JPH03218820A - 導電性ガラス - Google Patents
導電性ガラスInfo
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- JPH03218820A JPH03218820A JP1224489A JP22448989A JPH03218820A JP H03218820 A JPH03218820 A JP H03218820A JP 1224489 A JP1224489 A JP 1224489A JP 22448989 A JP22448989 A JP 22448989A JP H03218820 A JPH03218820 A JP H03218820A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- conductive
- oxide
- glass
- resistance
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、導電性ガラスに関するもので、特に耐久牲に
優れた導電性ガラスに関するもので？る。
優れた導電性ガラスに関するもので？る。
［従来の技術］
ガラスなどの透明基体上に導電性の膜を形成したものは
、液晶表示素子の基板、冷凍ショーケースの肪曇ガラス
、ＣＩ’ｌＴのフェースプレートなどの帯電防止ガラス
（ホコリが付きにくくするため）、タッチパネルガラス
などに用いられている。その他、最近では電磁シールド
ガラスとしての用途も出てきた。これらにはＩＴＯ （
錫を含んだ酸化インジウム）、導電性ＳｎＯ■などが通
常使われている。ＩＴＯは通常真空蒸着法又はスパッタ
リング法で、ＳｎＯａはスプレー法などで成膜される。
、液晶表示素子の基板、冷凍ショーケースの肪曇ガラス
、ＣＩ’ｌＴのフェースプレートなどの帯電防止ガラス
（ホコリが付きにくくするため）、タッチパネルガラス
などに用いられている。その他、最近では電磁シールド
ガラスとしての用途も出てきた。これらにはＩＴＯ （
錫を含んだ酸化インジウム）、導電性ＳｎＯ■などが通
常使われている。ＩＴＯは通常真空蒸着法又はスパッタ
リング法で、ＳｎＯａはスプレー法などで成膜される。
［発明の解決しようとする問題点］
ＩＴＯは、比抵抗的には最も優れた材料の一っであるが
、一般的に酸に対して溶解し、これがバターニングのと
きには利点となるが、耐久性的には劣る。一方、抵抗値
的に有利なメタル膜はその性質上、可視光線の吸収が強
く、高い透過率を得るためにはかなり薄い膜にしなけれ
ばならない。このような膜は、経時的に安定でなく酸化
により抵抗値が上昇したり、光学的特性が変化してしま
う。更に一般に駿に対しての耐久性も充分でない。
、一般的に酸に対して溶解し、これがバターニングのと
きには利点となるが、耐久性的には劣る。一方、抵抗値
的に有利なメタル膜はその性質上、可視光線の吸収が強
く、高い透過率を得るためにはかなり薄い膜にしなけれ
ばならない。このような膜は、経時的に安定でなく酸化
により抵抗値が上昇したり、光学的特性が変化してしま
う。更に一般に駿に対しての耐久性も充分でない。
酸化錫にフッ素、アンチモンなどをドーブした導電性酸
化錫は、一般にスプレー法などで成膜される。この膜は
耐久性的には前述のものより優れているが、スプレー法
は原料の熱分解のために通常４００℃以上の基体加熱を
必要とし、また膜厚分布の均一性や低抵抗化が難しいと
いう問題点がある。
化錫は、一般にスプレー法などで成膜される。この膜は
耐久性的には前述のものより優れているが、スプレー法
は原料の熱分解のために通常４００℃以上の基体加熱を
必要とし、また膜厚分布の均一性や低抵抗化が難しいと
