JPH0754385B2 - 光書込型液晶ライトバルブ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光パターン認識や光連想などにおいて、光学的
フーリエ変換像を処理するために用いる光書込型液晶ラ
イトバルブに関する。

〔発明の概要〕

本発明はレーザビーム,LEDなどの光による書込手段と、
光導電層，光反射層，液晶配向層，液晶層，電圧印加手
段が形成された光書込型液晶ライトバルブにおいて、上
記光導電層の光導電率が面内で中心対称に分布しており
面内の中心から離れるに従って大きくすることにより光
書込される情報の空間周波数成分の大きさを任意に制御
することを可能とし、特に上記光導電層をステップ状に
することにより本発明の液晶ライトバルブの製造を容易
にすると共に、本液晶ライトバルブに用いる液晶層に双
安定メモリ性を有する強誘電液晶とすることによりフー
リエ変換像の二値記録を容易に実現でき感度の高い光パ
ターン認識を実現する手段を提供するものである。

〔従来の技術〕

従来より、解像度とコントラストの大きな光書込型液晶
ライトバルブを相関光学に適用して光パターン認識を行
う提案や試みが数多くなされてきた。また、合同変換相
関器を用いた光パターン認識ではフーリエ変換面で二値
化処理を行うことによって相互相関ピークに対するSNR
が向上するという提案もなされてきた〔B.ジャビディ、
C.J.クオ、アプライド・オプチックス、27、663（198
8）:B.Javidi and C.J.Kuo,Appl.Opt.27,633（198
8）〕。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、従来の光書込型液晶ライトバルブはTN液
晶を用いているものが大部分であり、二値化処理された
フーリエ変換像の記録を行うためにはあらかじめフーリ
エ変換像をCCDなどを用いて電気系に取り込み二値化処
理をした後レーザスキャナなどの走査光学系を用いて光
書込型液晶ライトバルブに記録しなければならなかっ
た。また、本発明に見られるような双安定メモリ性を有
する強誘電性液晶を用いた光書込型液晶ライトバルブを
用いるとしてもフーリエ変換像の光強度分布が中心対称
に急激に変化しているために高い空間周波数まで二値化
記録したい場合は極めて強い光を用いてフーリエ変換像
を作り出すか、もしくは長時間露光を行わねばならなか
ったため、逆に低い空間周波数領域のフーリエ変換像が
潰れてしまうという問題点を有していた。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の液晶ライトバルブは光導電層の光導電率が面内
で連続的にあるいはステップ状に中心対称に分布してお
り面内の中心から離れるに従って光導電率が大きくなる
ようにしてフーリエ変換像の高周波成分に対する光導電
層の光感度を向上させることにより実質的に広い空間周
波数帯域にわたってフーリエ変換像を記録することを可
能とし上記問題点を解決した。

〔作用〕

本発明の液晶ライトバルブは、一度液晶ライトバルブの
書込面全面を光照射し、その動作しきい値電圧の最大値
よりも十分に高い直流バイアス電圧あるいは100Hz〜50k
Hzの交流電圧を重畳した直流バイアス電圧を電圧印加手
段に印加して強誘電性液晶を一方向の安定状態までそろ
え、その状態をメモリさせるか、もしくは光照射無し
で、暗時のしきい値電圧の最大値よりも十分に高い直流
バイアス電圧あるいは100Hz〜50kHzの交流電圧を重畳し
た直流バイアス電圧を電圧印加手段に印加して強誘電性
液晶を一方向の安定状態までそろえその状態をメモリさ
せる第一の工程と、暗時には動作しきい値電圧の最小値
以下であり、光照射時には動作しきい値電圧の最大値以
上となる逆極性の直流バイアス電圧あるいは100Hz〜50k
Hzの交流電圧を重畳した直流バイアス電圧を電圧印加手
段に印加しながら、レーザ光等によって画像の光書込を
する第二の工程を行う。第二の工程ではレーザ照射を受
けた領域の光導電層にはキャリアが発生し、発生したキ
ャリアは直流バイアス電圧により電界方向にドリフト
し、その結果、光導電層の比抵抗が下がり、レーザ照射
が行われた領域にはしきい値電圧以上の逆極性のバイア
ス電圧が印加され、強誘電性液晶は自発分極の反転に伴
う分子の反転が起こり、もう一方の安定状態に移行し画
像がメモリされる。この画像がフーリエ変換像のように
中心部の光強度が大きな中心対称の光強度分布を持って
いても本発明の液晶ライトバルブの光導電層の光導電率
は面内で中心対称に分布しており、面内の中心から離れ
るに従って大きくなっているため広い空間周波数領域の
フーリエスペクトルを鮮明にメモリすることができる。
このようにして形成されたフーリエ変換像は、第一の工
程によってそろえられたＣダイレクタの方向（またはそ
れと直角方向）に偏光軸を合わせた直線偏光の投影光の
照射および光反射層による反射光の偏光方向に対し、偏
光軸が垂直に（または平行に）なるように配置された検
光子を通した投影により、スクリーン上に読みだすこと
ができる。

