JPH03219446A - Magneto-optical recording medium - Google Patents

Magneto-optical recording medium

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Publication number
JPH03219446A
JPH03219446A JP27264389A JP27264389A JPH03219446A JP H03219446 A JPH03219446 A JP H03219446A JP 27264389 A JP27264389 A JP 27264389A JP 27264389 A JP27264389 A JP 27264389A JP H03219446 A JPH03219446 A JP H03219446A
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JP
Japan
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magneto
optical recording
film
recording medium
recording film
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Pending
Application number
JP27264389A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kunihiko Mizumoto
邦彦 水本
Hidehiko Hashimoto
英彦 橋本
Akira Todo
昭 藤堂
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Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Original Assignee
Mitsui Petrochemical Industries Ltd
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Publication date
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Publication of JPH03219446A publication Critical patent/JPH03219446A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To enhance an adhesive strength, oxidation resistance and magneto- optical recording characteristics and the stability thereof by laminating a specified magneto-optical recording film on a substrate formed of a cyclic olefin random copolymer of ethylene and specified cyclic olefin. CONSTITUTION:The magneto-optical recording medium 1 is formed by laminating the magneto-optical recording film 3 on the substrate 2. The substrate 2 is formed of the cyclic olefin random copolymer of the ethylene and the cyclic olefin expressed by formula I. In the formula I, (n) is 0 or positive integer; R<1> to R<12> respectively denote a hydrogen atom, halogen atom or hydrocarbon group. The magneto-optical recording film 2 is formed of the thin film of an amorphous alloy which contains the element selected from 3d transition metals and the element selected from rare earths and has the axis of easy magnetization perpendicular to the film plane.

Description

【発明の詳細な説明】 隨更鬼肢(挺1 本発明は、基板と光磁気記録膜との密着性に優へ しか
も耐酸化性および光磁気記録特性に優れた光磁気記録媒
体に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magneto-optical recording medium that has excellent adhesion between a substrate and a magneto-optical recording film, as well as excellent oxidation resistance and magneto-optical recording properties.

の  的  ならびにその  占 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム(Tb)、
カドリニウム(G d)などの希土類元素との合金から
なる光磁気記録膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を
有し、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向
とは逆向きの小さな反転磁区を形成することができるこ
とが知られている。この反転磁区の有無を「1」、 「
O」に対応させることによって、上記のような光磁気記
録膜にデジタル信号を記録させることが可能となる。
The targets and their properties include transition metals such as iron and cobalt, and terbium (Tb),
A magneto-optical recording film made of an alloy with a rare earth element such as cadrinium (G d) has an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to the film surface, and the film surface is entirely magnetized in one direction. It is known that small inverted magnetic domains with opposite directions can be formed. The presence or absence of this inverted magnetic domain is set to "1", "
By making it compatible with "O", it becomes possible to record digital signals on the magneto-optical recording film as described above.

このような遷移金属と希土類元素とからなる光磁気記録
膜としては、たとえば特公昭57−20691号公報に
15〜3o原子%のTb  を含むTb−Fe系光磁気
記録膜が開示されている。またTb−Fe−Co’、 
 Gd−Tb−Fe、  Dy−Tb−Fe−C。
As a magneto-optical recording film made of such a transition metal and a rare earth element, for example, Japanese Patent Publication No. 57-20691 discloses a Tb--Fe based magneto-optical recording film containing 15 to 30 atom % of Tb. Also, Tb-Fe-Co',
Gd-Tb-Fe, Dy-Tb-Fe-C.

系などの光磁気記録膜も知られている。Magneto-optical recording films such as those based on the above are also known.

これらの光磁気記録膜は、優れた記録再生特性を有して
いるハ 使用時にこの光磁気記録膜は酸化を受けてその
特性が経時的に変化してしまうという実用上の大きな問
題点があった。
These magneto-optical recording films have excellent recording and reproducing properties.C) During use, these magneto-optical recording films undergo oxidation and their properties change over time, which is a major practical problem. Ta.

このような遷移金属と希土類元素とを含む光磁気記録膜
についてはその酸化劣化のメカニズムは、たとえば日本
応用磁気学会誌第9巻、No、2、第93〜96頁で検
討されており、以下のような3つのタイプがあることが
報告されている。
The mechanism of oxidative deterioration of such magneto-optical recording films containing transition metals and rare earth elements has been discussed, for example, in the Journal of the Japan Society of Applied Magnetics, Vol. 9, No. 2, pp. 93-96, and as follows: It has been reported that there are three types:

イ)孔食 孔食とは光磁気記録膜にピンホールが発生することを意
味する力く、この腐食は、主として高温雰囲気下で進行
し、たとえばTb−Fe系、Tb−C。
b) Pitting Pitting corrosion refers to the formation of pinholes in the magneto-optical recording film, and this corrosion mainly progresses in high temperature atmospheres, such as Tb-Fe and Tb-C.

系などで著しく進行する。The disease progresses markedly in some systems.

口)表面酸化 光磁気記録膜に表面酸化層が形成さ担 カー回転角θk
が経時的に変化し、ついにはカー回転角θkが減少して
しまう。
(a) A surface oxidation layer is formed on the surface oxidized magneto-optical recording film.Car rotation angle θk
changes over time, and eventually the Kerr rotation angle θk decreases.

ハ)希土類金属の選択酸化 ÷ (ト 光磁気記録膜中の希土類金属が選択的に酸化され、 保
磁力Hcが経時的に大きく変化してしまう。
c) Selective oxidation of rare earth metal ÷ (g) Rare earth metal in the magneto-optical recording film is selectively oxidized, and the coercive force Hc changes greatly over time.

上記のような光磁気記録膜の酸化劣化を防止するため、
従東 種々の方法が試みられている。たとえif、  
光磁気記録膜を、Si3N4、5iO1Si02、AI
Nなどの酸化防止保護膜でサンドインチしたような3層
構造にする方法が検討されている。
In order to prevent the oxidative deterioration of the magneto-optical recording film as described above,
Juto: Various methods have been tried. Even if,
The magneto-optical recording film is made of Si3N4, 5iO1Si02, AI
A method of creating a three-layer structure sandwiched with an oxidation-preventing protective film such as N is being considered.

また、Tb−Fe系、Tb−Co系などの光磁気記録膜
中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるために、第3の
金属を添加する方法が種々試みられている。
Furthermore, various methods have been attempted to add a third metal to a magneto-optical recording film such as a Tb-Fe system or a Tb-Co system in order to improve the oxidation resistance of this thin film.

たとえば上述した日本応用磁気学会誌では、T b−F
 e あるいはTb−Co に、Co 、NiPt、 
 Al、  Cr、  Ti、Pdなどの第3金属を3
.5原子%までの量で添加することによって、Tb−F
e系あるいはTb−Co系の光磁気記録膜の耐酸化性を
向上させる試みがなされている。
For example, in the above-mentioned Journal of the Japanese Society of Applied Magnetics, T b-F
e or Tb-Co, Co, NiPt,
3 tertiary metals such as Al, Cr, Ti, Pd, etc.
.. By adding up to 5 at%, Tb-F
Attempts have been made to improve the oxidation resistance of e-based or Tb--Co based magneto-optical recording films.

また第9回日本応用磁気学会学術講演概要集(1985
年11月)の第209頁には、やはりシト 光磁気記録膜の耐酸化性を向上させる目的で、Tb−F
eあるいはT b−F e−Coに、Pt、At、Cr
、Tiを10原子%までの量で添加してなる光磁気記録
膜が教示されている。
Also, the 9th Academic Lecture Summary of the Japanese Society of Applied Magnetics (1985)
(November 2013), page 209, there is a Tb-F
e or T b-F e-Co, Pt, At, Cr
, magneto-optical recording films doped with up to 10 atomic % of Ti have been taught.

また特開昭61−255546号公報には、希土類元素
と遷移元素とからなる光磁気記録膜に、Pt 、Au 
、Ag SRu 、Rh 、Pd 、Os 。
Furthermore, in JP-A No. 61-255546, a magneto-optical recording film made of a rare earth element and a transition element is coated with Pt, Au.
, Ag SRu , Rh , Pd , Os .

Irなどの貴金属元素を再生に必要なカー回転角が得ら
れる範囲内で添加してなる耐酸化性が向上された光磁気
記録膜が開示されている。
A magneto-optical recording film with improved oxidation resistance is disclosed in which a noble metal element such as Ir is added within a range that provides the Kerr rotation angle necessary for reproduction.

このように従来Tb−FeあるいはTb−Coに、Co
、NiS Pt、AI、CrS TiS Pdなどの第
3金属が添加されてなる光磁気記録膜は知られている力
\ これらの光磁気記録膜を通常の基板、たとえばポリ
カーボネート樹脂からなる基板に積層した光磁気記録媒
体はなお耐酸化性が充分でなく、光磁気記録特性の長期
安定性の面でも不充分であり、かつ基板の大きな複屈折
のためC/N比が小さく、ノイズレベルが高く、さらに
基板と膜との密着性も十分でなかった。そのため基板と
し擾ト てポリカーボネート樹脂を用いる場合は、□ 熱処理で
ポリカーボネート基板の水分を十分に除去する工程がま
た膜との密着性を良くするためには、基板表面をプラズ
マ処理する工程が必要となっていtも 本発明者らは、上記のような光磁気記録媒体の性能を向
上させるべく鋭意研究したところ、光磁気記録膜が酸化
して劣化するのは、光磁気記録膜の組成と共に光磁気記
録膜を積層するために従来用いられている基板自体にも
原因があることおよび従来用いられているポリカーボネ
ートなどの基板は、光磁気記録膜との密着性に劣り、こ
のため光磁気記録膜の酸化を充分に防止できないことに
あることを見出しへ 本発明者ら代 上記のような知見に基づき更に検討した
ところ、基板として特定の構造を有するエチレンと環状
オレフィンとのランダム共重合体を用い、かつ上記のよ
うな基板に、特定の光磁気記録膜を積層すれ(戴 基板
と光磁気記録膜との密着性に便法 しかも耐酸化性およ
び高C/N比という光磁気記録特性に優へ かつ光磁気
記録特性の長期安定性に優れた光磁気記録媒体が得られ
ることを見出して、本発明を完成するに至った。
In this way, conventional Tb-Fe or Tb-Co is
, NiS Pt, AI, CrS TiS Pd, etc. are added to the magneto-optical recording film with known power\ These magneto-optical recording films are laminated on a normal substrate, for example, a substrate made of polycarbonate resin. Magneto-optical recording media still do not have sufficient oxidation resistance and long-term stability of magneto-optical recording characteristics, and due to the large birefringence of the substrate, the C/N ratio is low and the noise level is high. Furthermore, the adhesion between the substrate and the film was also insufficient. Therefore, when using polycarbonate resin as a substrate, it is necessary to thoroughly remove moisture from the polycarbonate substrate by heat treatment.In order to improve adhesion with the film, it is necessary to perform plasma treatment on the surface of the substrate. The inventors of the present invention have conducted intensive research to improve the performance of magneto-optical recording media as described above, and have found that the oxidation and deterioration of the magneto-optical recording film is caused by the composition of the magneto-optical recording film as well as by the light. The cause lies in the substrate itself, which is conventionally used for laminating magnetic recording films, and the conventionally used substrates such as polycarbonate have poor adhesion with magneto-optical recording films. The inventors of the present invention discovered that the problem lies in the fact that the oxidation of , and a specific magneto-optical recording film is laminated on the above-mentioned substrate (this is convenient for improving the adhesion between the substrate and the magneto-optical recording film, and has excellent magneto-optical recording properties such as oxidation resistance and high C/N ratio). The present invention was completed by discovering that a magneto-optical recording medium with excellent long-term stability of magneto-optical recording characteristics can be obtained.

i貝辺1上 本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決し
ようとするものであって、基板と光磁気記録膜との密着
性に便法 しかも耐酸化性、光磁気記録特性および光磁
気記録特性の長期安定性に優れた光磁気記録媒体を提供
することを目的としている。
The present invention is intended to solve the problems associated with the prior art as described above, and it is an object of the present invention to improve the adhesion between the substrate and the magneto-optical recording film. The object of the present invention is to provide a magneto-optical recording medium with excellent long-term stability in properties and magneto-optical recording properties.

衾1トυ肌鷹 本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に光磁気記録膜
が積層されてなる光磁気記録媒体において、 基板力& エチレンと、下記−殺伐[■]で表わされる
環状オレフィンとの共重合体からなる環状オレフィンラ
ンダム共重合体から形成されていることを一つの特徴と
している。
A magneto-optical recording medium according to the present invention is a magneto-optical recording medium in which a magneto-optical recording film is laminated on a substrate. One of its characteristics is that it is formed from a cyclic olefin random copolymer consisting of a copolymer with an olefin.

÷ 10− ・・ [I ] (式[I]において、nは0もしくは正の整数であり 
R1ないしR12はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ま
たは炭化水素基を示し、R9−R12は、互いに結合し
て単環または多環の基を形成していてもよく、かつ該単
環または多環の基が二重結合を有していてもよく、 またR9とRleとで、またはR11とRI2とで、ア
ルキリデン基を形成していてもよい)。
÷ 10-... [I] (In formula [I], n is 0 or a positive integer,
R1 to R12 each represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a hydrocarbon group, and R9 to R12 may be bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic group, and the monocyclic or polycyclic group may have a double bond, and R9 and Rle or R11 and RI2 may form an alkylidene group).

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
ては、該環状オレフィン成分は一般式[n]で表わされ
る構造を形成している。
In such a cyclic olefin random copolymer, the cyclic olefin component forms a structure represented by the general formula [n].

11− ・・・ [n] (式[n]において、nは0もしくは正の整数であり、
R1ないしR12はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ま
たは炭化水素基を示し、R9〜RI2は、互いに結合し
て単環または多環の基を形成していてもよく、かつ該単
環または多環の基が二重結合を有していてもよく、 またR9とR19とで、まタハRI IとR12とで、
アルキリデン基を形成していてもよい)。
11- ... [n] (In formula [n], n is 0 or a positive integer,
R1 to R12 each represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a hydrocarbon group, and R9 to RI2 may be bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic group, and the monocyclic or polycyclic group may have a double bond, and R9 and R19, Mataha RII and R12,
(may form an alkylidene group).

