JPH03219209A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH03219209A JPH03219209A JP2080083A JP8008390A JPH03219209A JP H03219209 A JPH03219209 A JP H03219209A JP 2080083 A JP2080083 A JP 2080083A JP 8008390 A JP8008390 A JP 8008390A JP H03219209 A JPH03219209 A JP H03219209A
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- crystal display
- display device
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
- C09K19/58—Dopants or charge transfer agents
- C09K19/582—Electrically active dopants, e.g. charge transfer agents
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、強誘電性液晶を用いた液晶表示装置に関する
。
。
（ロ）従来の技術
液晶の中でもカイラルスメクティックＣ棺の液晶（以下
、ＳｍＣ＊液晶と省略する）は、らせんＩＩ造を持ち、
強誘電性を示す。
、ＳｍＣ＊液晶と省略する）は、らせんＩＩ造を持ち、
強誘電性を示す。
このＳ ｍ Ｃ＊液晶を、ギャップを薄くしたセルに注
入すると、界面の影響を受けてＳ ｍ ＣＩ液晶のら仕
ん構造がほどけ、液晶分子がスメクティック層法線に対
して傾き角θだけ傾いて安定する領域と、液晶分子が逆
方向に一〇だけ傾いて安定する領域とが混在するように
なる。このセル内のＳ 、ｍ Ｃ＊液晶に対して電圧を
印加することによって、液晶分子とその自発分極の向き
を一様に揃えろことができ、印加する電圧の極性を切り
替えることによって液晶分子の配向をある一定の状態か
ら別の状態へと切り替えるスイッチング駆動が可能とな
る。このスイッチング駆動に伴い、セル内のＳ ｍ Ｃ
＊液晶では複屈折光が変化するので、２つの偏光子間に
上記セルを挟むことによって、透過光を制御することが
できる。さらに、電圧の印加を停止しても液晶分子の配
向は界面の配向規制力によって電圧印加停止前の状態に
推持されるので、メモリー効果を得ること乙できる。
入すると、界面の影響を受けてＳ ｍ ＣＩ液晶のら仕
ん構造がほどけ、液晶分子がスメクティック層法線に対
して傾き角θだけ傾いて安定する領域と、液晶分子が逆
方向に一〇だけ傾いて安定する領域とが混在するように
なる。このセル内のＳ 、ｍ Ｃ＊液晶に対して電圧を
印加することによって、液晶分子とその自発分極の向き
を一様に揃えろことができ、印加する電圧の極性を切り
替えることによって液晶分子の配向をある一定の状態か
ら別の状態へと切り替えるスイッチング駆動が可能とな
る。このスイッチング駆動に伴い、セル内のＳ ｍ Ｃ
＊液晶では複屈折光が変化するので、２つの偏光子間に
上記セルを挟むことによって、透過光を制御することが
できる。さらに、電圧の印加を停止しても液晶分子の配
向は界面の配向規制力によって電圧印加停止前の状態に
推持されるので、メモリー効果を得ること乙できる。
そこで、このＳ ｍ Ｃ＊液晶のメモリー効果を利用し
てマルチプレックス駆動方式による高デユーティ−の液
晶表示装置を構成することが従来より試みられている。
てマルチプレックス駆動方式による高デユーティ−の液
晶表示装置を構成することが従来より試みられている。
この液晶表示装置：よ、互いに平行に対向配置された２
枚のガラス基板の互いに対向し合う面にそれぞれ透明電
極か凌数本互いに平行にストライブ状に配列して形成さ
れており、一方のガラス基板の透明電極と、他方のガラ
ス基板の透明電極とは互いに直行する配列とされている
。各ガラス基板の透明電極形成側表面には、さらに絶縁
膜を介して配向膜がそれぞれ形成され、この２枚のガラ
ス基板の間にＳｍＣ＊液晶層を介在して構成されている
。
枚のガラス基板の互いに対向し合う面にそれぞれ透明電
極か凌数本互いに平行にストライブ状に配列して形成さ
れており、一方のガラス基板の透明電極と、他方のガラ
ス基板の透明電極とは互いに直行する配列とされている
。各ガラス基板の透明電極形成側表面には、さらに絶縁
膜を介して配向膜がそれぞれ形成され、この２枚のガラ
ス基板の間にＳｍＣ＊液晶層を介在して構成されている
。