また、前記第二の工程終了後、再び極性を反転させ、暗
時のしきい値電圧の最小値以下であり、明時のしきい値
電圧の最大値以上である直流バイアス電圧を印加しなが
ら光照射を行うことにより、部分消去（部分書込）も行
える。

光導電層としては、電子の移動度が大きく暗時の抵抗率
および光照射時の導電率が高く、かつ熱的に安定なａ−
Si:H膜が特に優れた特性を与えることができる。

〔実施例〕

以下に本発明の液晶ライトバルブの実施例を図面を用い
て詳細に説明する。第１図は、本発明による液晶ライト
バルブの構造を示す断面図である。従来の液晶ライトバ
ルブと構造が異なる部分は液晶層として光透過率または
光反射率と印加電圧の間に明瞭な双安定性を有する強誘
電性を用い、かつ光導電層の光導電率が中心対称に分布
していることである。

液晶分子を挟持するためのガラスやプラスチック等の透
明基板1a,1bは、表面に透明電極層2a,2b、透明基板の法
線方向から75度から85度の範囲の角度で一酸化砒素を斜
方蒸着した配向膜層3a,3bが設けられている。透明基板1
aと1bはその配向膜層3a,3b側を、スペーサ９を介して関
隙を制御して対向させ、強誘電性液晶層４を挟持するよ
うになっている。

また、光による書込側の透明電極層2a上には光導電層5,
遮光層6,強電体ミラー７が配向膜3aとの間に積層形成さ
れ、書込側の透明基板1aと読みだし側の透明基板1bのセ
ル外面には、無反射コーティング層8a,8bが形成されて
いる。

光導電層５の光導電率は面内で中心対称に分布しており
面内の中心から離れるに従って大きくなるように作製し
た。第２図は光導電率が中心対称分布を持つ場合の光導
電層の比抵抗分布図である。第２図に示すように光導電
膜の暗時の比抵抗は面内の中心付近で最大値V_Dを取り中
心から離れるに従ってしだいに小さくなる。また、光導
電膜の明時の比抵抗も同様に面内の中心付近で最大値V_P
を取り中心から離れるに従ってしだいに小さくなる。従
って、作用で説明した第二の工程に示すように、暗時に
おいて動作しきい値電圧の最小値よりも小さな逆極性の
直流バイアス電圧あるいは100Hz〜50kHzの交流電圧を重
畳した直流バイアス電圧が透明電極層2aと遮光層６の間
に分圧されるように透明電極層2aと透明電極層2bの間に
電圧を印加しながら、レーザ光を用いて所定の画像のフ
ーリエ変換像を透明基板1aの側から照射すると、フーリ
エ変換像が照射された領域の光導電層にはキャリアが発
生し、発生したキャリアは直流バイアス電圧V₁により電
界方向にドリフトし、その結果、光導電層の比抵抗が下
がり、第２図の明時の比抵抗で示す曲線に対応した電圧
降下が生じるためにフーリエ変換像が照射された領域に
はしきい値電圧以上の逆特性のバイアス電圧が印加さ
れ、強誘電性液晶は自発分極の反転に伴う分子の反転が
起こり、もう一方の安定状態に移行しフーリエ変換像が
メモリされる。この時、本発明の液晶ライトバルブの光
導電層の光導電率は、面内で中心対称に分布しており面
内の中心から離れるに従って大きくなっているため、第
２図に示すようにフーリエ変換像が照射されている領域
の内、面内の中心から離れるに従って実効的な光感度が
大きくなるために、フーリエ変換像の低周波成分よりも
高周波成分の方が高感度で記録されることになる。一
方、光学的フーリエ変換像の光強度は一般的に高周波成
分領域になるにつれて急激に減衰するような分布とな
る。第３図に一般的な光学的フーリエ変換像の光強度分
布図を示す。一般的には、第３図に示すような光学的フ
ーリエ変換像の隣り合った次数のピークの強度比は1:10
〜1:100程度である。