また本発明では、上記のような基板に、光磁気記録膜と
して、 (i)3d遷移金属から選ばれる少なくとも1
種と、 (iii)希土類から選ばれる少なくとも1種
の元素とを必須成分元素として少なく−) とも含む、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金
薄膜を用いることを特徴としている。
Further, in the present invention, on the substrate as described above, as a magneto-optical recording film, (i) at least one selected from 3d transition metals is provided.
The present invention is characterized in that it uses an amorphous alloy thin film having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, which contains at least one element selected from rare earths as an essential element.

i吋葛兼盗t1j 以下本発明に係る光磁気記録媒体について、具体的に説
明する。
The magneto-optical recording medium according to the present invention will be specifically explained below.

本発明に係る光磁気記録媒体1は、第1図に示すように
、基板2上に光磁気記録膜3が積層された構造を有して
いる。
A magneto-optical recording medium 1 according to the present invention has a structure in which a magneto-optical recording film 3 is laminated on a substrate 2, as shown in FIG.

また本発明に係る光磁気記録媒体1は、第2図に示すよ
うに、基板2上に、光磁気記録膜3と反射膜4とがこの
順序で積層された構造を有していてもよい。
Further, the magneto-optical recording medium 1 according to the present invention may have a structure in which a magneto-optical recording film 3 and a reflective film 4 are laminated in this order on a substrate 2, as shown in FIG. .

さらに本発明に係る光磁気記録媒体1は、第3図に示す
ように、基板2と光磁気記録膜3との間に、エンハンス
膜5が設けられた構造を有していてもよい。
Further, the magneto-optical recording medium 1 according to the present invention may have a structure in which an enhancement film 5 is provided between the substrate 2 and the magneto-optical recording film 3, as shown in FIG.

さらにまた、本発明に係る光磁気記録媒体1は、第4図
に示すように、基板2と光磁気記録膜3との間にエンハ
ンス膜5が設けられるとともに光磁気記録膜3と反射膜
4との間にエンハンス膜5が受けられた構造を有してい
てもよい。エンハンス膜としては、たとえばSi3N4
.5iNx(0<x < 4 / 3 )などの窒化ケ
イ素、A I N。
Furthermore, as shown in FIG. 4, the magneto-optical recording medium 1 according to the present invention has an enhancement film 5 provided between the substrate 2 and the magneto-optical recording film 3, and a magneto-optical recording film 3 and a reflective film 4. It may have a structure in which the enhancement film 5 is received between. As the enhancement film, for example, Si3N4
.. Silicon nitride, AIN, such as 5iNx (0<x<4/3).

Zn Se、Zn S、Si等が例示できる。Examples include ZnSe, ZnS, and Si.

本発明では、上記のような基板2は、エチレンと、下記
−殺伐[■]で表わされる環状オレフィンとの共重合体
からなる環状オレフィン系ランダム共重合体から形成さ
れている。
In the present invention, the substrate 2 as described above is formed from a cyclic olefin-based random copolymer consisting of a copolymer of ethylene and a cyclic olefin represented by the following symbol [■].

・・・ [I] (式[I]において、nは0もしくは正の整数であり、
R1ないしRI2はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ま
たは炭化水素基を示し、R9,R12は、互いに結合し
て柑環または多環の基を形成してい−tト 14− てもよく、かつ該単環または多環の基が二重結合を有し
ていてもよく、 またR9とR1[+とで、またLk RI IとRI2
とで、アルキリデン基を形成していてもよい)。
... [I] (In formula [I], n is 0 or a positive integer,
R1 to RI2 each represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a hydrocarbon group, and R9 and R12 may be bonded to each other to form a cyclic or polycyclic group, and the monocyclic Alternatively, the polycyclic group may have a double bond, and R9 and R1[+, or Lk RI I and RI2
may form an alkylidene group).

上記−殺伐[■]で表される環状オレフィンについてさ
らに詳しく説明すると、上記−殺伐[r]で表される環
状オレフィンは、上記式[I]で表されるa  以下に
記載する式[r−a]で表すこともできる。
To explain in more detail about the cyclic olefin represented by -Sakura [■] above, the cyclic olefin represented by -Sakura [r] is represented by the formula [r- a].

RITIは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子
および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もしくは
基を表す。
RITI each independently represents an atom or group selected from the group consisting of a hydrogen atom, a halogen atom, and a hydrocarbon group.

そして、RI6〜Roeは、互いに結合して単環または
多環の基を形成していてもよく、かつ該単環または多環
の基が二重結合を有していてもよい。
RI6 to Roe may be bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic group, and the monocyclic or polycyclic group may have a double bond.

また、RI5とRleとで、またはRITとR18とで
アルキリデン基を形成していてもよい。
Furthermore, RI5 and Rle or RIT and R18 may form an alkylidene group.

このような環状オレフィン系ランダム共重合体[A]お
よび[B]中においては、該環状オレフィン成分は一般
式「r1]で表わされる構造を形成している。
In such cyclic olefin random copolymers [A] and [B], the cyclic olefin component forms a structure represented by the general formula "r1".

・・・ [r −a] ただし、上記[I−a]において、nは0または1であ
り、mは0または正の整数であり、R1〜5 −lト ・ [■コ (式[n]において、nはOもしくは正の整数であり、
R1ないしRb2はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ま
たは炭化水素基を示し、R9−R12は、互いに結合し
て単環または多環の基を形成していてもよく、かつ該単
環または多環の基が二重結合を有していてもよく、 またR9とRleとで、またはR11とRI2とで、ア
ルキリデン基を形成していてもよい)。
... [r -a] However, in the above [I-a], n is 0 or 1, m is 0 or a positive integer, and R1 to 5 -l t [■ ko (formula [n ], n is O or a positive integer,
R1 to Rb2 each represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a hydrocarbon group, and R9 to R12 may be bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic group, and the monocyclic or polycyclic group may have a double bond, and R9 and Rle or R11 and RI2 may form an alkylidene group).

なお、環状オレフィンを、上記のように[I−a]で表
すと、環状オレフィン系ランダム共重合体[A]および
[B]中においては、該環状オレフィン成分は、以下に
示す式[n−a]で表わされる構造を形成している。
Incidentally, when the cyclic olefin is represented by [I-a] as described above, in the cyclic olefin-based random copolymers [A] and [B], the cyclic olefin component is represented by the formula [n-a] shown below. a].

・・・[■−al ただし、上記[n−a]において、nはOまたは1であ
り、mは0または正の整数であり、R1〜RIBは、そ
れぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子および炭化水素
基よりなる群から選ばれる原子もしくは基を表す。
... [■-al However, in the above [n-a], n is O or 1, m is 0 or a positive integer, and R1 to RIB each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, and Represents an atom or group selected from the group consisting of hydrocarbon groups.

そして、R15〜RI8は、互いに結合して単環または
多環の基を形成していてもよく、かつ該単環または多環
の基が二重結合を有していてもよい。
R15 to RI8 may be bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic group, and the monocyclic or polycyclic group may have a double bond.

また、RIBとR18とで、またはR17とR18とで
アルキリデン基を形成していてもよい。
Furthermore, RIB and R18 or R17 and R18 may form an alkylidene group.

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体の構成
成分である環状オレフィンは、−殺伐[工]で表わされ
る不飽和単量体からなる群から選ばれた少なくとも1種
の環状オレフィンである。
The cyclic olefin that is a component of the above-mentioned cyclic olefin random copolymer is at least one type of cyclic olefin selected from the group consisting of unsaturated monomers represented by -Sakuburu.

−殺伐中[I]で表わされる環状オレフィンは、シクロ
ペンタジェン類と相応するオレフィン類とをディールス
・アルダ−反応で縮合させることにより容易に製造する
ことができる。
- The cyclic olefin represented by [I] can be easily produced by condensing cyclopentadiene and the corresponding olefin in a Diels-Alder reaction.

−殺伐[2]で表わされる環状オレフィンとし17− −せト て、具体的には、表1に記載した化合物、あるいは1.
4.5.8−ジメタノ−1,2,3,4,4a、 5.
8.8a−オクタヒドロナフタレンのほかに、2−メチ
ル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a
、 5.8.8a−オクタヒドロナフタレン、2−エチ
ル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4゜4a
、 5.8.8a−オクタヒドロナフタレン、2−プロ
ピル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4
a、 5.8.8a−オクタヒドロナフタレン、2−へ
キシル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,
4a、 5.8.8a−オクタヒドロナフタレン、2.
3−ジメチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3
,4,4a、 5゜8.8a−オクタヒドロナフタレン
、2−メチル−3−エチル−1,4,5,8−ジメタノ
−1,2,3,4,4a、 5.8.8a−オクタヒド
ロナフタレン、2−クロロ−1,4,5,8−ジメタノ
−1,2,3,4,4a、 5.8.8a−オクタヒド
ロナフタレン、2−ブロモ−1,4,5,8−ジメタノ
−1,2,3,4,4a、 5゜8.8a−オクタヒド
ロナフタレン、2−フルオロ−1゜4、5.8−ジメタ
ノ−1,2,3,4,4a、 5.8.8a−オクタヒ
ドロナフタレン、2.3−ジクロロ−1,4,5,8−
ジメタノ−1,2,3,4,4a、 5.8.8a−オ
クタヒドロナフタレン、2−シクロヘキシル−1,4,
5,8−ジメタノ−1,2,3,4゜−) 4a、 5.8.8a−オクタヒドロナフタレン、2−
n−ブチル1、4.5.8−ジメ、タノー1.2.3.
4.4a、 5.8.8a−オクタヒドロナフタレン、
2−インブチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,
3,4,4a、 5.8.8a−オクタヒドロナフタレ
ンなどのオクタヒドロナフタレン類などを例示すること
ができる。
- Cyclic olefin represented by [2] 17- - Specifically, compounds listed in Table 1 or 1.
4.5.8-dimethano-1,2,3,4,4a, 5.
8.8a-In addition to octahydronaphthalene, 2-methyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a
, 5.8.8a-octahydronaphthalene, 2-ethyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4゜4a
, 5.8.8a-octahydronaphthalene, 2-propyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4
a, 5.8.8a-octahydronaphthalene, 2-hexyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,
4a, 5.8.8a-octahydronaphthalene, 2.
3-dimethyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3
,4,4a, 5°8.8a-octahydronaphthalene, 2-methyl-3-ethyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a, 5.8.8a-octa Hydronaphthalene, 2-chloro-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a, 5.8.8a-octahydronaphthalene, 2-bromo-1,4,5,8-dimethano -1,2,3,4,4a, 5゜8.8a-octahydronaphthalene, 2-fluoro-1゜4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a, 5.8.8a -octahydronaphthalene, 2,3-dichloro-1,4,5,8-
Dimethano-1,2,3,4,4a, 5.8.8a-octahydronaphthalene, 2-cyclohexyl-1,4,
5,8-dimethano-1,2,3,4°-) 4a, 5.8.8a-octahydronaphthalene, 2-
n-butyl 1,4.5.8-dime, tano 1.2.3.
4.4a, 5.8.8a-octahydronaphthalene,
2-inbutyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,
Examples include octahydronaphthalenes such as 3,4,4a, and 5.8.8a-octahydronaphthalene.

さらに、式で表わされる環状オレフィン[2]の例とし
ては、以下に記載する化合物を挙げることができる。
Furthermore, examples of the cyclic olefin [2] represented by the formula include the compounds described below.

侶1 すなわち、本発明において使用される上記式[■]で表
わされる環状オレフィンとして叫 具体的には、 ビシクロ[2,2,1]ヘプト−2−エン誘導本テトラ
シクロ[4,4,0,12、5、i? 1” ]−]3
−ドデセン誘導 ヘキサシフO[6,6,1,13,a、 l+s、+3
.Q2.y、Qe、+リー4−へプタデンセン誘導本 t ’y タシ’y ’cl [8,8,0,12・9
.1’ 7.111−18.113 ・I ’Q31.
Q12.17]−5−トコセン誘導体、ペンタシクロ[
6,6,1,13・6,02・7 、 Q9 、 I 
A ]−]4−ヘキサデセン誘導 朱プタシクロ−5−イコセン誘導本 ヘプタシクロー5−ヘンエイコセン誘導体、トリシクロ
[4,3,0,12・5]−3−デセン誘導本トリシク
ロ[4,3,0,12・5コー3−ウンデセン誘導木ペ
ンタシクロ[6,5,1,13、8、02・7.09・
13]−4−ヘンタデセン誘導本 ペンタシクロペンタデカジエン誘導本 ペンタシクロ[4,7,O,I2・S 、 Q8 、 
l 3 、19 、12 ] ]3−ペンタデセン誘導 本ンタシ)) 0 [7,8,Q、13.6.Q2.?
、11[I,+7.QIl、l19.112・+6] 
4−エイコセン誘導本および ノナシフO[9,10,1,1,4,7,038,02
,1”、012211+3.2[I,Q14.+9,1
15.18] 5−ヘンタコセン誘導体を挙げることが
できる。
Namely, as the cyclic olefin represented by the above formula [■] used in the present invention, specifically, bicyclo[2,2,1]hept-2-ene-derived tetracyclo[4,4,0, 12, 5, i? 1” ]-]3
-dodecene-induced hexacyph O[6,6,1,13,a, l+s, +3
.. Q2. y, Qe, + Lee 4-heptadensen induction book t 'y tashi'y 'cl [8, 8, 0, 12・9
.. 1' 7.111-18.113 ・I 'Q31.
Q12.17]-5-tococene derivative, pentacyclo[
6,6,1,13・6,02・7, Q9, I
A ]-] 4-hexadecene derivative Vermilion cyclo-5-icosene derivative, heptacyclo 5-heneicosene derivative, tricyclo[4,3,0,12・5]-3-decene derivative, tricyclo[4,3,0,12・5-co 3-undecene induced tree pentacyclo [6,5,1,13,8,02・7.09・
13]-4-hentadecene derivative pentacyclopentadecadiene derivative pentacyclo[4,7,O,I2・S, Q8,
l 3 , 19 , 12 ] ] 3-pentadecene derivative book)) 0 [7, 8, Q, 13.6. Q2. ?
, 11 [I, +7. QIl, l19.112・+6]
4-eicosene derivative book and nonasif O [9,10,1,1,4,7,038,02
,1",012211+3.2[I,Q14.+9,1
15.18] Mention may be made of 5-hentacocene derivatives.

以下にこのような化合物の具体的な例を示す。Specific examples of such compounds are shown below.

などのようなビシクロ[2,2,1] ヘプト − 導体; 屹シ CH。Bicyclo[2,2,1] such as hept − conductor; 屹shi CH.

エン誘 CH。enticement CH.

4ト ン 5.10−ジメチルテトラ 9−イソブチル−11,12 5、8,9,10−テトラメチ 8−メチルテトラシフ 8−エチルテトラシフ 19コー3−ドデセン C,、H,7 + 9 ]−]3−ドデセ ント 5.17 IIIコ 3−ドデセン 19コー3−ドデセン −3−ドデセン 1 [I]−]3−ドデセ ン12 5.17 IQ]−3−ドデセ ン 19]−3−ドデセン 8−メチル−9−エチルテ 3 ドデセン 8−プロモチトラシフ −3−ドデセン +9]−3−ドデセン 11−3−ドデセン 4ト ン 8−エチリデン−9−イソ 一ドデセン 、12 5.17 1θ]−3−ドデセ ン 5.17 Illコー3−ドデセン 8−n−プロピリデン−9 −ドデセン 8−n−プロピリデン−9 8−インプロピリデン [4,4,0,12 5,17 Iffコー3 一ドデセン 一ドデセン クロ[4,4,0,12 7 +11]、、−3−ドデセン I e ] −3 ドデセン 8−n−プロピリデン−9 [4,4,0,12 5,17 fi!]−3 H8 [4,4,0,12 5,17 fi!]−3 一ドデセン 一ドデセン などのテトラシクロ[4,4,0,125,17 11!1.−3−ドデセ ン誘導体; (以下余白) ぺ丑− 士と l A ]−4−へブタデセン 13 、 Q2 、7 、 Q9 、 + 4 ]−]
4−ヘプタデセ ンどのへキサシクロ[6,6,1,136,119 13、Q2 、7 、 Q9 デセン ・I 4 ]−4−へブタデセン誘導体;デセン トコセン 18.113.16.Q3 8.01 +7]−5−トコセン +7]−5−トコセン などのオクタシクロ[8,8,0,129,14 7,1目 +9.II 娼シ る卜 l fl 、 O3、8、Ql 2 17コー5−トコセン誘導体; ヘプタシクロ[8,7,0 コセン などのへブタシクロ−5−イコセン誘導体あるいはへブ
タシクロ−5−ヘンエイコセン誘導体;Hs セン などのペンタシクロ[6,6,1,13,’l、02.
T、0914コー4 ヘキサデセン誘導体 士) 田シ 1.3−ジメチル−ペンタ などのトリシクロ[4,3,0,12 5コー3−デセン誘導体 10−メチル−トリシフ 14、15−ジメチルペン などのトリシクロ[4,4,0,12 5] 3−ウンデセン誘導 などのペンタシクロ[6,5,1,13・6.O2・7
.0913 ] −4− 体; ペンタデセン誘導体; などのジエン化合物 田ト 4シ 21.113.2[I,Ql4.lla、115.1]
−5−ヘンタコセン セン などのペンタシクロ[4,7,0,12・6 、 Ql
l 、 j 3 、 lQ 、 + 2 ’]−3−ペ
ンタデセン誘導体; コセン 3.211.Q11119.lls、l]−5−ヘンタ
コセン などのノナシクロ[9,10,1,1’・7.03・8
 、 Q2 、 I Q 、 Ql 221、113.
28.Ql4.IQ、llS、I11] −5−ヘンタ
コセン誘導体: (以下余白) 2.16]−4−エイコセン などのへブタシクロ[7,8,0,18・6.02・?
、lle、I7.Q11.16.lI2.IB] 、−
4−エイコセン誘導体;円) 十 この環状オレフィン系ランダム共重合体中 上記のよう
にエチレンおよび前記環状オレフィンを必須成分とする
ものである力f、該必須の二成分の他に本発明の目的を
損なわない範囲で、必要に応じて他の共重合可能な不飽
和単量体成分を含有していてもよい。任意に共重合され
ていてもよい該不飽和単量体として、具体的には、たと
えば生成するランダム共重合体中のエチレン成分単位と
等モル未満の範囲のプロピレン、1−ブテン、4−メチ
ル−1−ペンテン、・1−ヘキセン、1−オクテン、1
−デセン、1−ドデセン、1−テトラデセン、1−へキ
サデセン、1−オクタデセン、1−エイコセンなどの炭
素原子数が3〜20のα−オレフィンなどを例示するこ
とができる。
4 tons 5.10-dimethyltetra 9-isobutyl-11,12 5,8,9,10-tetramethy8-methyltetrasif 8-ethyltetrasif 19-3-dodecene C,,H,7 + 9 ]-] 3-dodecene 5.17 III-3-dodecene 19-3-dodecene-3-dodecene 1 [I]-]3-dodecene 12 5.17 IQ]-3-dodecene 19]-3-dodecene 8-methyl-9 -ethylte 3 dodecene 8-promotitrasif-3-dodecene + 9]-3-dodecene 11-3-dodecene 4 tons 8-ethylidene-9-iso-dodecene, 12 5.17 1θ]-3-dodecene 5.17 Illco 3 -Dodecene 8-n-propylidene-9 -Dodecene 8-n-propylidene-9 8-Impropylidene [4,4,0,12 5,17 Iff code 3 -dodecene-dodecene [4,4,0,12 7 +11],, -3-dodecene I e ] -3 dodecene 8-n-propylidene-9 [4,4,0,12 5,17 fi! ]-3 H8 [4,4,0,12 5,17 fi! ]-3 Tetracyclo[4,4,0,125,17 11!1. -3-Dodecene derivative; (blank space below) -4-hebutadecene 13, Q2, 7, Q9, +4]-]
4-heptadecene Which hexacyclo[6,6,1,136,119 13, Q2, 7, Q9 decene.I4]-4-hebutadecene derivative; decentcosene 18.113.16. Q3 8.01 +7]-5-tococene+7]-5-tococene and other octacyclo[8,8,0,129,14 7,1st+9. II Heptacyclo-5-icosene derivatives such as heptacyclo [8,7,0 cosene or heptacyclo-5-heneicosene derivatives; Hs Sen, etc. Pentacyclo[6,6,1,13,'l,02.
T, 0914-4 hexadecene derivatives) 1,3-dimethyl-penta and other tricyclo[4,3,0,125-5-3-decene derivatives 10-methyl-tricif 14,15-dimethylpene and other tricyclo[ 4,4,0,12 5] Pentacyclo[6,5,1,13・6. O2・7
.. 0913 ] -4- body; Pentadecene derivative; Diene compounds such as 21.113.2 [I, Ql4. lla, 115.1]
Pentacyclo[4,7,0,12・6,Ql
l, j3, lQ, +2']-3-pentadecene derivative; Cosene 3.211. Q11119. lls, l]-5-hentacocene and other nonacyclo[9,10,1,1'・7.03・8
, Q2 , I Q , Ql 221, 113.
28. Ql4. IQ, llS, I11] -5-hentacocene derivatives: (blank below) 2.16] -4-eicosene and other hebutacyclo[7,8,0,18・6.02・?
, lle, I7. Q11.16. lI2. IB], -
4-eicosene derivative; circle) In this cyclic olefin random copolymer, as mentioned above, the force f which has ethylene and the cyclic olefin as essential components, and the object of the present invention in addition to the two essential components. If necessary, other copolymerizable unsaturated monomer components may be contained within a range that does not impair the composition. Specifically, the unsaturated monomer which may be optionally copolymerized includes, for example, propylene, 1-butene, 4-methyl in an amount less than equimolar to the ethylene component unit in the random copolymer to be produced. -1-pentene, 1-hexene, 1-octene, 1
Examples include α-olefins having 3 to 20 carbon atoms, such as -decene, 1-dodecene, 1-tetradecene, 1-hexadecene, 1-octadecene, and 1-eicosene.

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体におい
て、エチレンに由来する繰り返し単位(a)は、40〜
85モル%、好ましくは50〜75モル%の範囲で存在
しており、また該環状オレフィンに由来する繰り返し単
位(b)  は15〜60モル%、好ましくは25〜5
0モル%の範囲で存在しており、エチレンに由来する繰
り返し単位(a)および該環状オレフィンに由来する繰
り返し単位(b)は、ランダムに実質上線状に配列して
いる。なお、エチレン組成および環状オレフィン組成は
+ 3 (ニー N M Rによって測定した この環
状オレフィン系ランダム共重合体が実質上線状であり、
ゲル状架橋構造を有していないことは、該共重合体が1
35℃のデカリン中に完全に溶解することによって確認
できる。
In the above-mentioned cyclic olefin random copolymer, the repeating unit (a) derived from ethylene is 40 to
The repeating unit (b) derived from the cyclic olefin is present in an amount of 85 mol%, preferably 50 to 75 mol%, and 15 to 60 mol%, preferably 25 to 5 mol%.
The repeating units (a) derived from ethylene and the repeating units (b) derived from the cyclic olefin are present in a range of 0 mol %, and are arranged substantially linearly at random. The ethylene composition and cyclic olefin composition are +3 (measured by NMR). This cyclic olefin random copolymer is substantially linear,
The copolymer does not have a gel-like crosslinked structure.
This can be confirmed by complete dissolution in decalin at 35°C.

このような環状オレフィン系ランダム共重合体の135
℃のデカリン中で測定した極限粘度[η]は、 0.0
5〜10dl/g、  好ましくは0、08〜5dl/
gの範囲にある。
135 of such a cyclic olefin random copolymer
The intrinsic viscosity [η] measured in decalin at ℃ is 0.0
5-10dl/g, preferably 0.08-5dl/
in the range of g.

また環状オレフィン系ランダム共重合体のサーマル・メ
カニカル・アナライザーで測定した軟化温度(TMA)
は、70℃以上が好ましく、特に好ましくは90〜25
0℃、さらに好ましくは100〜200℃の範囲にある
。なお軟化温度(TMA)は、デュポン社製Therm
omechanicalAnalyserを用いて1關
厚さシートの熱変形挙動に(− 十 より測定した すなわちシート上に石英製針をのせ、荷
重49gをかけ、 5℃/分で昇温しでいき、針が0.
635゜侵入した温度をTMAとしたまた、該環状オレ
フィン系ランダム共重合体[A]のガラス転移温度(T
g)は、通常50〜230t、好ましくは7o〜210
℃の範囲にあることが望ましい。
In addition, the softening temperature (TMA) of the cyclic olefin random copolymer was measured using a thermal mechanical analyzer.
is preferably 70°C or higher, particularly preferably 90 to 25°C.
The temperature is preferably 0°C, more preferably 100 to 200°C. The softening temperature (TMA) is determined by DuPont's Therm.
A quartz needle was placed on the sheet, a load of 49 g was applied, and the temperature was raised at a rate of 5°C/min until the needle reached 0.05°C.
The glass transition temperature (T
g) is usually 50 to 230t, preferably 7o to 210t
It is desirable to be in the range of ℃.

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体のX線回
折法によって測定した結晶化度は、0〜10%、好まし
くは0〜7%、とくに好ましくは0〜5%の範囲である
The degree of crystallinity of this cyclic olefin random copolymer measured by X-ray diffraction is in the range of 0 to 10%, preferably 0 to 7%, particularly preferably 0 to 5%.

本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン共
重合体は、特開昭60−168708号公帆特開昭61
−120816号公私 特開昭61−115912号公
私 特開昭61−115916号公私 特願昭61−9
5905号公楓 特願昭61−95906号公報、特開
昭61−271308号公私 特開昭61−27221
6号公報などにおいて本出願人が提案した方法に従い適
宜条件を選択することにより、製造することができる。
The above-mentioned cyclic olefin copolymer constituting the substrate in the present invention is disclosed in JP-A-60-168708, JP-A-61.
-120816 Public/Private JP 61-115912 Public/Private JP 61-115916 Public/Private Patent Application 1982-9
No. 5905 Public Kaede Japanese Patent Application No. 1983-95906, Japanese Patent Application No. 1982-271308 Public/Private Japanese Patent Application No. 1982-27221
It can be manufactured by appropriately selecting conditions according to the method proposed by the applicant in Publication No. 6 and the like.

また、基板を形成する樹脂として、上記のよう÷ な環状オレフィンランダム共重合体と共に、上述の式[
I]で表される環状オレフィンが開環重合することによ
り形成される次式[[[I]で表される繰り返し単位を
含む重合体もしくは共重合体が含まれていてもよく、さ
らに上記式[m]で表される繰り返し単位を水添するこ
とにより形成される次式[■]で示すような繰り返し単
位を含む重合体あるいは共重合体が含まれていてもよい
In addition, as the resin forming the substrate, in addition to the above-mentioned cyclic olefin random copolymer, the above-mentioned formula [
A polymer or copolymer containing a repeating unit represented by the following formula [[I] formed by ring-opening polymerization of a cyclic olefin represented by A polymer or copolymer containing a repeating unit represented by the following formula [■] formed by hydrogenating the repeating unit represented by [m] may be included.

ベト ・・・[■] ただし 上記式[m]および[■]において、nおよび
R1−R12は、前記式[I]で示される環状オレフィ
ンにおけるnおよびR1−R1と同じ意味である。
Beto...[■] However, in the above formulas [m] and [■], n and R1-R12 have the same meanings as n and R1-R1 in the cyclic olefin represented by the above formula [I].