（ハ）発明か解決しようとする課題
以上の如き液晶表示装置においては、液晶分子の自発分
極による分極電荷の偏りが素子内部に電界（分極電場）
を生じ、メモリー状態において分子の配向角度か÷θと
なる状態と−θとなる状態での良好なメモリー効果（双
安定状態でのメモリー効果）を損なうという問題が生じ
る。
極による分極電荷の偏りが素子内部に電界（分極電場）
を生じ、メモリー状態において分子の配向角度か÷θと
なる状態と−θとなる状態での良好なメモリー効果（双
安定状態でのメモリー効果）を損なうという問題が生じ
る。
すなわち、第２図（ａ）に示すようにセル内にはメモリ
ー状態（電圧無印加時）でも遍在する液晶分子の分極Ｅ
ｌによって生じる分極電場が存在するため、同図（ｂ）
に示すように液晶分子は分極電場に応答し、セル内部の
エネルギーが最小となるように配向を変化させる。その
結果、双安定なメモリー状態をとることができなくなる
と考えられろ。第２図においては６１よ液晶分子のＣ−
グイレフターを表す。７１よ液晶分子の自発分極を示す
ものであり、この矢印の先が土掻であり、矢印の先の逆
が一極を表している。８．９はそれぞれ正、負の分極ｉ
ｉｉ荷が遍在する様子を表し、１０は矢印の方向の分極
電場が存在することを示す。
ー状態（電圧無印加時）でも遍在する液晶分子の分極Ｅ
ｌによって生じる分極電場が存在するため、同図（ｂ）
に示すように液晶分子は分極電場に応答し、セル内部の
エネルギーが最小となるように配向を変化させる。その
結果、双安定なメモリー状態をとることができなくなる
と考えられろ。第２図においては６１よ液晶分子のＣ−
グイレフターを表す。７１よ液晶分子の自発分極を示す
ものであり、この矢印の先が土掻であり、矢印の先の逆
が一極を表している。８．９はそれぞれ正、負の分極ｉ
ｉｉ荷が遍在する様子を表し、１０は矢印の方向の分極
電場が存在することを示す。
したがって、本発明の目的は、分極電場によるメモリー
性の低下を防ぎ、双安定なメモリー効果を有する液晶表
示装置を提供することである。
性の低下を防ぎ、双安定なメモリー効果を有する液晶表
示装置を提供することである。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明によれば、表面に透明電極と配向膜とが頓に形成
され１こ一対の基板の間に液晶を介在させて構成される
液晶表示装置において、前記液晶が電子受容体としての
共役系シアノ化合物又は共役系ハロゲン化合物が添加さ
れた強誘電性液晶組成物からなることを特徴とする液晶
表示装置か提供される。
され１こ一対の基板の間に液晶を介在させて構成される
液晶表示装置において、前記液晶が電子受容体としての
共役系シアノ化合物又は共役系ハロゲン化合物が添加さ
れた強誘電性液晶組成物からなることを特徴とする液晶
表示装置か提供される。
この発明においては、電子受容体としての共役系シアノ
化合物又は共役系ハロゲン化合物を添加された強誘電性
液晶組成物が用いられる。
化合物又は共役系ハロゲン化合物を添加された強誘電性
液晶組成物が用いられる。
この強誘電性液晶は、電圧の印加に対して高速の応答速
度で所定の配向を呈し、表示装置のための光の透過また
は遮断を行うためのものであって、分子がキラルで系が
ラセミ体でなく分子長軸と垂直な永久双極子モーメント
が存在しておりＳｃ＊相を呈する液晶物質を用いること
ができ、例えば（Ｓ）−４′ −ｎ−オクチルオキシ−
ビフェニル−４＝カルボン酸−１−トリフルオロメチル
−へブチルエステル、（Ｓ）−４′−ｎ−オクチルオキ
シ−ビフェニル−４−カルボン酸−１−トリフルオロメ
チル−３−フェニル−（トランス）−２−プロペニルエ
ステル、 ＤＯＢＡＭＢＣ（ｐ−デシロキシベンジリデン−ｐアミ
ノ−２−メチルブチルケイ皮酸エステル）、鼠０ＲＡ−
８（Ｓ −４−（６−メチル）オクチルーレゾルンリデ
ンー４′−オクチルアニリン、ＤＯＢＡ −１−ＭＢＣ
（ｐ−デシロキシベンジリデンーｐ −アミノ−Ｌ−メ
チルブチルケイ皮酸エステル） 、ＣＳ−１０１４（以
下チッソ社製）、Ｃ５−１０１３、Ｃ５−１０１７、Ｃ
Ｓ−１０２０等を用いて単独または他の物質を配合して
作製することができる。
度で所定の配向を呈し、表示装置のための光の透過また
は遮断を行うためのものであって、分子がキラルで系が
ラセミ体でなく分子長軸と垂直な永久双極子モーメント
が存在しておりＳｃ＊相を呈する液晶物質を用いること
ができ、例えば（Ｓ）−４′ −ｎ−オクチルオキシ−
ビフェニル−４＝カルボン酸−１−トリフルオロメチル
−へブチルエステル、（Ｓ）−４′−ｎ−オクチルオキ
シ−ビフェニル−４−カルボン酸−１−トリフルオロメ