従って、以上述べた本発明の液晶ライトバルブの記録特
性を用いればフーリエ変換像の高周波成分の光強度が第
３図に示すように急激に減少しても従来の液晶ライトバ
ルブ以上に正確にフーリエ変換像の高周波成分を記録で
きるために、本発明の液晶ライトバルブに記録されたフ
ーリエ変換像を用いて、光学的相関処理を行ってパター
ン認識を行うことにより複雑な画像パターン認識が可能
となった。

次に、本発明の液晶ライトバルブの製造方法の一実施例
について簡単に説明する。まず、透明基板1a,1bとして
透明ガラス基板を用意し、透明電極層2a,2bとして当該
ガラス基板の表面にITO透明電極層を形成した。また、
光書込側透明電極層2a上にはSiF₄を主体とするガスを放
電分解して厚さ３μｍのイントリンシックな水素化アモ
ルファスシリコンを形成した後、ホウ素イオン，酸素イ
オンあるいは窒素イオンをイオン注入して中心対称な光
導電率分布を光導電膜層に付与する。第４図に光導電率
が中心対称分布を持つ光導電膜の作製原理を示す。第４
図において透明基板1aの上に透明電極層2aを形成し、さ
らにイントリンシックな水素化アモルファスシリコンを
用いた光導電層５を形成した基板をイオンガンに近接し
て配し上記のホウ素イオン，窒素イオンあるいは酸素イ
オンなどの注入イオン12を光導電膜に打ち込む。このと
き、イオンガン13のイオン出射口が透明基板1aを見込む
角度は充分大きいため光導電膜に打ち込まれる注入イオ
ン12の数密度分布はガウス分布に近くなる。このような
イオン注入処理をされた水素化アモルファスシリコンの
光導電膜の光導電率は面内で中心対称に分布しており面
内の中心から離れるに従って大きくなることがわかっ
た。言うまでもなくイオン注入する前のイントリンシッ
クな水素化アモルファスシリコンは最も大きな光導電率
を有する組成で作製した。

このようにして作製した光導電率が中心対称分布を持つ
光導電膜の上に遮光層６を設け、さらにSiとSiO₂を15層
積層して光反射層としての誘導体ミラー７を形成した、
誘導体ミラーの可視光反射率が充分大きく光導電層５に
対して読みだし光の影響が極めて小さい場合には遮光層
６を省略することができる。

さらに、誘導体ミラー７および読みだし側の透明電極2b
の上に一酸化珪素（SiO）を、基板と蒸着源を結ぶ直線
が基板の法線方向に対して82度の角度になるようにセッ
トし、かつ蒸着の法線方向にセットした水晶振動子式膜
厚計で膜厚を計測しながら、2000Åの厚さに斜方蒸着し
て液晶配向層3a,3bを形成した、透明基板1a,1bはその配
向膜層3aおよび3b側を対向させ、直径1.5μｍのグラス
ファイバーを加えた接着剤よりなるスペーサ９を介して
間隙を制御，形成し、強誘電性液晶層４を挟持するよう
にした。封入した強誘電性組成物は、エステル系SmC液
晶混合物に光学活性物質を添加して強誘電性液晶組成物
としたものでありエステル系SmC液晶混合物として、４
−（（４′−オクチル）フェニル）安息香酸（３″−フ
ルオロ,4″−オクチルオキシ）フェニルエステルと、４
−（（４′−オクチルオキシ）フェニル）安息香酸
（３″−フルオロ,4″−オクチルオキシ）フェニルエス
テルを1:1で混合したものを用い、これに光学活性物質
として５−オクチルオキシナフタレンカルボン酸,1′−
シアノエチルエステルを25重量％加えて強誘電性液晶組
成物としたものを用いた。

以上のようにして作製した液晶ライトバルブを用いて行
った光パターン認識の一実施例を説明する。第５図は本
発明の液晶ライトバルブを用いた光パターン認識装置の
原理構成図である。第５図において第１のレーザ光源15
から出射されたコヒーレント光は第１のビームエキスパ
ンダ16によって所定のビーム径に拡大された後、相関像
と被相関像が並べて記録してある写真フィルム17に照射
され、第１のフーリエ変換レンズ18でフーリエ変換され
て本発明の液晶ライトバルブ19の書込面に照射される。
本発明の液晶ライトバルブはあらかじめ暗時のしきい値
電圧の最小値あるいは明時のしきい値電圧の最大値より
も高い電圧を印加して一様に消去されている。そして、
上記フーリエ変換されたレーザ光が本発明の液晶ライト
バルブ19の書込面に照射されたとき本発明の液晶ライト
バルブに暗時のしきい値電圧の最小値と明時のしきい値
電圧の最大値の間の逆特性の直流バイアス電圧あるいは
１〜50kHzの交換電圧を重畳した直流バイアス電圧を所
定の時間印加して写真フィルム17に記録されている相関
像と被相関像のフーリエ変換像を記録する。もちろんこ
の時、本発明の液晶ライトバルブ19には暗時のしきい値
電圧の最小値と明時のしきい値電圧の最大値の間の逆特
性の直流バイアス電圧あるいは１〜50kHzの交流電圧を
重畳した直流バイアス電圧を印加したままで、第１のレ
ーザ光源15を所定の時間だけONさせるか、あるいは第１
のレーザ光源15と本発明の液晶ライトバルブの間の光路
の所定の位置に配した光シャッタを所定の時間だけONさ
せてもよい。次に、第２のレーザ光源20からコヒーレン
ト光を出射した後、第２のビームエキスパンダ21でビー
ムを所望の径に拡大し偏光ビームスプリッタ22により光
路を切り替え本発明の液晶ライトバルブ19の読みだし面
に照射する。この時、本発明の液晶ライトバルブには上
述した相関像と被相関像のフーリエ変換像が記録されて
おり、なんらバイアス電圧は印加されていない。従って
読みだし面に照射された第２のレーザ光源からの光にお
いて、フーリエ変換像が記録されている領域に照射され
た光は偏光面を90度回転させて読みだされ偏光ビームス
プリッタ22を透過し、フーリエ変換像が記録されていな
い領域に照射された光はその偏光面に影響を受けないた
めに再び偏光ビームスプリッタ22で反射される。つま
り、偏光ビームスプリッタ22を透過した直後の光は写真
フィルム17に記録された相関像と被相関像のフーリエ変
換の強度情報となるのである。このようにして読みださ
れた相関像と被相関像のフーリエ変換の強度情報は第２
のフーリエ変換レンズ23で再びフーリエ変換されCCDカ
メラ24で読みだされる。このようにCCDカメラで読みだ
された情報はビデオモニター25で観察でき、この観察さ
れる情報は相関像と被相関像の自己相関ピークおよび相
互相関ピークである。なお、写真フィルム17と本発明の
液晶ライトバルブ19はそれぞれ第１のフーリエ変換レン
ズ18の前焦点面と後焦点面に配されており、本発明の液
晶ライトバルブ19とCCDカメラ24はそれぞれ第２のフー
リエ変換レンズ23の前焦点面と後焦点面に配されてい
る。また、本発明の液晶ライトバルブ19に記録されるフ
ーリエ変換像の大きさが適当でなかったり、CCDカメラ2
4に入力する自己相関ピークおよび相互相関ピークの大
きさが適当でなかったりする場合は、第１のフーリエ変
換レンズ18の後焦点面と本発明の液晶ライトバルブ19の
間に拡大レンズ系を入れたり、第２のフーリエ変換レン
ズ23の後焦点面とCCDカメラ24の間に拡大レンズ系を入
れて像を所望の大きさに拡大することで対処できる。

さらに、本発明の液晶ライトバルブ19に第３図に示すよ
うなフーリエ変換像のどの空間周波数領域までいれるか
は、本発明の液晶ライトバルブ19に印加するバイアス電
圧の値を調節することによりある程度調節することが可
能であった。

第５図の写真フィルム17に入力した相関像と被相関像の
一実施例を第６図に示す。第６図に示す入力像は“光”
という漢字を並べて配したネガ像である。

第６図に示すパターンを第５図に示す写真フィルム17に
記録してそれから得られる相互相関ピークを観察した。
第７図に第６図の液晶ライトバルブ19として従来の液晶
ライトバルブを用いた場合と本発明の液晶ライトバルブ
を用いた場合の相互相関ピークの相違を示す。ここで、
従来の液晶ライトバルブとは第１図に示す断面構造を有
しているが、光導電層５の光導電率は面内で一様なもの
を指す。第７図から本発明の液晶ライトバルブを用いた
方が従来の液晶ライトバルブを用いた場合に比べて相互
相関ピークの半値幅が狭く相互相関ピーク強度も大きく
なっていることがわかる。従来の液晶ライトバルブを用
いた場合においても第１図の強誘電性液晶層４の替わり
にTN液晶層を用いると相互相関ピークの半値幅は第７図
の従来の液晶ライトバルブを用いた場合で示す相互相関
ピークの半値幅よりも広くなることは言うまでもない。
ただし、この場合相互相関ピークの強度は変化しない。
なお、第７図の横軸で示す位置座標は分りやすくするた
めにスケールを拡大してある。このように、本発明の液
晶ライトバルブを用いることにより、光パターン認識す
る場合に極めて重要な量となる相互相関ピークが、従来
の液晶ライトバルブを用いた場合よりもさらに強くシャ
ープに得られることがわかり、従来よりもさらに複雑な
画像や図形や文字などの認識が可能となった。

ここで、第３図に見られるように、フーリエ変換像は像
の中心から離れるにつれてその強度が周期的に変化す
る。従って、液晶ライトバルブに記録したいフーリエ変
換像の空間周波数領域やその周期性があらかじめわかっ
ている場合は、前述してきたように光導電膜の光導電率
が面内で中心対称で面内の中止から離れるに従ってなめ
らかに大きくなるようにしなくても、光導電膜の光導電
率が面内で中心対称で面内の中心から離れるに従ってス
テップ状に変化するだけで前述したのと同様の機能を持
った液晶ライトバルブとすることができる。第８図に本
発明の液晶ライトバルブにおいて光導電膜の光導電率分
布をステップ状に形成した場合の光導電層の比抵抗分布
図を示す。この場合もなめらかな比抵抗分布を持った光
導電膜の場合と同様に、光導電膜の暗時の比抵抗は面内
の中心領域で最大値V_Dを取り、中心から離れるに従って
ステップ状に小さくなる。また、光導電膜の明時の比抵
抗も同様に面内の中心領域で最大値V_Pを取り中心から離
れるに従ってステップ状に小さくなる。従って、暗時に
おいてしきい値電圧の最小値よりも小さな逆極性の直流
バイアス電圧あるいは１〜50kHzの交流電圧を重畳した
直流バイアス電圧が第１図の透明電極層2aと遮光層６の
間に分圧されるように透明電極層2aと透明電極層2bの間
に電圧を印加しながら、レーザ光を用いて所定の画像の
フーリエ変換像を透明基板1aの側から照射すると、フー
リエ変換像が照射された領域の光導電膜層にはキャリア
が発生し、発生したキャリアは直流バイアス電圧V₁によ
り電界方向にドリフトし、その結果、光導電層の比抵抗
が下がり、第８図の明時の比抵抗で示す曲線に対応する
電圧降下が光導電層に生じるため、フーリエ変換像が照
射された領域にはしきい値電圧以上の逆特性のバイアス
電圧が印加され、強誘電性液晶は自発分極の反転に伴う
分子の反転が起こり、もう一方の安定状態に移行しフー
リエ変換像がメモリされる。

ステップ状の光導電率分布を持った光導電膜層の作製は
なめらかな光導電率分布を持った光導電膜層の作製より
も再現性が良い。第９図にステップ状の光導電率分布を
持つ光導電層の作製原理図を示す。第４図に示した光導
電率が中心対称分布を持つ光導電膜層の作製原理と異な
っているのはイントリンシックなアモルファスシリコン
５の形成された透明基板1aをイオンガンから充分離れた
位置に配し、光導電膜に打ち込まれる注入イオンの数密
度分布が均一な領域を用いてイオン注入を行うことと、
イオン注入したい所望の領域以外はドーナツ形状のマス
ク14で覆いながらイオン注入を行うことである。