いう問題点がある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、前述の問題点を解決すべ《なされたものであ
り、透明な基体上に基体側から透明導電膜、保護膜と順
次形成した少なくとも２層膜よりなる導電性ガラスに於
いて、保護膜がＺｒ， Ｔｉ， Ｈｆ． Ｓｎ， Ｔａ
， Ｉｎのうち少なくとも１種と Ｂ， Ｓｉ， Ｐ，
Ａｓのうち少なくとも１種を含む酸化物を主成分とす
る非晶質酸化物よりなることを特徴とする導電性ガラス
を提供するもので？る。
り、透明な基体上に基体側から透明導電膜、保護膜と順
次形成した少なくとも２層膜よりなる導電性ガラスに於
いて、保護膜がＺｒ， Ｔｉ， Ｈｆ． Ｓｎ， Ｔａ
， Ｉｎのうち少なくとも１種と Ｂ， Ｓｉ， Ｐ，
Ａｓのうち少なくとも１種を含む酸化物を主成分とす
る非晶質酸化物よりなることを特徴とする導電性ガラス
を提供するもので？る。
第１図は、本発明の実施例を示す１例の断面図である。
１はガラス、プラスチックなどからなる透明基体、２は
ＩＴＯ， ＳｎＯ■， Ｃｒなどからなる導電性膜、３
はＺｒ， Ｔｉ， Ｈｆ， Ｓｎ， Ｔａ， Ｉｎのう
ち少なくとも１種とＢ， ＳＬのうち少なくとも１種を
含む酸化物を主成分とする非晶質酸化物膜よりなる保護
膜である． 保護膜３の組成は、特に制限はないが、膜が非品質化し
て耐擦傷性が向上するために膜中において、ＺｒＯ＊，
Ｔｉｅｓ， ｝ＩｆＯｔ， Ｓｎｕｇ， Ｔａｘｅｓ
．ＢＬｔＯｓ， ＺｎＯ， ＩｎｉＯｓから選ばれた酸
化物の合計１００部に対してＢｉａｓ． ＳｉＯ■から
選ばれた酸化物の合計がモル比で５部以上、好ましくは
ｌＯ部以上、特に２０部以上あるのが良い。しかしなが
ら、膜の屈折率はＢｘＯｓ， ＳｉＯ■の含有量が増加
するにつれ低下するので、光学的に必要な屈折率を基に
して硼素や珪素の含有量を選択すれば良い。また、Ｂの
場合はあまり多いと耐久性が低下するのでＺｒＬ＋ Ｔ
ｉＯｚ． ＨｆＯｉ， Ｓｎｏｗ， Ｔａｘｅｓ．？ｉ
ａｓｓ， ＺｎＯ， Ｉｎ＊Ｏｉから選ばれた酸化物の
合計１００部に対してＢｔｕｓ， ＳｉＯｉから選ばれ
た酸化物の合計がモル比で５００部以下、好まし《は３
００部以下、特に１００部以下が良い。Ｓｉの場合あま
り多いとアルカリに対する耐久性が低下するのでＺｒＬ
， ＴｉＯｚ． ＨｆＯｔ． Ｓｎ０２． ＴａａＯｓ
，ＢＬＯｓ．ＺｎＯ， ＩｎＪｓから選ばれた酸化物の
合計１００部に対してＢｉａｓ， ＳｉＯ■から選ばれ
た酸化物の合計がモル比で１９００部以下、好ましくは
９００部以下、特に４００部以下が良い。
ＩＴＯ， ＳｎＯ■， Ｃｒなどからなる導電性膜、３
はＺｒ， Ｔｉ， Ｈｆ， Ｓｎ， Ｔａ， Ｉｎのう
ち少なくとも１種とＢ， ＳＬのうち少なくとも１種を
含む酸化物を主成分とする非晶質酸化物膜よりなる保護
膜である． 保護膜３の組成は、特に制限はないが、膜が非品質化し
て耐擦傷性が向上するために膜中において、ＺｒＯ＊，
Ｔｉｅｓ， ｝ＩｆＯｔ， Ｓｎｕｇ， Ｔａｘｅｓ
．ＢＬｔＯｓ， ＺｎＯ， ＩｎｉＯｓから選ばれた酸
化物の合計１００部に対してＢｉａｓ． ＳｉＯ■から
選ばれた酸化物の合計がモル比で５部以上、好ましくは
ｌＯ部以上、特に２０部以上あるのが良い。しかしなが
ら、膜の屈折率はＢｘＯｓ， ＳｉＯ■の含有量が増加
するにつれ低下するので、光学的に必要な屈折率を基に
して硼素や珪素の含有量を選択すれば良い。また、Ｂの
場合はあまり多いと耐久性が低下するのでＺｒＬ＋ Ｔ
ｉＯｚ． ＨｆＯｉ， Ｓｎｏｗ， Ｔａｘｅｓ．？ｉ
ａｓｓ， ＺｎＯ， Ｉｎ＊Ｏｉから選ばれた酸化物の
合計１００部に対してＢｔｕｓ， ＳｉＯｉから選ばれ
た酸化物の合計がモル比で５００部以下、好まし《は３
００部以下、特に１００部以下が良い。Ｓｉの場合あま
り多いとアルカリに対する耐久性が低下するのでＺｒＬ