チル−３−フェニル−（トランス）−２−プロペニルエ
ステル、 ＤＯＢＡＭＢＣ（ｐ−デシロキシベンジリデン−ｐアミ
ノ−２−メチルブチルケイ皮酸エステル）、鼠０ＲＡ−
８（Ｓ −４−（６−メチル）オクチルーレゾルンリデ
ンー４′−オクチルアニリン、ＤＯＢＡ −１−ＭＢＣ
（ｐ−デシロキシベンジリデンーｐ −アミノ−Ｌ−メ
チルブチルケイ皮酸エステル） 、ＣＳ−１０１４（以
下チッソ社製）、Ｃ５−１０１３、Ｃ５−１０１７、Ｃ
Ｓ−１０２０等を用いて単独または他の物質を配合して
作製することができる。
電子受容体としての共役系シアノ化合物又は共役系ハロ
ゲン化合物は、強誘電性液晶又はその組成物に双安定な
メモリー効果を与えるためのものであって、強誘電性液
晶分子の自発分極による分極電荷の偏りが素子内部に作
りだす分極電場を緩和あるいは中和することのできろも
のを用いることができろ。この共役系シアノ化合物は、
シアノ基を有しシアノ基の三重結合と共役しうる炭素二
重結合を有する化合物である。この中でもジクロロジシ
アノベラベンゾキノン（ＤＤＱ）、テトラシアノキノジ
メタン（ＴＣ！ｉＱ）、テトラシアノエチレン（ＴＣＥ
）及びテトラフルオロテトラノアノキノノメタン（ＴＦ
ＴＣＮＱ）は、特に自発分極が２０ （ｎｃ／ｃｍ”）
以下の液晶に対して顕著に双安定なメモリー効果を呈す
るように作用するので好ましい。共役系ノ＼ロゲン化合
物は、例えばジクロロジフルオロキノン、ノクロロアン
トラキノ７等を用いることができる。
ゲン化合物は、強誘電性液晶又はその組成物に双安定な
メモリー効果を与えるためのものであって、強誘電性液
晶分子の自発分極による分極電荷の偏りが素子内部に作
りだす分極電場を緩和あるいは中和することのできろも
のを用いることができろ。この共役系シアノ化合物は、
シアノ基を有しシアノ基の三重結合と共役しうる炭素二
重結合を有する化合物である。この中でもジクロロジシ
アノベラベンゾキノン（ＤＤＱ）、テトラシアノキノジ
メタン（ＴＣ！ｉＱ）、テトラシアノエチレン（ＴＣＥ
）及びテトラフルオロテトラノアノキノノメタン（ＴＦ
ＴＣＮＱ）は、特に自発分極が２０ （ｎｃ／ｃｍ”）
以下の液晶に対して顕著に双安定なメモリー効果を呈す
るように作用するので好ましい。共役系ノ＼ロゲン化合
物は、例えばジクロロジフルオロキノン、ノクロロアン
トラキノ７等を用いることができる。
この電子受容体としての共役系シアノ化合物又よ共役系
ハロゲン化合物の添加量は、強誘電性液晶組成物に対し
て、通常１００〜５０００ｐｐｍとすることができろ。
ハロゲン化合物の添加量は、強誘電性液晶組成物に対し
て、通常１００〜５０００ｐｐｍとすることができろ。
この中でも１００〜５ＧＯｐｐｍの添加量は、基板が７
．５ｃｍ角以上の大きさを有していても良好な双安定性
メモリーを呈し、しかも均一な表示特性を得ることがで
きるので好ましい。５００ｐｐｍを越える添加量は、基
板が小さい場合に良好な双安定性メモリーと均一な表示
特性を得ることができるか、基板を７．５ｃｍ角以上に
大す＜シた場合にクロマト効果によって注入口から遠ざ
かる方向に表示の色調変化やスイッチング挙動等の特性
にムラか生じ、表示の均一性が損なわれろため好ましく
ない この発明の液晶表示装置は、具体的には、まず表面に透
明電極を選択的に形成し、さらにその上に配向膜を形成
した一対の基板をそれらの配向膜が対向し合うように、
通常１〜４μｍの間隔をおいて配置する。次に、このガ
ラス基板間に所定量の電子受容体としての共役系ノアノ
化合物又は兵役系ハロゲン化合物が添加された強誘電性
液晶を注入して作製することができ、前記透明電極に選
択的に電圧を印加することによって強誘電性液晶層を駆
動して所定の文字、画像等を表示して用いることかでき
る。
．５ｃｍ角以上の大きさを有していても良好な双安定性
メモリーを呈し、しかも均一な表示特性を得ることがで
きるので好ましい。５００ｐｐｍを越える添加量は、基
板が小さい場合に良好な双安定性メモリーと均一な表示
特性を得ることができるか、基板を７．５ｃｍ角以上に
大す＜シた場合にクロマト効果によって注入口から遠ざ
かる方向に表示の色調変化やスイッチング挙動等の特性
にムラか生じ、表示の均一性が損なわれろため好ましく
ない この発明の液晶表示装置は、具体的には、まず表面に透
明電極を選択的に形成し、さらにその上に配向膜を形成
した一対の基板をそれらの配向膜が対向し合うように、
通常１〜４μｍの間隔をおいて配置する。次に、このガ
ラス基板間に所定量の電子受容体としての共役系ノアノ
化合物又は兵役系ハロゲン化合物が添加された強誘電性
液晶を注入して作製することができ、前記透明電極に選
択的に電圧を印加することによって強誘電性液晶層を駆
