JPH0321926A - 光書込型液晶ライトバルブ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光パターン認識や光連想などにおいて、光学的
フーリエ変換像を処理するために用いる光書込型液晶ラ
イトバルブに関する。

〔発明の概要〕

本発明はレーザビーム，ＬＥＤなどの光による書込手段
と、光導電層，光反射層，液晶配向層．液晶層，電圧印
加手段が形成された光書込型液晶ライトバルブにおいて
、上記光導電層の光導電率が面内で中心対称に分布して
おり面内の中心から離れるに従って大きくすることによ
り光書込される情報の空間周波数戒分の大きさを任意に
制御することを可能とし、特に上記光導電層をステップ
状にすることにより本発明の液晶ライトバルプの製造を
容易にすると共に、本液晶ライトバルブに用いる液晶層
に双安定メモリ性を有する強誘電液晶とすることにより
フーリエ変換像の二値記録を容易に実現でき感度の高い
光パターン認識を実現する手段を提供するものである。

〔従来の技術〕

従来より、解像度とコントラストの大きな光書込型液晶
ライトバルプを相関光学に適用して光パターン認識を行
う提案や試みが数多くなされてきた。また、合同変換相
関器を用いた光パターン認識ではフーリエ変換面で二値
化処理を行うことによって相互相関ピークに対するＳＮ
Ｒが向上するという提案もなされてきた〔Ｂ．ジャビデ
ィ、Ｃ．ｌ．クオ、アプライド・オプチソクス、２７、
６６３（１９８８）　　：　Ｂ．Ｊａｖｉｄｉ　ａｎｄ
　Ｃ．　Ｊ．　Ｋｕｏ，　Ａｐｐｌ．Ｏｐｔ，２７，　
６３３（１９８８）　）。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、従来の光書込型液晶ライトバルブはＴＮ
液晶を用いているものが大部分であり、一値化処理され
たフーリエ変換像の記録を行うためにぱあらかしめフー
リエ変換像をＣＣＤなどを用いて電気系に取り込み二値
化処理をした後レーザスキャナなどの走査光学系を用い
て光書込型液晶ライｌ・バルブに記録しなければならな
かった。

また、本発明に見られるような双安定メモリ性を有する
強誘電性液晶を用いた光書込型液晶ライトバルブを用い
るとしてもフーリエ変換像の光強度分布が中心対称に急
激に変化しているために高い空間周波数まで二値化記録
したい場合は極めて強い光を用いてフーリエ変換像を作
り出すが、もしくは長時間露光を行わねばならなかった
ため、逆に低い空間周波数５貫域のフーリエ変換像が潰
れてしまうという問題点を有していた。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の液晶ライトバルブは光導電層の光導電率が面内
で連続的にあるいはステノプ状に中心対称に分布してお
り面内の中心から離れるに従って光導電率が大きくなる
ようにしてフーリエ変換像の高周波威分に対する光導電
層の光感度を向上させることにより実質的に広い空間周
波数帯域にわたってフーリエ変換像を記録することを可
能とし上記問題点を解決した． 〔作用〕 本発明の液晶ライトバルブは、一度液晶ライトバルブの
書込面全面を光照射し、中心対称の光導電率を持った光
導電層の明時のしきい値電圧の最大値よりも十分に高い
直流バイアス電圧あるいは１００Ｈｚ〜５０ｋＨｚの交
流電圧を重畳した直流バイアス電圧を電圧印加手段に印
加して強誘電性液晶を一方向の安定状態までそろえ、そ
の，状態をメモリさせるか、もしくは光照射無しで、暗
時のしきい値電圧の最大値よりも十分に高い直流バイア
ス電圧あるいは１００Ｈｚ〜５０　ｋ　Ｈｚの交流電圧
を重畳した直流バイアス電圧を電圧印加手段に印加して
強誘電性液晶を一方向の安定状態までそろえその状態を
メモリさせる第一の工程と、光照射無しで、暗時には光
導電層のしきい値電圧の最小値以下であり、光照射時に
は光導電層のしきい値電圧の最大値以上となる逆極性の
直流バイアス電圧あるいは１００Ｈｚ〜５０　ｋ　ｌ｛
ｚの交流電圧を重畳した直流バイアス電圧を電圧印加手
段に印加しながら、レーザ光等によって画像の光書込を
する第二の工程を行う．第二の工程ではレーザ照射を受
けた領域の光導電層にはキャリアが発生し、発生したキ
ャリアは直流バイアス電圧により電界方向にドリフトし
、その結果、光導電層のしきい値電圧が下がり、レーザ
照射が行われた領域にはしきい｛Ｉ！！電圧以上の逆極
性のバイアス電圧が印加され、強誘電性ｌ夜品は自発分
極の反転に伴う分子の反転が起こり、もう一方の安定状
態に移行し画像がメモリされる。この画像がフーリエ変
換像のように中心部の光強度が大きな中心対称の光強度
分布を持っていても本発明の液晶ライトバルブの光導電
層の光導電率は面内で中心対称に分布しており、面内の
中心から離れるに従って大きくなっているため広い空間
周波数領域のフーリエスペクトルを鮮明にメモリするこ
とができる。このようにして形成されたフーリエ変換像
は、第一の工程によってそろえられたＣダイレクタの方
向（またはそれと直角方向）に偏光軸を合わせた直線偏
光の投影光の照射および光反射層による反射光の偏光方
向に対し、偏光軸が垂直に（または平行に）なるように
配置された検光子を通した投影により、スクリーン上に
読みだすことができる． また、前記第二の工程終了後、再び極性を反転させ、暗
時のしきい値電圧の最小値以下であり、明時のしきい値
電圧の最大値以上である直流バイアス電圧を印加しなが
ら光照射を行うことにより、部分消去（部分書込）も行
える． 光導電層としては、電子の移動度が大きく暗時の抵抗率
および光照射時の導電率が高く、かつ熱的に安定なａ−
Ｓｔ：Ｈ膜が特に優れた特性を与えることができる。

〔実施例〕

以下に本発明の液晶ライトバルブの実施例を図面を用い
て詳細に説明する。第Ｆ図は、本発明による液晶ライト
バルプの構造を示す断面図である．従来の液晶ライトバ
ルブと構造が異なる部分は液晶層として光透過率または
光反射率と印加電圧の間に明瞭な双安定性を有する強誘
電性を用い、かつ光導ｔｉの光導電率が中心対称に分布
していることである． 液晶分子を扶持するためのガラスやプラスチック等の透
明基板１ａ，ｌｂは、表面に透明電極層２ａ．２ｂ．透
明基板の法線方向から７５度から８５度の範囲の角度で
一酸化砒素を斜方草着した配向ｌｌ＃層３ａ，３ｂが設
けられている．透明基板１ａと１ｂはその配向膜層３ａ
，３ｂ側を、スベーサ９を介して間隙を制御して対向さ
せ、’ＡＲＭ電性ｌ＆品層４を挟持するようになってい
る。

また、光による書込側の透明電極Ｎｚａ上には光導電層
５．遮光層６．強電体ミラー７が配向膜３ａとの間に積
層形成され、書込側の透明基板】ａと読みだし側の透明
基板１ｂのセル外面には、無反射コーティング１ｉ８ａ
．８ｂが形成されている． 光導電層５の光導電率は面内で中心対称に分布しており
面内の中心から離れるに従って大きくなるように作製し
た．第２図は光導電率が中心対称分布を持つ場合の光導
電層のしきい値電圧分布図である。第２図に示すように
光導電膜の暗時のしきい値電圧は面内の中心付近で最大
値ｖＩｌを取り中心から離れるに従ってしだいに小さく
なる．また、光導１ｉ膜の明時のしきい値電圧も同様に
面内の中心付近で最大値■，を取り中心から離れるに従
ってしだいに小さくなる．従って、作用で説明した第二
の工程に示すように、暗時において光導電膜のしきい値
電圧の最小値よりも小さな逆極性の直流バイアス電圧あ
るいは１００Ｈｚ〜５０ｋＨｚの交流電圧を重畳した直
流バイアス電圧ｖ１が透明電極層２ａと遮光層６の間に
分圧されるように透明電極Ｎ２　ａと透明電極層２ｂの
間に電圧を印加しながら、レーザ光を用いて所定の画像
のフーリエ変換像を透明基板１ａの側から照射すると、
フーリエ変換像が照射された領域の光導電層にはキャリ
アが発生し、発生したキャリアは直流バイアス電圧ｖ１
により電界方向にドリフトし、その結果、光導電層のし
きい値電圧が下がり、第２図の明時のしきい値電圧で示
す曲線のようにフーリエ変換像が照射された領域にはし
きい値電圧以上の逆特性のバイアス電圧が印加され、強
誘電性液晶は自発分極の反転に伴う分子の反転が起こり
、もうー方の安定状態に移行しフーリエ変換像がメモリ
される．この時、本発明の液晶ライトバルブの光導電層
の光導電率は、面内で中心対称に分布しており面内の中
心から離れるに従って大きくなっているため、第２図に
示すようにフーリエ変換像が照射されている領域の内、
面内の中心から離れるに従って実効的な光感度が大きく
なるために、フーリエ変換像の低周波威分よりも高周波
或分の方が高感度で記録されることになる。一方、光学
的フーリエ変換像の光強度は一般的に高周波戒分領域に
なるにつれて急激に減衰するような分布となる．第３図
に一般的な光学的フーリエ変換像の光強度分布図を示す
。一般的には、第３図に示すような光学的フーリエ変換
像の隣り合った次数のピークの強度比は１４１０程度で
ある。

従って、以上述べた本発明の液晶ライトバルブの記録特
性を用いればフーリエ変換像の高周波威分の光強度が第
３図に示すように急激に減少しても従来の液晶ライトバ
ルブ以上に正確にフーリエ変換像の高周波成分を記録で
きるために、本発明の液晶ライトバルブに記録されたフ
ーリエ変換像を用いて、光学的相関処理を行ってパター
ン認識を行うことにより複雑な画像パターン認識が可能
となった． 次に、本発明の液晶ライトバルブの製造方法の一実施例
について簡単に説明する．まず、透明基仮ｌａ，ｌｂと
して透明ガラス基板を用意し、透明電極層２ａ，２ｂと
して当該ガラス基板の表面にＩＴＯｉ３明電極層を形成
した。また、光書込側透明電極１ｉ　２　ａ上にはＳｉ
Ｆ．を主体とするガスを放電分解して厚さ３μｍのイン
トリンシックな水素化アモルファスシリコンを形成した
後、ホウ素イオン，酸素イオンあるいは窒素イオンをイ
オン注入して中心対称な光導電率分布を光導電膜層に付
与する。第４図に光導電率が中心対称分布を持つ光導電
膜の作製原理を示す。第４図において透明基板１ａの上
に透明電極１ｉ２ａを形成し、さらにイントリンシック
な水素化アモルファスシリコンを用いた光導電層５を形
成した基板をイオンガンに近接して配し上記のホウ素イ
オン，窒素イオンあるいは酸素イオンなどの注入イオン
１２を光導電膜に打ち込む。このとき、イオンガン１３
のイオン出射口が透明基板１ａを見込む角度は充分大き
いため光導電膜に打ち込まれる注入イオン１２の数密度
分布はガウス分布に近くなる．このようなイオン注入処
理をされた水素化アモルファスシリコンの光導電膜の光
導電率は面内で中心対称に分布しており面内の中心から
離れるに従って大きくなることがわかった。言うまでも
なくイオン注入する前のイントリンシンクな水素化アモ
ルファスシリコンは最も大きな光導電率を有する組成で
作製した。

このようにして作製した光導電率が中心対称分布を持つ
光導電膜の上に遮光層６を設け、さらにＳｉとＳｉｎ．
を１５層積層して光反射層としての誘電体ミラー７を形
成した。誘電体ミラーの可視光反射率が充分大きく先導
１１１５に対して読みだし光の影響が極めて小さい場合
には遮光層６を省略することができる． さらに、誘電体ミラー７および読みだし側の透明電極２
ｂの上に一酸化珪素（Ｓ　ｉ　Ｏ）を、基板と蒸着源を
結ぶ直線が基板の法線方向に対して８２度の角度になる
ようにセットし、かつ蒸着の法線方向にセットした水晶
振動子式膜厚計で膜厚を計測しながら、２０００人の厚
さに斜方蒸着して液晶配向Ｎ３ａ，３ｂを形成した，透
明基板１ａ，ｌｂはその配向膜層３ａおよび３ｂ側を対
向させ、直径１．５μｍのグラスファイバーを加えた接
着剤よりなるスベーサ９を介して間隙を制御，形成し、
強誘電性液晶Ｎ４を扶持するようにした．封入した強誘
電性組成物は、エステル系ＳｍＣ液晶混合物に光学活性
物質を添加して強誘電性液晶組Ｔｔｉ．物としたもので
ありエステル系ＳｍＣ液晶混合物として、４−（（４′
−オクチル）フエニル）安息香酸（３＃−フルオロ．４
＃−オクチルオキシ）フエニルエステルと、４−　（（
４’−オクチルオキシ）フエニル）安息香酸（３＃−フ
ルオロ．４“オクチルオキシ）フエニルエステルをｌ：
ｌで混合したものを用い、これに光学活性物質として５
−オクチルオキシナフタレンカルボン酸，ｌ′ーンアノ
エチルエステルを２５重量％加えて強誘電性液晶＆Ｉｌ
戒物としたものを用いた。

以上のようにして作製した液晶ライトバルブを用いて行
った光パターン認識の一実施例を説明する．第５図は本
発明の液晶ライトバルブを用いた光パターン認識装置の
原理構或図である。第５図において第１のレーザ光源１
５から出射されたコヒーレント光は第１のビームエキス
パンダｌ６によって所定のビーム径に拡大された後、相
関像と被相関像が並べて記録してある写真フィルム１７
に照射され、第１のフーリエ変換レンズ１８でフーリエ
変換されて本発明の液晶ライトバルブ１９の書込面に照
射される。本発明の液晶ライトバルプぱあらかしめ暗時
のしきい値電圧の最小値あるいは明時のしきい値電圧の
最大値よりも高い電圧を印加して一様に消去されている
。そして、上記フーリエ変換されたレーザ光が本発明の
液晶ライトバルプ１つの書込面に照射されたとき本発明
の液晶ライトバルブに暗時のしきい値電圧の最小値と明
時のしきい値電圧の最大値の間の逆特性の直流バイアス
電圧あるいは１〜５Ｑ　ｋ　Ｈｚの交流電圧を重畳した
直流バイアス電圧を所定の時間印加して写真フィルム１
７に記録されている相関像と被相関像のフーリエ変換像
を記録する．もちろんこの時、本発明の液晶ライトバル
ブ１９には暗時のしきい値電圧の最小値と明時のしきい
値電圧の最大値の間の逆特性の直流バイアス電圧あるい
は１〜５０ｋＨｚの交流電圧を重畳した直流バイアス電
圧を印加したままで、第１のレーザ光源ｌ５を所定の時
間だけＯＮさせるか、あるいは第１のレーザ光源１５と
本発明の液晶ライトバルブの間の光路の所定の位置に配
した光シャッタを所定の時間だけＯＮさせてもよい。次
に、第２のレーザ光源２０からコヒーレント光を出射し
た後、第２のビームエキスパンダ２１でビームを所望の
径に拡大し偏光ビームスブリフタ２２により光路を切り
替え本発明の液晶ライトバルブ１９の読みだし面に照射
する。この時、本発明の液晶ライトバルブには上述した
相関像と被相関像のフーリエ変換像が記録されており、
なんらバイアス電圧は印加されていない．従って読みだ
し面に照射された第２のレーザ光源からの光において、
フーリエ変換像が記録されている領域に照射された光は
偏光面を９０度回転させて読みだされ偏光ビームスプリ
ソタ２２を透過し、フーリエ変換像が記録されていない
領域に照射された光はその偏光面に影響を受けないため
に再び偏光ビームスプリノタ２２で反射される。つまり
、偏光ビームスプリンタ２２をｉ３過した直後の光は写
真フィルム１７に記録された相関像と被相関像のフーリ
エ変換の強度情報となるのである。このようにして読み
だされた相関像と被相関像のフーリエ変換の強度情報は
第２のフーリエ変換レンズ２３で再びフーリエ変換され
ＣＣＤカメラ２４で読みだされる。このようにＣＣＤカ
メラで読みだされた情報はビデオモニター２５で観察で
き、この観察される情報は相関像と被相関像の自己相関
ピークおよび相互相関ピークである。

なお、写真フィルムｌ７と本発明の液晶ライトバルブ１
９はそれぞれ第１のフーリエ変換レンズｌ８の前焦点面
と後焦点面に配されており、本発明の液晶ライトバルブ
１９とＣＣＤカメラ２４はそれぞれ第２のフーリエ変換
レンズ２３の前焦点面と後焦点面に配されている．また
、本発明の液晶ライトバルブ１９に記録されるフーリエ
変換像の大きさが適当でなかったり、ＣＣＤカメラ２４
に入力する自己相関ピークおよび相互相関ピークの大き
さが適当でなかったりする場合は、第１のフーリエ変換
レンズ１８の後焦点面と本発明の液晶ライトバルブ１９
の間に拡大レンズ系を入れたり、第２のフーリエ変換レ
ンズ２３の後焦点面とＣＯＤカメラ２４の間に拡大レン
ズ系を入れて像を所望の大きさに拡大することで対処で
きる。

さらに、本発明の液晶ライトバルブ１９に第３図に示す
ようなフーリエ変換像のどの空間周波数領域までいれる
かは、本発明の液晶ライトバルブ１９に印加するバイア
ス電圧の値（第２図のＶ１）を調節することによりある
程度調節することが可能であった。

第５図の写真フィルム１７に入力した相関像と被相関像
の一実施例を第６図に示す．第６図に示す入力像は“光
”という漢字を並べて配したネガ像である． 第６図に示すパターンを第５図に示す写真フィルムｌ７
に記録してそれから得られる相互相関ピークを観察した
．第７図に第６図の液晶ライトハルブ１９として従来の
液晶ライトバルブを用いた場合と本発明の液晶ライトバ
ルブを用いた場合の相互相関ピークの相違を示す。ここ
で、従来の液晶ライトバルブとは第１図に示す断面構造
を有しているが、光導電層５の光導電率は面内で一様な
ものを指す。第７図から本発明の液晶ライトバルプを用
いた方が従来の液晶ライトバルブを用いた場合に比べて
相互相関ピークの半値幅が狭く相互相関ピーク強度も大
きくなっていることがわかる。従来の液晶ライトバルプ
を用いた場合においても第１図の強誘電性液晶層４の替
わりにＴＮ液晶層を用いると相互相関ピークの半値幅は
第７図の従来の液晶ライトバルブを用いた場合で示す相
互相関ピークの半値幅よりも広くなることは言うまでも
ない．ただし、この場合相互相関ピークの強度は変化し
ない。なお、第７図の横軸で示す位置座標は分りやすく
するためにスケールを拡大してある．このように、本発
明の液晶ライトバルプを用いることにより、光パターン
認識をする場合に極めて重要な量となる相互相関ピーク
が、従来の液晶ライトバルプを用いた場合よりもさらに
強くシャープに得られることがわかり、従来よりもさら
に複雑な画像や図形や文字などの認識が可能となった。

ここで、第３図に見られるように、フーリエ変換像は像
の中心から離れるにつれてその強度が周期的に変化する
．従って、液晶ライトバルプに記録したいフーリエ変換
像の空間周波数領域やその周期性があらかしめわかって
いる場合は、前述してきたように光導電膜の光導電率が
面内で中心対称で面内の中止から離れるに従ってなめら
かに大きくなるようにしなくても、光導電膜の光導電率
が面内で中心対称で面内の中心から離れるに従ってステ
ップ状に変化するだけで前述したのと同様の機能を持っ
た液晶ライトバルプとすることができる．第８図に本発
明の液晶ライトバルプにおいて光導電膜の光導電率分布
をステップ状に形戊した場合の光導電膜のしきい値電圧
分布図を示す。

この場合もなめらかなしきい値電圧分布を持った光導電
膜の場合と同様に、光導電膜の暗時のしきい値電圧は面
内の中心領域で最大値Ｖ０を取り、中心から離れるに従
ってステップ状に小さくなる。

また、光導電膜の明時のしきい値電圧も同様に面内の中
心領域で最大値Ｖ，を取り中心から離れるに従ってステ
ップ状に小さくなる．従って、暗時において光導ｔｌｌ
′！のしきい｛ａ電圧の最小値よりも小さな逆極性の直
流バイアス電圧あるいは１〜５０ｋ　ｌｌｚの交流電圧
を重畳した直流バイアス電圧■１が第１図の透明電極層
２ａと遮光層６の間に分圧されるように透明電極層２ａ
と透明電極層２ｂの間に電圧を印加しながら、レーザ光
を用いて所定の画像のフーリエ変換像を透明基板１ａの
側から照射すると、フーリエ変換像が照射された領域の
光導電膜層にはキャリアが発生し、発生したキャリアは
直流バイアス電圧Ｖｌにより電界方向にドリフトし、そ
の結果、光導ｉｉｔ膜層のしきい値電圧が下がり、第８
図の明時のしきい値電圧で示す曲線からわかるようにフ
ーリエ変換像が照射された領域にはしきい値電圧以上の
逆特性のバイアス電圧が印加され、強誘電性液晶は自発
分極の反転に伴う分子の反転が起こり、もう一方の安定
状態に移行しフーリエ変換像がメモリされる。

ステップ状の光導電率分布を持った光導電膜層の作製は
なめらかな光導電率分布を持った光導電＋１！Ｉ層の作
製よりも再現性が良い．第９図にステップ状の光導電率
分布を持つ光導電層の作製原理図を示す。第４図に示し
た光導電率が中心対称分布を持つ光導電膜層の作製原理
と異なっているのはイントリンシックなアモルファスシ
リコン５の形成された透明基板１ａをイオンガンから充
分離れた位置に配し、光導電膜に打ち込まれる注入イオ
ンの数密度分布が均一な領域を用いてイオン注入を行う
ことと、イオン注入したい所望の領域以外はドーナツ形
状のマスク１４で覆いながらイオン注入を行うことであ
る． ステップ状の光導電率分布を持つ光導電膜層を有する本
発明の液晶ライトバルブを用いて第５図に示す光パター
ン認識装置を構成したところ、なめらかな中心対称分布
の光導電率を持つ光導電膜層を有する本発明の液晶ライ
トバルブと同様の優れたパターン認識能力があることが
わかった。

なお、本発明の液晶ライトバルプはフーリエ変換像の記
録に対する実施例を主体に説明したが、インコヒーレン
ト光源であるＬＥＤを用いた画像記録や自然光を用いた
画像記録においても、特に人力光画像の強度分布がガウ
ス分布になっていたりする場合に効果を発揮するもので
ある。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明の液晶ライトバルブはレーザ
ビーム，ＬＥＤなどの光による書込手段と、光導電Ｎ９
光反射層．液晶配向層，液晶層．電圧印加手段が形成さ
れた光書込型液晶ライトバルブにおいて、上記光導電層
の光導電層の光Ｒ電率が面内で中心対称に分布しており
、面内の中心から離れるに従って光導電率が大きくなる
ようにし、特に上記光導電膜層の光導電率分布をステ・
７プ状とし、また、本液晶ライトバルブに用いる液晶層
に双安定メモリ性を有する強誘電性液晶を用いることに
より、光強度分布が中心対称に急激に減衰するようなフ
ーリエ変換像の高空間周波数成分までも忠実に二値記録
することができ、フーリ工変換を応用した光パターン認
識、特に光相関処理による光パターン認識に対する効果
は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の液晶ライトバルブの構戊を示す断面図
であり、第２図は本発明の液晶ライトバルブにおける光
導電率が中心対称分布を持つ光導電層のしきい値電圧分
布を示す図であり、第３図は一般的な光学的なフーリエ
変換像の光強度分布を示す図であり、第４図は光導電率
が中心対称分布を持つ光導電膜の作製原理図であり、第
５図は本発明の液晶ライトバルブを用いた光パターン認
識装置の原理構或図であり、第６図は第５図の光パター
ン認識装置で用いた写真フィルムへの像入力の一実施例
を示す図であり、第７図は第５図の光パターン認識装置
に従来の液晶ライトバルブを用いた場合と本発明の液晶
ライトバルブを用いた場合の相互相関ピーク強度の相違
を示す図であり、第８図は本発明の液晶ライトバルブに
おける光導電率分布をステップ状に形成した光導電膜の
しきい｛ａ電圧分布を示す図であり、第９図はステソプ
状の光導電率分布を持つ光導Ｎ膜の作製原理を示す図で
ある。 ｌａ，ｌｂ　　・　・ ２ａ，　　２ｂ　　・　・ ３ａ，３ｂ　　・　・ ４　・　・　・　・　・　・ ５　・　・　・　・　・　・ ６　・　・　・　・　・　・ ７　・　・　・　・　・　・ ８ａ，８ｂ　　・　・ ９　・　・　・　・　・　・ １（１・　・　・　・　・　・ １】　・　・　・　・　・　・ ｌ２・　・　・　・　・　・ 透明基板 透明電極層 配向膜層 強誘電性液晶層 光導電層 遮光層 誘電体壽ラー 無反射コーティング スペーサ 書込光 読みだし光 注入イオン １３・　・ ｌ４・　・ ｌ５・　・ １６・　・ １７　・　・ ｌ８・　・ １９・　・ ２０・　・ ２１・　・ ２２・　・ ２３・　・ ２４・　・ ２５・　・ イオンガン マスク 第１のレーザ光源 第ｌのビームエキスパンダ 写真フィルム 第１のフーリエ変換レンズ 本発明の液晶ライトバルブ 第２のレーザ光源 第２のビームエキスパンダ 偏光ビームスプリソタ 第２のフーリエ変換レンズ ＣＣＤカメラ ビデオモニター 第１図 以 上

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）レーザビーム、ＬＥＤなどの光による画像書込手
   段と、光導電層、光反射層、液晶配向層、液晶層、電圧
   印加手段が形成された光書込型液晶ライトバルブにおい
   て、上記光導電層の光導電率が面内で中心対称に分布し
   ており面内の中心から離れるに従って大きくなっている
   ことを特徴とする光書込型液晶ライトバルブ。
2. （２）上記光導電層の光導電率の中心対称分布がステッ
   プ状であることを特徴とする請求項１記載の光書込型液
   晶ライトバルブ。
3. （３）上記液晶ライトバルブに用いる光導電層はａ−Ｓ
   ｉ：Ｈであることを特徴とする請求項１あるいは２記載
   の光書込型液晶ライトバルブ。
4. （４）上記液晶ライトバルブに用いる液晶層は光反射率
   と印加電圧との間に双安定性メモリを有する強誘電性液
   晶であることを特徴とする請求項１、２あるいは３記載
   の光書込型液晶ライトバルブ。