， ＴｉＯｚ． ＨｆＯｔ． Ｓｎ０２． ＴａａＯｓ
，ＢＬＯｓ．ＺｎＯ， ＩｎＪｓから選ばれた酸化物の
合計１００部に対してＢｉａｓ， ＳｉＯ■から選ばれ
た酸化物の合計がモル比で１９００部以下、好ましくは
９００部以下、特に４００部以下が良い。
表１は、具体的に本発明の保護膜３に最適な各種非晶質
酸化物膜の性質を示したものである。それぞれ表に挙げ
た組成のターゲットを用いて、反応性スパッタリングに
より製膜したものである。結晶性は、薄膜Ｘ線回折によ
り観測した。又、耐擦傷性は、砂消しゴムによる擦り試
験の結果で、○は傷が殆どつかなかったもの、×は容易
に傷が生じたものである。
酸化物膜の性質を示したものである。それぞれ表に挙げ
た組成のターゲットを用いて、反応性スパッタリングに
より製膜したものである。結晶性は、薄膜Ｘ線回折によ
り観測した。又、耐擦傷性は、砂消しゴムによる擦り試
験の結果で、○は傷が殆どつかなかったもの、×は容易
に傷が生じたものである。
耐摩耗性は、テーバー試験（摩耗輪ＣＳ−１０Ｆ、加重
５００ ｇ， １０００回転）の結果、ヘイズ４％以内
のものをＯ、ヘイズ４％超のものを×とした。耐酸性は
０．１Ｎ Ｈ！ＳＯＡ中に２４０時間浸漬した結果、
Ｔｖ （可視光透過率）、ＲＶ（可視光反射率）の浸
漬前に対する変化率が１％以内のものをＯ、１〜４％の
ものを△、膜が溶解して消滅してしまったものをＸとし
た。耐アルカリ性は０．ＩＮ ＮａＯＨ中に２４０時間
浸漬した結果、Ｔｖ，Ｒｖの浸漬前に対する変化率が１
％以内のものを○、膜が溶解してしまったものを×とし
た。煮沸テストは、１気圧下、１００℃の水に２時間浸
漬した後、ＴＶ，Ｒ，の浸漬前に対する変化率が１％以
内であるとき○、１％超のとき×とした。
５００ ｇ， １０００回転）の結果、ヘイズ４％以内
のものをＯ、ヘイズ４％超のものを×とした。耐酸性は
０．１Ｎ Ｈ！ＳＯＡ中に２４０時間浸漬した結果、
Ｔｖ （可視光透過率）、ＲＶ（可視光反射率）の浸
漬前に対する変化率が１％以内のものをＯ、１〜４％の
ものを△、膜が溶解して消滅してしまったものをＸとし
た。耐アルカリ性は０．ＩＮ ＮａＯＨ中に２４０時間
浸漬した結果、Ｔｖ，Ｒｖの浸漬前に対する変化率が１
％以内のものを○、膜が溶解してしまったものを×とし
た。煮沸テストは、１気圧下、１００℃の水に２時間浸
漬した後、ＴＶ，Ｒ，の浸漬前に対する変化率が１％以
内であるとき○、１％超のとき×とした。
ＺｒＢｘＯｙ膜に関しては、表１から明らかなように、
膜中のＢが少ないと結晶性の膜ができ、Ｂが多いと非品
質の膜ができる傾向があることがわかる。そして、結晶
性の膜は耐擦傷性及び耐摩耗性が劣るのに対して非晶質
の膜は優れていることがわかる。これは非晶質の膜は、
表面が平滑である為であると考えられる。従って、Ｚｒ
ＢｘＯ，膜（膜中のＺｒに対するＢの原子比Ｘが０．
１０＜ ｘ ）の膜は耐擦傷性、耐摩耗性に優れている
。Ｂ２０３膜は吸湿性で空気中の水分を吸収して溶けて
しまうので、ＺｒＢｘＯｙ膜においてＸ≦３程度が好ま
しい。
膜中のＢが少ないと結晶性の膜ができ、Ｂが多いと非品
質の膜ができる傾向があることがわかる。そして、結晶
性の膜は耐擦傷性及び耐摩耗性が劣るのに対して非晶質
の膜は優れていることがわかる。これは非晶質の膜は、
表面が平滑である為であると考えられる。従って、Ｚｒ
ＢｘＯ，膜（膜中のＺｒに対するＢの原子比Ｘが０．
１０＜ ｘ ）の膜は耐擦傷性、耐摩耗性に優れている
。Ｂ２０３膜は吸湿性で空気中の水分を吸収して溶けて
しまうので、ＺｒＢｘＯｙ膜においてＸ≦３程度が好ま
しい。
ＺｒＢｘＯｙ膜中のＺｒに対する０（酸素）の原子比は
特に限定されないが、多すぎると膜構造が粗になりボソ
ボソの膜になってしまうこと、又、あまり少ないと膜が
金属的になり透過率が低下したり膜の耐擦傷性が低下す