動して所定の文字、画像等を表示して用いることかでき
る。
（ホ）作用
強誘電性液晶に添加された電子受容体としての共役系シ
アノ化合物又は共役系ノ＼ロゲン化合物が液晶分子の自
発分極による分極電荷の偏りによって素子内部に作り出
される分極電場を緩和あるいは中和する。
アノ化合物又は共役系ノ＼ロゲン化合物が液晶分子の自
発分極による分極電荷の偏りによって素子内部に作り出
される分極電場を緩和あるいは中和する。
（へ）実施例
以下、図面に示す実施例に基づき本発明をさらに具体的
に説明する。
に説明する。
実施例１
第１図に示すように、ガラス基板１ａ、ｌｂの上に透明
電極２ａ、２ｂを形成し、この上に東京応化社製、ＯＣ
Ｄ ＴＹＰＥ−■をスピンナーを用いて塗布し焼成する
ことによって５ｉ０ｚの絶縁膜３を形成する。次に、こ
の上にナイロン６（東し社製）の１％メタクレゾール溶
液をスピンナーを用し）で塗布し焼成しラビング処理を
して配向［４λ、４ｂを形成する。このようにして形成
した２枚の基板を２０μｍの間隔に対向させてセル化し
、このセルの中にノクロロジシアノバラベンゾキノン（
ＤＤＱ）を３５０ｐｐｍ添加した強誘電性液晶（チッソ
社製、Ｃ５−１０１４、自発分極５．４ｎＣ／ｃｍ”）
を注入して素子を形成した。
電極２ａ、２ｂを形成し、この上に東京応化社製、ＯＣ
Ｄ ＴＹＰＥ−■をスピンナーを用いて塗布し焼成する
ことによって５ｉ０ｚの絶縁膜３を形成する。次に、こ
の上にナイロン６（東し社製）の１％メタクレゾール溶
液をスピンナーを用し）で塗布し焼成しラビング処理を
して配向［４λ、４ｂを形成する。このようにして形成
した２枚の基板を２０μｍの間隔に対向させてセル化し
、このセルの中にノクロロジシアノバラベンゾキノン（
ＤＤＱ）を３５０ｐｐｍ添加した強誘電性液晶（チッソ
社製、Ｃ５−１０１４、自発分極５．４ｎＣ／ｃｍ”）
を注入して素子を形成した。
この素子を２枚の偏光子に挟んで作製した液晶表示素子
は、第３図に示すように、しきい値Ｉくルス幅が小さく
メモリー保存面積が高い値を示し、マトリクス電極の絵
素部で良好な双安定メモリーを呈することが観察されｆ
二。
は、第３図に示すように、しきい値Ｉくルス幅が小さく
メモリー保存面積が高い値を示し、マトリクス電極の絵
素部で良好な双安定メモリーを呈することが観察されｆ
二。
実施例２
実施例１において、ＤＤＱの添加量を３５０ｐｐｍにす
る代わりに、１００，２００，５００．ＬＯＯＯ，２０
００及び５０００ｐｐｍの６水準に変更し、この他：よ
実施例１と同様にして６種類の液晶表示装置を作製した
。
る代わりに、１００，２００，５００．ＬＯＯＯ，２０
００及び５０００ｐｐｍの６水準に変更し、この他：よ
実施例１と同様にして６種類の液晶表示装置を作製した
。
この結果、いずれらマトリクス電極の絵素部で良好な双
安定メモリーを呈しｆ二。また、この中でもＤＤＱの添
加量を２００ｐｐｎまｆコは５００ｐｐｍとして作製し
た液晶表示装置は、より良い双安定性メモリーを呈した
。
安定メモリーを呈しｆ二。また、この中でもＤＤＱの添
加量を２００ｐｐｎまｆコは５００ｐｐｍとして作製し
た液晶表示装置は、より良い双安定性メモリーを呈した
。
実施例３
実施例１において、ＤＤＱを用いる代わりに、テトラシ
アツキツノメタン（ＴＣＮＱ）、テトラシアノエチレン
（ＴＣＥ）、テトラフルオロテトラシアノキノノ） ’
） ：／ （ＴＰＴＣＮＱ）、ジクロロジフルオロキノ
ン及びノクロロアントラキノンの５水準に変更し、この
池は実施例１と同様にして５種類の液晶表示装置を作製
した。
アツキツノメタン（ＴＣＮＱ）、テトラシアノエチレン
（ＴＣＥ）、テトラフルオロテトラシアノキノノ） ’
） ：／ （ＴＰＴＣＮＱ）、ジクロロジフルオロキノ
ン及びノクロロアントラキノンの５水準に変更し、この
池は実施例１と同様にして５種類の液晶表示装置を作製
した。
これらの液晶表示装置は、良好な双安定性メモリーを呈
した。
した。
実施例４
実施例１において、液晶としてＣＳ−１０１４（チッソ
社製）を用いろ代わりに、ＣＳ７１０１３ （チツ゛）
社製、自発分極１８ｎｃ／ｃｍ’）及びＣＳ−１０＋７
（チー／ ソ社製、自発分極７．１ｎＣ／ｃｍ” ）の
２水準に変更し、この他は実施例１と同様にして２種類
の液晶表示装置を作製した。
社製）を用いろ代わりに、ＣＳ７１０１３ （チツ゛）
社製、自発分極１８ｎｃ／ｃｍ’）及びＣＳ−１０＋７
（チー／ ソ社製、自発分極７．１ｎＣ／ｃｍ” ）の
２水準に変更し、この他は実施例１と同様にして２種類
の液晶表示装置を作製した。
これらの液晶表示装置は、良好な双安定性メモリーを呈
した。
した。
比較例１
実施例１において、ＤＤＱを添加した強誘電性液晶を用