また上記の環状オレフィン共重合体には、必要に応じ、
耐熱安定剤、耐候安定剤、帯電防止剤、スリップ剤、ア
ンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然
源 合成法 ワックスなどを配合することができ、その
配合割合は適宜量である。たとえ(fl  任意成分と
して配合される安定剤として具体的には、テトラキス[
メチレン−3(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロピオネートコメタン、β−(3,5−
ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオン
酸アルキルエステル(特に炭素数18以下のアルキルエ
ステルが好ましい)、2.2’−オキザミドビス[エチ
ル−3(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネートなどのフェノール系酸化防止剤、
ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、12ヒド
ロキシステアリン酸カルシウムなどの脂肪酸金属塩、グ
リセリンモノステアレート、グリセリンモノラウレート
、グリセリンジステアレート、ペンタエリスリトールモ
ノステアレート、ペンタエリスリトールジステアレート
、ペンタエリスリトールトリステアレート等の多価アル
コール脂肪酸エステルなどを挙げることができる。これ
らは単独で配合してもよいカー 組合わせて配合しても
よく、たとえばテトラキス[メチレン−3(3,5−ジ
ーt−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
トコメタンとステアリン酸亜鉛およびグリセリンモノス
テアレートとの組合せ等を例示するこ(テ (ト とができる。
In addition, the above cyclic olefin copolymer may include, if necessary,
Heat-resistant stabilizers, weather-resistant stabilizers, antistatic agents, slip agents, anti-blocking agents, anti-fog agents, lubricants, dyes, pigments, natural sources, synthetic methods, waxes, etc. can be blended, and the blending ratio is appropriate. . Specifically, as a stabilizer that may be added as an optional ingredient, tetrakis [
Methylene-3(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate comethane, β-(3,5-
di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionic acid alkyl ester (alkyl esters having 18 or less carbon atoms are particularly preferred), 2,2'-oxamidobis[ethyl-3(3,5-di-t-butyl-4 - phenolic antioxidants such as hydroxyphenyl) propionate,
Fatty acid metal salts such as zinc stearate, calcium stearate, calcium 12-hydroxystearate, glycerin monostearate, glycerin monolaurate, glycerin distearate, pentaerythritol monostearate, pentaerythritol distearate, pentaerythritol tristearate, etc. Examples include polyhydric alcohol fatty acid esters. These may be blended alone or in combination, such as tetrakis [methylene-3 (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate comethane, zinc stearate and glycerin]. The following are examples of combinations with monostearate.

本発明では特に、フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組合せて用いることが好
ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは3価以上
の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部がエステ
ル化された多価アルコール脂肪酸エステルであることが
好ましい。
In the present invention, it is particularly preferable to use a combination of a phenolic antioxidant and a fatty acid ester of a polyhydric alcohol. Polyhydric alcohol fatty acid esters are preferred.

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとしては、
具体的には、グリセリンモノステアレート、グリセリン
モノラウレート、グリセリンモノミリステート、グリセ
リンモノパルミテート、グリセリンジステアレート、グ
リセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステル、
ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリス
リトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジステ
アレート、ペンタエリスリトールジラウレート、ペンタ
エリスリトールトリステアレート等のペンタエリスリト
ールの脂肪酸エステルが用いられる。
Such fatty acid esters of polyhydric alcohols include:
Specifically, glycerin fatty acid esters such as glycerin monostearate, glycerin monolaurate, glycerin monomyristate, glycerin monopalmitate, glycerin distearate, and glycerin dilaurate;
Fatty acid esters of pentaerythritol such as pentaerythritol monostearate, pentaerythritol monolaurate, pentaerythritol distearate, pentaerythritol dilaurate, and pentaerythritol tristearate are used.

このようなフェノール系酸化防止剤は、環状オレフィン
系ランダム共重合体組成物100重量(ト 部に対して0.01〜10重量部好ましくは0、05〜
3重量部さらに好ましくは0. 1〜1重量部の量で用
いら汰 また多価アルコールの脂肪酸エステルは該組成
物100重量部に対して0.01〜10重量部好ましく
は0.05〜3重量部の量で用いられる。
Such a phenolic antioxidant is used in an amount of 0.01 to 10 parts by weight, preferably 0.05 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the cyclic olefin random copolymer composition.
3 parts by weight, more preferably 0. The fatty acid ester of the polyhydric alcohol is used in an amount of 0.01 to 10 parts by weight, preferably 0.05 to 3 parts by weight, based on 100 parts by weight of the composition.

本発明では、基板2として、上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体を用いており、この環状オレフィ
ン系ランダム共重合体は、従来基板2として用いられて
いるポリカーボネート、ポリ (メタ)アクリレートな
どと比較して吸水率かがさいため、基板上に積層された
光磁気記録膜が水分によって酸化されることが少ない。
In the present invention, the above-mentioned cyclic olefin random copolymer is used as the substrate 2, and this cyclic olefin random copolymer is made of polycarbonate, poly(meth)acrylate, etc. that have been conventionally used as the substrate 2. Since the water absorption rate is higher than that of the substrate, the magneto-optical recording film laminated on the substrate is less likely to be oxidized by moisture.

またこの環状オレフィン系ランダム共重合体からなる基
板と光磁気記録膜とは密着性に優れており、この点から
も基板上に積層された光磁気記録膜の酸化が効果的に防
止される。したがってこの環状オレフィン系ランダム共
重合体からなる基板上に光磁気記録膜を積層してなる光
磁気記録媒体は、耐久性に便法 しかも長期安定性にも
優れている。
Further, the substrate made of the cyclic olefin random copolymer and the magneto-optical recording film have excellent adhesion, and from this point as well, oxidation of the magneto-optical recording film laminated on the substrate is effectively prevented. Therefore, a magneto-optical recording medium formed by laminating a magneto-optical recording film on a substrate made of this cyclic olefin random copolymer is convenient in terms of durability and has excellent long-term stability.

(訃 さらに上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体
からなる基板は、複屈折が小さく、したがって光磁気記
録膜の読取り時の感度が大きく、読取り時に非差動型の
ドライブ装置を用いることもできる。
(Furthermore, the substrate made of the cyclic olefin random copolymer described above has low birefringence, and therefore has high sensitivity when reading the magneto-optical recording film, and it is also possible to use a non-differential drive device when reading. can.

本発明では、上記のような基板2上に(i)3d遷移金
属から選ばれる少なくとも1種と、 (iii)希土類
から選ばれる少なくとも1種の元素とを少なくとも含む
、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜から
なる光磁気記録膜3が積層されるカζ 本発明ではこの
ような光磁気記録膜3の中で、 (i)3d遷移金属か
ら選ばれる少なくとも1種と、 (ii)耐腐食性金属
と、 (iii)希土類から選ばれる少なくとも1種の
元素とからなる光磁気記録膜を用いることが好ましい。
In the present invention, on the substrate 2 as described above, there is provided a film that is easily magnetized perpendicular to the film surface and includes at least (i) at least one element selected from 3D transition metals and (iii) at least one element selected from rare earths. In the present invention, in such a magneto-optical recording film 3, (i) at least one selected from 3D transition metals; It is preferable to use a magneto-optical recording film comprising (ii) a corrosion-resistant metal and (iii) at least one element selected from rare earths.

以下まずこの好ましい光磁気記録膜3について説明する
First, this preferred magneto-optical recording film 3 will be explained below.

(i)3d遷移金属としては、Fe、  Co、Ti。(i) 3d transition metals include Fe, Co, and Ti.

V、  CrSMn、  Ni、Cu、Znなどが用い
られるが、このうちFeまたはCOあるいはこの両者で
あることが好ましい。
V, CrSMn, Ni, Cu, Zn, etc. are used, and among these, Fe, CO, or both are preferable.

この3d遷移金属は、光磁気記録膜3中に好ましくは2
o〜90原子%より好ましくは30〜85原子%とくに
好ましくは35〜80原子%の量で存在している。
This 3d transition metal is preferably contained in the magneto-optical recording film 3.
It is present in an amount of o to 90 atom %, more preferably 30 to 85 atom %, particularly preferably 35 to 80 atom %.

(ii)耐腐食性金属は、光磁気記録膜3に含ませるこ
とによって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めること
ができる。このような耐腐食性金属としては、Pt、 
 Pd、  Ti、  Zr、  Ta、  Mo。
(ii) By including the corrosion-resistant metal in the magneto-optical recording film 3, the oxidation resistance of the magneto-optical recording film can be improved. Such corrosion-resistant metals include Pt,
Pd, Ti, Zr, Ta, Mo.

Nbなどが用いられる力& このうちPt、  Pd。The force used is Nb, etc. & among these, Pt, Pd.

Tiが好ましくとくにptまたはPdあるいはこの両者
であることが好ましい。
Ti is preferred, especially pt or Pd or both.

この耐腐食性金属は、光磁気記録膜3中に、5〜30原
子%好ましくは5〜25原子%、とくには10〜25原
子%さらに好ましくは10〜2゜原子%の量で存在して
いる。
This corrosion-resistant metal is present in the magneto-optical recording film 3 in an amount of 5 to 30 at%, preferably 5 to 25 at%, particularly 10 to 25 at%, and more preferably 10 to 2 at%. There is.

この耐腐食性金属の含有量が5原子%未満であると、得
られる光磁気記録膜の耐酸化性が充分には改善されず、
経時的に保磁力HCが大きく変化したりあるいはカー回
転角θkが減少したりする。
If the content of this corrosion-resistant metal is less than 5 at %, the oxidation resistance of the resulting magneto-optical recording film will not be sufficiently improved;
Over time, the coercive force HC changes significantly or the Kerr rotation angle θk decreases.

昔 七χ また、30原子%を超えて存在する場合には、得られる
非晶質合金薄膜のキュリー点が室温以下となる傾向もあ
るため好ましくない。 (i)光磁気記録膜3は、上記
(ii)および(iii)に加えて、下記の群から選ば
れる少なくとも1種の希土類元素を含んで構成されてい
る。
Furthermore, if it is present in an amount exceeding 30 atomic %, the Curie point of the obtained amorphous alloy thin film tends to be lower than room temperature, which is not preferable. (i) The magneto-optical recording film 3 is configured to contain, in addition to the above (ii) and (iii), at least one rare earth element selected from the following group.

Gd、  Tb、  Dy、  Ho、  Er、  
Tm、  Yb。
Gd, Tb, Dy, Ho, Er,
Tm, Yb.

Lu 、 La 、 Ce 、 Pr 、 Nd 、 
Pm 、 Sm 。
Lu, La, Ce, Pr, Nd,
Pm, Sm.

u このうちGd、  Tb、  Dy、  Ho、  N
d、  Sm。
u Among these, Gd, Tb, Dy, Ho, N
d, Sm.

Prが好ましく用いられる。Pr is preferably used.

上記のような群から選ばれる少なくとも1種の希土類元
素は、光磁気記録膜3中に、好ましくは5〜5o原子%
さらに好ましくは8〜45原子%とくに好ましくは10
〜4o原子%の量で存在している。
At least one rare earth element selected from the above group is preferably contained in the magneto-optical recording film 3 in an amount of 5 to 50 atomic %.
More preferably 8 to 45 at%, particularly preferably 10
It is present in an amount of ~4o atom %.

本発明では、光磁気記録膜3が、特に、下記の記載する
ような組成を有することが好ましい。
In the present invention, it is particularly preferable that the magneto-optical recording film 3 has a composition as described below.

i 3d遷 − 本発明に係る光磁気記録膜中には、 (i)3d遷七− 移元素として、好ましくはFeまたはCOあるいはこの
両者が含まれており、Feおよび/またはCOは、40
原子%以上80原子%以下好ま1−<は40原子%以上
75原子%未満さらに好ましくは40原子%以上59原
子%以下の量で存在していることが望ましい。
i 3d transition - The magneto-optical recording film according to the present invention preferably contains Fe or CO or both as (i) 3d transition element, and Fe and/or CO are 40
Preferably 1-< is present in an amount of at least 40 atom % and less than 75 atom %, more preferably at least 40 atom % and less than 59 atom %.

さらにFe  および/またはCOは、Co  /(F
e +Co )比[原子比]が0以上0. 3以下好ま
しくは0以上0.2以下さらに好ましくは0、01以上
0.2以下であるような量で、光磁気記録膜中に存在し
ていることが望ましい。
Furthermore, Fe and/or CO may be Co/(F
e +Co) ratio [atomic ratio] is 0 or more and 0. It is desirable that it be present in the magneto-optical recording film in an amount of 3 or less, preferably 0 or more and 0.2 or less, more preferably 0 or more and 0.2 or less.

Feおよび/またはCOの量が40原子%以上で80原
子%以下の範囲にあると、耐酸化性に優へ かつ膜面に
垂直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録膜が得られ
るという利点を有する。
When the amount of Fe and/or CO is in the range of 40 atomic % or more and 80 atomic % or less, a magneto-optical recording film with excellent oxidation resistance and an axis of easy magnetization in the direction perpendicular to the film surface can be obtained. It has the advantage of

ところで光磁気記録膜中に、Coを添加すると、(イ)
光磁気記録膜のキュリー点が上昇し、また(口)カー回
転角(θk)が大きくなるという現象が認めら担 その
結果、Coの添加量により、光磁気記録膜の記録感度を
調整することができ、(1 しかもCOの添加により、再生信号のキャリアレベルを
増加することができる。本発明において用いる光磁気記
録膜では、ノイズレベル、CZN比の点からCo / 
(Fe +Co )比[原子比]は0以上0.3以下好
ましくは0以上0. 2以下さらに好ましくは0.01
以上0. 2以下であることが望ましい。
By the way, when Co is added to the magneto-optical recording film, (a)
It has been observed that the Curie point of the magneto-optical recording film increases and the Kerr rotation angle (θk) increases.As a result, it is possible to adjust the recording sensitivity of the magneto-optical recording film by adjusting the amount of Co added. (1) Moreover, the carrier level of the reproduced signal can be increased by adding CO. In the magneto-optical recording film used in the present invention, from the viewpoint of noise level and CZN ratio, Co /
The (Fe + Co 2 ) ratio [atomic ratio] is 0 or more and 0.3 or less, preferably 0 or more and 0.3 or less. 2 or less, more preferably 0.01
More than 0. It is desirable that it is 2 or less.

第5図に上記環状オレフィン共重合体基板にPt Tb
 Fe Co系光磁気記録膜を積層した光磁気記録媒体
におけるCo / (Co +Fe )比[原子比コと
ノイズレベル(dBm)との関係を示し、また第6図に
Pd Tb Fe Co系光磁気記録膜を積層した光磁
気記録媒体におけるCo/(Co+Fe)比[原子比]
とノイズレベル(dBm)との関係を示す。
Figure 5 shows that PtTb is applied to the cyclic olefin copolymer substrate.
Figure 6 shows the relationship between the Co/(Co + Fe) ratio [atomic ratio ko] and the noise level (dBm) in a magneto-optical recording medium laminated with a Pd Tb Fe Co-based magneto-optical recording film. Co/(Co+Fe) ratio [atomic ratio] in magneto-optical recording medium with laminated recording films
and the noise level (dBm).

具体的には、Pt13 T b 2 B F e 6 
@ COg で示される組成を有する光磁気記録膜(C
o/(Fe+Co)比[原子比]:0.15)を基板に
積層した場合は、ノイズレベルが一56dBmであるの
に対し、P t 13Tb 2sFe 38CO23で
示される組成を有する光磁気記録膜(Co / (Fe
 +Co )比[原子比]:0.39)を用いた場合は
、ノイズレベルが一50dBmであり、ノイズレベルが
大きくなる傾向がある。またP d 14Tb 27F
e 62Co7で示される組成を有する光磁気記録膜(
Co / (Fe +Co )比[原子比]:0.12
)を用いた場合は、ノイズレベルが一56dBmである
のに対して、Pd 14Tb 27Fe 41 Co 
18で示される組成を有する光磁気記録膜(Co/(F
e+CO)比[原子比コニ0.31)を用いた場合は、
ノイズレベルが一51dBmであり、ノイズレベルが大
きくなる傾向がある。
Specifically, Pt13 T b 2 B Fe 6
A magneto-optical recording film (C
o/(Fe+Co) ratio [atomic ratio]: 0.15) is stacked on the substrate, the noise level is 156 dBm, whereas the magneto-optical recording film having the composition shown as P t 13Tb 2sFe 38CO23 ( Co/(Fe
+Co) ratio [atomic ratio]: 0.39), the noise level is 150 dBm, and the noise level tends to increase. Also P d 14Tb 27F
e Magneto-optical recording film having a composition represented by 62Co7 (
Co/(Fe +Co) ratio [atomic ratio]: 0.12
), the noise level was 156 dBm, while Pd 14Tb 27Fe 41 Co
A magneto-optical recording film (Co/(F
When using the e+CO) ratio [atomic ratio CO 0.31),
The noise level is 151 dBm, and the noise level tends to increase.

第7図にPt  Tb  Fe  Co あるいはPd
 TbFe Coで示される組成を有する光磁気記録膜
を基板に積層した光磁気記録媒体におけるCo  /(
Fe +Co )比[原子比]と消去劣化(△CZN比
(dB))との関係を示す。
Figure 7 shows Pt, Tb Fe Co or Pd.
Co/(
The relationship between the Fe + Co ) ratio [atomic ratio] and erasure degradation (ΔCZN ratio (dB)) is shown.

具体的には)P t +3Tb 2sFe 5eco 
9 なる組成を有する光磁気記録膜(Co / (Fe
 +Co )比[原子比]:0.155)を積層基板に
積層しくシ うト た光磁気記録媒体に、−たん記録された情報を消去する
際、膜に照射するエネルギーを大きくしても膜変質は全
く起こらず、新たな情報も、C/N比の値としては、消
去前のと同じ値の記録ができる。
Specifically) P t +3Tb 2sFe 5eco
Magneto-optical recording film (Co/(Fe
When erasing information recorded on a magneto-optical recording medium in which +Co) ratio [atomic ratio]: 0.155) is laminated on a multilayer substrate, the film does not change even if the energy irradiated to the film is increased. No deterioration occurs at all, and new information can be recorded with the same C/N ratio value as before erasing.

さらに本発明に用いるこの好ましい光磁気記録膜は、記
録および消去を繰り返し行なっても、膜変質が生ずるこ
とはない。たとえばPt+aTb2sFed(、Cog
 なる組成を有する光磁気記録膜叫10万回の記録およ
び消去を繰り返し行なってもC/N比の低下は認められ
ない。
Furthermore, this preferable magneto-optical recording film used in the present invention does not undergo film deterioration even after repeated recording and erasing. For example, Pt+aTb2sFed(, Cog
Even after repeated recording and erasing of 100,000 times, no decrease in the C/N ratio was observed.

ii  食合 本発明に用いる好ましい光磁気記録膜中には、(ii)
耐腐食性金属として、好ましくはPtまたはPdあるい
はこの両者が含まれており、ptおよび/またはPdは
、光磁気記録膜中に5〜30原子%、好ましくは10原
子%を超えて30原子%以下、さらに好ましくは10原
子%を超えて20原子%未満、最も好ましくは11原子
%以上19原子%以下の量で存在していることが望まし
くシ 光磁気記録膜中のptおよび/またはPdの量が5原子
%以上特に10原子%を超えて存在すると、光磁気記録
膜の耐酸化性に便法 長期間使用しても孔食が発生せず
、C/N比も劣化しないという利点を有する。またTi
S Mo、Zr、  Ta。
(ii) Preferable magneto-optical recording films used in the present invention include (ii)
The corrosion-resistant metal preferably contains Pt and/or Pd, and pt and/or Pd is contained in the magneto-optical recording film in an amount of 5 to 30 at%, preferably more than 10 at% to 30 at%. The amount of pt and/or Pd in the magneto-optical recording film is preferably present in an amount of more than 10 atom % and less than 20 atom %, most preferably 11 atom % to 19 atom %. When present in an amount of 5 atomic % or more, especially more than 10 atomic %, it improves the oxidation resistance of the magneto-optical recording film. have Also Ti
S Mo, Zr, Ta.

Nbなどにおいても同様の効果が認められた。A similar effect was also observed for Nb and the like.

第8図に光磁気記録膜中におけるPtおよび/またはP
d 含有量と、光磁気記録膜を相対湿度85%、80℃
の環境下に1000時間保持した場合の△C/N比との
関係を示す。
Figure 8 shows Pt and/or P in the magneto-optical recording film.
d content and the magneto-optical recording film at 85% relative humidity and 80°C.
The relationship between the ΔC/N ratio and the ΔC/N ratio when maintained for 1000 hours under the following environment is shown.

この第8図から、光磁気記録膜中のPtおよび/または
Pdの量が5原子%以上特に10原子%を超えている場
合には、光磁気記録膜の耐酸化性が向上し、長期間使用
しても孔食が発生せず、C/N比が劣化することがない
ことがわかる。
From FIG. 8, it can be seen that when the amount of Pt and/or Pd in the magneto-optical recording film is 5 atomic % or more, especially more than 10 atomic %, the oxidation resistance of the magneto-optical recording film is improved and it lasts for a long time. It can be seen that pitting corrosion does not occur even when used, and the C/N ratio does not deteriorate.

たとえばPt +3Tb 2eFe 511Co @ 
 あるいはPd+2Tb 2sFes3Co7で示され
る組成を有する光磁気記録膜を用いた場合は、相対湿度
85%、80℃の環境下に1000時間保持しても、C
/() N比は全く変化しない。これに対してptまたはPdを
含まないTb25Fe68C07で示される組成を有す
る光磁気記録膜を用いた場合は、相対湿度85%、80
℃の環境下に1000時間保持すると、C/N比は大き
く低下する。
For example, Pt +3Tb 2eFe 511Co @
Alternatively, when a magneto-optical recording film having the composition shown as Pd+2Tb2sFes3Co7 is used, even if it is kept in an environment of 85% relative humidity and 80°C for 1000 hours, C
/() The N ratio does not change at all. On the other hand, when a magneto-optical recording film having the composition shown by Tb25Fe68C07 containing no pt or Pd is used, the relative humidity is 85%, 80%
When kept in an environment at ℃ for 1000 hours, the C/N ratio decreases significantly.

また光磁気記録膜中にPt、  Pd、  Ti、  
Zr。
In addition, Pt, Pd, Ti,
Zr.

NbS Ta、Moの少なくとも1種を上記のような範
囲の量で添加することにより、光磁気記録膜に情報を記
録したりあるいは情報を読出す際へ小さなバイアス磁界
で充分に高いC/N比が得られる。小さなバイアス磁界
で充分に高いC/N比が得られると、バイアス磁界発生
用のマグネットを小さくすることができ、しかもマグネ
ットからの発熱も押えることができるため、光磁気記録
膜を有する光ディスクのドライブ装置を簡素化すること
ができる。しかも小さなバイアス磁界で充分に大きなC
/N比が得られるため、オーバーライド可能な磁界変調
記録用のマグネットの設計も容易となる。
By adding at least one of NbS Ta and Mo in an amount within the above range, a sufficiently high C/N ratio can be achieved with a small bias magnetic field when recording information on a magneto-optical recording film or reading information. is obtained. If a sufficiently high C/N ratio can be obtained with a small bias magnetic field, the magnet for generating the bias magnetic field can be made smaller, and heat generation from the magnet can also be suppressed, making it possible to drive optical disks with a magneto-optical recording film. The device can be simplified. Moreover, a small bias magnetic field can provide a sufficiently large C.
/N ratio, it becomes easy to design a magnet for overridable magnetic field modulation recording.

第9図にP t +3Tb 28Fe 5eco o 
で示される組成を有する光磁気記録膜およびTb 26
 Fe Q8Co7で示される組成を有する光磁気記録
膜を用いた場合におけるバイアス磁界依存性と、C/N
比(dB)との関係を示す。
In Figure 9, P t +3Tb 28Fe 5eco o
A magneto-optical recording film having a composition shown by and Tb 26
Bias magnetic field dependence and C/N when using a magneto-optical recording film having the composition shown by FeQ8Co7
The relationship with the ratio (dB) is shown.

この第9図より、Tb25Feaeco 7で示される
光磁気記録膜を用いた場合では、2500e以上のバイ
アス磁界を印加しないとC/N比は飽和しないのに対し
、P t 13Tb 2aFe 5eco eで示され
る光磁気記録膜では、小さなバイアス磁界でも充分に記
録可能であり、1200e以上でC/N比は飽和してい
ることがわかる。なお実施例では、表中に各光磁気記録
膜について、C/N比が飽和するのに必要な最小バイア
ス磁界Hsatの値を示す。この値Hsatが小さいほ
ど、小さなバイアス磁界でC/N比が飽和することにな
る。
From FIG. 9, when using the magneto-optical recording film shown by Tb25Feaeco 7, the C/N ratio does not saturate unless a bias magnetic field of 2500e or more is applied, whereas the C/N ratio shown by Pt13Tb2aFe5ecoe It can be seen that in the magneto-optical recording film, sufficient recording is possible even with a small bias magnetic field, and the C/N ratio is saturated at 1200e or more. In the examples, the value of the minimum bias magnetic field Hsat required for saturating the C/N ratio for each magneto-optical recording film is shown in the table. The smaller this value Hsat is, the more the C/N ratio is saturated with a smaller bias magnetic field.

また第10図に、Pt Tb Fe Co系光磁気記録
膜およびPd Tb Fe Co系光磁気記録膜におけ
るptおよび/またはPdの含有量と、最小バイアス磁
界(Hsat、 (Oe))との関係を示す。
Furthermore, FIG. 10 shows the relationship between the content of pt and/or Pd in the Pt Tb Fe Co-based magneto-optical recording film and the Pd Tb Fe Co-based magneto-optical recording film and the minimum bias magnetic field (Hsat, (Oe)). show.

この第10図より、Ptおよび/またはPdの57− そ 含有量が10原子%を超えると、最小バイアス磁界Hs
atが充分に小さくなることがわかる。
From this Fig. 10, when the 57- content of Pt and/or Pd exceeds 10 at%, the minimum bias magnetic field Hs
It can be seen that at becomes sufficiently small.

(iii    土  −RE 本発明に係る光磁気記録膜中には、希土類元素(RE)
が含まれており、この希土類元素としては、  Nd、
   Sm、   Pr、   CeS  Eu、  
 Gd、  Tb。
(iii Earth-RE) The magneto-optical recording film according to the present invention contains a rare earth element (RE).
These rare earth elements include Nd,
Sm, Pr, CeS Eu,
Gd, Tb.

DyまたはHoが用いられる。Dy or Ho is used.

これらの中では、Nd SPr 、Gd 、TbDyが
好ましく用いら汰 特にTbが好ましい。
Among these, NdSPr, Gd, and TbDy are preferably used, and Tb is particularly preferred.

また希土類元素は2種以上併用してもよく、この場合に
Tbを希土類元素のうち50原子%以上含有しているこ
とが好ましい。
Further, two or more kinds of rare earth elements may be used in combination, and in this case, it is preferable that Tb is contained in an amount of 50 at % or more of the rare earth elements.

この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
った光磁気を得るという点からRE/(RE+Fe +
Co)比[原子比]をXで表わした場合に、0.15≦
X≦0.45好ましくは0、20≦X≦0. 4である
ような量で光磁気記録膜中に存在していることが望まし
い。
This rare earth element has the advantage of providing magnetism with an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, so that RE/(RE+Fe +
Co) ratio [atomic ratio] is expressed as X, 0.15≦
X≦0.45, preferably 0, 20≦X≦0. It is desirable that the magneto-optical recording film be present in an amount of 4.

本発明においては、光磁気記録膜に種々の元素を少量添
加して、キュリー温度や補償温度あるいモ) は保磁力Hcやカー回転角θにの改善あるいは低コスト
化を計ることもできる。これらの元素は、記録膜を構成
する全原子数に対してたとえば10原子%未溝の割合で
用いることができる。
In the present invention, small amounts of various elements may be added to the magneto-optical recording film to improve the Curie temperature, compensation temperature, coercive force Hc, Kerr rotation angle θ, or to reduce costs. These elements can be used in a proportion of, for example, 10 atomic % of the total number of atoms constituting the recording film.

併用できる他の元素の例としては、以下のような元素が
挙げられる。
Examples of other elements that can be used in combination include the following elements.

(1)Fe、Co以外の3d遷移元素 具体的には、Sc 、Ti  、V、Cr SMnNi
、  Cu、  Znが用いられる。
(1) 3d transition elements other than Fe and Co Specifically, Sc, Ti, V, Cr SMnNi
, Cu, and Zn are used.

これらのうち、Ti、NiS Cu、Znなどが好まし
く用いられる。
Among these, Ti, NiS Cu, Zn, etc. are preferably used.

(m)Pd以外の4d遷移元素 具体的には、Y、Zr 、Nb 、Mo 、TcRu、
Rh、AgS Cdが用いられる。
(m) 4d transition elements other than Pd, specifically Y, Zr, Nb, Mo, TcRu,
Rh, AgS Cd are used.

このうちZr、Nbが好ましく用いられる。Among these, Zr and Nb are preferably used.

(m)Pt以外の5d遷移元素 具体的には、Hf 、Ta 、W、Re 、0sIr、
Au、Hgが用いられる。
(m) 5d transition elements other than Pt Specifically, Hf, Ta, W, Re, 0sIr,
Au and Hg are used.

このうちTaが好ましく用いられる。Among these, Ta is preferably used.

(rv)mB族元素 (研 具体的には、B、AI、Ga、  In、Tlが用いら
れる。
(rv) mB group elements (Specifically, B, AI, Ga, In, and Tl are used.

このうちB、Al、Gaが好ましく用いられる。Among these, B, Al, and Ga are preferably used.

(v)■B族元素 具体的には、C,Si、Ge、Sn、Pbが用いられる
(v) ■ Group B element Specifically, C, Si, Ge, Sn, and Pb are used.

このうち、 Si、Ge、  Sn、Pbが好ましく用
いられる。
Among these, Si, Ge, Sn, and Pb are preferably used.

(vr)vB族元素 具体的には、N、PS As、Sb、Biが用いられる
(vr) vB group element Specifically, N, PS As, Sb, and Bi are used.

このうちsbが好ましく用いられる。Among these, sb is preferably used.

(■)VIB族元素 具体的には、SS Ss、Te、Poが用いられる。(■) VIB group elements Specifically, SS Ss, Te, and Po are used.

このうちTeが好ましく用いられる。Among these, Te is preferably used.

また本発明でiL  光磁気記録膜3として、上記のよ
うな(i)3d遷移金属から選ばれる少なくとも1種と
、 (iii)希土類から選ばれる少なくとも1種の元
素とからなる光磁気記録膜も用いることができる。この
ような光磁気記録膜としては、Tb Fe Co系の光
磁気記録膜が好ましく、Tbは10〜40原子%の量で
、Feは30〜90原子%の量で、COは0〜30原子
%の量で存在していることが好ましい。また本発明では
、(i)3d遷移金属と(iii)希土類元素、たとえ
ばTb−Fa。
Further, in the present invention, as the iL magneto-optical recording film 3, a magneto-optical recording film comprising (i) at least one element selected from 3d transition metals and (iii) at least one element selected from rare earths as described above is also used. Can be used. As such a magneto-optical recording film, a Tb Fe Co-based magneto-optical recording film is preferable, in which Tb is contained in an amount of 10 to 40 atom%, Fe is contained in an amount of 30 to 90 atom%, and CO is contained in an amount of 0 to 30 atom%. Preferably, it is present in an amount of %. Further, in the present invention, (i) a 3d transition metal and (iii) a rare earth element, such as Tb-Fa.

T b−F e−Co 系にさらにたとえば上記(1)
〜(■)で示される元素のような他の元素を含んでいて
もよい。
In addition to the T b-Fe-Co system, for example, the above (1)
It may also contain other elements such as the elements indicated by ~(■).

上記のような組成を有する光磁気記録膜3は、膜面に垂
直な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒステリシスが良
好な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な
非晶質薄膜となることハ広角X線回折などにより確かめ
られる。
The magneto-optical recording film 3 having the above composition is an amorphous thin film capable of perpendicular magnetic and magneto-optical recording, which has an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface and often exhibits a rectangular loop with good Kerr hysteresis. This can be confirmed by wide-angle X-ray diffraction.

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角(θに+)と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留ためカー回転角(θに2)との
比θに2/θに1が0.8以上であることを意味してい
る。
In this specification, a square loop with good Kerr hysteresis means that the saturated Kerr rotation angle (+ in θ) is the Kerr rotation angle at the maximum external magnetic field, and the residual Kerr rotation angle is the Kerr rotation angle at zero external magnetic field. This means that the ratio of θ to 2/θ to 1 with the rotation angle (θ to 2) is 0.8 or more.

(五− (渉 このような光磁気記録膜2の膜厚は、100〜5000
オングストローム好ましくは100〜3000オングス
トロームより好ましくは150〜2000オングストロ
一ム程度である。
(5) The film thickness of such a magneto-optical recording film 2 is 100 to 5000.
The angstrom is preferably about 100 to 3,000 angstroms, more preferably about 150 to 2,000 angstroms.

反−一射一一1゜ 本発明に係る光磁気記録媒体1では、上記のような光磁
気記録膜3上に、反射膜4が設けられていてもよい。
In the magneto-optical recording medium 1 according to the present invention, a reflective film 4 may be provided on the magneto-optical recording film 3 as described above.

この反射膜4は、熱伝導率が2J/cm−8ec・K以
下好ましくはIJ/clII−8ec−に以下であるよ
うな金属または合金から構成されていることが望ましい
The reflective film 4 is desirably made of a metal or alloy having a thermal conductivity of 2 J/cm-8 ec.K or less, preferably IJ/clII-8 ec- or less.

さらに好ましくは、反射膜4は、反射率が50%以上好
ましくは70%以上であり、かつ熱伝導率が2J/12
・5ec−に以下好ましくはIJ/、。
More preferably, the reflective film 4 has a reflectance of 50% or more, preferably 70% or more, and a thermal conductivity of 2J/12
- Preferably IJ/, less than 5ec-.

・5ec−に以下であるような金属または合金から構成
されている。
・Constructed from a metal or alloy that is less than or equal to 5ec-.

具体的には、反射膜4は、熱伝導率が0.71J/の・
sec  −にであるPt  、熱伝導率が0、 76
J/an−sec−にであるPd、  熱伝導率÷ が0. 22 J/cm −5ee−にであるT1、ま
たは熱伝導率が0. 99J/cm・sec −にであ
るCo。
Specifically, the reflective film 4 has a thermal conductivity of 0.71 J/.
Pt whose thermal conductivity is 0, 76
J/an-sec- of Pd, thermal conductivity ÷ 0. 22 J/cm -5ee- or a thermal conductivity of 0. Co at 99 J/cm·sec.

熱伝導率が0.23J/cI+1・5ec−にであるZ
rあるいはこれらの合金から構成されていることが好ま
しい。
Z whose thermal conductivity is 0.23J/cI+1・5ec-
It is preferable that it is made of R or an alloy thereof.

このような反射膜4は、反射率が50%以上好ましくは
70%以上であり、熱伝導率が2 J / cm−5e
c−に以下好ましくはI J/cm −5ec −に以
下であるニッケル系合金であることも好ましい。
Such a reflective film 4 has a reflectance of 50% or more, preferably 70% or more, and a thermal conductivity of 2 J/cm-5e.
It is also preferable to use a nickel-based alloy having an I J/cm −5ec − or less, preferably I J/cm −5ec − or less.

このような反射膜を構成するニッケル系合金は、特にニ
ッケルを主成分とし、がっシリコン、モリブデン、鉄、
クロムおよび銅からなる群から選択される少なくとも1
種を含有していることが好ましい。このようなニッケル
系合金では、ニッケルは30〜99原子%好ましくは5
0〜9o原子%の量で存在している。
The nickel-based alloy that constitutes such a reflective film is mainly composed of nickel, silicon, molybdenum, iron,
At least one selected from the group consisting of chromium and copper
Preferably, it contains seeds. In such a nickel-based alloy, nickel is contained in an amount of 30 to 99 at%, preferably 5
It is present in an amount of 0 to 90 atom %.

上記のような反射膜を構成するニッケル合金としては、
具体的には下記のような合金を用いることができる。
The nickel alloy that makes up the above reflective film is as follows:
Specifically, the following alloys can be used.

N i −Cr 系合金(たとえば30〜99原子%台 Ni、 1〜70原子%Cr、  特に好ましくは70
〜95原子%Ni、5〜30原子%Cr)Ni−3i 
 系合金(たとえば85原子%Ni1o原子%Si、3
原子%Cu、2原子%At)N i −Cu 系合金(
たとえば63原子%Ni29〜30原子%Cu、0.9
〜2原子%Fe。
Ni-Cr alloy (for example, 30 to 99 atomic % Ni, 1 to 70 atomic % Cr, particularly preferably 70
~95 at.% Ni, 5-30 at.% Cr) Ni-3i
system alloy (e.g. 85 atomic%Ni1o atomic%Si, 3
atomic% Cu, 2 atomic% At) Ni-Cu alloy (
For example, 63 atomic% Ni, 29-30 atomic% Cu, 0.9
~2 atomic % Fe.

0.1〜4原子%Si、O〜2.75原子%Al)N 
i−M o−F e系合金(たとえば60〜65原子%
Ni、25〜35原子%Mo、5原子%Fe)N i−
M o−F e−Cr系合金(たとえば55〜60原子
%Ni   15〜2o原子%Mo   6原子%Fe
  12〜16原子%Cr   5原子%W)N i−
M o−F e−Cr−Cu系合金(たとえば60原子
%Ni、5原子%MO18原子%Fe、21原子%Cr
、3原子%Cu、1原子%Si、1原子%Mn、1原子
%W1  あるいは44〜47原子%Ni、  5. 
5〜7. 5原子%Mo、21〜23原子%Cr、0.
 15原子%Cu、I原子%Si、1〜2原子%Mn、
  2. 5原子%Co、1原子%W、1.7〜2.5
原子%Nb、  残部Fe)N i−Cr−Cu−M 
o系合金(たとえば56〜57原子%Ni   23〜
24原子%Cr   8原子%Cu、4原子%MO12
原子%W、  1原子%SiまたはMn) Ni−Cr−Fe系合金(たとえば79.5原子%Ni
   13原子%Cu6.5原子%FeO,2原子%C
u、  あるいは30〜34原子%Ni、19〜22原
子%Cr、  0. 5原子%Cu。
0.1-4 at% Si, O-2.75 at% Al)N
i-Mo-Fe alloy (e.g. 60-65 atomic%
Ni, 25-35 atom% Mo, 5 atom% Fe) Ni-
Mo-Fe-Cr alloy (e.g. 55-60 atomic% Ni 15-2o atomic% Mo 6 atomic% Fe
12 to 16 atom% Cr 5 atom% W) Ni-
Mo-Fe-Cr-Cu alloy (e.g. 60 atomic% Ni, 5 atomic% MO18 atomic% Fe, 21 atomic% Cr
, 3 atomic % Cu, 1 atomic % Si, 1 atomic % Mn, 1 atomic % W1, or 44 to 47 atomic % Ni, 5.
5-7. 5 at.% Mo, 21 to 23 at.% Cr, 0.
15 atomic% Cu, I atomic% Si, 1 to 2 atomic% Mn,
2. 5 atom% Co, 1 atom% W, 1.7 to 2.5
Atomic %Nb, balance Fe)Ni-Cr-Cu-M
o-based alloys (e.g. 56-57 atomic% Ni 23-
24 atom% Cr, 8 atom% Cu, 4 atom% MO12
atomic% W, 1 atomic% Si or Mn) Ni-Cr-Fe alloy (e.g. 79.5 atomic% Ni
13 atomic% Cu6.5 atomic%FeO, 2 atomic%C
u, or 30 to 34 atom% Ni, 19 to 22 atom% Cr, 0. 5 atom% Cu.

1原子%Si、  1. 5原子%Mn、  残部Fe
)このような反射膜4を有する光磁気記録媒体は、アル
ミニウム、鉱 金などからなる反射膜を有する光磁気記
録媒体と比較して、優れたC/N比を有している。
1 atomic % Si, 1. 5 atomic% Mn, balance Fe
) A magneto-optical recording medium having such a reflective film 4 has an excellent C/N ratio compared to a magneto-optical recording medium having a reflective film made of aluminum, ore, or the like.

すなわち、アルミニウムなどの熱伝導率が大きな反射膜
を用いると、レーザービームを照射して光磁気記録膜に
ピットを形成する場合に、レーザービームから光磁気記
録膜に与えられた熱エネルギーがこの反射膜を伝わって
拡散するため、大きな記録レーザーパワーな必要とする
。さらに、光磁気記録膜に形成されるビットの形状は大
きく() 七) なったり、形状が乱れたりしてしまう。その&反射膜の
膜厚に対する記録パワー依存性が大きくなりすぎてしま
う。
In other words, if a reflective film such as aluminum with high thermal conductivity is used, when a laser beam is irradiated to form pits in the magneto-optical recording film, the thermal energy given to the magneto-optical recording film by the laser beam will be reflected from the film. Because it diffuses through the film, it requires a large recording laser power. Furthermore, the shape of the bits formed on the magneto-optical recording film becomes large (7) and becomes irregular. The dependence of the recording power on the film thickness of the reflective film becomes too large.

また上記のような反射膜4は、光磁気記録膜の耐酸化性
を向上させる効果を有しており、したがって長期信頼性
に優れた光磁気記録媒体が得られる。
Further, the reflective film 4 as described above has the effect of improving the oxidation resistance of the magneto-optical recording film, so that a magneto-optical recording medium with excellent long-term reliability can be obtained.

反射膜4としては、熱伝導率が2J/cIll−8ec
・K以下、好ましくはI J 7cm −5ec −に
以下のニッケル系合金からなる反射膜が好ましく、特に
Ni−Cr合金(たとえば30〜99原子%Ni。
The reflective film 4 has a thermal conductivity of 2J/cIll-8ec.
- A reflective film made of a nickel-based alloy with a K or less, preferably I J 7cm -5ec - or less is preferable, particularly a Ni-Cr alloy (for example, 30 to 99 atomic % Ni).

1〜70原子%Cr)が好ましく、さらにNi70〜9
5原子%、Cr5〜3o原子%のNi−Cr合金からな
る反射膜ハ 高いC/N比が得られるため好ましい。
1 to 70 atom% Cr) is preferable, and further Ni70 to 9
A reflective film made of a Ni-Cr alloy containing 5 at. % and 5 to 3 o at. % of Cr is preferable because a high C/N ratio can be obtained.

また一方低い熱伝導率で高い反射率を有する金属特にニ
ッケル系合金からなる反射膜4を設けることによって、
光磁気記録膜の膜厚を薄くしても、高いカー回転角、反
射率を得ることができる。
On the other hand, by providing a reflective film 4 made of a metal, particularly a nickel-based alloy, that has low thermal conductivity and high reflectance,
Even if the thickness of the magneto-optical recording film is reduced, a high Kerr rotation angle and reflectance can be obtained.

このような反射膜4の膜厚は、100〜(ト 4000オングストローム好ましくは200〜2000
オングストロ一ム程度である。
The film thickness of such a reflective film 4 is 100 to 4000 angstroms, preferably 200 to 2000 angstroms.
It is about 1 Angstrom.

また光磁気記録膜3と反射膜との合計膜厚は300〜4
600オングストローム好ましくは350〜2400オ
ングストロ一ム程度である。
The total thickness of the magneto-optical recording film 3 and the reflective film is 300 to 4
The thickness is approximately 600 angstroms, preferably 350 to 2,400 angstroms.

本発明に係る光磁気記録媒体1では、上記のような基板
2と光磁気記録膜3との間にエンハンス膜5が設けられ
ていてもよく、また光磁気記録膜3と反射膜4との間に
エンハンス膜5が設けられていてもよい。このエンハン
ス膜5は、本発明に係る光磁気記録媒体1の感度を高め
る働きをするとともに光磁気記録膜3の保護膜としても
作用している。このようなエンハンス膜5は、基板の屈
折率よりも大きな屈折率を有する透明膜であれば用いる
ことができる。
In the magneto-optical recording medium 1 according to the present invention, an enhancement film 5 may be provided between the substrate 2 and the magneto-optical recording film 3 as described above. An enhancement film 5 may be provided in between. This enhancement film 5 functions to increase the sensitivity of the magneto-optical recording medium 1 according to the present invention, and also functions as a protective film for the magneto-optical recording film 3. Such an enhancement film 5 can be any transparent film having a refractive index greater than that of the substrate.

このようなエンハンス膜としては、基板との密着性、光
磁気記録媒体の光磁気記録特性の長期安定性の面からZ
n  S、Zn  Se   Cd  S。
As such an enhancement film, Z
n S, Zn Se Cd S.

Si3N4、Si Nx (0<x<4/3)、Si。Si3N4, SiNx (0<x<4/3), Si.

AINなどを用いることができる。このエンハン(シ ス膜の膜厚は、100〜1000 好ましくは300〜
850  程度である。この中で耐クラツク性の点から
、特にSi3N、、Si Nx (0<x<4/3)を
エンハンス膜として用いることが特に好ましい。
AIN etc. can be used. The thickness of this enhance (cis film) is 100~1000, preferably 300~
It is about 850. Among these, from the viewpoint of crack resistance, it is particularly preferable to use Si3N and SiNx (0<x<4/3) as the enhancement film.

次に、本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法について
説明する。
Next, a method for manufacturing a magneto-optical recording medium according to the present invention will be explained.

基板温度を室温程度に保ち、非晶質合金薄膜を構成する
各元素からなるチップを所定割合で配置した複合ターゲ
ット、または所定割合の組成を有する合金ターゲットを
用い、スパッタリング法あるいは電子ビーム蒸着法など
の従来公知の成膜条件を採用して、この基板(基板は固
定していてもよく、また自転していてもよい)上に所定
組成の非晶質合金薄膜を被着させ、次いでこの上に反射
膜を上記と同様にして被着させることによって、本発明
に係る光磁気記録媒体を製造することができる。
The substrate temperature is maintained at about room temperature, and a composite target in which chips made of each element constituting an amorphous alloy thin film are arranged in a predetermined ratio, or an alloy target with a predetermined composition ratio is used, and the sputtering method or electron beam evaporation method is used. An amorphous alloy thin film of a predetermined composition is deposited on this substrate (the substrate may be fixed or rotating) using conventionally known film-forming conditions, and then The magneto-optical recording medium according to the present invention can be manufactured by depositing a reflective film on the substrate in the same manner as described above.

このように本発明に係る光磁気記録媒体は、熱処理 プ
ラズマ処理などの前処理が必要なく常温での成膜が可能
であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持たせるために成膜
後にアニール処理などの熱処理をする必要がない。
As described above, the magneto-optical recording medium according to the present invention does not require pretreatment such as heat treatment or plasma treatment and can be formed at room temperature, and can be annealed after film formation in order to have an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface. There is no need for heat treatment such as treatment.

なお必要に応じては、基板温度を50〜100℃に加熱
しながらまたは一50℃まで冷却しながら、基板上に非
晶質合金薄膜を形成することもできる。
Note that, if necessary, the amorphous alloy thin film can be formed on the substrate while heating the substrate temperature to 50 to 100°C or cooling it to -50°C.

またスパッタリング時に、基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット
物質ばかりでなく成膜されつつある垂直磁化膜−をもた
たくことになり、優れた特性を有する垂直磁化膜が得ら
れることがある。
Further, during sputtering, the substrate can be biased to a negative potential. In this way, ions of an inert gas such as argon accelerated by an electric field will hit not only the target material but also the perpendicularly magnetized film that is being formed, resulting in a perpendicularly magnetized film with excellent properties. Sometimes.

発明の効果 本発明に係る光磁気記録媒体では、エチレンと環状オレ
フィンとからなる環状オレフィンランダム共重合体基板
上に、特定の非晶質合金薄膜からなる光磁気記録膜が積
層された構成を有しているため、基板と光磁気記録膜と
の密着性に便法 しかも耐酸化性、光磁気記録特性およ
び光磁気記録(γ Jにト 特性の長期安定性にも優れている。
Effects of the Invention The magneto-optical recording medium according to the present invention has a structure in which a magneto-optical recording film made of a specific amorphous alloy thin film is laminated on a cyclic olefin random copolymer substrate made of ethylene and a cyclic olefin. Therefore, it is convenient for the adhesion between the substrate and the magneto-optical recording film, and is also excellent in oxidation resistance, magneto-optical recording characteristics, and long-term stability of magneto-optical recording (γ J) characteristics.

以下本発明を実施例によって説明する八 本発明は、こ
れら実施例に限定されるものではない。
The present invention will be described below with reference to Examples.8 The present invention is not limited to these Examples.

なお、以下の実施例における光磁気記録媒体の物性は以
下の方法により調べた。
In addition, the physical properties of the magneto-optical recording medium in the following examples were investigated by the following method.

(1)光磁気記録膜の組成:  ICP分析法により行
った (2)カー回転角は基板側から測定した外部磁場ゼロで
の残留カー回転角を斜入射法(λ=780nm)で測定
した。斜入射法の具体的測定法および装置は、山川相部
監修「磁性材料の測定技術」(昭和60年12月25日
トリケッブス株式会社発行)第261頁〜263頁に記
載されている。
(1) Composition of magneto-optical recording film: Determined by ICP analysis. (2) Kerr rotation angle was determined by measuring the residual Kerr rotation angle with zero external magnetic field measured from the substrate side using an oblique incidence method (λ = 780 nm). A specific measurement method and apparatus for the oblique incidence method are described in "Measuring Techniques for Magnetic Materials" (published by Trikebbs Co., Ltd., December 25, 1985), edited by Aibe Yamakawa, pages 261 to 263.

(3)記録、再生:光磁気ディスクは、直径φ130m
mであり、この光磁気ディスクをドライブ装置(ナカミ
チ0MS−1000)を使用して、記録周波数IMHz
  (Duty比50%)、線速11.1m/s、  
書込み時のバイアス磁界2000e、  読出レーザー
パワー1. 0mWの条件で記録、再生を行っ九 シバ− (4)表6にはスペクトラムアナライザーで2次高調波
のレベルが最小となる記録パワー(最適記録パワー)で
記録した時の信号対雑音比(C/N比)とノイズレベル
をも示す。
(3) Recording and reproduction: The magneto-optical disk has a diameter of φ130m.
m, and this magneto-optical disk is recorded at a recording frequency of IMHz using a drive device (Nakamichi 0MS-1000).
(Duty ratio 50%), linear speed 11.1 m/s,
Bias magnetic field 2000e during writing, read laser power 1. Recording and playback were performed under the condition of 0 mW. (4) Table 6 shows the signal-to-noise ratio (C /N ratio) and noise level are also shown.

(5)そして、この情報を最適記録パワーより3、 0
mW大きなパワーで消去し、新たな情報の記録を行った
。この操作を10回行なって、この消去前後でのC/N
比の差を△C/N比として表わした。
(5) Then, convert this information to 3.0 from the optimum recording power.
The data was erased with a high power of mW, and new information was recorded. Perform this operation 10 times and check the C/N before and after erasing.
The difference in ratio was expressed as ΔC/N ratio.

(6)バイアス磁界依存性については、上記の条件でバ
イアス磁界依存性については、上記の条件でバイアス磁
界を50〜5000eまで変化させた場合のC/N比の
変化よりHsat、を求めた。
(6) Regarding the bias magnetic field dependence, Hsat was determined from the change in the C/N ratio when the bias magnetic field was varied from 50 to 5000 e under the above conditions.

炎施撚」 ターゲットとしてFe 、 Co  ターゲット上にP
tとTbとのチップを所定割合で配置した複合ターゲッ
トを用いてエチレンと1.4.5.8−ジメタノ−1,
2,3,4,4a、 5.8.8a−オクタヒドロナフ
タレン非品性の共重合体(”C−NMR分析で測定した
西) エチレン含量59モル%、DMON含量41モル%、 
135℃デカリン中で測定した極限粘度[ηコゲ0. 
42 di/g、  軟化温度(TMA) 154℃)
に安定剤としてテトラキス[メチレン−3(3,5−ジ
−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
トコメタン、ステアリン酸亜鉛、グリセリンモノステア
レートをそれぞれ0. 5%、0.05%、0. 5%
配合した組成物からなるディスク基板(130mLIφ
)(以下PC基板という)を乾燥せずにこの基板上に2
0〜50℃でり、  Cマグネトロンスパッタ法により
、Ar  雰囲気下真空到達度1.  OX 10−7
Torr以下の条件で膜厚1000オングストロームの
Pt、2Tb3eFe4゜Co9の光磁気記録膜を成膜
した 得られた光磁気記録膜は広角X線回折法により測定した
結果、非晶質であった。なお組成はICP発光分析によ
って求めた。
"Flame twisting" Fe as target, Co target on P
Ethylene and 1,4,5,8-dimethano-1,
2,3,4,4a, 5.8.8a-octahydronaphthalene non-quality copolymer (as determined by C-NMR analysis) Ethylene content 59 mol%, DMON content 41 mol%,
Intrinsic viscosity measured in decalin at 135°C [η burnt 0.
42 di/g, softening temperature (TMA) 154°C)
and tetrakis[methylene-3(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate comethane, zinc stearate, and glycerin monostearate] as stabilizers at 0% each. 5%, 0.05%, 0. 5%
A disk substrate (130 mL Iφ) made of the blended composition
) (hereinafter referred to as a PC board) on this board without drying it.
The temperature was 0 to 50°C, and the vacuum attainment level was 1.5% in an Ar atmosphere using C magnetron sputtering. OX 10-7
A magneto-optical recording film of Pt, 2Tb3eFe4°Co9 having a film thickness of 1000 angstroms was formed under conditions of less than Torr. The resultant magneto-optical recording film was measured by wide-angle X-ray diffraction and was found to be amorphous. The composition was determined by ICP emission spectrometry.

得られた光磁気記録膜(媒体)の各物性を表6に示した
 また顕微鏡で観察しな成膜状態は良好であった。
The physical properties of the obtained magneto-optical recording film (medium) are shown in Table 6. Furthermore, the state of the film formation was good when observed under a microscope.

実jH律ヱ ターゲットとしてFe   Co  ターゲット上にT
bのチップを所定割合で配置した複合ターゲットを用い
、実施例1で用いたPOと同じPO基板上に実施例1と
同様の条件で膜厚10oOオングストロームのTb25
Fe68C○7の光磁気記録膜を成膜した 得られた光
磁気記録膜は非晶質であった この光磁気記録膜(媒体
)の各物性を表6に示した。また顕微鏡で観察しな成膜
は良好であった。
Actual JH principle: T on the Fe Co target as a target.
Using a composite target in which the chips of b were arranged at a predetermined ratio, Tb25 with a film thickness of 10oO angstroms was deposited on the same PO substrate as that used in Example 1 under the same conditions as Example 1.
A magneto-optical recording film of Fe68C○7 was formed. The obtained magneto-optical recording film was amorphous. Table 6 shows the physical properties of this magneto-optical recording film (medium). Further, the film formation was good when observed under a microscope.

景J陳」1ユ ターゲットとしてFe   Co  ターゲット上にP
t  とTb  のチップを所定割合で配置した複合タ
ーゲットを用いて、ポリカーボネート樹脂基板(PC基
板)をスパッタ装置中で80℃で6時間乾燥処理し、終
夜排気後、この基板上に20〜501Cでり、  Cマ
グネトロンスパッタ法によりAr雰囲気下、真空到達度
1.0X10ゼT orr以下の条件で膜厚1000オ
ングストロームのPt12Tb、Fe、Co9の光磁気
記録膜を成膜シ田 −74= した 得られた光磁気記録膜は広角X線回折法により測
定した結策 非晶質であった なお組成はICP分析法
により行った よ豊皇」 ターゲットとしてFe   Co  ターゲット上にT
bのチップを所定割合で配置した複合ターゲットを用い
、比較例1と同様にしてポリカーボネート樹脂基板上に
膜厚1000オングストロームのTb 2sFeeac
o7の光磁気記録膜を成膜しへ得られた光磁気記録膜は
広角X線回折法により測定した結果、非晶質であつf。
P on the Fe Co target as Jing J Chen'1 Yu target
A polycarbonate resin substrate (PC board) was dried at 80°C for 6 hours in a sputtering device using a composite target in which chips of t and Tb were arranged at a predetermined ratio. Then, a magneto-optical recording film of Pt12Tb, Fe, and Co9 with a film thickness of 1000 angstroms was formed using the C magnetron sputtering method in an Ar atmosphere under conditions of a vacuum attainment of 1.0 x 10 Torr or less. The magneto-optical recording film was measured using wide-angle X-ray diffraction and was found to be amorphous.The composition was determined using ICP analysis.
Tb 2s Feeac with a film thickness of 1000 angstroms was deposited on a polycarbonate resin substrate in the same manner as in Comparative Example 1 using a composite target in which the chips of b were arranged at a predetermined ratio.
The magneto-optical recording film obtained by forming the magneto-optical recording film of o7 was measured by wide-angle X-ray diffraction and was found to be amorphous.

[基板と光磁気記録膜との密着性評価コ以下の方法によ
り実施例1,2、比較例1.2の光磁気記録媒体の基板
と光磁気記録膜との密着性の評価を行った。
[Evaluation of Adhesion between Substrate and Magneto-Optical Recording Film] The adhesion between the substrate and magneto-optical recording film of the magneto-optical recording media of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 was evaluated by the following method.

結果を表1に示す。The results are shown in Table 1.

艷農ユヌ1 基盤目試験(JIS K5400) 試料の記録膜上に、直交する縦横11本ずつの平行線を
カッターナイフを用いて1 mmの間隔てひモ く。 1釧2の中に100個の升目ができるように基盤
目状の切傷を付ける。
Substrate test (JIS K5400) Using a cutter knife, draw 11 orthogonal parallel lines at 1 mm intervals on the recording film of the sample. Make incisions in the shape of a base so that 100 squares are formed in each square.

セロハンテープにチバン製)を用いて剥離評価する。Peeling was evaluated using cellophane tape (manufactured by Chiban).

圧−−1 ■成膜直後 080’C/85%FK  100時間後1シ 表1 矢」1江に二影刃 実施例1と同様にして、実施例1と同じPO基板上に表
2に示す組成の光磁気記録膜を成膜した。
Pressure--1 Immediately after film formation 080'C/85%FK 100 hours later A magneto-optical recording film having the composition shown was formed.

得られた光磁気記録媒体の特性を表ユに示す。The characteristics of the obtained magneto-optical recording medium are shown in Table 1.

7− qシ 7/− 尖】1」圀1 エチレン・DMON共重合体(エチレン含量6oモル%
、DMON含量40モル%、軟化温度(TMA)155
℃、 [η]=0. 45 di/g(135℃デカリ
ン中)、結晶化度0 [X線解析法])のディスク基板
上に、スパッタ法によってエンハンス層として700 
 のSi Nx  (0(x〈4/3、屈折率n=2.
3、k(消衰係数)=0.014)、光磁気記録層とし
て300オングストロームのP t +aTb 34F
’e 3eco +s、反射層として700オングスト
ロームのNi 5ecr 2[Iを逐次積層形成し、光
磁気ディスクを作成した。
7-qshi 7/- point] 1" field 1 Ethylene/DMON copolymer (ethylene content 60 mol%
, DMON content 40 mol%, softening temperature (TMA) 155
°C, [η]=0. 700 di/g (in decalin at 135° C., crystallinity 0 [X-ray analysis method]) as an enhancement layer by sputtering on a disk substrate with a crystallinity of 0.
of Si Nx (0(x<4/3, refractive index n=2.
3, k (extinction coefficient) = 0.014), 300 angstrom P t +aTb 34F as magneto-optical recording layer.
'e 3eco +s and 700 angstroms of Ni 5ecr 2[I were sequentially laminated as a reflective layer to produce a magneto-optical disk.

このディスクの記録再生特性を記録周波数IMHz  
(Duty比50%)、線速5. 4m/sにて評価し
た。
The recording and playback characteristics of this disc are as follows:
(Duty ratio 50%), linear speed 5. Evaluation was made at 4 m/s.

その結果、最適記録レーザパワーは3.5mWであり、
C/Nは50dB(再生レーザパワーは1、  OmW
)であった。
As a result, the optimal recording laser power was 3.5 mW,
C/N is 50dB (reproduction laser power is 1, OmW
)Met.

例22〜27 実施例21と同様にして、光磁気記録層および反射層が
表3に示すような組成および構造を有する光磁気ディス
クを作成し、実施例21と同様にして評価を行なった。
Examples 22 to 27 In the same manner as in Example 21, magneto-optical disks having a magneto-optical recording layer and a reflective layer having the composition and structure shown in Table 3 were prepared and evaluated in the same manner as in Example 21.

結果を表3に示す。The results are shown in Table 3.

→1 −81=→1 −81=

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図、第2A 第3図および第4図は、本発明に係る
光磁気記録媒体の断面図である。 第5図は、pt  を含有する光磁気記録膜中のCo 
/ (Fe 十Co )比[原子比]とノイズレベル(
dBm)との関係を示す図である。第6図13Pdを含
有する光磁気記録膜中のCo / (Fe +Co)比
[原子比コとノイズレベル(dBm)との関係を示す図
である。第7図は、光磁気記録膜中のCo / (Fe
 +Co )比[原子比]と消去劣化(△C/N比(d
B))  との関係を示す図である。 第8図は、光磁気記録膜中のptおよび/またはP、d
の含有量(原子%)と耐酸化性(△C/N比)との関係
を示す図である。第9図は、光磁気記録膜のバイアス磁
界(Oe )とC/N比との関係を示す図である。第1
0図は、光磁気記録膜中のPtおよび/またl;l P
 dの含有量(原子%)と最ノ」)バイアス磁界(Hs
at、 (Oe))との関係を示す図である。 なお、第4図〜第9図の光磁気ディスクはすべて第1図
の構成のもので、基板がエチレン・DMON共重合体で
あり、この基板上に1000オングストロームの記録膜
を順次積層したものである。
FIGS. 1 and 2A. FIGS. 3 and 4 are cross-sectional views of magneto-optical recording media according to the present invention. Figure 5 shows Co in a magneto-optical recording film containing pt.
/ (Fe + Co) ratio [atomic ratio] and noise level (
dBm). FIG. 6 is a diagram showing the relationship between Co/(Fe +Co) ratio [atomic ratio Co] and noise level (dBm) in a magneto-optical recording film containing 13Pd. Figure 7 shows Co/(Fe
+Co) ratio [atomic ratio] and erasure degradation (△C/N ratio (d
B)) FIG. FIG. 8 shows pt and/or P, d in the magneto-optical recording film.
FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the content (atomic %) and oxidation resistance (ΔC/N ratio). FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the bias magnetic field (Oe) of the magneto-optical recording film and the C/N ratio. 1st
Figure 0 shows Pt and/or l; l P in the magneto-optical recording film.
The content of d (atomic %) and the bias magnetic field (Hs
It is a figure which shows the relationship with at, (Oe)). The magneto-optical disks shown in Figs. 4 to 9 all have the structure shown in Fig. 1, and the substrate is an ethylene/DMON copolymer, and recording films of 1000 angstroms are sequentially laminated on this substrate. be.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)基板上に、光磁気記録膜が積層されてなる光磁気記
録媒体において、 基板が、エチレンと、下記一般式[ I ]で表わされる
環状オレフィンとの共重合体からなる環状オレフィンラ
ンダム共重合体から形成され、かつ光磁気記録膜が、(
i)3d遷移金属から選ばれる少なくとも1種と、(i
ii)希土類から選ばれる少なくとも1種の元素とを少
なくとも含む、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質
合金薄膜であることを特徴とする光磁気記録媒体: ▲数式、化学式、表等があります▼…[ I ] (式[I]において、nは0もしくは正の整数であり、
R^1ないしR^1^2はそれぞれ水素原子、ハロゲン
原子または炭化水素基を示し、R^9〜R^1^2は、
互いに結合して単環または多環の基を形成していてもよ
く、かつ該単環または多環の基が二重結合を有していて
もよく、 またR^9とR^1^0とで、またはR^1^1とR^
1^2とで、アルキリデン基を形成していてもよい)。 2)光磁気記録膜が、(i)3d遷移金属から選ばれる
少なくとも1種と、(ii)耐腐食性金属と、(i)希
土類から選ばれる少なくとも1種の元素とからなり、前
記耐腐食性金属の含有量が5〜30原子%である、膜面
に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜である請求
項第1項に記載の光磁気記録媒体。 3)光磁気記録膜に含まれる(i)3d遷移金属が、F
eまたはCoあるいはこの両者であることを特徴とする
請求項第1項または第2項に記載の光磁気記録媒体。 4)光磁気記録膜に含まれる(ii)耐腐食性金属がT
i、Zr、Nb、Ta、Mo、Pt、Pdから選ばれた
少なくとも1種であることを特徴とする請求項第1項ま
たは第2項に記載の光磁気記録媒体。 5)光磁気記録膜に含まれる(ii)耐腐食性金属が、
PtまたはPdあるいはこの両者であることを特徴とす
る請求項第1項または第2項に記載の光磁気記録媒体。 6)光磁気記録膜に含まれる(iii)希土類がNd、
Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、DyまたはHo
であることを特徴とする請求項第1項または第2項に記
載の光磁気記録媒体。 7)光磁気記録膜に含まれる(i)3d遷移金属の量が
40原子%以上80原子%以下であり、(ii)耐腐食
性金属の量が10原子%を超えて30原子%以下である
ことを特徴とする請求項第1項に記載の光磁気記録媒体
。 8)光磁気記録膜が、(i)3d遷移金属から選ばれる
少なくとも1種と、(iii)希土類から選ばれる少な
くとも1種の元素とからなる、膜面に垂直な磁化容易軸
を有する非晶質合金薄膜である請求項第1項に記載の光
磁気記録媒体。 9)光磁気記録膜に含まれる(i)3d遷移金属が、F
eまたはCoあるいはこの両者であることを特徴とする
請求項第8項に記載の光磁気記録媒体。 10)光磁気記録膜に含まれる(iii)希土類がNd
、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、DyまたはH
oであることを特徴とする請求項第8項に記載の光磁気
記録媒体。 11)光磁気記録膜上に、反射膜が積層されている請求
項第1項または第8項に記載の光磁気記録媒体。
[Claims] 1) A magneto-optical recording medium in which a magneto-optical recording film is laminated on a substrate, wherein the substrate is made of a copolymer of ethylene and a cyclic olefin represented by the following general formula [I]. The magneto-optical recording film is formed from a cyclic olefin random copolymer of (
i) at least one selected from 3d transition metals, and (i
ii) Magneto-optical recording medium characterized by being an amorphous alloy thin film containing at least one element selected from rare earths and having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface: ▲Mathematical formula, chemical formula, table, etc. There is▼...[I] (In formula [I], n is 0 or a positive integer,
R^1 to R^1^2 each represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a hydrocarbon group, and R^9 to R^1^2 are
They may be combined with each other to form a monocyclic or polycyclic group, and the monocyclic or polycyclic group may have a double bond, and R^9 and R^1^0 and, or R^1^1 and R^
1^2 may form an alkylidene group). 2) The magneto-optical recording film is made of (i) at least one element selected from 3D transition metals, (ii) a corrosion-resistant metal, and (i) at least one element selected from rare earths, and 2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the magneto-optical recording medium is an amorphous alloy thin film having an easy axis of magnetization perpendicular to the film surface and containing 5 to 30 at % of a magnetic metal. 3) (i) 3d transition metal contained in the magneto-optical recording film is F
3. The magneto-optical recording medium according to claim 1 or 2, characterized in that it is made of E, Co, or both. 4) The (ii) corrosion-resistant metal contained in the magneto-optical recording film is T
3. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the magneto-optical recording medium is at least one selected from i, Zr, Nb, Ta, Mo, Pt, and Pd. 5) (ii) Corrosion-resistant metal contained in the magneto-optical recording film,
The magneto-optical recording medium according to claim 1 or 2, characterized in that it is made of Pt or Pd or both. 6) The rare earth (iii) contained in the magneto-optical recording film is Nd,
Sm, Pr, Ce, Eu, Gd, Tb, Dy or Ho
The magneto-optical recording medium according to claim 1 or 2, characterized in that: 7) The amount of (i) 3d transition metal contained in the magneto-optical recording film is 40 atomic % or more and 80 atomic % or less, and (ii) the amount of corrosion-resistant metal is more than 10 atomic % and 30 atomic % or less. The magneto-optical recording medium according to claim 1, characterized in that: 8) The magneto-optical recording film is an amorphous film having an easy axis of magnetization perpendicular to the film surface and consisting of (i) at least one element selected from 3D transition metals and (iii) at least one element selected from rare earths. 2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, which is a thin alloy film. 9) (i) 3d transition metal contained in the magneto-optical recording film is F
9. The magneto-optical recording medium according to claim 8, characterized in that it is made of E, Co, or both. 10) The (iii) rare earth contained in the magneto-optical recording film is Nd.
, Sm, Pr, Ce, Eu, Gd, Tb, Dy or H
9. The magneto-optical recording medium according to claim 8, wherein the magneto-optical recording medium is o. 11) The magneto-optical recording medium according to claim 1 or 8, wherein a reflective film is laminated on the magneto-optical recording film.
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