る傾向があることなどの理由によりＺｒＬと８２０３の
複合系となる量程度であることが好ましい。即ち、複合
酸化物をＺｒＯｘ＋ ｘ ＢＯ＋． ｓと表すと、Ｂが
Ｚｒに対して原子比でＸ含まれる時に、ｙ＝２＋１．５
ｘ程度であることが好ましい。
特に限定されないが、多すぎると膜構造が粗になりボソ
ボソの膜になってしまうこと、又、あまり少ないと膜が
金属的になり透過率が低下したり膜の耐擦傷性が低下す
る傾向があることなどの理由によりＺｒＬと８２０３の
複合系となる量程度であることが好ましい。即ち、複合
酸化物をＺｒＯｘ＋ ｘ ＢＯ＋． ｓと表すと、Ｂが
Ｚｒに対して原子比でＸ含まれる時に、ｙ＝２＋１．５
ｘ程度であることが好ましい。
又、表１より、ＺｒＢｘＯｙ膜中のＢの量が増えるにつ
れ、膜の屈折率が低下する傾向があることがわかる。膜
の組成と屈折率ｎとの関係を第２図（ａ）に示す。膜中
のＢを増やすことにより、屈折率ｎは２．０ぐらいから
１．５程度まで低下す？。
れ、膜の屈折率が低下する傾向があることがわかる。膜
の組成と屈折率ｎとの関係を第２図（ａ）に示す。膜中
のＢを増やすことにより、屈折率ｎは２．０ぐらいから
１．５程度まで低下す？。
従って０．１０＜ｘ≦３．２＜ｙ≦６．５のＺｒＢ＋＋
Ｏｙ膜は良好な耐擦傷性及び耐摩耗性を有し、かつ、Ｂ
の量によって自由に屈折率を選択できる本発明の目的に
好適な非晶質酸化物膜である。
Ｏｙ膜は良好な耐擦傷性及び耐摩耗性を有し、かつ、Ｂ
の量によって自由に屈折率を選択できる本発明の目的に
好適な非晶質酸化物膜である。
さらに、表１に示したように、膜中のＢの含有量が増え
るにつれ、耐酸性、耐アルカリ性が劣化する傾向がある
。Ｘ≧２．３で耐酸性が悪くなり、ｘ＞４で耐アルカリ
性の低下及び煮沸テストで劣化を示すようになる。従っ
て、空気中で露出した状態で使用される用途には、Ｚｒ
ＢｘＯｙ（ｘ＜２．３）の非晶質酸化物膜が好ましい。
るにつれ、耐酸性、耐アルカリ性が劣化する傾向がある
。Ｘ≧２．３で耐酸性が悪くなり、ｘ＞４で耐アルカリ
性の低下及び煮沸テストで劣化を示すようになる。従っ
て、空気中で露出した状態で使用される用途には、Ｚｒ
ＢｘＯｙ（ｘ＜２．３）の非晶質酸化物膜が好ましい。
以上のように、ＺｒＯｔ膜に酸化硼素Ｂ２０，を加えた
ことにより、膜が非晶質化し、表面が平滑化し、これが
耐摩耗性及び耐擦傷性の向上に寄与していると考えられ
る。又、Ｂの量で屈折率の調節が可能となり、さらに、
ＺｒＯ■膜と比べて、内部応力が小さいため、接する膜
との密着性の点で有利である。これは特に厚い膜を形成
する場合に有利である。
ことにより、膜が非晶質化し、表面が平滑化し、これが
耐摩耗性及び耐擦傷性の向上に寄与していると考えられ
る。又、Ｂの量で屈折率の調節が可能となり、さらに、
ＺｒＯ■膜と比べて、内部応力が小さいため、接する膜
との密着性の点で有利である。これは特に厚い膜を形成
する場合に有利である。
次に、ＺｒＳｉｘＯｙ膜に関しては、やはりアモルファ
スであり、耐擦傷性、耐摩耗性の高い膜が得られる． 屈折率については、ＺｒＯｇ （ ｎ ＝ ２． １５
）とＳｉ（ｈ（ ｎ ＝ １．４６）の間でその組成割
合によって上下する（第２図（ｂ）参照）。さらに詳し
くは、ＺｒＳｉ．Ｏ，膜において、０．０５≦２（膜中
のＺｒに対するＳｉの原子比）≦１９であることが好ま
しい。
スであり、耐擦傷性、耐摩耗性の高い膜が得られる． 屈折率については、ＺｒＯｇ （ ｎ ＝ ２． １５
）とＳｉ（ｈ（ ｎ ＝ １．４６）の間でその組成割
合によって上下する（第２図（ｂ）参照）。さらに詳し
くは、ＺｒＳｉ．Ｏ，膜において、０．０５≦２（膜中
のＺｒに対するＳｉの原子比）≦１９であることが好ま
しい。
ｚ＜０．０５だと、膜が非品質化せず、十分な物理的耐
久性が得られない。又、ｚ＞１９だと、耐アルカリ性が