いる代わりに、ＤＤＱを添加しない強誘電性液晶を用い
、この池は実施例１と同様にして液晶表示装置を作製し
た。
いる代わりに、ＤＤＱを添加しない強誘電性液晶を用い
、この池は実施例１と同様にして液晶表示装置を作製し
た。
この液晶表示装置は、第３図に示すようにしきい値パル
ス幅が大きく、メモリー保持面積が低かった。
ス幅が大きく、メモリー保持面積が低かった。
実施例１５
素子構成は第１８：Ｊに示す素子と同等である。絶縁膜
＋！ＳＬＯ＊（東京応化社製、Ｏ（１：Ｄ ＴＹＰＥ
−１）をスピンナー塗布、焼成し、ＰＳＴ−ＸＳＯ１２
をスピンナー塗布、焼成して、配向膜を形成した。この
ようにして形成した２枚の基板に、ラビング処理をし、
パネルの厚さが２．０μｍになるようにし、テトラフル
オロテトラシアノキノジメタン（ＴＦＴＣＮＱ）を２０
０ｐｐｍ添加した液晶（メルク社製、ＺＬ１４２３７１
０００）を注入した。
＋！ＳＬＯ＊（東京応化社製、Ｏ（１：Ｄ ＴＹＰＥ
−１）をスピンナー塗布、焼成し、ＰＳＴ−ＸＳＯ１２
をスピンナー塗布、焼成して、配向膜を形成した。この
ようにして形成した２枚の基板に、ラビング処理をし、
パネルの厚さが２．０μｍになるようにし、テトラフル
オロテトラシアノキノジメタン（ＴＦＴＣＮＱ）を２０
０ｐｐｍ添加した液晶（メルク社製、ＺＬ１４２３７１
０００）を注入した。
この素子を２枚の偏光子に挟んで観察したところ、７．
５ｃｍ角以上の大きさの基板を用いてもマトリクス電極
の絵素部で良好な双安定メモリーを呈し、しかも均一な
表示特性を得ることができた。
５ｃｍ角以上の大きさの基板を用いてもマトリクス電極
の絵素部で良好な双安定メモリーを呈し、しかも均一な
表示特性を得ることができた。
実施例６
実施例５においてテトラフルオロテトラシアノキノジメ
タン（ＴＦＴＣＮＱ）を用いる代わりに、ジクロロジシ
アノバラベンゾキノン（ＤＤＱ）、テトラシアノキノジ
メタン（ＴＣＮＱ） 、テトラシアノエチレン（ＴＣＥ
）、ジクロロジフルオロキノン、ジクロロアントラキノ
ンに変更し、この池は実施例５と同様にして５種類の液
晶表示装置を作成した。これらの素子はいずれも実施例
５と同様に良好な双安定メモリーを呈し、しかも均一な
表示特性を得ることかできた。
タン（ＴＦＴＣＮＱ）を用いる代わりに、ジクロロジシ
アノバラベンゾキノン（ＤＤＱ）、テトラシアノキノジ
メタン（ＴＣＮＱ） 、テトラシアノエチレン（ＴＣＥ
）、ジクロロジフルオロキノン、ジクロロアントラキノ
ンに変更し、この池は実施例５と同様にして５種類の液
晶表示装置を作成した。これらの素子はいずれも実施例
５と同様に良好な双安定メモリーを呈し、しかも均一な
表示特性を得ることかできた。
実施例７
実施例５においてテトラフルオロテトラシアノキノジメ
タン（ＴＰＴＣＮＱ）を２００ｐｐｍ添加する代わりに
ジクロロジシアノバラベンゾキノン（ＤＤＱ）、テトラ
シアツキツノメタン（ＴＣＮＱ） 、テトラシアノエチ
レン（ＴＣＥ）、テトラフルオロテトラシアノキノジメ
タン（ＴＦＴＣＮＱ） 、ジクロロジフルオロキノン、
ジクロロアントラキノンをそれぞれについてｌｏｏｐｐ
ｍ及び５００ｐｐｍの添加に変更し、この他は実施例５
と同様にして１２２種類液晶表示装置を作成した。これ
らの素子はいずれも実施例５と同機に良好な双安定メモ
リーを呈し、しかも均一な表示特性を得ることができた
。
タン（ＴＰＴＣＮＱ）を２００ｐｐｍ添加する代わりに
ジクロロジシアノバラベンゾキノン（ＤＤＱ）、テトラ
シアツキツノメタン（ＴＣＮＱ） 、テトラシアノエチ
レン（ＴＣＥ）、テトラフルオロテトラシアノキノジメ
タン（ＴＦＴＣＮＱ） 、ジクロロジフルオロキノン、
ジクロロアントラキノンをそれぞれについてｌｏｏｐｐ
ｍ及び５００ｐｐｍの添加に変更し、この他は実施例５
と同様にして１２２種類液晶表示装置を作成した。これ
らの素子はいずれも実施例５と同機に良好な双安定メモ
リーを呈し、しかも均一な表示特性を得ることができた
。
実施例８
実施例５において、テトラフルオロテトラシアノキノジ
メタン（ＴＦＴＣＮＱ）を２００ｐｐｍ添加した強誘電
性液晶を用いる代わりに、ジクロロジシアノバラベンゾ
キノン（ＤＤＱ）、テトラシアノキノジメタン（Ｔ Ｃ
Ｎ Ｑ ） 、テトラシアノエチレン（ＴｃＥ）、テト
ラフルオロテトラシアノキノジメタン（ＴＦＴＣＮＱ）
、ジクロロジフルオロキノン、ジクロロアントラキノン
を各々１１０００ｐｐ添加した強誘電性液晶用い実施例
５と同様にして６種類の表示装置を作成した。これらの
液晶表示装置は、４．５ｃｍ角以下の大きさの基板を用
いた場合は良好な双安定メモリーを呈し、しかも均一な
表示特性を得たが、基板が４．５ｃｎ＋角より大きくな