ステップ状の光導電率分布を持つ光導電膜層を有する本
発明の液晶ライトバルブを用いて第５図に示す光パター
ン認識装置を構成したところ、なめらかな中心対称分布
の光導電率を持つ光導電膜層を有する本発明の液晶ライ
トバルブと同様の優れたパターン認識能力があることが
わかった。

なお、本発明の液晶ライトバルブはフーリエ変換像の記
録に対する実施例を主体に説明したが、インコヒーレン
ト光源であるLEDを用いた画像記録や自然光を用いた画
像記録においても、特に入力光画像の強度分布がガウス
分布になっていたりする場合に効果を発揮するものであ
る。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明の液晶ライトバルブはレーザ
ビーム,LEDなどの光による書込手段と、光導電層，光反
射層，液晶配向層，液晶層，電圧印加手段が形成された
光書込型液晶ライトバルブにおいて、上記光導電層の光
導電層の光導電率が面内で中心対称に分布しており、面
内の中心から離れるに従って光導電率が大きくなるよう
にし、特に上記光導電膜層の光導電率分布をステップ状
とし、また、本液晶ライトバルブに用いる液晶層に双安
定メモリ性を有する強誘電性液晶を用いることにより、
光強度分布が中心対称に急激に減衰するようなフーリエ
変換像の高空間周波数成分までも忠実に二値記録するこ
とができ、フーリエ変換を応用した光パターン認識、特
に光相関処理による光パターン認識に対する効果は大き
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の液晶ライトバルブの構成を示す断面図
であり、第２図は本発明の液晶ライトバルブにおける光
導電率が中心対称分布を持つ光導電層の比抵抗分布を示
す図であり、第３図は一般的な光学的なフーリエ変換像
の光強度分布を示す図であり、第４図は光導電率が中心
対称分布を持つ光導電膜の作製原理図であり、第５図は
本発明の液晶ライトバルブを用いた光パターン認識装置
の原理構成図であり、第６図は第５図の光パターン認識
装置で用いた写真フィルムへの像入力の一実施例を示す
図であり、第７図は第５図の光パターン認識装置に従来
の液晶ライトバルブを用いた場合と本発明の液晶ライト
バルブを用いた場合の相互相関ピーク強度の相違を示す
図であり、第８図は本発明の液晶ライトバルブにおける
光導電率分布をステップ状に形成した光導電膜の比抵抗
分布を示す図であり、第９図はステップ状の光導電率分
布を持つ光導電膜の作製原理を示す図である。 1a,1b……透明基板 2a,2b……透明電極層 3a,3b……配向膜層 ４……強誘電性液晶層 ５……光導電層 ６……遮光層 ７……誘電体ミラー 8a,8b……無反射コーティング ９……スペーサ 10……書込光 11……読みだし光 12……注入イオン 13……イオンガン 14……マスク 15……第１のレーザ光源 16……第１のビームエキスパンダ 17……写真フィルム 18……第１のフーリエ変換レンズ 19……本発明の液晶ライトバルブ 20……第２のレーザ光源 21……第２のビームエキスパンダ 22……偏光ビームスプリッタ 23……第２のフーリエ変換レンズ 24……CCDカメラ 25……ビデオモニター

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】レーザビーム,LEDなどの光による画像書込
   手段と、光導電層，光反射層，液晶配向層，液晶層，電
   圧印加手段が形成された光書込型液晶ライトバルブにお
   いて、上記光導電層の光導電率が面内で中心対称に分布
   しており面内の中心から離れるに従って大きくなってい
   ることを特徴とする光書込型液晶ライトバルブ。
2. 【請求項２】上記光導電層の光導電率の中心対称分布が
   ステップ状であることを特徴とする請求項１記載の光書
   込型液晶ライトバルブ。
3. 【請求項３】上記液晶ライトバルブに用いる光導電層は
   ａ−Si:Hであることを特徴とする請求項１あるいは２記
   載の光書込型液晶ライトバルブ。
4. 【請求項４】上記液晶ライトバルブに用いる液晶層は光
   反射率と印加電圧との間に双安定性メモリを有する強誘
   電性液晶であることを特徴とする請求項1,2あるいは３
   記載の光書込型液晶ライトバルブ。