、成膜時にプラズマに含まれ
る紫外域の光を吸収するため、成膜時の該上部透光性保
護膜の導電率は上昇することになり．結果として５該上
部透光性保護膜に電荷の蓄積が予想される工程時に該上
部透光性保護膜に紫外光を照射することにより導電率が
上昇し電荷の蓄積を防ぐことが可能である。

更に、紫外光が照射されないときは絶縁性なので、該上
部透光性保護膜を通しての素子間及び電極間などの電気
的短絡を防ぐことが可能である。

次に、該イメージセンシングユニットの光源が、少なく
とも該透光性保護膜が光導電性を示す波長域の光を含み
、かつ該波長域の光の相対強度が、上記光電変換素子が
原稿よりの情報として読み取る光情報の主な波長域の光
の強度に対し１０％以上であることの作用を述べる。

第１７図に、一般の完全密着型イメージセンサに用いら
れている光源の分光分布（特に蛍光放電管について）を
示す。なお、光電変換素子に良く用いられかつ本発明の
実施例にても使用したａ−Ｓｉ　（ア．モルファスシリ
コン）の相対感度についても、同図に示した。横軸は波
長を示し、左縦軸は相対強度を示す。右縦軸はａ−Ｓｉ
　（アモルファスシリコン）の相対感度を示す。第１７
図を見て分かるように、一般の完全密着型イメージセン
サの光源は、センサの光電変換素子の相対感度が最大と
なる波長近傍にのみ強度ピークを有するようなものが多
かった。

第１９図に、本発明の完全密着型イメージセンサに用い
られている光源の分光分布を，蛍光放電管の場合と標準
光源の場合との２例を示す。

なお、光電変換素子に良く用いられ、かつ本発明の実施
例にても使用したａ−Ｓｉ　（アモルファスシリコン）
の相対感度についても、同図に示した。また、本発明の
透光性保護膜の光学的バ？ドギャップに対応する波長λ
Ｅｇエについても同図に示した。横軸は波長を示し，左
縦軸は相対強度を示す。右縦軸はａ−Ｓｉ　（アモルフ
ァスシリコン）の相対感度を示す。従来の、一波長域発
光型蛍光放電管の光源においては，光電変換素子の相対
感度が強い波長域に強度ピークを有するものが多いのに
対し、本発明の完全密着型イメージセンサに用いられて
いる光源は、光電変換素子の相対感度が低く原稿よりの
情報を主に読み出す波長域より外れているような波長域
においても強度ピークを有している。２波長域発光型蛍
光放電管の場合は、ａ−Ｓｉの相対感度が最大付近の波
長に第１の強度ピークを有し，光電変換素子の相対感度
が低く光読みだし波長域より短波長側でありかつ本発明
の透光性保護膜の光学的バンドギャップに対応する波長
λＥｇ■より短波長側に第２の強度ピークを有している
。Ｓ準光源の場合は，光電変換素子の相対感度が最大の
波長域と透光性保護膜の光学的バンドギャップに対応す
る波長λＥｇエの波長域において、ほぼ同等の相対強度
を有している。２波長域発光型蛍光放電管を例にとり、
本発明の完全密着型イメージセンサに該光源を用いたこ
との作用を述べる６第１の強度ピークの波長域の光は、
光源より採光窓を通り、透光性絶縁体を通り、本発明の
透光性保護膜を通り、接着層、薄板ガラスを通り、原稿
により反射し、接着層・薄板ガラスを通り、本発明の上
部透光性保護膜を通り、上部透光性絶縁体を通り，光電
変換素子に入射し、原稿よりの光情報を読み出す。それ
に対し、第２の強度ピークの波長域の光は，光源より採
光窓を通り、透光性絶縁体を通り、本発明の上部透光性
保護膜に入射し吸収され光電変換される。この時、少な
くとも、第２の強度ピークが第１の強度ピークの１０％
以上の強度を有することにより光電変換は良好に行われ
ると思われる。光電変換により該上部透光性保護膜の導
電率は上昇する。

次に、該上部透光性保護膜の導電率が光源光の入射・吸
収により上昇することによる作用を述べる。採光窓を通
り該透光性保護膜に入射する光源光のうち該波長λεｇ
エより短波長側の波長の光は，該透光性保護膜に完全に
吸収されるために、該透光性保護膜が，下地膜である透
光性絶縁体との界面近傍で，かつ採光窓上部において導
電率が上昇する。

これにより、該完全密着型イメージセンサがファクシミ
リに搭載した場合，上記理由により該透光性保護膜は導
電性になりファクシミリ装置自体が有するノイズ発生源
よりのノイズや外部より侵入するノイズにより該透光性
保護膜に電荷が蓄積されるのを防ぎ、電気特性の悪化を
防止する。

又、一般に、センサが原稿を読み取る場合、原稿と薄板
ガラスは擦り合う。この時、薄板ガラスは＃！縁性なの
で摩擦により帯電する，この帯電静電荷Ｑは薄板ガラス
及び接着層及び該透光性保護膜及び該透光性絶縁体に帯
電し、ある電位差Ｖｅ以上になると瞬間的に共通・個別
電極に到達し、その結果読み取り信号にノイズが加えら
れ、Ｓ　／　Ｎ比が低下することが多いが、該透光性保
護膜が光源光により導電性になり、該透光性保護膜に電
荷が蓄積されるのを防ぎ、電気特性の悪化を防止する。

第２１図（ａ）に該透光性保護膜が導電性を有しない場
合の静電荷Ｑの電極への伝搬の様子を、第２１図（ｂ）
に該透光性保護膜が導電性を有する場合の静電荷Ｑの伝
搬の様子を模式図として示す。該透光性保護膜が導電性
を有しない場合は、蓄積された静電荷はある電位差Ｖｅ
以上になると瞬間的に電極に到達するが、該透光性保護
膜が導電性を有する場合は、発生する静電荷は絶えず導
電性の透光性保護膜を通ってアース電位または浮遊電位
に導かれるので、電極に静電荷が到達せずＳ／Ｎ比の低
下はない。なお、上記電位差Ｖｅとは、該透光性絶縁体
及び該透光性保護膜及び接着層及び薄板ガラスのうち、
最も電気的な耐圧が弱いものに起因する電位差で、通常
はＩＯＯＯＶ以上ぐらいと思われる。

又、センサ作成工程中、例えば該透光性保護膜のプラズ
マＣＶＤ法による成膜時、例えば該透光性保護膜のＲＩ
Ｅによる微細加工時に、プラズマ中に含まれる該透光性
保護膜のＥｇ。。１に対応する波長より短波長側の光を
、該透光性保護膜が吸収し光電変換され導電率が上昇す
る。

すると，結果的にセンサ作成工程時に５特にプラズマに
よる反応時に、センサに生じるセルフバイアス電圧に起
因して該透光性保護膜へ局所的に電荷が蓄積するのが防
止される。又、該透光性保護膜が高い光導電性を有する
場合は、該透光性保護膜に侵入した電荷はセンサ基板を
支える治具を通して装置に逃げることが予想され、電荷
の蓄積自体も防止することが可能であると思われる。

該透光性保護膜が該採光窓上部、又は光源光が該基板を
透過し該透光性ＩｌｆＡ縁体を透過し該透光性保護膜に
入射する該透光性保護膜の部位において除去されている
ことによる作用を以下に述べる。

請求項２に示した本発明の上部透光性保護膜は，実施例
９〜１３に示したように、光源からの光が採光窓を通し
て入射されるため、該上部透光性保護膜は，採光窓の近
傍でしかも下地膜との界面近傍で光導電性を示す。光導
電性が良好の場合は、原稿とセンサの摩擦に起因する静
電荷が保護膜に蓄積し静電ノイズとしてセンサ個別電極
及び共通電極に到達することを防ぐことが可能であるが
、実施例１１、１２のように、光導電率σｐｈとσｄの
比σｐｈ／σｄが小さい値を示す場合は、静電荷の保護
膜への蓄積は完全には防ぐことが出来ない。

これに対し、請求項３に示した本発明の上部透光性保護
膜は、実施例１４、１５に示すように、採光窓上部又は
ＴＰＴ素子間上部、すなわち，光源光が該基板を透過し
該透光性絶縁体を透過し該透光性保護膜に入射する該透
光性保護膜の部位において、該透光性保護膜が除去され
ているため、光源光は採光窓上部又はＴＰＴ素子間では
吸収されず一度原稿面に到達し反射光としてセンサに入
射する。この時、反射光は原稿及び薄板ガラス等での散
乱により、受光部に比較的広く照射されるため，該透光
性保護膜は、受光部の、接着層との界面近傍で比較的広
く導電性を示す。よって，光導電率σρｈとσｄの比σ
ｐｈ／σｄが小さい値を示す場合でも比較的，原稿とセ
ンサの摩擦に起因する静電荷が保護膜に蓄積し静電ノイ
ズとしてセンサ個別電極及び共通電極に到達することを
防ぐことが可能となる。

以下に、導電性又は絶縁性基板上に構築された電子デバ
イスとして、原稿と寸法的に１：１に光電変換素子を配
置した密着型イメージセンサを例にとり，本発明を詳細
に説明する。

第２図は、本発明の密着型イメージセンサの受光部断面
図である。基板２０１上に順次積層された遮光層兼共通
電極（又は個別電極）２０２、光電変換素子２０３、透
明電極２０４、層間絶縁膜２０５、個別電極（２０２が
個別電極の場合共通電極）２０６．上部透光性保護膜２
１０，接着層２０８、薄板ガラス２０９より構成される
。

基板２０１はガラス等による透光性絶縁性基板又はアル
マイトなどによる不透光性絶縁性基板等を用い、２０２
−２０６の電極はＣｒ，Ｃｒ−Ｎｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ａｕ
，ＡＲなどによる金属電極を真空蒸着又はスパッタリン
グなどにより５００〜２０００人形成する。光電変換素
子２０３はａ−Ｓｉ：Ｈ．ａ−Ｓｉ　：Ｏ：Ｈ等を単層
又は多層構造にして用いる。成膜はＳｉＨ．ガスないし
その多量体とＣ○２の混合ガスを用いてプラズマＣｖＤ
法又は光ＣＶＤ法などによって行なう。膜厚は高いＩ　
ｐ　／　Ｉ　ｄ比を確保するために２０００人〜２μｍ
必要である。透明電極２０４はＩＴＯ、ＳｎＯ２等をＥ
Ｂ蒸着、真空蒸着、ＤＣスパッタリング法等により５０
０〜１５００人形成する。眉間絶縁膜２０５は、ＳｉＨ
．ガス．ＣＯ２ガス、ＮＨ３ガスの混合ガスを用いての
プラズマＣｖＤ法によりａ−ＳｉＯ．膜又はａ−Ｓｉ：
Ｏ：Ｎ膜が形成される。同膜の膜厚は共通電極と個別電
極の絶縁性を確保するために２０００人〜１μｍ必要で
ある。接着層２０ｇはアクリル系又はポリエステル系等
の接着剤を塗布して形成する。

接着層２０８は、センサ近傍に設置された採光窓２１１
を通して入射する光源よりの光が吸収されないように３
００ｎｍ〜９００ｎｍの波長の範囲において９０％以上
の高い光透過率を有するエボキシ系又はポリエステル系
又はアクリル系の透明接着剤を塗布して形成することが
好ましい。薄板ガラス２０９は、光源光が吸収されない
ように３５０ｎｍ〜２０００ｎｍの波長の範囲において
９０％以上の高い光透過率を有する硼珪酸ガラス等を用
いることが好ましい。

本発明の上部透光性保護膜２１０は後述する。

透明電極２０４と個別電極２０６は、眉間絶縁膜２０５
に形成されたコンタクトホールを通して接続される。当
然のこととして、センサ構成を逆にする、つまり基板２
０１として透光性絶縁性基板を用い、その上に透明電極
２０４、光電変換素子２０３、金属電極を設けた構造で
も何ら支障はない。この場合は、透明電極を通して光が
入射するようになる。

本発明の該上部透光性保護膜２１０又は該上部透光性保
護膜の一部は次の特徴を有している。

■　光学的バンドギャップ Ｅｇ．，，ｔ＝１．８〜６．５ｅｖ ■　擬似太陽ＡＭ−１ １００ｍＷ／ｃｍ２照射時の光導電率σ，，とσ４の比
σｐ　ｈ　／　．σｄ：５以上 ■　組成 （イ）　シリコン、アルミニウム又は硼素のうち１種以
上を含むこと， （口）酸素、炭素又は窒素のうち１種以上を含むこと、 （ハ）水素又は重水素のうち１種以上を含むこと、およ
び （二）水素又は重水素の含有量が１〜３０原子％である
こと ■　更に該上部透光性保護膜又は上部透光性保護膜の一
部がシリコンを構成要素に有する場合は、該上部透光性
保護膜又は上部透光性保護膜の一部のＳｉＨ赤外吸収ピ
ーク２０００ｃｍ−１とＳｉＯ赤外吸収ピーク１０２０
ｃｍ−’の強度比ＳｉＨ／ＳｉＯ：０．００１以上 （Φ　可視光における屈折率 ｎ：ｌ．２〜２．４ 該上部透光性保護膜又は該上部透光性保護膜の一部はプ
ラズマＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法又はスパッタリング法な
どにより成膜される。素子の保護又は絶縁性を考慮する
と膜厚は１０００人〜２μｍが必要である。

光源２２２は、少なくとも上部透光性保護膜２１０が光
導電性を示す波長域の光を含み、かつ該波長域の光の相
対強度が、上記光電変換素子２０３が原稿よりの情報と
して読み取る光情報の主な波長域の光の強度に対し１０
％以上であることが好ましい。

採光窓２１１上部，又は光源光が該基板２０１を透過し
該透光性絶縁性を透過し本発明の透光性保護膜２１０に
入射する該透光性保護膜２１０の部位においては、該上
部透光性保護膜が任意の大きさで除去されていることが
好ましい。

？実施例〕 次に実施例を述べる。実施例についても，導電性又は絶
縁性基板上に構築された電子デバイスとして、原稿と寸
法的に１＝１に光電変換素子を配置した密着型イメージ
センサを例に取り，以下に述べる。

〈実施例１〉 第２図は、実施例１の密着型イメージセンサの受光部断
面図に相当する。基板２０１上に順次積層された共通電
極２０２、光電変換素子２０３、透明電極２０４、層間
絶縁膜２０５、個別電極２０６、上部透光性保護膜２１
０，接着層２０８、薄板ガラス２０９より構成される。

基板２０１は合成石英基板を用い、２０２，２０６の電
極はそれぞれＣｒ．ＡＱを真空蒸着法によりそれぞれ１
０００人と１μｍ成膜して用いた。光電変換素子２０３
はａ−Ｓｉ：Ｈ（下層），ａ−Ｓｉ：０：Ｈ（上層）を
それぞれ１μｍと４００人連続成膜し多層構造にして用
いた。成膜はＳｉＨ４ガスないしその多量体とＣＯ■の
混合ガスを用いて？ラズマＣＶＤ法によって行なう。透
明電極２０４はＩＴ○をＤＣスパッタリング法により５
００人形成する。層間絶縁膜３０５はａ−ＳｉＯ２膜を
ＳｉＨ４ガス及びＣＯ■ガスの混合ガスを用いたプラズ
マＣＶＤ法により５０００人成膜して形成する。接着Ｍ
２０８はポリエステル系の接着剤を塗布して形成する。

薄板ガラス２０９は硼珪酸ガラスを用いる。上部透光性
保護膜２１０は後述する。

透明電極２０４と個別電極２０６は、層間絶縁膜２０５
に形成されたコンタクトホールを通して接続される。

実施例１の該上部透光性保護膜２１０又は該上部透光性
保護膜の一部は次の特徴を有している。

■　光学的バンドギャップ Ｅｇ．。．　＝　２．４　ｅ　Ｖ （■　擬似太陽ＡＭ−　１ １００ｍＷ／ｃｍ２照射時の光導電率σ．とσ，の比σ
１／σ，＝１０’ ■　組成 シリコン：酸素：水素＝　１．０　：　０．５：０．２
？　該上部透光性保護膜又は該上部透光性保護膜の一部
のＳｉＨ赤外吸収ピーク２０００ｃｍ−　１とＳｉＯ赤
外吸収ピーク１０２０ｃｍ−’の強度比ＳｉＨ／ＳｉＯ
＝　０．０１３ ■　可視光における屈折率 ｎ＝１．．６ 上記上部透光性保護膜はプラズマＣＶＤ法により成膜さ
れる。成膜はＳｉＨ４ガス及びＣＯ■ガス及びＨ２ガス
の混合ガスを用い、流量比はＳ　ｉＨ．：　ＣＯ２：　
Ｈ２＝１　：　１０：　９である。成膜時の圧力は１．
ＯＴ　ｏ　ｒ　ｒで、ＲＦパワーは２００ｎ＋Ｗ／ｃｍ
”である。基板温度は２５０℃にて成膜する。

光電変換素子の保護又は絶縁性を考慮し１μｍ成膜する
。

〈実施例２〉 実施例２のセンサ゛層構成（第２図参照）及び膜厚及び
製法は、上部透光性保護膜２１０を除き実施例１と同様
なので省略する。以下に上部透光性保護膜２１０につい
て述べる。

実施例２の該上部透光性保護膜２１０又は該上部透光性
保護膜の一部は次の特徴を有している。

■　光学的バンドギャップ Ｅｇ　ｏｐ−．＝２．６ｅｖ ■　擬似太陽ＡＭ−１ １００ｉＷ／ｃｍ２照射時の光導電率σ１とσ，の比σ
９ｈ／σ，＝１０’ ■　組成 シリコン：酸素：水素＝　１．０　：　０．７５二〇，
ｌ５■　該上部透光性保護膜又は該上部透光性該保護膜
の一部のＳｉＨ赤外吸収ピーク２０００ｃｍ−”とＳｉ
Ｏ赤外吸収ピーク１０２０ｃｍ−１の強度比ＳｉＨ／Ｓ
ｉＯ　＝　０　．００５ ■　可視光における屈折率 ｎ＝　１．８ 上記上部透光性保護膜はプラズマＣＶＤ法により成膜さ
れる。成膜はＳ　ｉ　Ｈ４ガス及びＣｏ２ガス及びＨ２
ガスの混合ガスを用い、流量比はＳｉＨ４：Ｃ○，：Ｈ
２＝１：１７：９である。成膜時の圧力は１．ＯＴ　ｏ
　ｒ　ｒで、ＲＦパワーは２００ＩＩＩｗ／ｃｍ２であ
る。基板温度は２５０℃にて成膜する。

光電変換素子の保護又は絶縁性を考慮しｌμｍ成膜する
。

〈実施例３〉 実施例３のセンサ層構成（第２図参照）及び膜厚及び製
法は、上部透光性保護膜２１０を除き実施例１と同様な
ので省略する。以下に上部透光性保護膜２１０について
述べる。

実施例３の該上部透光性保護膜２１０又は該上部透光性
保護膜の一部は次の特徴を有している。

■　光学的バンドギャップ Ｅ　ｇ　ｅ　ｐ　ｔ　”　３　−　２ｅＶ■　擬似太陽
ＡＭ−１ １００ｍＷ／ｃｍ２照射時の光導電率σ１とσ，の比σ
ｐｂ／σ，＝１０２ ■　組成 シリコン：酸素：水素＝　１．０　：　１．６：０．１
■　該上部透光性保護膜又は該上部透光性保護膜の一部
のＳｉＨ赤外吸収ピーク２０００ｃｍ−’とＳｉＯ赤外
吸収ピーク１０２０ｃｍ７’の強度比ＳｉＨ／ＳｉＯ＝
　０．００２ ん　可視光における屈折率 ｎ＝２．０ 上記上部透光性保護膜はプラズマＣＶＤ法により成膜さ
れる。成膜はＳｉＨ．ガス及びＣＯ２ガス及びＨ２ガス
の混合ガスを用い，流量比はＳｉＨ４：Ｃｏ２：Ｈ２＝
ｌ：２０：９である。成膜時の圧力は１，ＯＴ　ｏ　ｒ
　ｒで、ＲＦパワーは２００＋ｎ＋ｌ／ａｍ”である。

基板温度は２５０℃にて成膜する。

光電変換素子の保護又は絶縁性を考慮し１μｍ成膜する
。

〈実施例４〉 第３図は、実施例４の密着型イメージセンサの受光部断
面図である。

基板２０１上に順次積層された共通電極２０２、光電変
換素子２０３、透明電極２０４，層間絶縁膜２０５、個
別電極２０６、上部透光性保護膜２１０、接着層２０８
、薄板ガラス２０９より構成される。

基板２０１は溶融石英基板を用い．　２０２，２０６の
電極はそれぞれＣｒ．ＡＱをＤＣマグネトロンスパッタ
リング法によりそれぞれ８００人と１μｍ成膜し用いた
。光電変換素子２０３はａ−Ｓｉ：Ｈ．ａ−Ｓｉ　：Ｏ
：Ｈをそれぞれ５０００人と４００人連続成膜し多層構
造にして用いた。成膜はＳｉＨ４ガスないしその多量体
とＣ○２の混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって
行なう。

透明電極２０４はＩＴＯをＤＣスパッタリング法により
６００人形成する。層間絶縁膜２０５はａ−Ｓｉｏ２膜
をＳｉＨ４ガス及びＣＯ２ガスの混合ガスを用いたプラ
ズマＣＶＤ法により３０００人成膜して形成する。

接着層２０８はアクリル系の接着剤を塗布して形成する
。薄板ガラス２０９は硼珪酸ガラスを用いる。上部透光
性保護膜２１０は後述する。透明電極２０４と個別電極
２０６は、眉間絶縁膜２０５に形成されたコンタクトホ
ールを通して接続される。

上部透光性保護膜２１０は個別電極形成時に同時に形成
されたアース電極に電気的に接続される（第３図参照）
。

実施例４の該上部透光性保護膜２１０又は該上部透光性
保護膜の一部は次の特徴を有している。

？Ｄ　光学的バンドギャップ Ｅｇ．．ｌ＝２．４ｅｖ １　擬似太陽ＡＭ−１ １００ｍＷ／ａｍ”照射時の光導電率σ１とσ，の比σ
　．　／σ．＝１０’ （■　組成 シリコン：酸素：水素＝　１．０　：　０．５：０．２
グ）該上部透光性保護膜又は該上部透光性保護膜の一部
のＳｉＨ赤外吸収ピーク２０００ｃｍ−”とＳｉＯ赤外
吸収ピーク１０２０ｃｍ−’の強度比ＳｉＨ／ＳｉＯ＝
　０．０１３ ■　可視光における屈折率 ｎ＝１．６ 上記上部透光性保護膜はプラズマＣＶＤ法により成膜さ
れる。成膜はＳｉＨ４ガス及びＣＯ■ガス及びＨ２ガス
の混合ガスを用い、流量比はＳｉＨ４：Ｃ○２：Ｈ２＝
１：１０：９である。成膜時の圧力は１．０Ｔ　ｏ　ｒ
　ｒで、ＲＦパワーは２００１ｍ／ａｍ”である。基板
温度は２５０℃にて成膜する。

光電変換素子の保護又は絶縁性を考慮しｌμｍ成膜する
。

〈実施例５〉 第４図は、実施例５の密着型イメージセンサの受光部断
面図である。

基板２０１上に順次積層された共通電極２０２、光電変
換素子２０３，透明電極２０４、層間絶縁膜２０５、個
別電極２０６、保護膜２０７、上部透光性保護膜２１０
、接着層２０８、薄板ガラス２０９より構成される。

基板２０１は合成石英基板を用い、２０２，　２０６の
電極はそれぞれＣｒ−Ｎｉ，Ａｎ−ＳｉをＤＣマグネト
ロンスパッタリング法によりそれぞれ１０００人と１μ
ｍ成膜し用いた。光電変換素子５０３はａ−Ｓｉ　：Ｈ
，ａ−Ｓｉ　：Ｏ：Ｈ．　　ｐ　−ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｈを
それぞれ１．５μｍ、２００人、５００人連続成膜し多
層構造にして用いた。成膜はＳｉＨ４ガスないしその多
量体とＣＯ２の混合ガス及び該ガスにＢ２Ｈ，ガスとＨ
２ガスを加えて混合したガスを用いてプラズマＣＶＤ法
によって行なう。透明電極２０４はＳｎＯ２をＤＣスパ
ッタリング法により５（１０人成膜し形成する。層間絶
縁膜２０５及び保護膜２０７はａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｎ膜をＳ
ｉＨ４ガス及びＣＯ２ガス及びＮ２ガスの混合ガスを用
いたプラズマＣＶＤ法により７０００人成膜して形成す
る。接着層２０８はポリエステル系の接着剤を塗布して
形成する。薄板ガラス２０９は硼珪酸ガラスを用いる。

上部透光性保護膜２１０は後述する。透明電極２０４と
個別電極２０６は、眉間絶縁膜２０５に形成されたコン
タクトホールを通して接続される。

実施例５の該上部透光性保護膜２１０又は該上部透光性
保護膜の一部は次の特徴を有している。

■　光学的バンドギャップ Ｅｇ．，ｔ＝１．８ｅｖ ■　擬似太陽ＡＭ−１ １００ＩＩＩｗ／ｃｍ２照射時の光導電率σ１とσ，の
比σ．／σ，＝１０” ■　組成 シリコン：酸素：水素＝　１．０　：　０．０５：０．
３■　該上部透光性保護膜又は該上部透光性保護膜の一
部のＳｉＨ赤外吸収ピーク２０００ｃｍ−１と？ｉＯ赤
外吸収ピーク１０２０ｃｍ−’の強度比ＳｉＨ／ＳｉＯ
　＝　０　．　８ ■　可視光における屈折率 ｎ＝１．２ 上記上部透光性保護膜はプラズマＣＶＤ法により成膜さ
れる。成膜はＳｉＨ４ガス及びＣＯ２ガス及びＨ２ガス
の混合ガスを用い、流量比はＳｉＨ４：Ｃｏ■：　Ｈ２
＝１　：０．５：　９である。成膜時の圧力は１．ＯＴ
　ｏ　ｒ　ｒで、ＲＦパワーは２００ｍＷ／ｃｍ２であ
る。基板温度は２５０℃にて成膜する。

光電変換素子の保護又は絶縁性を考慮し１μｍ成膜する
。

次に本発明の電子デバイスの密着型イメージセンサ以外
の実施例として、絶縁基板上に作成されたＭＯＳ型ＴＰ
Ｔ　（薄膜トランジスタ）について述べる。

〈実施例６〉 第５図に実施例６のＭＯＳ型ＴＰＴの素子断面図を示す
。絶縁性基板６０１上に順次積層されたＴＦＴ活性層６
０２、ＴＦＴゲート酸化膜６０３、ＴＰＴゲート電極６
０４、ＴＦＴ層間絶縁膜６０５、ＴＦＴソース電極６０
６、ＴＦＴドレイン電極６０７，ＴＰＴ保護膜６０８よ
り構成される。該素子は実施例１〜５の密着型イメージ
センサの各光電変換素子と１：１に対応して設置されて
おり、該センサの暉動回路及び読出し回路の一部を構成
している。以下に該ＴＰＴ素子の作成工程を示す。

合成石英基板６０１上にＰｏｌｙ−Ｓｉを低圧ＣＶＤ法
により成膜し活性Ｎ６０２を形成する。その後熱酸化工
程によりゲート酸化膜６０３を形成し，そしてゲート電
極６０４としてＰｏｌｙ−Ｓｉを低圧ＣＶＤ法により成
膜する。さらにゲート電極形成後、イオン注入法又は塗
布拡散法により活性層のｎ型ｐ型の制御及びゲート電極
の低抵抗化を行い、その後層間絶縁膜６０５としてＳ　
ｉ　Ｏ２膜を低圧ＣＶＤ法により成膜する。そして、真
空蒸着法により成膜したＡｆｆ膜を用いてＴＦＴソース
電極６０６とドレイン電極６０７を形成し、その後ＴＰ
Ｔ保護膜６０８として本発明の特徴を有する上部透光性
保護膜を成膜する。その後、ＴＰＴ特性を向上させるた
めにプラズマ水素処理を行う。

実施例６のＴＦＴ保護膜兼上部透光性保護膜６０８又は
該保護膜の一部は次の特徴を有している。

■　光学的バンドギャップ Ｅ　ｇ　ａｐｔ＝６．５ｅＶ ■　擬似太陽ＡＭ−１ １００ｍＷ／ｃｍ２照射時の光導電率σ９ｈとσ４の比
σ　．　／σ，＝５ ■　組成 シリコン：酸素：水素＝　１．０　：　２．４：０．０
１■　該ＴＦＴ保護膜兼上部透光性保護膜又は該保護膜
の一部のＳｉＨ赤外吸収ピーク２０００ｃｍ−１とＳｉ
Ｏ赤外吸収ピーク１０２０ｃｍ−’の強度比ＳｉＨ／Ｓ
ｉＯ　＝　０．００１ ■　可視光における屈折率 ｎ＝２．４ 上記ＴＦＴ保護膜兼上部透光性保護膜は、プラズマＣＶ
Ｄ法により成膜される。成膜はＳｉＨ４ガス及びＣＯ２
ガス及びＨ２ガスの混合ガスを用い、流量比は、ＳｉＨ
４：ＣＯ２：Ｈ２＝＝１３０：９である。成膜時の圧力
は１．ＯＴ　ｏ　ｒ　ｒで，ＲＦパワーは２００ｍＷ／
ａｍ”である。基板温度は２５（℃にて成膜する。膜厚
はプラズマ水素処理を有効に行うために２０００人とし
た。

く実施例７〉 第６図に実施例７のＭ　Ｏ　Ｓ型ＴＰＴの素子断面図を
示す。絶縁性基板７０１上に順次積層されたＴＦＴ活性
層７０２、ＴＦＴゲート酸化膜７０３、ＴＦＴゲート電
極７０４、ＴＦＴ層間絶縁膜兼上部透光性保護膜７０５
、ＴＦＴソース電極７０６、ＴＦＴドレイン電極７０７
，ＴＦＴ保護膜７０８より構成される。該素子は実施例
１〜５の密着型イメージセンサの各光電変換素子と１：
１に対応して設置されており，該センサの駆動回路及び
読出し回路の一部を構成している。以下に該ＴＰＴ素子
の作成工程を示す。

合成石英基板７０１上にＰｏｌｙ−Ｓｉを低圧ＣＶＤ法
により成膜し活性層７０２を形成する。その後熱酸化工
程によりゲート酸化膜７０３を形成し、そしてゲート電
極７０４とシテＰ　ｏ　１　ｙ−Ｓ　ｉを低圧ＣＶＤ法
により成膜する。さらにゲート電極形成後、層間＃！縁
膜７０５として本発明の特徴を有する膜−を成膜する。

その後イオン注入法により活性層のｎ型ｐ型の制御及び
ゲート電極の低抵抗化を行い、その後真空蒸着法により
成膜したＡＱ膜を用いてＴＰＴソース電極７０６とドレ
イン電極７０７を形成し、その後ＴＰＴ保護膜７０８と
してＳｉＯ２膜を低圧ＣＶＤ法により成膜する。その後
、ＴＰＴ特性を向上させるためにプラズマ水素処理を行
う。

実施例７の層間絶縁膜７０５又は層間ｓｍ膜７０５の一
部は次の特徴を有している。

■　光学的バンドギャップ Ｅｇ　．，ｐｃ＝　２．４ｅＶ ■　擬似太陽ＡＭ−１ １００ｍＷ／ａｍ２照射時の光導電率σ１とσ，の比σ
．／σａ＝１０’ ■　組成 シリコン：酸素：水素＝　１．０　：　０．５：０．２
■　層間絶縁膜７０５又は層間絶縁膜７０５の一部のＳ
ｉＨ赤外吸収ピーク２０００ｃｍ−”　トＳ　ｉ　Ｏ赤
外吸収ピーク１０２０ｃｍ−’の強度比ＳｉＨ／ＳｉＯ
　＝　０．０１３ ■　可視光における屈折率 ｎ　＝１．６ 上記層間絶縁膜７０５又は暦間絶縁膜７０５の一部はプ
ラズマＣＶＤ法により成膜される。成膜はＳ　ｉ　Ｈ４
ガス及びＣＯ２ガス及びＨ２ガスの混合ガスを用い、流
量比はＳ　ｉＨ．：　Ｃｏ２：　Ｈ２＝１：１０：９で
ある。成膜時の圧力は１．ＯＴ　ｏ　ｒｒで、ＲＦパヮ
ーは２００ｍＷ／ｃｍ”である。基板温度は２５０℃に
て成膜する。膜厚はイオン注入を有効に行うために１０
（１０人とした。

次に、本発明の電子デバイスの密着型イメージセンサ以
外の実施例として、導電性基板上に作成されたＭＯＳ型
ＴＰＴ　（薄膜トランジタ）について以下に述べる。

？実施例８〉 第７図に実施例８のＭＯＳ型ＴＰＴのｐチャンネル素子
断面図を示す。ｎ型Ｓｉウェハー８０１上に順次積層さ
れたＴＰＴフィールド酸化膜８０２、ＴＦＴゲート酸化
膜８０３、ＴＦＴゲート電極８０４、Ｔ．ＦＴ１間絶縁
膜８０５、ＴＦＴソース電極８０６、ＴＦＴドレイン電
極８０７、ＴＦＴ保護膜兼上部透光性保護膜８０８より
構成される。以下に該ＴＰＴ素子の作成工程を示す。

ｎ型Ｓｉウェハー８０１上にＬＯＣＯＳ法によりフィー
ルド酸化膜８０２を作成しその後熱酸化工程によりゲー
ト酸化膜８０３を形成し、そしてゲート電極８０４トシ
テＰ　ｏ　ｌ　ｙ−Ｓ　ｉを低圧ＣＶＤ法により成膜す
る。さらにゲート電極形成後、イオン注入法又は塗布拡
散法により活性層のｎ型Ｐ型の制御及びゲート電極の低
抵抗化を行い、その後層間絶縁膜８０５としてＳｉＯ■
膜を低圧ＣＶＤ法により成膜する。そして，真空蒸着法
により成膜したＡＱ膜を用いてＴＦＴソース電極８０６
とドレイン電極８０７を形成し、そのＴＰＴ保？膜８０
８として本発明の特徴を有する膜を成膜する。その後、
ＴＰＴ特性を向上させるためにプラズマ水素処理を行う
。

実施例８の該ＴＦＴ保護膜８０８又は該保護膜の一部は
次の特徴を有している。

■　光学的バンドギャップ Ｅ　ｇ　．，．＝　２．４ｅＶ ■　擬似太陽ＡＭ−１ １００ｍＷ／ｃｍ２照射時の光導電率σ１とσ，の比σ
ｐｈ／σａ＝１０’ ■　組成 シリコン：酸素：水素＝　１．０　：　０．５：０．２
■　該ＴＦＴ保護膜又は該保護膜の一部のＳｉＨ赤外吸
収ピーク２０００ｃｍ−”とＳｉＯ赤外吸収ピーク１０
２０ｃｍ−”の強度比 ＳｉＨ／ＳｉＯ＝　０．０１３ ■　可視光における屈折率 ｎ＝１．６ 上記ＴＰＴ保護膜はプラズマＣＶＤ法により成膜される
。成膜はＳｉＨ４ガス及びＣＯ■ガス及びＨ２ガスの混
合ガスを用い、流量比はＳｉＨ，：　Ｃｏ２：　Ｈ２＝
１　：１０：　９である。成膜時の圧力はｌ．ＯＴ　ｏ
　ｒ　ｒで、ＲＦパワーは２００ｍＷ／ｃＩ１２である
。基板温度は２５０℃にて成膜する。膜厚はプラズマ水
素処理を有効に行うために２０００人とした。

以下の実施例は、絶縁性透光性基板上に構築され、該基
板上に，複数個の光電変換素子から成る素子列により形
成される受光部と、該素子列を保護するために該受光部
上部に位置する透光性絶縁体を有し、該基板上に形成さ
れた開口部すなわち採光窓より入射する光源光が該透光
性絶縁体を透過し原稿に入射し、該原稿よりの反射光が
該透光性絶縁体を透過し受光部に入射し、原稿からの光
情報に応じて情報を電気信号に変換し該電気信号を検出
し，原稿よりの情報を読み取る完全密着型イメージセン
サに関するものである。

〈実施例９＞　　ＣＦ１！求項２に対応）第１２図（ａ
）は、実施例９の完全密省型イメージセンサの断面の概
略図に相当する。そして、第１２図（ｂ）は、実施例９
の完全密着型イメージセンサの受光部断面図に相当する
。

該センサはＡＱ筺体２２１、光源２２２，センサ２２３
、読取・翻動回路系２２４より構成される。さらに、該
センサ２２３は、基板２０１上に順次積層された共通電
極２０２、光電変換素子２０３、透明電極２０４、層間
絶縁膜２０５、個別電極２０６、透光性ＩＩ！縁膜２０
７、本発明の上部透光性保護膜２１０、接着層２０８，
薄板ガラス２０９より構成される。なお、２１３は導電
率が上昇した個所を示す。

透光性絶縁体としては透光性絶縁膜２０７を示す。基板
２０１は合成石英基板を用い．　２０２，２０６の電極
はそれぞれＣｒ．Ａ（ｌを真空蒸着法によりそれぞれ０
．１μｍと１μｍ成膜して用いた。光電変換素子２０３
はａ−Ｓｉ：Ｈ（下層）．ａ−Ｓｉ　：Ｏ：Ｈ　（上層
）をそれぞれｌμｍと０．０４μｍ連続成膜し多層構造
にして用いた。成膜はＳｉＨ４ガスないしその多量体と
ＣＯ２ガスの混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によっ
て行う。なお、該光電変換素子２０３の光学的バンドギ
ャップはａ−Ｓｉ：Ｈが１．７５ｅＶ．　ａ−Ｓ　ｉ　
：　Ｏ　：Ｈは２．０５ｅＶであり，センサの光読み出
し波長は５４５ｎｍ近傍に設定した。透明電極２０４は
ＩＴＯをＤＣスパッタリング法により０．０５μＩ形成
する。層間＃Ｉ！ｍ膜２０５及び透光性保護膜２０７は
ＳｉＨ４ガス、ＣＯ２ガスの混合ガスを用いてのプラズ
マＣＶＤ法によりａ−ＳｉＯ．膜をそれぞれ０．５μｍ
づつ形成した。本発明の透光性保護膜は透光性絶縁膜の
後に連続成膜され同一工程にて微細加工された。接着層
２０８は、センサ近傍に設置された採光窓２１１を通し
て入射する光源よりの光が吸収されないように３００ｎ
ｍ〜９００ｎｍの波長の範囲において９０％以上の高い
光透過率を有するエポキシ系の透明接着剤を塗布して形
成する。薄板ガラス２０９は，光源光が吸収されないよ
うに３５０ｎｍ〜２０００ｎｍの波長の範囲において９
０％以上の高い光透過率を有する硼珪酸ガラスを用いる
。本発明の上部透光性保護膜２１０は後述する。透明電
極２０４と個別電極２０６は、層間絶縁膜２０５に形成
されたコンタクトホールを通して接続される。

実施例９の該上部透光性保護膜２１０は次の特徴を有し
ている。

■・　光学的バンドギャップ Ｅ　ｇｏｐｔ＝２．６ｅ　Ｖ ■　擬似太陽光ＡＭ−１ １００ｍＷ／ａｎ２照射時の光導電率ｃｙｐｈとσｄの
比 σｐｈ／σｄ＝１０４ ■　組成 シリコン：酸素：水素＝　１．０　：　０．７５　：　
０．１５（優　該上部透光性保護膜２１０のＳｉＨ赤外
吸収ピーク２０００■−１とＳｉＯ赤外吸収ピーク１０
２０ｃｍ−’の強度比 Ｓ　ｉ　Ｈ／　Ｓ　ｉ　Ｏ　＝０．００５■　可視光に
おける屈折率 ｎ＝１．８ 上記上部透光性保護膜２１０はプラズマＣＶＤ法により
成膜される。成膜はＳｉＨ４ガス及びＣＯ２ガス及びＨ
２ガスの混合ガスを用い、流量比はＳｉＨ４：Ｃｏ２：
Ｈ，＝ｌ　：１７：９である。

成膜時の圧力は１．ＯＴｏｒｒで、ＲＦパヮーは２００
ｍ　Ｗ　／　ａｎ　２である。基板温度は２５０℃にて
成膜する。膜厚は０．５μｍとした。

実施例９の．光源２２２は、次の特徴を有する。

■　光源の種類 冷陰極型蛍光放電管（２波長域発光型）■　発光効率 ３０　　１ｍ／Ｗ ■　発光に使われている蛍光体 ＣｅＭｇＡＱ１１０１，：Ｔｂ” （発光ピーク５４３ｎｍ） Ｓ　ｒ３（ＰＯ４）２：　Ｅｕ （発光ピーク４０６　ｎ’ｍ　） ■　分光分布 第２０図に記載 〈実施例１０〉（請求項２に対応） 第１２図（ａ）は、実施例１０の完全密着型イメージセ
ンサの断面の概略図に相当する。そして、第１３図は、
実施例１０の完全密着型イメージセンサの受光部断面図
に相当する。

該センサユニットはＡＱ筐体２２１、光源２２２、セン
サ２２３、読取・駆動回路系２２４より構成される。さ
らに、該センサ２２３は、基板２０１上に順次積層され
た共通電極２０２、光電変換素子２０３、透明電極２０
４，層間絶縁膜２０５、個別電極２０６、本発明の上部
透光性保護膜２１０、接着層２０８、薄板ガラス２０９
より構成される。

透光性絶縁体としては眉間絶縁膜２０５を示す。

基板２０１は合成石英基板を用い、２０２，２０６の電
極はそれぞれＣｒ．ＡΩを真空蒸着法によりそれぞれ０
．１μｍと１μｍ成膜して用いた。光電変換素子２０３
はａ−Ｓｉ：Ｈ（下層）．ａ−Ｓｉ：０：Ｈ　（上屡）
をそれぞれ１μｍと０．０４μｍ連続成膜し多層構造に
して用いた。成膜はＳｉＨ４ガスないしその多量体とＣ
○２ガスの混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって
行う。なお、該光電変換素子２０３の光学的バンドギャ
ップはａ−Ｓｉ：Ｈが１．７５ｅＶ．ａ−Ｓ　ｉ　：　
０　：　Ｈは２．０５ｅＶであり，センサの光読み出し
波長は５４５ｎｍ近傍に設定した。透明電極２０４はＩ
ＴＯをＤＣスパッタリング法により０．０５μｍ形成す
る。

層間絶縁膜２０５はＳｉＨ４ガス、Ｃ○２ガスの゛混合
ガスを用いてのプラズマＣＶＤ法によりａ−Ｓ　ｉ　Ｏ
，膜を．０．５μｍ形成した。本発明の透光性保護膜は
２０６電極形成後に形成された。接着層２０８は、セン
サ近傍に設置された採光窓２１１を通して入射する光源
よりの光が吸収されないよう４：３００ｎｍ〜９００ｎ
ｍの波長の範囲において９０％以上の高い光透過率を有
するエポキシ系の透明接着剤を塗布して形成する。薄板
ガラス２０９は、光源光が吸収されないように３５０ｎ
ｍ〜２０００　ｎｍの波長の範囲において９０％以上の
高い光透過率を有する硼珪酸ガラスを用いる。本発明の
透光性保護膜２１０は後述する。透明電極２０４と個別
電極２０６は、眉間絶縁膜２０５に形成されたコンタク
トホールを通して接続される。

実施例１０の該透光性保護膜２１０は次の特徴を有して
いる。

■ ■ 光学的バンドギャップ Ｅ　ｇｏｐｔ＝２．４ｅ　Ｖ 擬似太陽光ＡＭ−１ １００ｍＷ／ａｎ”照射時の光導電率ｃｒｐｈとσｄの
比 σｐｈ／σｄ＝１０’ ■　組成 ：／！Ｊコン：１素：水素＝　１．０　：　０．５　：
　０．２■　該上部透光性保護膜２１０のＳｉＨ赤外吸
収ピーク２０００ａｎ−”とＳｉＯ赤外吸収ピーク１０
２０ａｎ−１の強度比 Ｓ　ｉ　Ｈ／　Ｓ　ｉ　Ｏ　＝０．０１３■　可視光に
おける屈折率 ｎ＝１．６ 上記上部透光性保護膜２１０はプラズマＣＶＤ法により
成膜される。成膜はＳｉＨ．ガス及びＣ○２ガス及びＨ
２ガスの混合ガスを用い、流量比はＳ　ｉＨ．：　Ｃｏ
２：　Ｈ２”ｌ　：　１０：９である。

成膜時の圧力は１．ＯＴｏｒｒで、ＲＦパワーは２００
ｍ　Ｗ　／　ｃｍ　２である。基板温度は２５０℃にて
成膜す？。膜厚は１．０μｍとした。

実施例１０の光源２２２は，次の特徴を有する。

■　光源の種類 冷陰極型蛍光放電管（２波長域発光型）■　発光効率 ３３　　１．ｍ／Ｗ ■　発光に使われている蛍光体 Ｃ　ｅ　Ｍ　ｇ　Ａ　ｎ、，０，ｇ：　Ｔｂ”（発光ピ
ーク５４３ｎｍ） ＢａＭｇ２ＡＱ，，Ｏ■７：　Ｅｕ” （発光ピーク４５２ｎｍ） ■　分光分布 第１８図に記載 〈実施例１ｌ〉（請求項２に対応） 実施例１１のセンサユニット構成、光源，センサ層構成
〔第１２図（ａ）および第１３図参照〕及び膜厚及び製
法は、透光性保護膜２１０を除き、実施例１０と同様な
ので省略する。以下に上部透光性保護膜２１０について
述べる。

実施例１１の該透光性保護膜２１０は次の特徴を有して
いる。

■　光学的バンドギャップ Ｅ　ｇ　ｏｐｔ＝　２．６　ｅ　Ｖ （■　擬似太陽光ＡＭ−１ １００ｍＷ／ａｎ２照射時の光導電率σρｈとσｄの比 σρｈ／σｄ＝１０’ ？　組成 シリコン：酸素：水素＝　１．０　：　０．７５　：　
０．１５■　該透光性保護膜２１０のＳｉｉ｛赤外吸収
ピーク２０００ａｎ−１とＳｉＯ赤外吸収ピークｌ０２
０ａｎ一゛の強度比 Ｓ　ｉ　Ｈ／　Ｓ　ｉ　Ｏ　＝０．００５■　可視光に
おける屈折率 ｎ＝１．８ 上記透光性保護膜２１０はプラズマＣＶＤ法により成膜
される。成膜はＳｉＨ４ガス及びＣ０２ガス及びＨ２ガ
スの混合ガスを用い、流量比はＳｉＨ４：Ｃｏ■：　Ｈ
．＝　１　：　１７：９である。成膜時の圧力はＩ　．
　ＯＴｏｒｒで、ＲＦ／＜ワーは２００ｍＷ／＋ｍ２で
ある。基板温度は２５０゜Ｃにて成膜する。膜厚は１．
０μｍとした。

〈実施例１２＞　ＣＭ求項２に対応） 実施例１２のセンサユニット構成、光源、センサ層構成
〔第１２図（ａ）および第１３図参照〕及び膜厚及び製
法は，透光性保護膜２１０を除き、実施例１０と同様な
ので省略する。以下に透光性保護膜２１０について述べ
る・ 実施例１２の該透光性保護膜２１０は次の特徴を有して
いる。

■　光学的バンドギャップ Ｅ　ｇｏｐｔ＝３．２ｅ　Ｖ ■　擬似太陽光ＡＭ−１ １００ｍ　Ｗ　／　ｃｍ　２照射時の光導電率ａｐｈと
ａｄの比 σｐｈ／σｄ＝ｌｏ２ ■　組成 シリコン：酸素：水素＝　１．０　：　１．６　：　０
．１■　該透光性保護膜２１０のＳｉＨ赤外吸収ピーク
２０００■−１とＳｉＯ赤外吸収ピーク１０２０ａｎ？
”の強度比 Ｓ　ｉ　Ｈ／　Ｓ　ｉ　Ｏ　＝０．００２■　可視光に
おける屈折率 ｎ＝２．０ 上記透光性保護膜２１０はプラズマＣＶＤ法により成膜
される。成膜はＳ　ｉ　Ｈ．ガス及びＣＯ■ガス及びＨ
２ガスの混合ガスを用い、流量比はＳｊＨ４＝Ｃｏ２：
Ｈ２＝１＝２０：９である。成膜時の圧力は１　．　Ｏ
Ｔｏｒｒで、ＲＦパワーは２００ｍＷ／ＣＩｌｌ２であ
る。基板温度は２５０℃にて成膜する。膜厚は１．０μ
ｍとした。

〈実施例１３〉 第１２図（ａ）は、実施例１３の完全密着型イメージセ
ンサの断面の概略図に相当する。そして、第１４図は、
実施例１３の完全密着型イメージセンサの受光部断面図
に相当する。

該センサユニットはＡＱ筺体２２１、光源２２２、セン
サ２２３、読取・恥動回路系２２４より構成される。さ
らに、該センサ２２３は、基板２０１上に順次積層され
た共通電極２０２、光電変換素子２０３，透？電極２０
４、層間絶縁膜２０５、個別電極２０６、本発明の上部
透光性保護膜２１０、接着層２０８、薄板ガラス２０９
より構成される。

透光性絶縁体としては、眉間絶縁膜２０５を示す。基板
２０１は溶融石英基板を用い、２０２，２０６の電極は
それぞれＣｒ．ＡＱをＤＣマグネトロンスパッタリング
法によりそれぞれ０．０８μｍと１μｍ成膜して用いた
。光電変換素子２０３はａ−Ｓｉ：Ｈ（下層），ａ−Ｓ
ｉ：Ｏ：Ｈ（上層）をそれぞれ０．５μｍと０．０４μ
ｍ連続成膜し多層構造にして用いた。成膜はＳｉＨ４ガ
スないしその多量体とＣＯ■ガスの混合ガスを用いてプ
ラズマＣＶＤ法によって行う。なお，該光電変換素子２
０３の光学的バンドギャップはａ−Ｓｉ：Ｈが１．７５
ｅＶ．　ａ−Ｓ　ｉ　：　Ｏ　：　Ｈは２．０５ｅＶで
あり、センサの光読み出し波長は５４５ｎｍ近傍に設定
した。透明電極２０４はＩＴＯをＤＣスパッタリング法
により０．０６μｍ形成する。層間絶縁膜２０５はＳｉ
Ｈ４ガス，ＣＯ２ガスの混合ガスを用いてのプラズマＣ
ＶＤ法によりａ−ＳｉＯ２膜をそれぞれ０．３μｍ．０
．５μｍずつ形成した。

本発明の透光性保護膜２１０は２０６の電極形成後に形
成された。接着Ｍ２０８は、センサ近傍に設置された採
光窓２１１を通して入射する光源よりの光が吸収されな
いように３００ｎｍ〜９００ｎｍの波長の範囲において
９０％以上の高い光透過率を有するエポキシ系の透明接
着剤を塗布して形成する。薄板ガラス２０９は，光源光
が吸収されないように３５０ｎｍ〜２０００ｎｍの波長
の範囲において９０％以上の高い光透過率を有する硼珪
酸ガラスを用いる。本発明の上部透光性保護膜２１０は
後述する。透明電極２０４と個別電極２０６は、眉間絶
縁膜２０５に形成されたコンタクトホールを通して接続
される。本発明の透光性保護膜２１０は２０６の電極形
成時に微細加工法により形成されたアース電位２１４に
電気的に接続される（第１４図参照）。

実施例１３の該透光性保護膜２１０は次の特徴を有して
いる。

■　光学的バンドギャップ Ｅ　ｇｏｐｔ＝２．４　ｅ　Ｖ （の　擬似太陽光ＡＭ　　１ １００ｍＷ／ａｎ２照射時の光導電率σρｈとσｄの比 σｐｈ／σｄ＝　１　０’ ■　組成 シリコン：酸素：水素＝　１．０：０．５：０，２■　
該上部透光性保護膜２１０のＳｉＨ赤外吸収ピーク２０
００■−１とＳｉＯ赤外吸収ピーク１０２０ａｎ−”の
強度比 Ｓ　ｉ　Ｈ／　Ｓ　ｉ　Ｏ　＝０．０１３■　可視光に
おける屈折率 ｎ＝１．６ 上部透光性保護膜２１０はプラズマＣＶＤ法により成膜
される。成膜はＳｉＨ．ガス及びＣＯ２ガス及びＨ２ガ
スの混合ガスを用い、流量比はＳｉＨ４：Ｃｏ２：Ｈ．
＝１　：１０：　９である。成膜時の圧力は１　．　０
Ｔｏｒｒで、ＲＦパワーは２００ｍＷ／ａＩ１２である
。基板温度は２５０℃にて成膜する。

膜厚は０．５μｍとした。

実施例ｌ３の光源２２２は，次の特徴を有する。

゛Ｄ　光源の種類 冷陰極型蛍光放電管（２波長域発光型）■　発光効率 ３３　　１ｍ／Ｗ ■　発光に使われている蛍光体 Ｃ　ｅ　Ｍ　ｇ　ＡＭ，．０．，　：　Ｔ　ｂ”（発光
ピーク５４３ｎｍ） Ｂ　ａＭｇ２ＡＱ，．０２７：　Ｅｕ”（発光ピーク４
５２ｎｍ） ■　分光分布 第１８図に記載 〈実施例ｌ４〉（請求項３に対応） 第１２図（ａ）は、実施例ｌ４の完全密着型イメージセ
ンサの断面の概略図に相当する。そして、第１５図（ａ
）は、実施例１４の完全密着型イメージセンサの受光部
断面図に相当する。第１５図（ｂ）は、実施例１４の完
全密着型イメージセンサの受光部平面図に相当する。

該センサユニットはＡＱ筐体２２１、光源２２２、完全
密着型イメージセンサ２２３、読取・睨動回路系２２４
より構成される。さらに、該センサ２２３は、基板２０
１上に順次積暦された個別電極２０２、光電変換素子２
０３，透明電極２０４、眉間絶縁膜２０５、共通電極２
０６，透光性絶縁膜２０７、本発明の上部透光性保護膜
２１０，接着層２０８、薄板ガラス２０９より構成され
る。

基板２０１は合成石英基板を用い、２０２，２０６の電
極はそれぞれＣｒ．ＡＭを真空蒸着法によりそれぞれ０
．１μｍと１μｍ成膜して用いた。光電変換素子２０３
はａ−Ｓｉ：Ｈ（下層）、ａ−Ｓｉ：ｏ：Ｈ（上層）を
それぞれｌμｍと０．０４　μｍ連続成膜し多層構造に
して用いた。成膜は、ＳｉＨ．ガスとＣＯ２ガスの混合
ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって行う。なお、該
光電変換素子２０３の光学的バンドギャップはａ−Ｓｉ
：Ｈが１．７５ｅＶ，　ａ−Ｓ　ｉ　：　Ｏ　：　Ｈは
２．０５ｅＶであり、センサの光読み出し波長は５４５
ｎｍ近傍に設定した。透明電極２０４はＩＴ○をＤＣス
ノ｛ッタリング法により０．０５μｍ形成する。層間絶
縁膜２０５及び透光性絶縁膜２０７はａ−ＳｉＯ２膜を
ＳｉＨ４ガス及びＣ○２ガスの混合ガスを用いたプラズ
マＣＶＤ法によりそれぞれ０．５μｍ成膜して形成する
。本発明の透光性保護膜２１０は透光性絶縁膜２０７の
後に連続成膜され，同一工程にて微細加工された。接着
層２０８は，センサ近傍に設置された採光窓２１０を通
して入射する光源よりの光が吸収されないように３００
ｎｍ〜９００ｎｍの波長の範囲において９０％以上の高
い光透過率を有するエポキシ系の透明接着剤を塗布して
形成した。薄板ガラスは、光源光が吸収されないように
３５０ｎｍ〜２０００ｎｍの波長の範囲において９０％
以上の高い光透過率を有する硼珪酸ガラスを用いた。透
明電極２０４と共通電極２０６は、層間絶縁膜２０５に
形成されたコンタクトホールを通して接続される。

実施例１４の透光性保護膜２１０は次の特徴を有してい
る。

■　光学的バンドギャップ Ｅ　ｇｏｐｔ＝２．６ｅ　Ｖ ■　擬似太陽光ＡＭ−１ １００　ｍ　Ｗ　／　ｃｘ　”照射時の光導電率σｐｈ
とσｄの比 σｐｈ／σｄ＝１０’ ■　組成 シリコン：酸素：水素＝　１．０　：　０．７５　：　
０．１５■　該保護膜又は保護膜の一部のＳｉＨ赤外吸
収ピーク２０００ａｎ−１とＳｉＯ赤外吸収ピーク１０
２０ＱＩ１−”の強度比 ＳｉＨ／Ｓｉ○＝　０．００５ ■　可視光における屈折率 ｎ＝１．８ 上部透光性保護膜はプラズマＣＶＤ法により成膜される
。成膜は、ＳｉＨ．ガス及びＣ○２ガス及びＨ２ガスの
混合ガスを用い、流量比ＳｉＨ４：Ｃ○２：Ｈ２＝１　
：１７：　９である。成膜時の圧力は１　．　ＯＴｏｒ
ｒで、ＲＦパワーは２００ｍＷ／ａＩ１２である６基板
温度は２５０℃にて成膜する。膜厚は０．５μｍ成膜す
る。

実施例１４は、特に次の特徴を有している。採？窓上部
に位置する該透光性保護膜を採光窓の約８０％の大きさ
にて除去してある。上記除去は平行平板型Ｒ　Ｉ　Ｅ　
（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置に
よりＣＦ．ガスと０２ガスを用いて下層に位置する眉間
絶縁膜との選択性を考慮して行った。

採光窓二各光電変換素子にｌ対ｌに設置されている。面
積は１００μ．ｘｌ００μｍの大きさで、各光電変換素
子より５μｍ離れて位置している。

本発明の上部透光性保護膜の開口部：各採光窓に１対１
に設置されている。面積は９０μｍＸ９０μｍの大きさ
で各採光窓より５μｍＨれて位置している。

実施例１４の光源２２２は、次の特徴を有している。■
　光源の種類 冷陰極型蛍光放電管（２波長域発光型）■　発光効率 ３０　　１ｍ／Ｗ ■　発光に使われている蛍光体 Ｃ　ｅ　Ｍ　ｇ　ＡＱ■１０１，　：　，Ｔｂ”（発光
ピーク５４３ｎｍ） Ｓ　ｒ３　（ＰＯ４）−　：　Ｅ　ｕ （発光ピーク４０６ｎｍ） ■　分光分布 第２０図に記載 〈実施例１５〉（請求項３に対応） 第１２図（ａ）は、実施例１５の完全密着型イメージセ
ンサの断面の概略図に相当する。そして、第１６図は、
実施例ｌ５の完全密着型イメージセンサの受光部及び薄
膜トランジスタの断面図に相当する。

該センサユニットはＡＱ筐体２２１、光源２２２、セン
サ２２３，補助回路系２２４より構成される。なお、該
センサ２２３は、複数個の光電変換素子により構成され
る素子列から成る受光部と、該受光部と同一基板上に構
築されかつ前記光電変換素子からの光情報に応じた信号
を順次読み出すための読み出し・駆動回路として機能す
る薄膜トランジスタ（以後ＴＰＴと呼ぶ）群とで構成さ
れる完全密着型イメージセンサである。

該センサは、基板２０１上に順次積層された共通電極２
０２、光電変換素子２０３、透明電極２０４、層間絶縁
膜２０５、個別電極２０６、保護膜２０７、接着層２０
８．薄板ガラス２０９、ＴＦＴ活性層６０２、ゲート駿
化膜６０３、ＴＦＴゲート電極６０４、ＴＰＴソース電
極６０６、ＴＰＴドレイン電極６０７より構成される。

以下に該センサ作成工程を示す。合成石英基板２０１上
にＰｏｌｙ−ｓｉを低圧ＣＶＤ法により０．１５μｍ成
膜し活性層６０２を形成する。その後熱酸化工程により
ゲート酸化膜６０３を形成し，そしてゲート電極６０４
としてＰｏｌｙ−Ｓｉを低圧ＣＶＤ法により成膜する。

さらにゲート電極６０４形成後、イオン注入法により活
性層６０２のｎ型ｐ型制御及びゲート電極の低抵抗化を
行う。

その後、ＴＰＴ特性を向上させるためにプラズマ水素処
理を行う。ついで受光部の作成を行う。

２０２，２０６の電極はそれぞれＣｒ．ＡＱを真空蒸着
法によりそれぞれ０．１μｍと１μｍ成膜して用いた。

２０６の電極形成時に同時に６０６，　６０７の電極も
形成する。光電変換素子２０３はａ−Ｓｉ：Ｈ（下層）
、ａ−Ｓｉ：○：Ｈ（上／ＩＦ）をそれぞれ１μｍと０
．０４μｍ連続成膜し多層構造にして用いた。成膜は、
ＳｉＨ４ガスとＣＯ２ガスの混合ガスを用いてプラズマ
ＣＶＤ法によって行う。なお，該光電変換素子２０３の
光学的バンドギャップはａ．−Ｓｉ：Ｈが１．７５ｅＶ
．　ａ−Ｓｉ　：○：Ｈは２．０５ｅＶであり、センサ
の光読み出し波長は５４５ｎｍ近傍に設定した。透明電
極２０４はＩＴＯをＤＣスパッタリング法により０．０
５μｍ形成する。層間絶縁膜２０５及び透光性Ｉ１！！
ｍ膜２０７はａ−ＳｉＯ２膜をＳｉＨ．ガス及びＣｏ２
ガスの混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によりそれぞ
れ０．５μｍずつ成膜して形成する。本発明の上部透光
性保護膜２１０は透光性絶縁膜２０７の後に連続成膜さ
れ、同一工程にて微細加工された。

接着層２０８は、センサ近傍に設置された採光窓２１１
を通して入射する光源よりの光が吸収されないように３
００ｎｍ〜９００ｎｍの波長の範囲において９０％以上
の高い光透過率を有するエポキシ系の透明接着剤を塗布
して形成した。薄板ガラスは、光源光が吸収されないよ
うに３５０ｎｍ〜２０００ｎｍの波長の範囲において９
０％以上の高い光透過率を有する硼珪酸ガラスを用いた
。透明電極２０４と個別電極２０６は、層間絶縁膜２０
５に形成されたコンタクトホールを通して接続される。

実施例１５の該上部透光性保護膜２１０は次の特徴を有
している。

■　光学的バンドギャップ Ｅ　ｇｏｐｔ＝２．６ｅ　Ｖ （２）擬似太陽光ＡＭ　　１ １００ｍＷ／ａｎ２照射時の光導電率σＰｈとσｄの比 σｐｈ／σｄ＝１０’ ■　組成 シリコン：酸素：水素＝　１．０　：　０．７５　：　
０．１５■　上部透光性保護膜又は該保護膜の一部のＳ
ｉＨ赤外吸収ピーク２０００■−１と８１０赤外吸収ピ
ーク１０２０ａｎ−”の強度比Ｓ　ｉ　Ｈ／　Ｓ　ｉ　
Ｏ　＝０．００５■　可視光における屈折率 ｎ＝１．８ 上部透光性保護膜はプラズマＣＶＤ法により成膜される
。成膜は、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス及びＣＯ２ガス及びＨ２ガ
スの混合ガスを用い、流量比ＳＩＨ４：ＣＯ２：Ｈ２＝
１　：１７：　９である。成膜時の圧力はｌ　，　ＯＴ
ｏｒｒで、ＲＦパワーは２００　ｍ　Ｗ　／　ａｎ２で
ある。基板温度は２５０℃にて成膜する。膜厚は０．５
μｍとした。

実施例１５は、特に次の特徴を有している。採光窓上部
に位置する上部透光性保護膜を採光窓の約８０％の大き
さで除去してある。又はＴＰＴ素子間に位置する該保護
膜を任意の大きさで除去する。上記、除去は平行平板型
Ｒ　Ｉ　Ｅ　（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉ
ｎｇ）装置によりＣＦ４ガスと０２ガスを用いて下層に
位置する層間１１！ｉ縁膜との選択性を考慮して行った
。

採光窓：各光電変換素子に１対１に設置されている。面
積は１００μｍＸ１００μｍの大きさで、各光電変換素
子より５μｍ離れて位置している。

本発明の上部透光性保護膜の開口部（採光窓部）：各採
光窓に１対１に設置されている。面積は９０μｍ×９０
μｍの大きさで各採光窓より５μｍ離れて位置している
。

本発明の上部透光性保護膜の開口部（ＴＦＴ部）：ＴＰ
Ｔ素子間に複数個設置されている。

面積は任意の大きさで各ＴＰＴ素子より少なくとも５μ
ｍ離れて位置している。

実施例１５の光源２２２は，次の特徴を有している。

■　光源の種類 冷陰極型蛍光放電管（２波長域発光型）■　発光効率 ３０　　１ｍ／Ｗ ■　発光に使われている蛍光体 ＣｅＭｇＡＱ，、Ｏ，，：Ｔｂ” （発光ピーク５４３ｎｍ） Ｓｒ，（ＰＯ４）２：Ｅｕ （発光ピーク４０６ｎｍ） ■　分光分布 第２０図に記載 次に，実施例１４、１５の利点について述べる。

実施例９〜１３において、光源からの光が採光窓を通し
て入射されるため、該透光性保護膜２１０は、採光窓２
１１の近傍でしかも下地膜との界面近傍で光導電性を示
す。光導電性が良好の場合は、原稿とセ．ンサの摩擦に
起因する静電荷が保護膜に蓄積し、静電ノイズとしてセ
ンサ個別電極及び共通電極に到達することを防ぐことが
可能であるが，実施例９、１１、１２のように、光導電
率σｐｈとσｄの比σｐｈ／σｄが小さい値を示す場合
は、静電荷の保護膜への蓄積は完全には防ぐことが出来
ない。これに対し、実施例１４、ｌ５においては、採光
窓上部、又はＴＰＴ素子間上部の保護膜が除去されてい
るため、光源光は採光窓上部又はＴＰＴ素子間では吸収
されず一度原稿面に到達し反射光としてセンサに入射す
る。

この時、反射光は原稿及び薄板ガラス等での散乱により
、受光部に比較的広く照射されるため、該透光性保護膜
は，受光部の、接着層との界面近傍で比較的広く導電性
を示す。よって、先導電率σｐｈとσｄの比σｐｈ／σ
ｄが小さい値を示す場合でも比較的、原稿とセンサの摩
擦に起因する静電荷が保護膜に蓄積し静電ノイズとして
センサ個別電極及び共通電極に到達することを防ぐこと
が可能となる。実施例９と実施例１４、１５は，同一の
透光性保護膜を用いているが、表１に示したように、Ｓ
／Ｎ比及びＰＲＮＵ値が実施例９に比べ実施例ｌ４、１
５は良好である。このことは上記のことが原因と思われ
る。

又本発明の上部透光性保護膜は、下地膜の透光性Ｕ縁膜
と連続成膜することおよび、同時に微細加工してパター
ンの形成を行うことが、可能なので、従来技術と異なり
、導電膜作成工程、特にフオトリソ工程の増加に伴う歩
留りの低下を防止することができる。

次に、実施例１〜１５の該上部透光性保護膜の酸素含有
率に対する該上部透光性保護膜の擬似太陽光Ａ　Ｍ　−
　１　１００ｍＷ／ａｍ２照射時の光導電率σ，５及び
σｄ及び光学的バンドギャップＥｇ。．，の変化を第８
図に示す。第８図より、該上部透光性保護膜の酸素含有
率を変えることにより成膜された膜のＥｇ−ｐｔ及びσ
，．及びσ，が変化し、Ｅｇａ６＋が２．４ｅＶ以上で
σ５ｊｆｆｍ比が１０２以上を示す膜が得られることが
わかる。このことは該上部透光性保護膜がＥｇ．，。に
対応する波長より短波長側の光（比較的紫外域の光）を
吸収し光導電性を有するようになることを示している。

次に実施例１〜ｌ５の該上部透過性保護膜又は該上部透
光性保護膜の一部が、擬似太陽光ＡＭ−１　　１００ｍ
Ｗ／ｃｎ＋２照射時の光導電率σ，，とσ，の比σｐｈ
／σ，が１０２以上の値を有し、かつ光学的バンドギャ
ップが２．４ｅＶ以上の値を有することによる利点につ
いて以下に述べる。

一般に、原稿からの反射光を受光する光電変換素子列と
該素子列上側にＭ稿との接触時に素子列を保護する保護
膜を具える完全密着型イメージセンサにおいて、該セン
サがファクシミリ装置などに搭載された場合、ファクシ
ミリ装置自体が有するノイズ発生源よりのノイズ及び原
稿から光情報に応じた信号を読み取るための駐動・読取
回路からのノイズが、保護膜に帯電しセンサの共通電極
や個別電極に誘導され、それによって読み取り信号にノ
イズが加えられＳ／Ｎ比が低下する問題がある。又、該
構成の完全密着型イメージセンサにおいて、原稿と保護
膜は擦り合うために保護膜の内部に静電気が発生し、こ
れが共通・個別電極に到達し、その結果読み取り信号に
ノイズが加えられＳ／Ｎ比が低下する問題がある。これ
に対し、実施例１〜１５に示した完全密着型イメージセ
ンサはその上部透光性保護膜又は該保護膜の一部が光導
電性を有することから原稿からの反射光や光源からの入
射光に含まれる上部透光性保護膜のＥｇ−ｉｔに対応す
る波長より短波長側の光の吸収により導電性になり保護
膜へのノイズの局所的な帯電を防ぐ。

表１に実施例１〜５および９〜ｌ５の密着型イメージセ
ンサのＳ　／　Ｎ比及び白波形平坦度（以下ＰＲＮＵ値
と称す）を示す。Ｓ／Ｎ比はセンサ下方より５６Ｏｒ＋
ｍに強度ピークを有する光源を？いて１００ｍＷ／ｃｍ
２の光を照射し，センサ上面に反射率８０％の白原稿を
上方より１８ｇ／ｃｍ２の応力で密着させた時の光電流
（以下Ｉｐと称す）と，白原稿を除去しセンサに光が照
射しないように設定した暗時における電流（以下Ｉｄと
称す）の比で評価した。又、ＰＲＮＵ値はＩｐの最大値
ＩＰｍｓｘと最小値ＩＰｍ＋■の比較を行い評価した。

（以下余白） 表１ 表１に示した様に、実施例１〜５および９〜１５におけ
るＮ／Ｓ比及びＰＲＮＵ値よりノイズの影響が低減され
たことがわかる。また、実施例１，　４，　５，　９，
　１３，　１４，　１５は従来技術と比べて遜色のない
効果が得られた。実施例１〜ｌ５の中では、実施例４お
よび１３は保護膜を電気的にアース電位に接続すること
によりノイズがアース電位に導かれるのでＳ／Ｎ比及び
ＰＲＮＵ値共に良好な値を示した。

次に、実施例１〜１５の該保護膜又は保護膜の一部が光
学的バンドギャップ１．８以上の値を有することによる
もう１つの利点について以下に述べる。

一般に、基板上に複数個の光電変換素子列からなる受光
部と該素子列を保護する保護膜を有し、素子に対向して
設置された原稿からの反射光による光情報に応じた該各
素子の信号を順次時系列的に読み取る読取回路と駆動回
路を具備する密着型イメージセンサにおいて、原稿に照
射するために光源に冷陰極放電管や蛍光灯を用いている
場合、光源の照射する光には一部紫外域（波長４００ｎ
ｍ以下）の光が含まれていることから、該素子は原稿か
らの反射光により光劣化する。又、該センサが太陽光に
曝された場合太陽光により光劣化する。この時，実施例
１〜５に示したセンサでは該保護膜又は保護膜の一部が
光学的バンドギャップが１．８以上の値を有するので紫
外域の光を吸収し光劣化の割合が低減する。

表２に実施例１〜５の密着型イメージセンサの光劣化試
験の結果を示す。該試験はセンサに＋５Ｖのバイアスを
印加した状態で擬似太陽光Ａ　Ｍ　−　１　　１００ｍ
Ｗ／ｃｍ２に直接１０００時間暴露したときの結果であ
る。評価はｒｐの減少率とＩｄの増加率について行なっ
た。

（以下余白） 表２に示した様に、実施例１〜５の光劣化の割合は従来
技術の構成のセンサに比べて低く、紫外域の光を吸収す
ることにより光劣化が低減されたことがわかる。実施例
１〜５の中では紫外域の光の比較的長波長側の光まで吸
収する実施例５のセンサの光劣化の割合が最も低減され
た。

次に、実施例１〜５の該保護膜又は保護膜の一部が，擬
似太陽光Ａ　Ｍ　−　１　１００ｍＷ／ｃｍ２照射時の
光導電率σ９ｈとσ．の比σｐｈ／σ．が１０２以上の
値を有しかつ光学的バンドギャップが２．４以上の値を
有すること、すなわち紫外域の光を吸収し光導電性を有
するようになることによる、もう一つの利点について以
下に述べる。

表３に実施例１〜ｌ５の密着型イメージセンサの該保護
膜微細加工時の絶縁破壊特性を示す。

なお、センサは原稿サイズＡ４版に対応して１００μｍ
Ｘ２００μｍの大きさの光電変換素子が１７２８素子設
置されており、共通電極は２１６素子ずつ８ブロックに
分割されている。該保護膜の微細加工は平行平板型ＲＩ
Ｅ装置によりドライエッチング法にて行い，エッチング
はＣＨＦ，と０２ガスを用いて行った。なお、エッチン
グ時にエッチング装置外部よりエッチング室に４００ｒ
ｖにピーク強度を有する紫外光を照射し、被エッチング
物であるセンサに紫外光が入射されるようにした。評価
はｌ７２８素子中の絶縁破壊を起こした素子数で比較し
た。絶縁破壊の確認は各素子の共通電極と個別電極が電
気的に短絡していること、かつ光学顕微鏡による各素子
の観察で絶縁破壊の痕跡があることとした。評価は、該
保護膜成膜前と該保護膜微細加工後に行い、微細加工に
より起った＃！縁破壊素子数のみ表に示した。

（以下余白） 表３ 一般に、保護膜が絶縁性の膜である場合、上記方法によ
りエッチングを行うと基板電極に対して生じるバイアス
（一般的にセルフバイアスと称される）により、被エッ
チング物に電荷が蓄積しＭ縁破壊を起こしデバイスの歩
留まりを低下させるが、実施例１〜１５のセンサにおい
ては、エッチング時に照射される４００ｎｍにピーク強
度を有する光により該上部透光性保護膜が光導電性を示
し、エッチング時に蓄積される電荷は１７２８素子中に
均一に広がるために破壊耐圧が上昇し絶縁破壊を起こさ
なくなる。表３において、従来技術の完全密着型イメー
ジセンサ又は保護膜が絶縁性膜の完全密着型イメージセ
ンサでは絶縁破壊を起こす素子が多く見られたが、実施
例１〜１５の密着型イメージセンサでは殆ど絶縁破壊を
起こした素子は見られなかった。

次に実施例５および９の特有の利点について示す。実施
例１〜４および１０〜ｌ３において、仮に原稿からの反
射光及び光源からの入射光が保護膜に照射された時の保
護膜の導電率が高い値を示した場合、個別電極一共通電
極間の保護膜を通してのリーク電流の増大が心配される
が、実施例５および９においては保護膜２０７上に光導
電性を有する上部透光性保護膜２１０が設置されている
ので，上部透光性保護膜の導電率が高い値を示した場合
でも保護膜２０７が絶縁膜なので、個別電極一共通電極
間の保護膜を通してのリーク電流の増大は起こらず、セ
ンサの特性の低下はない。

次に実施例６と実施例８のＭＯＳ型ＴＰＴの利点につい
て述べる。一般にＳｉＴＦＴの電気的特性を向上させる
ために、プラズマにより発生させた水素を素子に注入す
る方法（一般にプラズマ水素処理と称される）が行なわ
れるが、この時、高周波電源を用いてプラズマを発生さ
せるため、サンプルに対してバイアスが印加される（通
常セルフバイアスと称される）。上記バイアスによりサ
ンプル、すなわちＴＰＴ素子に電荷が蓄積しＴＰＴの電
気的特性を悪化させる。これに対し、実施例６及び実施
例８のＭＯＳ型ＴＰＴにおいて、プラズマ水素処理時に
、プラズマ水素処理装置外部より処理室に４００ｎｍに
ピーク強度を有する紫外光を照射し．ＭＯＳ型ＴＰＴに
紫外光が入射されるようにすることにより、ＴＦＴ保護
膜兼上部透光性保護膜６０８及び８０ｇが光導電性を示
し、局所的な電荷の蓄積を防ぐ。

上記効果により、実施例６及び実施例８のＭＱＳ型ＴＰ
Ｔはその電気特性が向上する。

第９図に実施例６のＣＶ曲線を、又、第１０図に実施例
８のＣＶ曲線を示す。第９図及び第１０図において、横
軸はゲート電圧を示し、縦軸はゲート酸化膜容量で規格
化したＭＯＳダイオードの容量を示す。計測は周波数１
０ｋＨｚの高周波ＣＶ法により行った。被計測物は実施
例６及び８のデバイスの作成工程に沿って作成したＭＯ
Ｓダイオードを用いた。実線で示す曲線は該保護膜に絶
縁性の膜を用いたデバイスのｃｖ曲線で、点線にて示す
曲線は実施例６及び８のデバイズのＣｖ曲線である。絶
縁性の膜を保護膜に用いたデバイスでは、プラズマ水素
処理時に該保護膜に電荷が蓄積し、ＣｖｉｌｆｌＩｉｌ
の歪及びフラットバンド電圧の平行移動を起こしている
。

それに対し実施例６及び８のデバイスではプラズマ水素
処理時に該上部透光性保護膜が導電性を有するために電
荷の蓄積が無く良好なＣＶ曲線となっている。

第９図及び第１０図に示すように、本発明の構成にする
ことによりＣｖ曲線の電荷による歪が生じないないこと
がわかる。

次に、実施例７の利点について述べる。

表４に実施例７のＭＯＳ型ＴＰＴのイオン注入するゲー
ト絶縁膜絶縁破壊特性を示す。評価はＴＰＴ素子のソー
ス電極及びドレイン電極と，ゲート電極との間の電気的
短絡の有無で行った。

比較のために層間絶縁膜に光導電性を有しない膜を用い
たデバイスも同時に計測した。計測時にソース電極一ゲ
ート電極間及びドレイン電極一ゲート電極間に印加した
電圧はＤ　Ｃ　ＩＯＶであり、計測素子数は実施例７の
デバイス及び眉間絶縁膜に光導電性を有しない膜を用い
たデバイスともに１００素子ずつであった。表４には実
施例７のデバイスと、眉間絶縁膜に光導電性を有しない
膜を用いたデバイスの絶縁破壊素子数を記載した。

一般に、活性層の不純物濃度制御のため又はＰｏｌｙ−
Ｓｉゲート電極の抵抗を低下させるために、イオン注入
法により硼素又はリン等を注入するが，数ＫｅＶのエネ
ルギーでイオン注入するために注入時にゲート絶縁膜に
バイアスが印加されＩｉ！縁破壊を起こしデバイスの歩
留まりを低下させる問題がある。それに対し、実施例７
のＭＯＳ型ＴＰＴにおいては、イオン注入時にＴＰＴに
紫外光が照射されるようにイオン注入装置を改造するこ
とにより、眉間絶縁膜７０５がイオン注入時に照射され
た紫外光により光導電性を示す，該層間絶縁膜兼上部透
光性保護膜７０５が光導電性を示すことにより、イオン
注入時にゲート酸化膜に蓄積される電荷は該眉間ＩＩｌ
！！縁膜を通して放出される。そのため，ゲート酸化膜
のイオン注入時の破壊耐圧が上昇し絶縁破壊を起こさな
くなる。表４において、眉間絶縁膜に絶縁性の膜を用い
たＴＰＴではゲート酸化膜の絶縁破壊が多く見られたが
、実施例７のＴＰＴでは見られなかった。

表４ 〔効　　果〕 （請求項１の効果） 前記問題に対し、本発明の電子デバイスの上部透光性保
護膜又は該保護膜の一部が光導電性を有することにより
、紫外光を吸収し導電性になり、デバイス作成工程中に
おいて該保護膜に局所的に集中して電荷が蓄積するのを
防止する。

又、該上部透光性保護膜が高い光導電性を有する場合は
電荷の蓄積自体を防止する。

又、該電子デバイスを、例えばファクシミリ又は液晶デ
ィスプレイなどに搭載した場合も、本発明の電子デバイ
スの上部透光性保護膜又は該保膜膜の一部が光導電性を
有することにより、装置自体が有するノイズ発生源より
のノイズや外部より侵入するノイズにより該上部透光性
保護膜に電荷が局所的に集中して蓄積するのを防ぎ電気
特性を悪化させることを防止する。

又、本発明の電子デバイスの該上部透光性保護膜及び該
保護膜の一部が、該上部透光性保護膜の有する光学的バ
ンドギャップに対応する波長の光より短波長側の光を吸
収することにより、光特性を悪化させる紫外光が光素子
すなわち光電変換素子等に到達するのを防ぎ、該素子の
光劣化を防ぐ。

本発明のデバイスにおいて、シリコン、アルミニウム、
硼素の中より１種以上の構成要素を有し，該要素を該上
部透光“性保護膜の母元素とすることにより、光導電性
などの膜特性の制御が比較的容易に行うことが可能であ
る。このことは、該膜の成膜方法として比較的膜特性の
制御が容易かつ既知であるプラズマＣＶＤ法等が使用可
能であることに依存している。又，水素、重水素の群よ
りなる１種以上の構成要素を有することにより，光導電
性が制御性良く得られる５このことを示す例しては，実
施例１〜１５に示すように、水素原子の含有率が１〜３
０原子％である該上部透光性保護膜において、該上部透
光性保護膜のσ，，／σ，値は５〜１０８の範囲で変化
したことが挙げちれる。更に、詳細に述べると水素原子
％が増加するに比例して該上部透光性保護膜のび．７／
σ６値が上昇した。又，酸素、炭素，窒素の群からなる
１種以上の構成要素を有することにより、該上部透光性
保護膜の絶縁性の制御が容易に行うことが可能となる。

このことを示す例としては、第８図に示したように、実
施例１〜３において、酸素含有量の増加に比例し該上部
透光性保護膜のσ．．値及びσ，値が連続的に減少して
いること等が挙げられる。又、可視光における屈折率は
、光学的バンドギャップや水素原子の含有率及び結合水
素量と密接に関係することが既知であるが、実施例１〜
ｌ５に示したように、可視光における屈折率が１．２〜
２．４である膜を該上部透光性保護膜に用いることによ
り、該膜の水素の含有率が１〜３０原子％を示し光学的
バンドギャップが１．８〜６．５ｅＶを示し、更にσ．
．／σ，値が５〜１０８を示した。このように可視光に
おける屈折率が１．２〜２．４である膜を該上部透光性
保護膜に用いることにより紫外光の吸収による光導電性
が制御良く得られる。

（請求項２の効果） 請求項１に記載の上部透光性保護膜をイメージセンサの
上部透光性保護膜として用い、かつイメージセンサ光源
として、該保護膜が光導電性を示す波長域の光を含むも
のを用いることにより、光源光の該保護膜への入射によ
り該保護膜の一部が導電性になり、ファクシミリに搭載
される場合や原稿を読取る場合に予想されるノイズ及び
／または静電荷が、該保護膜に蓄積するのを防ぐ効果を
有する。

（請求項３の効果） 請求項１に記載の上部透光性保護膜をイメージセンサの
上部透光性保護膜として用い、かつイメージセンサ光源
として，該保護膜が光導電性を示す波長域の光を含むも
のを用い，かつ該保護膜を、採光窓上部及び／または同
一基板上に構築された薄膜トランジスタ素子間上部にお
いて除去することにより、光源光は，採光窓上部又は薄
膜トランジスタ素子間では吸収されず一度原稿面に到達
し反射光としてセンサに入射する。この時、反射光は原
稿及び薄板ガラス等での散乱により、受光部に比較的広
く照射されるため，該保護膜の一部が接着層との界面近
傍で比較的広く導電性になり、該保護膜の光導電性が小
さい場合であっても，ファクシミリに搭載される場合や
原稿を読取る場合に予想されるノイズ及び／または静電
荷が、該保護膜に蓄積するのを防ぐ効果を有する。

【図面の簡単な説明】 第１図は，従来の密着型イメージセンサの断面図であり
、第２図は、実施例１〜３の密着型イメージセンサの断
面図、第３図は実施例４の密着型イメージセンサの断面
図、第４図は実施例５の密着型イメージセンサの断面図
であり、第５図は、実施例６のＭＯＳ型ＴＰＴの素子断
面図、第６図は実施例７のＭ　Ｏ　Ｓ型ＴＰＴの素子断
面図，第７図は実施例８のＭＯＳ型ＴＰＴのＰチャンネ
ル素子断面図である。 第８図は、実施例１〜３および９〜ｌ５の本発明上部透
光性保護膜の酸素含有率に対する光導電率σ９，とσ，
および光学的バンドギャップＥｇ。，，の変化を示し、
第９図、第１０図は、実施例６と８のそれぞれのＣＶ曲
線を示す。第１１図は各波長の光エネルギー量と本発明
上部透光性保護膜の光学的バンドギャップに対応する光
の波長を示す。 第１２図（ａ）は実施例９〜１５の完全密着型イメージ
センサの断面の概略図であり、第１２図（ｂ）は実施例
９の完全密着型イメージセンサ受光部の断面図、第１３
図は実施例１０〜１２の完全密看型イメージセンサ受光
部の断面図、第１４図は実施例１３の完全密着型イメー
ジセンサ受光部の断面図、第１５図（ａ）は実施例ｌ４
の完全密着型イメージセンサ受光部の断面図、第１５図
（ｂ）は実施例ｌ４の完全密着型イメージセンサ受光部
の平面図、第１６図は実施例ｌ５の完全密着型イメージ
センサの断面図を示す。第１７図は従来センサの光源と
して用いられている１波長域発光型蛍光放電管の波長に
対する相対強度と，光電変換層として良く用いられるａ
−Ｓｉの波長に対する相対感度を示す。第１８図は実施
例１０−１３の光源の分光分布を示し、第１９図は本発
明のセンサの光源として用いられている２波長域発光型
蛍光放電管及び標準光源の波長に対する相対強度と、光
電変換層として良く用いられるａ−Ｓｉの波長に対する
相対感度を示す。第２０図は実施例９，１４．１５の光
源の分光分布を示す。第２１図（ａ）は透光性保護膜が
光導電性を示さない場合の静電荷が電極へ伝搬する様子
を、第２１図（ｂ）は透光性保護膜が光導電性を示す場
合の静電荷と電極の様子を示す。 １１・・・原稿　　　　　　ｌ２・・ローラ１０１・・
・透光性基板　　１０２・共通電極］０３・・・光電変
換素子　１０４・・・透明電極１０５・層間！！縁膜　
　１０６・・個別電極１０７・・保護膜（Ｍ！縁性）（
透光性）１０ｇ・導電膜 １０９・・・保護膜（絶縁性）（透光性）１１０・・・
接着剤層　　　１１１・・・薄板ガラス２０１・・・基
Ｆｉ．　　　　　　２０２・・・共通電極２０３・・光
電変換素子　２０４・・・透明電極２０５・・・層間絶
縁膜　　２０６・・・個別電極２０７・・・保護膜（透
光性） ２０８・・・接着層　　　　２０９・・・薄板ガラス２
１０・・・本発明の上部透光性保護膜２１１・・・採光
窓 ２１２・・・本発明上部透光性保護膜の開口部２１３・
・・本発明の上部透光性保護膜中の導電率が上昇した個
所 ２１４・・・アース電位　　２２１・・・ＡＱ筐体２２
２・・光源　　　　　２２３・・・センサ２２４・・・
読取・恥動回路　６０１・・・絶縁性基板６０２・・・
ＴＦＴ活性層　　　６０３・・・ＴＦＴゲート酸化膜６
０４・・・ＴＦＴゲート電極　６０５・・・ＴＦＴ層間
絶縁膜６０６・・・ＴＦＴソース電極　６０７・ＴＦＴ
トレイン電極６０１３・・丁ＦＴ保護膜（本発明の特定
の保護膜）７０１・・・絶縁性基板　　７０２・・ＴＦ
Ｔ活性層７０３・・・ＴＦＴゲート酸化膜 ７０４・・・ＴＦＴゲート電極 ７０５・・・ＴＦＴ層間絶縁膜 （本発明の特定の保護膜を兼ねる） ７０６・・・ＴＦＴソース電極　７０７・・・ＴＦＴド
レイン電極７０８・・・ＴＦＴ保護膜 ８０１・・・導電性基板（ｎ型Ｓｉウェハー）８０２・
・・ＴＰＴフィールド酸化膜 ８０３・・・ＴＦＴゲート酸化膜

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性又は絶縁性基板上に構築された電子デバイス
   において、上部透光性保護膜又は該膜の一部が光学的バ
   ンドギャップＥｇ＿ｏ＿Ｐ＿Ｔ１．８〜６．５ｅＶを有
   しかつ光導電特性を有する膜であることを特徴とする電
   子デバイス。 ２、基板上に複数個の光電変換素子列からなる受光部と
   該素子列を保護する透光性絶縁体よりなる保護膜、その
   上に形成された上部透光性保護膜とを有し、素子に対向
   して設置された原稿からの反射光による光情報に応じた
   該各素子の信号を順次時系列的に読み取る読取回路と駆
   動回路を具備するイメージセンサにおいて、前記上部透
   光性保護膜は光学的バンドギャップＥｇ＿ｏ＿Ｐ＿Ｔ１
   ．８〜６．５ｅＶを有しかつ光導電特性を有するもので
   あり、イメージセンサの光源は少なくとも前記上部透光
   性保護膜が光導電性を示す波長域の光を含みかつ該波長
   域の光の相対強度が前記光電変換素子が原稿よりの情報
   として読み取る光情報の主な波長域の光の強度に対し１
   ０％以上であることを特徴とするイメージセンサ。 ３、基板上に複数個の光電変換素子列からなる受光部と
   該素子列を保護する透光性絶縁体よりなる保護膜、その
   上に形成された上部透光性保護膜とを有し、前記基板上
   に設けられた採光窓を通過した入射光により素子に対向
   して設置された原稿を照し、その反射光による光情報に
   応じた該各素子の信号を順次時系列的に読み取る読取回
   路と駆動回路を具備するイメージセンサにおいて、前記
   上部透光性保護膜は、光学的バンドギャップＥｇ＿ｏ＿
   Ｐ＿Ｔ１．８〜６．５ｅＶを有しかつ光導電特性を有す
   るものであり、この上部透光性保護膜は採光窓上部およ
   び／または同一基板上に構築された薄膜トランジスタ素
   子間上部において除去されており、またイメージセンサ
   の光源は、少なくとも前記上部透光性保護膜が光導電性
   を示す波長域の光を含みかつ該波長域の光の相対強度が
   前記光電変換素子が原稿よりの情報として読み取る光情
   報の主な波長域の光の強度に対し１０％以上であること
   を特徴とするイメージセンサ。