ると装置全面に対して注入口付近の色調が異なり又、ス
イッチング等の特性も注入口から遠ざかる方向にムラが
生じた。
メタン（ＴＦＴＣＮＱ）を２００ｐｐｍ添加した強誘電
性液晶を用いる代わりに、ジクロロジシアノバラベンゾ
キノン（ＤＤＱ）、テトラシアノキノジメタン（Ｔ Ｃ
Ｎ Ｑ ） 、テトラシアノエチレン（ＴｃＥ）、テト
ラフルオロテトラシアノキノジメタン（ＴＦＴＣＮＱ）
、ジクロロジフルオロキノン、ジクロロアントラキノン
を各々１１０００ｐｐ添加した強誘電性液晶用い実施例
５と同様にして６種類の表示装置を作成した。これらの
液晶表示装置は、４．５ｃｍ角以下の大きさの基板を用
いた場合は良好な双安定メモリーを呈し、しかも均一な
表示特性を得たが、基板が４．５ｃｎ＋角より大きくな
ると装置全面に対して注入口付近の色調が異なり又、ス
イッチング等の特性も注入口から遠ざかる方向にムラが
生じた。
（ト）発明の効果
この発明によれば、分極電場によるメモリー性の低下が
なく、双安定なメモリー効果を有する液晶表示装置を提
供することができる。
なく、双安定なメモリー効果を有する液晶表示装置を提
供することができる。
第１図は、この発明の液晶表示装置の説明図、第２図は
、強誘電性液晶素子の分極電場に起因するメモリーの不
安定性を示す説明図、第３図は、この発明の実施例１〜
４における素子と比較例の素子の±ＩＯＶの双極パルス
によるスイッチング条件およびメモリー状態の保持面積
の変化を示す図である。 Ｉａ、ｌｂ・・・・・ガラス基板、 ２ａ、２ｂ・・・・・・透明電極、３・・・・・・絶縁
膜、４ａ、４ｂ・・・・配向膜、 ５・・・・・・強誘電性液晶層、 ６・・・・・・液晶分子のグイレフター７・・・・・自
発分極、 ８・・・・・・正の分極電荷、９・・・
・・負の分極電荷、ＩＯ・・・・・・分極電場。 しごいイ直ハ０ル入幅（ｐｓｅｃ）
、強誘電性液晶素子の分極電場に起因するメモリーの不
安定性を示す説明図、第３図は、この発明の実施例１〜
４における素子と比較例の素子の±ＩＯＶの双極パルス
によるスイッチング条件およびメモリー状態の保持面積
の変化を示す図である。 Ｉａ、ｌｂ・・・・・ガラス基板、 ２ａ、２ｂ・・・・・・透明電極、３・・・・・・絶縁
膜、４ａ、４ｂ・・・・配向膜、 ５・・・・・・強誘電性液晶層、 ６・・・・・・液晶分子のグイレフター７・・・・・自
発分極、 ８・・・・・・正の分極電荷、９・・・
・・負の分極電荷、ＩＯ・・・・・・分極電場。 しごいイ直ハ０ル入幅（ｐｓｅｃ）
Claims (1)
- １、表面に透明電極と配向膜とが順に形成された一対の
基板の間に液晶を介在させて構成される液晶表示装置に
おいて、前記液晶が電子受容体としての共役系シアノ化
合物又は共役系ハロゲン化合物が添加された強誘電性液
晶組成物からなることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2080083A JP2746456B2 (ja) | 1989-09-14 | 1990-03-27 | 液晶表示装置 |
| KR1019900014332A KR910006762A (ko) | 1989-09-14 | 1990-09-12 | 액정표시장치 |
| EP90117675A EP0417794B1 (en) | 1989-09-14 | 1990-09-13 | Liquid crystal display device |
| DE69011021T DE69011021T2 (de) | 1989-09-14 | 1990-09-13 | Flüssigkristall Anzeigevorrichtung. |
| US07/927,606 US5350537A (en) | 1989-09-14 | 1992-08-10 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23959089 | 1989-09-14 | ||
| JP1-239590 | 1989-09-14 | ||
| JP2080083A JP2746456B2 (ja) | 1989-09-14 | 1990-03-27 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03219209A true JPH03219209A (ja) | 1991-09-26 |