悪《なる。又、ｙ （ＺｒＳｉｉＯｙ膜中のＺｒに対す
るＯの原子比）は、ＺｒＢｘＯｙ膜について述べたのと
同様の理由により、ＳｉがＺｒに対して原子比で２含ま
れる時に、ｙ＝２＋２ｚ程度であることが好ましい。
久性が得られない。又、ｚ＞１９だと、耐アルカリ性が
悪《なる。又、ｙ （ＺｒＳｉｉＯｙ膜中のＺｒに対す
るＯの原子比）は、ＺｒＢｘＯｙ膜について述べたのと
同様の理由により、ＳｉがＺｒに対して原子比で２含ま
れる時に、ｙ＝２＋２ｚ程度であることが好ましい。
又、ＺｒＢｘＳｉｚＯｙ膜も本発明の目的に合った膜で
ある。かかる膜中のＺｒに対するＢの原子比ｘ．Ｓｉの
原子比２、０の原子比ｙは、ｘ＋ｚ≧０．０５であれば
膜が非品質化し、耐擦傷性及び耐摩耗性の高い膜となる
ので好ましい。
ある。かかる膜中のＺｒに対するＢの原子比ｘ．Ｓｉの
原子比２、０の原子比ｙは、ｘ＋ｚ≧０．０５であれば
膜が非品質化し、耐擦傷性及び耐摩耗性の高い膜となる
ので好ましい。
又、ｘ＋ｚ≦１９であれば耐アルカリ性も良好であるの
で、ＺｒＢｘＳｘｚＯｙ膜においては、０．０５≦Ｘ＋
Ｚ≦１９であるのが好ましい。ただし、上述のように、
Ｂ，０，は吸湿性で空気中の水分を吸収して溶けてしま
うため、ＺｒＢｘＳｉ．０，膜中にあまり多く含有され
ない方がよい。具体的には、膜中において、ＺｒＯｘ＜
２５ｍｏｌ％かつＳｉｎｇ＜ ２５ｍｏｌ％で残りが
８２０３となる程Ｂ２０，が含まれていると化学的耐久
性が不十分となる。即ち、ＺｒＢｘＳｊＯｙ膜中のＺｒ
：Ｂ：Ｓｉ（原子比）を１：ｘ：ｚとすると、１／ （
１＋ｘ＋ｚ）＜０．２５かつＺ／（１＋ｘ＋ｚ） ＜０
．２５、即ち、ｘ＋ｚ−３＞Ｏかつｘ−３ｚ＋１＞Ｏの
組成は化学的耐久性が好ましくない。ｙは、ＺｒＢ．０
，の場合に述べたのと同様の理由によりこの膜をＺｒＯ
ｚ ＋ Ｂ＊Ｏｓ ＋ Ｓｉｆｔの複合系と考えて、ｙ
は２＋１．５ ｘ＋ ２ｚ程度であることが好ましい。
で、ＺｒＢｘＳｘｚＯｙ膜においては、０．０５≦Ｘ＋
Ｚ≦１９であるのが好ましい。ただし、上述のように、
Ｂ，０，は吸湿性で空気中の水分を吸収して溶けてしま
うため、ＺｒＢｘＳｉ．０，膜中にあまり多く含有され
ない方がよい。具体的には、膜中において、ＺｒＯｘ＜
２５ｍｏｌ％かつＳｉｎｇ＜ ２５ｍｏｌ％で残りが
８２０３となる程Ｂ２０，が含まれていると化学的耐久
性が不十分となる。即ち、ＺｒＢｘＳｊＯｙ膜中のＺｒ
：Ｂ：Ｓｉ（原子比）を１：ｘ：ｚとすると、１／ （
１＋ｘ＋ｚ）＜０．２５かつＺ／（１＋ｘ＋ｚ） ＜０
．２５、即ち、ｘ＋ｚ−３＞Ｏかつｘ−３ｚ＋１＞Ｏの
組成は化学的耐久性が好ましくない。ｙは、ＺｒＢ．０
，の場合に述べたのと同様の理由によりこの膜をＺｒＯ
ｚ ＋ Ｂ＊Ｏｓ ＋ Ｓｉｆｔの複合系と考えて、ｙ
は２＋１．５ ｘ＋ ２ｚ程度であることが好ましい。
よってほぼ２＜ｙ＜４０程度であることが好ましい。Ｂ
やＳｉの含有量が多い程ＺｒＢｍＳｉｚＯｙ膜の屈折率
は低下する．ＺｒＢ＋ＳｉｘＯｙ膜の例を第２図（Ｃ）
に示す。
やＳｉの含有量が多い程ＺｒＢｍＳｉｚＯｙ膜の屈折率
は低下する．ＺｒＢ＋ＳｉｘＯｙ膜の例を第２図（Ｃ）
に示す。
Ｚｒ以外の金属、即ち、Ｔｉ， Ｈｆ， Ｓｎ， Ｔａ
， Ｉｎ と、ＢとＳＬのうち少なくとも１種とを含
む酸化物も同様に非品質となり、十分な耐擦傷性、及び
耐摩耗性が得られる。ＴｚＳｘｘＯウ膜を表１のサンプ
ル１５に一例として示した。
， Ｉｎ と、ＢとＳＬのうち少なくとも１種とを含
む酸化物も同様に非品質となり、十分な耐擦傷性、及び
耐摩耗性が得られる。ＴｚＳｘｘＯウ膜を表１のサンプ
ル１５に一例として示した。
以上、ＺｒＢ．Ｏ，系、ＺｒＳｔｚＯｙ系、ＺｒＢｘＳ
ｉｚＯｙ系等の膜において、上述の高屈折率膜、低屈折
率膜として必要な屈折率を有するように、ＢやＳｉの添
加量を調節すれば良い。
ｉｚＯｙ系等の膜において、上述の高屈折率膜、低屈折
率膜として必要な屈折率を有するように、ＢやＳｉの添
加量を調節すれば良い。
成膜方法としては、特に限定はない。蒸着法、イオンプ
レーティング法、スパッタリング法いずれでも良いが、
大面積の用途には低屈折率用のターゲットとしてＺｒと
Ｓｉの合金ターゲットを用いた直流反応性スパッタリン
グが好ましい。蒸着法、イオンプレーティングの場合は
、蒸発源として混合酸化物をベレット化したものなどを
用いれば良い。
レーティング法、スパッタリング法いずれでも良いが、
大面積の用途には低屈折率用のターゲットとしてＺｒと
Ｓｉの合金ターゲットを用いた直流反応性スパッタリン
グが好ましい。蒸着法、イオンプレーティングの場合は
、蒸発源として混合酸化物をベレット化したものなどを
用いれば良い。
３の膜厚としてはあまり薄いと保護膜としての性能が十
分でな《なるので、少なくとも５０人以上、好ましくは
１００人以上、特に１５０人以上が良い。厚い方は特に
制限はないが、保護膜の屈折率、及びこの干渉による外
観変化、生産性等を考慮して決めれば良い。
分でな《なるので、少なくとも５０人以上、好ましくは
１００人以上、特に１５０人以上が良い。厚い方は特に
制限はないが、保護膜の屈折率、及びこの干渉による外
観変化、生産性等を考慮して決めれば良い。
３の成膜法は蒸着法、イオンプレーティング法、スパッ
タリング法等、いずれも可能である。大面積の用途には
スパッタリング法が膜分布の均一性から有利である。
タリング法等、いずれも可能である。大面積の用途には
スパッタリング法が膜分布の均一性から有利である。
導電膜２は酸化錫を含んだ駿化インジウム（ＩＴＯ）．
フッ素、アンチモンなどをドーブした酸化錫、アルミニ
ウムをドーブした酸化亜鉛、ＣｄｚＳｎＯ＋あるいはク
ロムなどの金属の薄膜など導電性があるものであれば構
わない。膜厚は用途に応じて、また用いる導電膜の比抵
抗を考慮して選べば良い。たとえば帯電防止には数十ｋ
Ω／口から数百ｋΩ／口程度のシート抵抗の膜を、電磁
波シールドには数Ω／口程度のシート抵抗の膜を用いる
。膜の形成法も特に限定はなく真空蒸着法、イオンブレ
ーティング法、スパッタリング法、ＣＶＤ法いずれでも
良いことはいうまでもないことである。導電膜と基？と
の密着力は、特に導電膜の膜厚が厚い場合は問題になる
が、このときは導電層２と基体１との間に接着力向上の
ためにクロム等の薄膜を形成するのは好ましい。また、
導電膜２と保護膜３との間に接着性向上のための薄膜を
介在させてもよい。
フッ素、アンチモンなどをドーブした酸化錫、アルミニ
ウムをドーブした酸化亜鉛、ＣｄｚＳｎＯ＋あるいはク
ロムなどの金属の薄膜など導電性があるものであれば構
わない。膜厚は用途に応じて、また用いる導電膜の比抵
抗を考慮して選べば良い。たとえば帯電防止には数十ｋ
Ω／口から数百ｋΩ／口程度のシート抵抗の膜を、電磁
波シールドには数Ω／口程度のシート抵抗の膜を用いる
。膜の形成法も特に限定はなく真空蒸着法、イオンブレ
ーティング法、スパッタリング法、ＣＶＤ法いずれでも
良いことはいうまでもないことである。導電膜と基？と
の密着力は、特に導電膜の膜厚が厚い場合は問題になる
が、このときは導電層２と基体１との間に接着力向上の
ためにクロム等の薄膜を形成するのは好ましい。また、
導電膜２と保護膜３との間に接着性向上のための薄膜を
介在させてもよい。
［作 用］
本発明の特徴は、基体の最外層に耐久性の優れた非品質
膜を形成することに特徴がある。
膜を形成することに特徴がある。
ＴｉＯ■， ＺｒＯ■などは化学的に安定な材料である
が、結晶性の膜になりやすく、表面が凸凹になり耐擦傷
性が十分でない。また結晶粒界ができるため粒界から水
分、酸、アルカリが浸透し下側にある導電膜が溶解する
こともある。Ｂ， Ｓｉ，などのガラス構成元素を混合
することにより膜を非品質化し表面の平滑性を良くし、
耐擦傷性能を向上させる。更に結晶粒界が消失すること
により、酸、アルカリなどに対する耐久性も向上する。
が、結晶性の膜になりやすく、表面が凸凹になり耐擦傷
性が十分でない。また結晶粒界ができるため粒界から水
分、酸、アルカリが浸透し下側にある導電膜が溶解する
こともある。Ｂ， Ｓｉ，などのガラス構成元素を混合
することにより膜を非品質化し表面の平滑性を良くし、
耐擦傷性能を向上させる。更に結晶粒界が消失すること
により、酸、アルカリなどに対する耐久性も向上する。
Ｃ実施例］
ガラス基体にスパッタリングでＩＴＯ膜を２００人形成
した。その上に保護コートとしてＺｒＳｉａターゲット
を反応性スパッタリングして約２００人のＺｒＳｉｘＯ
ｙ膜を成膜した。このようにしてできた導電性ガラスの
シート抵抗は約４００Ω／口であった。
した。その上に保護コートとしてＺｒＳｉａターゲット
を反応性スパッタリングして約２００人のＺｒＳｉｘＯ
ｙ膜を成膜した。このようにしてできた導電性ガラスの
シート抵抗は約４００Ω／口であった。
この導電性ガラスをＩＮの塩酸、ＮａＯＨに２４時間浸
漬後、抵抗、外観変化をみたが何ら変化は生じなかった
。また砂消しコムでコート面を引っ掻いても傷はつきに
く《優れた耐久性を示した。
漬後、抵抗、外観変化をみたが何ら変化は生じなかった
。また砂消しコムでコート面を引っ掻いても傷はつきに
く《優れた耐久性を示した。
Ｅ比較例］
実施例と同じ＜ ＩＴＯを成膜した後、保護コートを形
成しない導電性ガラスを作った。この導電性ガラスを上
と同様に耐久性テストをしたとこ、酸には膜が溶解して
消失してしまい、砂消しゴムによるこすり試験でも傷が
つきやすく外観的にみても問題となるレベルであった。
成しない導電性ガラスを作った。この導電性ガラスを上
と同様に耐久性テストをしたとこ、酸には膜が溶解して
消失してしまい、砂消しゴムによるこすり試験でも傷が
つきやすく外観的にみても問題となるレベルであった。
ｒ効 果〕
酸、アルカリ、水、紫外線に対して安定な導電性ガラス
ができるのみでなく、耐擦傷性的にも優れている。よっ
て、液晶表示素子やＣＲＴ等のディスプレーのパネルや
冷凍シジーケース用防曇ガラス、帯電防止ガラス、電磁
シールドガラス等の用途に好適な導電性ガラスを提供で
きる。
ができるのみでなく、耐擦傷性的にも優れている。よっ
て、液晶表示素子やＣＲＴ等のディスプレーのパネルや
冷凍シジーケース用防曇ガラス、帯電防止ガラス、電磁
シールドガラス等の用途に好適な導電性ガラスを提供で
きる。
又、Ｓｉ，Ｂ，の含有量を変え、屈折率が調節できるの
で光学設計をして外観的にもある程度の希望の反射率、
色調を得ることが可能である。
で光学設計をして外観的にもある程度の希望の反射率、
色調を得ることが可能である。
このことは複写機の天板ガラスの帯電防止などでは透過
率アップのため重要である。また液晶表示素子などの電
極パターン見え防止にも応用できる。この時同時に異物
などによる上下電極間の短絡防止（クロストーク防止）
も達成できる。
率アップのため重要である。また液晶表示素子などの電
極パターン見え防止にも応用できる。この時同時に異物
などによる上下電極間の短絡防止（クロストーク防止）
も達成できる。
第１図は本発明の導電性ガラスの一例の断面図である。
第２図（ａ）はＺｒＢ＊Ｏｙ膜中のＢの含有量と膜の屈
折率ｎとの関係を示した図である。第２図（ｂ）はＺｒ
ＳｉｚＯｙ膜中のＳｉの含有量とｎとの関係を、第２図
（Ｃ）はＺｒＢｏ２ｘＳｉｚＯｙ膜中のＳＬの含有量と
ｎとの関係を示した図、第２図（ｄ）はＴＩＳ１！０１
１膜中のＳｔの含有量とｎとの関係図である。 １・・・透明基体 ２・・・導電膜 ３・・・保護膜 ！ 第 ４ 図 Ｂ２０３ ＥｒＢズ０６ 月具リζつ （七１
レシζつｚ’ｙｏ２＋ Ｂｘ Ｏ３ 第 ２ 図 （ａ） ＺｒＳ’＝ｚＯ才八真中の 〕 （七１レγ・ジＨｒＯ
ｚ＋ＳｒＯｚ 第２図Ｃｂ） Ｚ汗ｌＳ１７内ハリの Ｓ ｉ Ｏｘ ７ｒＯｘ− ”． Ｓ；Ｏｚ （七ルγ・） 第 ２ 図 （ｃ）
折率ｎとの関係を示した図である。第２図（ｂ）はＺｒ
ＳｉｚＯｙ膜中のＳｉの含有量とｎとの関係を、第２図
（Ｃ）はＺｒＢｏ２ｘＳｉｚＯｙ膜中のＳＬの含有量と
ｎとの関係を示した図、第２図（ｄ）はＴＩＳ１！０１
１膜中のＳｔの含有量とｎとの関係図である。 １・・・透明基体 ２・・・導電膜 ３・・・保護膜 ！ 第 ４ 図 Ｂ２０３ ＥｒＢズ０６ 月具リζつ （七１
レシζつｚ’ｙｏ２＋ Ｂｘ Ｏ３ 第 ２ 図 （ａ） ＺｒＳ’＝ｚＯ才八真中の 〕 （七１レγ・ジＨｒＯ
ｚ＋ＳｒＯｚ 第２図Ｃｂ） Ｚ汗ｌＳ１７内ハリの Ｓ ｉ Ｏｘ ７ｒＯｘ− ”． Ｓ；Ｏｚ （七ルγ・） 第 ２ 図 （ｃ）
Claims (2)
- （１）透明な基体上に基体側から導電膜、保護膜と順次
形成した少なくとも２層膜よりなる導電性ガラスに於い
て、保護膜がＺｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｉｎのう
ち少なくとも１種とＢ、Ｓｉのうち少なくとも１種を含
む酸化物を主成分とする非晶質酸化物よりなることを特
徴とする導電性ガラス。 - （２）導電膜が錫を含む酸化インジウム（ＩＴＯ）、Ｓ
ｎＯ＿２、Ｃｒのうち少なくとも１種を主成分とするこ
とを特徴とする請求項１記載の導電性 ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1224489A JPH03218820A (ja) | 1989-03-07 | 1989-09-01 | 導電性ガラス |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5300989 | 1989-03-07 | ||
| JP1-53009 | 1989-03-07 | ||
| JP1224489A JPH03218820A (ja) | 1989-03-07 | 1989-09-01 | 導電性ガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218820A true JPH03218820A (ja) | 1991-09-26 |
Family
ID=26393696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1224489A Pending JPH03218820A (ja) | 1989-03-07 | 1989-09-01 | 導電性ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03218820A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009179511A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 被膜付きガラス板 |
-
1989
- 1989-09-01 JP JP1224489A patent/JPH03218820A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009179511A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 被膜付きガラス板 |
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