| JP2746456B2 JP2746456B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=26421126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2080083A Expired - Fee Related JP2746456B2 (ja) | 1989-09-14 | 1990-03-27 | 液晶表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5350537A (ja) |
| EP (1) | EP0417794B1 (ja) |
| JP (1) | JP2746456B2 (ja) |
| KR (1) | KR910006762A (ja) |
| DE (1) | DE69011021T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| DE60221671T2 (de) | 2002-10-23 | 2008-04-30 | Sony Deutschland Gmbh | Negativtypflüssigkristalle enthaltend Dotierstoffe |
| DE102004004047B3 (de) * | 2004-01-27 | 2005-09-08 | Infineon Technologies Ag | Resistiv arbeitender Speicher für Low-Voltage-Anwendungen |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61133285A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-20 | Sharp Corp | スメクチツクｃ▲＊▼液晶組成物 |
| JPS6462386A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-08 | Japan Carlit Co Ltd | Method for increasing electric field response rate of liquid crystal material |
Family Cites Families (14)
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|---|---|---|---|---|
| US3932298A (en) * | 1973-07-19 | 1976-01-13 | Temple University | Nematic liquid crystals with charge-transfer acceptors as dopants |
| DE2731263A1 (de) * | 1976-07-13 | 1978-01-26 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines polymeren oder mischpolymeren aus einem norbornenderivat und katalysator dafuer |
| JPS5511545A (en) * | 1978-07-12 | 1980-01-26 | Ajinomoto Co Inc | Novel cyano-substituted diphenoxyquinone and its preparation |
| JPS56139579A (en) * | 1980-04-03 | 1981-10-31 | Toshiba Corp | Liquid crystal display device |
| JPS56139578A (en) * | 1980-04-03 | 1981-10-31 | Toshiba Corp | Liquid crystal display device |
| EP0106175B1 (en) * | 1982-09-30 | 1988-12-07 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Electrically conductive liquid crystalline substance and polymer |
| US4535042A (en) * | 1983-02-24 | 1985-08-13 | Hiroyuki Kitayama | Electrophotographic photosensitive member with electron donor and acceptor layers |
| US4907859A (en) * | 1983-11-15 | 1990-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and image forming apparatus utilizing liquid crystal device |
| FR2564231B1 (fr) * | 1984-05-10 | 1986-09-05 | Commissariat Energie Atomique | Films conducteurs de l'electricite comprenant au moins une couche monomoleculaire d'un complexe organique a transfert de charge et leur procede de fabrication |
| DE3490738T1 (de) * | 1984-07-24 | 1986-11-20 | General Scanning Inc., Watertown, Mass. | Steller mit Ausgleich-Induktionsfluß-Weg |
| JPS6348388A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクテイブマトリクス型液晶表示素子 |
| US4879059A (en) * | 1986-09-02 | 1989-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| US4867538A (en) * | 1987-03-20 | 1989-09-19 | Hoechst Celanese Corp. | Organic nonlinear optical media |
| EP0365255B1 (en) * | 1988-10-19 | 1996-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ferroelectric liquid crystal composition and liquid crystal display device |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP2080083A patent/JP2746456B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-12 KR KR1019900014332A patent/KR910006762A/ko not_active Ceased
- 1990-09-13 EP EP90117675A patent/EP0417794B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-13 DE DE69011021T patent/DE69011021T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-08-10 US US07/927,606 patent/US5350537A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61133285A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-20 | Sharp Corp | スメクチツクｃ▲＊▼液晶組成物 |
| JPS6462386A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-08 | Japan Carlit Co Ltd | Method for increasing electric field response rate of liquid crystal material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0417794B1 (en) | 1994-07-27 |
| JP2746456B2 (ja) | 1998-05-06 |
| EP0417794A3 (en) | 1992-02-26 |
| US5350537A (en) | 1994-09-27 |
| EP0417794A2 (en) | 1991-03-20 |
| KR910006762A (ko) | 1991-04-30 |
| DE69011021D1 (de) | 1994-09-01 |
| DE69011021T2 (de) | 1995-03-16 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |