JPH03219446A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 隨更鬼肢（挺１ 本発明は、基板と光磁気記録膜との密着性に優へ　しか
も耐酸化性および光磁気記録特性に優れた光磁気記録媒
体に関する。

の　　的　　ならびにその　　占 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔｂ）、
カドリニウム（Ｇ　ｄ）などの希土類元素との合金から
なる光磁気記録膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を
有し、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向
とは逆向きの小さな反転磁区を形成することができるこ
とが知られている。この反転磁区の有無を「１」、　「
Ｏ」に対応させることによって、上記のような光磁気記
録膜にデジタル信号を記録させることが可能となる。

このような遷移金属と希土類元素とからなる光磁気記録
膜としては、たとえば特公昭５７−２０６９１号公報に
１５〜３ｏ原子％のＴｂ　　を含むＴｂ−Ｆｅ系光磁気
記録膜が開示されている。またＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ’、　
　Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、　　Ｄｙ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ。

系などの光磁気記録膜も知られている。

これらの光磁気記録膜は、優れた記録再生特性を有して
いるハ　使用時にこの光磁気記録膜は酸化を受けてその
特性が経時的に変化してしまうという実用上の大きな問
題点があった。

このような遷移金属と希土類元素とを含む光磁気記録膜
についてはその酸化劣化のメカニズムは、たとえば日本
応用磁気学会誌第９巻、Ｎｏ、２、第９３〜９６頁で検
討されており、以下のような３つのタイプがあることが
報告されている。

イ）孔食 孔食とは光磁気記録膜にピンホールが発生することを意
味する力く、この腐食は、主として高温雰囲気下で進行
し、たとえばＴｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｃ。

系などで著しく進行する。

口）表面酸化 光磁気記録膜に表面酸化層が形成さ担　カー回転角θｋ
が経時的に変化し、ついにはカー回転角θｋが減少して
しまう。

ハ）希土類金属の選択酸化 ÷ （ト 光磁気記録膜中の希土類金属が選択的に酸化され、　保
磁力Ｈｃが経時的に大きく変化してしまう。

上記のような光磁気記録膜の酸化劣化を防止するため、
従東　種々の方法が試みられている。たとえｉｆ、　　
光磁気記録膜を、Ｓｉ３Ｎ４、５ｉＯ１Ｓｉ０２、ＡＩ
Ｎなどの酸化防止保護膜でサンドインチしたような３層
構造にする方法が検討されている。

また、Ｔｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｃｏ系などの光磁気記録膜
中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるために、第３の
金属を添加する方法が種々試みられている。

たとえば上述した日本応用磁気学会誌では、Ｔ　ｂ−Ｆ
　ｅ　あるいはＴｂ−Ｃｏ　に、Ｃｏ　、ＮｉＰｔ、　
　Ａｌ、　　Ｃｒ、　　Ｔｉ、Ｐｄなどの第３金属を３
．５原子％までの量で添加することによって、Ｔｂ−Ｆ
ｅ系あるいはＴｂ−Ｃｏ系の光磁気記録膜の耐酸化性を
向上させる試みがなされている。

また第９回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９８５
年１１月）の第２０９頁には、やはりシト 光磁気記録膜の耐酸化性を向上させる目的で、Ｔｂ−Ｆ
ｅあるいはＴ　ｂ−Ｆ　ｅ−Ｃｏに、Ｐｔ、Ａｔ、Ｃｒ
、Ｔｉを１０原子％までの量で添加してなる光磁気記録
膜が教示されている。

また特開昭６１−２５５５４６号公報には、希土類元素
と遷移元素とからなる光磁気記録膜に、Ｐｔ　、Ａｕ　
、Ａｇ　ＳＲｕ　、Ｒｈ　、Ｐｄ　、Ｏｓ　。

Ｉｒなどの貴金属元素を再生に必要なカー回転角が得ら
れる範囲内で添加してなる耐酸化性が向上された光磁気
記録膜が開示されている。

このように従来Ｔｂ−ＦｅあるいはＴｂ−Ｃｏに、Ｃｏ
、ＮｉＳ　Ｐｔ、ＡＩ、ＣｒＳ　ＴｉＳ　Ｐｄなどの第
３金属が添加されてなる光磁気記録膜は知られている力
＼　これらの光磁気記録膜を通常の基板、たとえばポリ
カーボネート樹脂からなる基板に積層した光磁気記録媒
体はなお耐酸化性が充分でなく、光磁気記録特性の長期
安定性の面でも不充分であり、かつ基板の大きな複屈折
のためＣ／Ｎ比が小さく、ノイズレベルが高く、さらに
基板と膜との密着性も十分でなかった。そのため基板と
し擾ト てポリカーボネート樹脂を用いる場合は、□　熱処理で
ポリカーボネート基板の水分を十分に除去する工程がま
た膜との密着性を良くするためには、基板表面をプラズ
マ処理する工程が必要となっていｔも 本発明者らは、上記のような光磁気記録媒体の性能を向
上させるべく鋭意研究したところ、光磁気記録膜が酸化
して劣化するのは、光磁気記録膜の組成と共に光磁気記
録膜を積層するために従来用いられている基板自体にも
原因があることおよび従来用いられているポリカーボネ
ートなどの基板は、光磁気記録膜との密着性に劣り、こ
のため光磁気記録膜の酸化を充分に防止できないことに
あることを見出しへ 本発明者ら代　上記のような知見に基づき更に検討した
ところ、基板として特定の構造を有するエチレンと環状
オレフィンとのランダム共重合体を用い、かつ上記のよ
うな基板に、特定の光磁気記録膜を積層すれ（戴　基板
と光磁気記録膜との密着性に便法　しかも耐酸化性およ
び高Ｃ／Ｎ比という光磁気記録特性に優へ　かつ光磁気
記録特性の長期安定性に優れた光磁気記録媒体が得られ
ることを見出して、本発明を完成するに至った。

ｉ貝辺１上 本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決し
ようとするものであって、基板と光磁気記録膜との密着
性に便法　しかも耐酸化性、光磁気記録特性および光磁
気記録特性の長期安定性に優れた光磁気記録媒体を提供
することを目的としている。

衾１トυ肌鷹 本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に光磁気記録膜
が積層されてなる光磁気記録媒体において、 基板力＆　エチレンと、下記−殺伐［■］で表わされる
環状オレフィンとの共重合体からなる環状オレフィンラ
ンダム共重合体から形成されていることを一つの特徴と
している。

÷ １０− ・・　［Ｉ　］ （式［Ｉ］において、ｎは０もしくは正の整数であり　
Ｒ１ないしＲ１２はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ま
たは炭化水素基を示し、Ｒ９−Ｒ１２は、互いに結合し
て単環または多環の基を形成していてもよく、かつ該単
環または多環の基が二重結合を有していてもよく、 またＲ９とＲｌｅとで、またはＲ１１とＲＩ２とで、ア
ルキリデン基を形成していてもよい）。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
ては、該環状オレフィン成分は一般式［ｎ］で表わされ
る構造を形成している。

１１− ・・・　［ｎ］ （式［ｎ］において、ｎは０もしくは正の整数であり、
Ｒ１ないしＲ１２はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ま
たは炭化水素基を示し、Ｒ９〜ＲＩ２は、互いに結合し
て単環または多環の基を形成していてもよく、かつ該単
環または多環の基が二重結合を有していてもよく、 またＲ９とＲ１９とで、まタハＲＩ　ＩとＲ１２とで、
アルキリデン基を形成していてもよい）。

また本発明では、上記のような基板に、光磁気記録膜と
して、　（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１
種と、　（ｉｉｉ）希土類から選ばれる少なくとも１種
の元素とを必須成分元素として少なく−） とも含む、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金
薄膜を用いることを特徴としている。

ｉ吋葛兼盗ｔ１ｊ 以下本発明に係る光磁気記録媒体について、具体的に説
明する。

本発明に係る光磁気記録媒体１は、第１図に示すように
、基板２上に光磁気記録膜３が積層された構造を有して
いる。

また本発明に係る光磁気記録媒体１は、第２図に示すよ
うに、基板２上に、光磁気記録膜３と反射膜４とがこの
順序で積層された構造を有していてもよい。

さらに本発明に係る光磁気記録媒体１は、第３図に示す
ように、基板２と光磁気記録膜３との間に、エンハンス
膜５が設けられた構造を有していてもよい。

さらにまた、本発明に係る光磁気記録媒体１は、第４図
に示すように、基板２と光磁気記録膜３との間にエンハ
ンス膜５が設けられるとともに光磁気記録膜３と反射膜
４との間にエンハンス膜５が受けられた構造を有してい
てもよい。エンハンス膜としては、たとえばＳｉ３Ｎ４
．５ｉＮｘ（０＜ｘ　＜　４　／　３　）などの窒化ケ
イ素、Ａ　Ｉ　Ｎ。

Ｚｎ　Ｓｅ、Ｚｎ　Ｓ、Ｓｉ等が例示できる。

本発明では、上記のような基板２は、エチレンと、下記
−殺伐［■］で表わされる環状オレフィンとの共重合体
からなる環状オレフィン系ランダム共重合体から形成さ
れている。

・・・　［Ｉ］ （式［Ｉ］において、ｎは０もしくは正の整数であり、
Ｒ１ないしＲＩ２はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ま
たは炭化水素基を示し、Ｒ９，Ｒ１２は、互いに結合し
て柑環または多環の基を形成してい−ｔト １４− てもよく、かつ該単環または多環の基が二重結合を有し
ていてもよく、 またＲ９とＲ１［＋とで、またＬｋ　ＲＩ　ＩとＲＩ２
とで、アルキリデン基を形成していてもよい）。

上記−殺伐［■］で表される環状オレフィンについてさ
らに詳しく説明すると、上記−殺伐［ｒ］で表される環
状オレフィンは、上記式［Ｉ］で表されるａ　　以下に
記載する式［ｒ−ａ］で表すこともできる。

ＲＩＴＩは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子
および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もしくは
基を表す。

そして、ＲＩ６〜Ｒｏｅは、互いに結合して単環または
多環の基を形成していてもよく、かつ該単環または多環
の基が二重結合を有していてもよい。

また、ＲＩ５とＲｌｅとで、またはＲＩＴとＲ１８とで
アルキリデン基を形成していてもよい。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］お
よび［Ｂ］中においては、該環状オレフィン成分は一般
式「ｒ１］で表わされる構造を形成している。

・・・　［ｒ　−ａ］ ただし、上記［Ｉ−ａ］において、ｎは０または１であ
り、ｍは０または正の整数であり、Ｒ１〜５ −ｌト ・　［■コ （式［ｎ］において、ｎはＯもしくは正の整数であり、
Ｒ１ないしＲｂ２はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ま
たは炭化水素基を示し、Ｒ９−Ｒ１２は、互いに結合し
て単環または多環の基を形成していてもよく、かつ該単
環または多環の基が二重結合を有していてもよく、 またＲ９とＲｌｅとで、またはＲ１１とＲＩ２とで、ア
ルキリデン基を形成していてもよい）。

なお、環状オレフィンを、上記のように［Ｉ−ａ］で表
すと、環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］および
［Ｂ］中においては、該環状オレフィン成分は、以下に
示す式［ｎ−ａ］で表わされる構造を形成している。

・・・［■−ａｌ ただし、上記［ｎ−ａ］において、ｎはＯまたは１であ
り、ｍは０または正の整数であり、Ｒ１〜ＲＩＢは、そ
れぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子および炭化水素
基よりなる群から選ばれる原子もしくは基を表す。

そして、Ｒ１５〜ＲＩ８は、互いに結合して単環または
多環の基を形成していてもよく、かつ該単環または多環
の基が二重結合を有していてもよい。

また、ＲＩＢとＲ１８とで、またはＲ１７とＲ１８とで
アルキリデン基を形成していてもよい。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体の構成
成分である環状オレフィンは、−殺伐［工］で表わされ
る不飽和単量体からなる群から選ばれた少なくとも１種
の環状オレフィンである。

−殺伐中［Ｉ］で表わされる環状オレフィンは、シクロ
ペンタジェン類と相応するオレフィン類とをディールス
・アルダ−反応で縮合させることにより容易に製造する
ことができる。

−殺伐［２］で表わされる環状オレフィンとし１７− −せト て、具体的には、表１に記載した化合物、あるいは１．
４．５．８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ、　５．
８．８ａ−オクタヒドロナフタレンのほかに、２−メチ
ル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ
、　５．８．８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−エチ
ル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４゜４ａ
、　５．８．８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−プロ
ピル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４
ａ、　５．８．８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−へ
キシル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，
４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒドロナフタレン、２．
３−ジメチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３
，４，４ａ、　５゜８．８ａ−オクタヒドロナフタレン
、２−メチル−３−エチル−１，４，５，８−ジメタノ
−１，２，３，４，４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒド
ロナフタレン、２−クロロ−１，４，５，８−ジメタノ
−１，２，３，４，４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒド
ロナフタレン、２−ブロモ−１，４，５，８−ジメタノ
−１，２，３，４，４ａ、　５゜８．８ａ−オクタヒド
ロナフタレン、２−フルオロ−１゜４、５．８−ジメタ
ノ−１，２，３，４，４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒ
ドロナフタレン、２．３−ジクロロ−１，４，５，８−
ジメタノ−１，２，３，４，４ａ、　５．８．８ａ−オ
クタヒドロナフタレン、２−シクロヘキシル−１，４，
５，８−ジメタノ−１，２，３，４゜−） ４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−
ｎ−ブチル１、４．５．８−ジメ、タノー１．２．３．
４．４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒドロナフタレン、
２−インブチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，
３，４，４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒドロナフタレ
ンなどのオクタヒドロナフタレン類などを例示すること
ができる。

さらに、式で表わされる環状オレフィン［２］の例とし
ては、以下に記載する化合物を挙げることができる。

侶１ すなわち、本発明において使用される上記式［■］で表
わされる環状オレフィンとして叫　具体的には、 ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン誘導本テトラ
シクロ［４，４，０，１２、５、ｉ？　１”　］−］３
−ドデセン誘導 ヘキサシフＯ［６，６，１，１３，ａ、　ｌ＋ｓ、＋３
．Ｑ２．ｙ、Ｑｅ、＋リー４−へプタデンセン誘導本 ｔ　’ｙ　タシ’ｙ　’ｃｌ　［８，８，０，１２・９
．１’　７．１１１−１８．１１３　・Ｉ　’Ｑ３１．
Ｑ１２．１７］−５−トコセン誘導体、ペンタシクロ［
６，６，１，１３・６，０２・７　、　Ｑ９　、　Ｉ　
Ａ　］−］４−ヘキサデセン誘導 朱プタシクロ−５−イコセン誘導本 ヘプタシクロー５−ヘンエイコセン誘導体、トリシクロ
［４，３，０，１２・５］−３−デセン誘導本トリシク
ロ［４，３，０，１２・５コー３−ウンデセン誘導木ペ
ンタシクロ［６，５，１，１３、８、０２・７．０９・
１３］−４−ヘンタデセン誘導本 ペンタシクロペンタデカジエン誘導本 ペンタシクロ［４，７，Ｏ，Ｉ２・Ｓ　、　Ｑ８　、　
ｌ　３　、１９　、１２　］　］３−ペンタデセン誘導 本ンタシ））　０　［７，８，Ｑ、１３．６．Ｑ２．？
、１１［Ｉ，＋７．ＱＩｌ、ｌ１９．１１２・＋６］　
４−エイコセン誘導本および ノナシフＯ［９，１０，１，１，４，７，０３８，０２
，１”、０１２２１１＋３．２［Ｉ，Ｑ１４．＋９，１
１５．１８］　５−ヘンタコセン誘導体を挙げることが
できる。

以下にこのような化合物の具体的な例を示す。

などのようなビシクロ［２，２，１］ ヘプト − 導体； 屹シ ＣＨ。

エン誘 ＣＨ。

４ト ン ５．１０−ジメチルテトラ ９−イソブチル−１１，１２ ５、８，９，１０−テトラメチ ８−メチルテトラシフ ８−エチルテトラシフ １９コー３−ドデセン Ｃ，、Ｈ，７ ＋　９　］−］３−ドデセ ント ５．１７ ＩＩＩコ ３−ドデセン １９コー３−ドデセン −３−ドデセン １　［Ｉ］−］３−ドデセ ン１２ ５．１７ ＩＱ］−３−ドデセ ン １９］−３−ドデセン ８−メチル−９−エチルテ ３ ドデセン ８−プロモチトラシフ −３−ドデセン ＋９］−３−ドデセン １１−３−ドデセン ４ト ン ８−エチリデン−９−イソ 一ドデセン 、１２ ５．１７ １θ］−３−ドデセ ン ５．１７ Ｉｌｌコー３−ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ −ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ ８−インプロピリデン ［４，４，０，１２ ５，１７ Ｉｆｆコー３ 一ドデセン 一ドデセン クロ［４，４，０，１２ ７ ＋１１］、、−３−ドデセン Ｉ　ｅ　］　−３ ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ ［４，４，０，１２ ５，１７ ｆｉ！］−３ Ｈ８ ［４，４，０，１２ ５，１７ ｆｉ！］−３ 一ドデセン 一ドデセン などのテトラシクロ［４，４，０，１２５，１７ １１！１．−３−ドデセ ン誘導体； （以下余白） ぺ丑− 士と ｌ　Ａ　］−４−へブタデセン １３　、　Ｑ２　、７　、　Ｑ９　、　＋　４　］−］
４−ヘプタデセ ンどのへキサシクロ［６，６，１，１３６，１１９ １３、Ｑ２　、７　、　Ｑ９ デセン ・Ｉ　４　］−４−へブタデセン誘導体；デセン トコセン １８．１１３．１６．Ｑ３ ８．０１ ＋７］−５−トコセン ＋７］−５−トコセン などのオクタシクロ［８，８，０，１２９，１４ ７，１目 ＋９．ＩＩ 娼シ る卜 ｌ　ｆｌ　、　Ｏ３、８、Ｑｌ　２ １７コー５−トコセン誘導体； ヘプタシクロ［８，７，０ コセン などのへブタシクロ−５−イコセン誘導体あるいはへブ
タシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体；Ｈｓ セン などのペンタシクロ［６，６，１，１３，’ｌ、０２．
Ｔ、０９１４コー４ ヘキサデセン誘導体 士） 田シ １．３−ジメチル−ペンタ などのトリシクロ［４，３，０，１２ ５コー３−デセン誘導体 １０−メチル−トリシフ １４、１５−ジメチルペン などのトリシクロ［４，４，０，１２ ５］ ３−ウンデセン誘導 などのペンタシクロ［６，５，１，１３・６．Ｏ２・７
．０９１３　］　−４− 体； ペンタデセン誘導体； などのジエン化合物 田ト ４シ ２１．１１３．２［Ｉ，Ｑｌ４．ｌｌａ、１１５．１］
−５−ヘンタコセン セン などのペンタシクロ［４，７，０，１２・６　、　Ｑｌ
ｌ　、　ｊ　３　、　ｌＱ　、　＋　２　’］−３−ペ
ンタデセン誘導体； コセン ３．２１１．Ｑ１１１１９．ｌｌｓ、ｌ］−５−ヘンタ
コセン などのノナシクロ［９，１０，１，１’・７．０３・８
　、　Ｑ２　、　Ｉ　Ｑ　、　Ｑｌ　２２１、１１３．
２８．Ｑｌ４．ＩＱ、ｌｌＳ、Ｉ１１］　−５−ヘンタ
コセン誘導体： （以下余白） ２．１６］−４−エイコセン などのへブタシクロ［７，８，０，１８・６．０２・？
、ｌｌｅ、Ｉ７．Ｑ１１．１６．ｌＩ２．ＩＢ］　、−
４−エイコセン誘導体；円） 十 この環状オレフィン系ランダム共重合体中　上記のよう
にエチレンおよび前記環状オレフィンを必須成分とする
ものである力ｆ、該必須の二成分の他に本発明の目的を
損なわない範囲で、必要に応じて他の共重合可能な不飽
和単量体成分を含有していてもよい。任意に共重合され
ていてもよい該不飽和単量体として、具体的には、たと
えば生成するランダム共重合体中のエチレン成分単位と
等モル未満の範囲のプロピレン、１−ブテン、４−メチ
ル−１−ペンテン、・１−ヘキセン、１−オクテン、１
−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−へキ
サデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの炭
素原子数が３〜２０のα−オレフィンなどを例示するこ
とができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体におい
て、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）は、４０〜
８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲で存在
しており、また該環状オレフィンに由来する繰り返し単
位（ｂ）　　は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜５
０モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する繰
り返し単位（ａ）および該環状オレフィンに由来する繰
り返し単位（ｂ）は、ランダムに実質上線状に配列して
いる。なお、エチレン組成および環状オレフィン組成は
＋　３　（ニー　Ｎ　Ｍ　Ｒによって測定した　この環
状オレフィン系ランダム共重合体が実質上線状であり、
ゲル状架橋構造を有していないことは、該共重合体が１
３５℃のデカリン中に完全に溶解することによって確認
できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体の１３５
℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］は、　０．０
５〜１０ｄｌ／ｇ、　　好ましくは０、０８〜５ｄｌ／
ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体のサーマル・メ
カニカル・アナライザーで測定した軟化温度（ＴＭＡ）
は、７０℃以上が好ましく、特に好ましくは９０〜２５
０℃、さらに好ましくは１００〜２００℃の範囲にある
。なお軟化温度（ＴＭＡ）は、デュポン社製Ｔｈｅｒｍ
ｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌＡｎａｌｙｓｅｒを用いて１關
厚さシートの熱変形挙動に（− 十 より測定した　すなわちシート上に石英製針をのせ、荷
重４９ｇをかけ、　５℃／分で昇温しでいき、針が０．
６３５゜侵入した温度をＴＭＡとしたまた、該環状オレ
フィン系ランダム共重合体［Ａ］のガラス転移温度（Ｔ
ｇ）は、通常５０〜２３０ｔ、好ましくは７ｏ〜２１０
℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体のＸ線回
折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％、好まし
くは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲である
。

本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン共
重合体は、特開昭６０−１６８７０８号公帆特開昭６１
−１２０８１６号公私　特開昭６１−１１５９１２号公
私　特開昭６１−１１５９１６号公私　特願昭６１−９
５９０５号公楓　特願昭６１−９５９０６号公報、特開
昭６１−２７１３０８号公私　特開昭６１−２７２２１
６号公報などにおいて本出願人が提案した方法に従い適
宜条件を選択することにより、製造することができる。

また、基板を形成する樹脂として、上記のよう÷ な環状オレフィンランダム共重合体と共に、上述の式［
Ｉ］で表される環状オレフィンが開環重合することによ
り形成される次式［［［Ｉ］で表される繰り返し単位を
含む重合体もしくは共重合体が含まれていてもよく、さ
らに上記式［ｍ］で表される繰り返し単位を水添するこ
とにより形成される次式［■］で示すような繰り返し単
位を含む重合体あるいは共重合体が含まれていてもよい
。

ベト ・・・［■］ ただし　上記式［ｍ］および［■］において、ｎおよび
Ｒ１−Ｒ１２は、前記式［Ｉ］で示される環状オレフィ
ンにおけるｎおよびＲ１−Ｒ１と同じ意味である。

また上記の環状オレフィン共重合体には、必要に応じ、
耐熱安定剤、耐候安定剤、帯電防止剤、スリップ剤、ア
ンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然
源　合成法　ワックスなどを配合することができ、その
配合割合は適宜量である。たとえ（ｆｌ　　任意成分と
して配合される安定剤として具体的には、テトラキス［
メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネートコメタン、β−（３，５−
ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン
酸アルキルエステル（特に炭素数１８以下のアルキルエ
ステルが好ましい）、２．２’−オキザミドビス［エチ
ル−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネートなどのフェノール系酸化防止剤、
ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、１２ヒド
ロキシステアリン酸カルシウムなどの脂肪酸金属塩、グ
リセリンモノステアレート、グリセリンモノラウレート
、グリセリンジステアレート、ペンタエリスリトールモ
ノステアレート、ペンタエリスリトールジステアレート
、ペンタエリスリトールトリステアレート等の多価アル
コール脂肪酸エステルなどを挙げることができる。これ
らは単独で配合してもよいカー　組合わせて配合しても
よく、たとえばテトラキス［メチレン−３（３，５−ジ
ーｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
トコメタンとステアリン酸亜鉛およびグリセリンモノス
テアレートとの組合せ等を例示するこ（テ （ト とができる。

本発明では特に、フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組合せて用いることが好
ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３価以上
の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部がエステ
ル化された多価アルコール脂肪酸エステルであることが
好ましい。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとしては、
具体的には、グリセリンモノステアレート、グリセリン
モノラウレート、グリセリンモノミリステート、グリセ
リンモノパルミテート、グリセリンジステアレート、グ
リセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステル、
ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリス
リトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジステ
アレート、ペンタエリスリトールジラウレート、ペンタ
エリスリトールトリステアレート等のペンタエリスリト
ールの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止剤は、環状オレフィン
系ランダム共重合体組成物１００重量（ト 部に対して０．０１〜１０重量部好ましくは０、０５〜
３重量部さらに好ましくは０．　１〜１重量部の量で用
いら汰　また多価アルコールの脂肪酸エステルは該組成
物１００重量部に対して０．０１〜１０重量部好ましく
は０．０５〜３重量部の量で用いられる。

本発明では、基板２として、上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体を用いており、この環状オレフィ
ン系ランダム共重合体は、従来基板２として用いられて
いるポリカーボネート、ポリ　（メタ）アクリレートな
どと比較して吸水率かがさいため、基板上に積層された
光磁気記録膜が水分によって酸化されることが少ない。

またこの環状オレフィン系ランダム共重合体からなる基
板と光磁気記録膜とは密着性に優れており、この点から
も基板上に積層された光磁気記録膜の酸化が効果的に防
止される。したがってこの環状オレフィン系ランダム共
重合体からなる基板上に光磁気記録膜を積層してなる光
磁気記録媒体は、耐久性に便法　しかも長期安定性にも
優れている。

（訃 さらに上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体
からなる基板は、複屈折が小さく、したがって光磁気記
録膜の読取り時の感度が大きく、読取り時に非差動型の
ドライブ装置を用いることもできる。

本発明では、上記のような基板２上に（ｉ）３ｄ遷移金
属から選ばれる少なくとも１種と、　（ｉｉｉ）希土類
から選ばれる少なくとも１種の元素とを少なくとも含む
、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜から
なる光磁気記録膜３が積層されるカζ　本発明ではこの
ような光磁気記録膜３の中で、　（ｉ）３ｄ遷移金属か
ら選ばれる少なくとも１種と、　（ｉｉ）耐腐食性金属
と、　（ｉｉｉ）希土類から選ばれる少なくとも１種の
元素とからなる光磁気記録膜を用いることが好ましい。

以下まずこの好ましい光磁気記録膜３について説明する
。

（ｉ）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、　　Ｃｏ、Ｔｉ。

Ｖ、　　ＣｒＳＭｎ、　　Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが用い
られるが、このうちＦｅまたはＣＯあるいはこの両者で
あることが好ましい。

この３ｄ遷移金属は、光磁気記録膜３中に好ましくは２
ｏ〜９０原子％より好ましくは３０〜８５原子％とくに
好ましくは３５〜８０原子％の量で存在している。

（ｉｉ）耐腐食性金属は、光磁気記録膜３に含ませるこ
とによって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めること
ができる。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、　
　Ｐｄ、　　Ｔｉ、　　Ｚｒ、　　Ｔａ、　　Ｍｏ。

Ｎｂなどが用いられる力＆　このうちＰｔ、　　Ｐｄ。

Ｔｉが好ましくとくにｐｔまたはＰｄあるいはこの両者
であることが好ましい。

この耐腐食性金属は、光磁気記録膜３中に、５〜３０原
子％好ましくは５〜２５原子％、とくには１０〜２５原
子％さらに好ましくは１０〜２゜原子％の量で存在して
いる。

この耐腐食性金属の含有量が５原子％未満であると、得
られる光磁気記録膜の耐酸化性が充分には改善されず、
経時的に保磁力ＨＣが大きく変化したりあるいはカー回
転角θｋが減少したりする。

昔 七χ また、３０原子％を超えて存在する場合には、得られる
非晶質合金薄膜のキュリー点が室温以下となる傾向もあ
るため好ましくない。　（ｉ）光磁気記録膜３は、上記
（ｉｉ）および（ｉｉｉ）に加えて、下記の群から選ば
れる少なくとも１種の希土類元素を含んで構成されてい
る。

Ｇｄ、　　Ｔｂ、　　Ｄｙ、　　Ｈｏ、　　Ｅｒ、　　
Ｔｍ、　　Ｙｂ。

Ｌｕ　、　Ｌａ　、　Ｃｅ　、　Ｐｒ　、　Ｎｄ　、　
Ｐｍ　、　Ｓｍ　。

ｕ このうちＧｄ、　　Ｔｂ、　　Ｄｙ、　　Ｈｏ、　　Ｎ
ｄ、　　Ｓｍ。

Ｐｒが好ましく用いられる。

上記のような群から選ばれる少なくとも１種の希土類元
素は、光磁気記録膜３中に、好ましくは５〜５ｏ原子％
さらに好ましくは８〜４５原子％とくに好ましくは１０
〜４ｏ原子％の量で存在している。

本発明では、光磁気記録膜３が、特に、下記の記載する
ような組成を有することが好ましい。

ｉ　３ｄ遷　− 本発明に係る光磁気記録膜中には、　（ｉ）３ｄ遷七− 移元素として、好ましくはＦｅまたはＣＯあるいはこの
両者が含まれており、Ｆｅおよび／またはＣＯは、４０
原子％以上８０原子％以下好ま１−＜は４０原子％以上
７５原子％未満さらに好ましくは４０原子％以上５９原
子％以下の量で存在していることが望ましい。

さらにＦｅ　　および／またはＣＯは、Ｃｏ　　／（Ｆ
ｅ　＋Ｃｏ　）比［原子比］が０以上０．　３以下好ま
しくは０以上０．２以下さらに好ましくは０、０１以上
０．２以下であるような量で、光磁気記録膜中に存在し
ていることが望ましい。

Ｆｅおよび／またはＣＯの量が４０原子％以上で８０原
子％以下の範囲にあると、耐酸化性に優へ　かつ膜面に
垂直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録膜が得られ
るという利点を有する。

ところで光磁気記録膜中に、Ｃｏを添加すると、（イ）
光磁気記録膜のキュリー点が上昇し、また（口）カー回
転角（θｋ）が大きくなるという現象が認めら担　その
結果、Ｃｏの添加量により、光磁気記録膜の記録感度を
調整することができ、（１ しかもＣＯの添加により、再生信号のキャリアレベルを
増加することができる。本発明において用いる光磁気記
録膜では、ノイズレベル、ＣＺＮ比の点からＣｏ　／　
（Ｆｅ　＋Ｃｏ　）比［原子比］は０以上０．３以下好
ましくは０以上０．　２以下さらに好ましくは０．０１
以上０．　２以下であることが望ましい。

第５図に上記環状オレフィン共重合体基板にＰｔ　Ｔｂ
　Ｆｅ　Ｃｏ系光磁気記録膜を積層した光磁気記録媒体
におけるＣｏ　／　（Ｃｏ　＋Ｆｅ　）比［原子比コと
ノイズレベル（ｄＢｍ）との関係を示し、また第６図に
Ｐｄ　Ｔｂ　Ｆｅ　Ｃｏ系光磁気記録膜を積層した光磁
気記録媒体におけるＣｏ／（Ｃｏ＋Ｆｅ）比［原子比］
とノイズレベル（ｄＢｍ）との関係を示す。

具体的には、Ｐｔ１３　Ｔ　ｂ　２　Ｂ　Ｆ　ｅ　６　
＠　ＣＯｇ　で示される組成を有する光磁気記録膜（Ｃ
ｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］：０．１５）を基板に
積層した場合は、ノイズレベルが一５６ｄＢｍであるの
に対し、Ｐ　ｔ　１３Ｔｂ　２ｓＦｅ　３８ＣＯ２３で
示される組成を有する光磁気記録膜（Ｃｏ　／　（Ｆｅ
　＋Ｃｏ　）比［原子比］：０．３９）を用いた場合は
、ノイズレベルが一５０ｄＢｍであり、ノイズレベルが
大きくなる傾向がある。またＰ　ｄ　１４Ｔｂ　２７Ｆ
ｅ　６２Ｃｏ７で示される組成を有する光磁気記録膜（
Ｃｏ　／　（Ｆｅ　＋Ｃｏ　）比［原子比］：０．１２
）を用いた場合は、ノイズレベルが一５６ｄＢｍである
のに対して、Ｐｄ　１４Ｔｂ　２７Ｆｅ　４１　Ｃｏ　
１８で示される組成を有する光磁気記録膜（Ｃｏ／（Ｆ
ｅ＋ＣＯ）比［原子比コニ０．３１）を用いた場合は、
ノイズレベルが一５１ｄＢｍであり、ノイズレベルが大
きくなる傾向がある。

第７図にＰｔ　　Ｔｂ　　Ｆｅ　　Ｃｏ　あるいはＰｄ
　ＴｂＦｅ　Ｃｏで示される組成を有する光磁気記録膜
を基板に積層した光磁気記録媒体におけるＣｏ　　／（
Ｆｅ　＋Ｃｏ　）比［原子比］と消去劣化（△ＣＺＮ比
（ｄＢ））との関係を示す。

具体的には）Ｐ　ｔ　＋３Ｔｂ　２ｓＦｅ　５ｅｃｏ　
９　なる組成を有する光磁気記録膜（Ｃｏ　／　（Ｆｅ
　＋Ｃｏ　）比［原子比］：０．１５５）を積層基板に
積層しくシ うト た光磁気記録媒体に、−たん記録された情報を消去する
際、膜に照射するエネルギーを大きくしても膜変質は全
く起こらず、新たな情報も、Ｃ／Ｎ比の値としては、消
去前のと同じ値の記録ができる。

さらに本発明に用いるこの好ましい光磁気記録膜は、記
録および消去を繰り返し行なっても、膜変質が生ずるこ
とはない。たとえばＰｔ＋ａＴｂ２ｓＦｅｄ（、Ｃｏｇ
　なる組成を有する光磁気記録膜叫１０万回の記録およ
び消去を繰り返し行なってもＣ／Ｎ比の低下は認められ
ない。

ｉｉ　　食合 本発明に用いる好ましい光磁気記録膜中には、（ｉｉ）
耐腐食性金属として、好ましくはＰｔまたはＰｄあるい
はこの両者が含まれており、ｐｔおよび／またはＰｄは
、光磁気記録膜中に５〜３０原子％、好ましくは１０原
子％を超えて３０原子％以下、さらに好ましくは１０原
子％を超えて２０原子％未満、最も好ましくは１１原子
％以上１９原子％以下の量で存在していることが望まし
くシ 光磁気記録膜中のｐｔおよび／またはＰｄの量が５原子
％以上特に１０原子％を超えて存在すると、光磁気記録
膜の耐酸化性に便法　長期間使用しても孔食が発生せず
、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有する。またＴｉ
Ｓ　Ｍｏ、Ｚｒ、　　Ｔａ。

Ｎｂなどにおいても同様の効果が認められた。

第８図に光磁気記録膜中におけるＰｔおよび／またはＰ
ｄ　含有量と、光磁気記録膜を相対湿度８５％、８０℃
の環境下に１０００時間保持した場合の△Ｃ／Ｎ比との
関係を示す。

この第８図から、光磁気記録膜中のＰｔおよび／または
Ｐｄの量が５原子％以上特に１０原子％を超えている場
合には、光磁気記録膜の耐酸化性が向上し、長期間使用
しても孔食が発生せず、Ｃ／Ｎ比が劣化することがない
ことがわかる。

たとえばＰｔ　＋３Ｔｂ　２ｅＦｅ　５１１Ｃｏ　＠　
　あるいはＰｄ＋２Ｔｂ　２ｓＦｅｓ３Ｃｏ７で示され
る組成を有する光磁気記録膜を用いた場合は、相対湿度
８５％、８０℃の環境下に１０００時間保持しても、Ｃ
／（） Ｎ比は全く変化しない。これに対してｐｔまたはＰｄを
含まないＴｂ２５Ｆｅ６８Ｃ０７で示される組成を有す
る光磁気記録膜を用いた場合は、相対湿度８５％、８０
℃の環境下に１０００時間保持すると、Ｃ／Ｎ比は大き
く低下する。

また光磁気記録膜中にＰｔ、　　Ｐｄ、　　Ｔｉ、　　
Ｚｒ。

ＮｂＳ　Ｔａ、Ｍｏの少なくとも１種を上記のような範
囲の量で添加することにより、光磁気記録膜に情報を記
録したりあるいは情報を読出す際へ小さなバイアス磁界
で充分に高いＣ／Ｎ比が得られる。小さなバイアス磁界
で充分に高いＣ／Ｎ比が得られると、バイアス磁界発生
用のマグネットを小さくすることができ、しかもマグネ
ットからの発熱も押えることができるため、光磁気記録
膜を有する光ディスクのドライブ装置を簡素化すること
ができる。しかも小さなバイアス磁界で充分に大きなＣ
／Ｎ比が得られるため、オーバーライド可能な磁界変調
記録用のマグネットの設計も容易となる。

第９図にＰ　ｔ　＋３Ｔｂ　２８Ｆｅ　５ｅｃｏ　ｏ　
で示される組成を有する光磁気記録膜およびＴｂ　２６
　Ｆｅ　Ｑ８Ｃｏ７で示される組成を有する光磁気記録
膜を用いた場合におけるバイアス磁界依存性と、Ｃ／Ｎ
比（ｄＢ）との関係を示す。

この第９図より、Ｔｂ２５Ｆｅａｅｃｏ　７で示される
光磁気記録膜を用いた場合では、２５００ｅ以上のバイ
アス磁界を印加しないとＣ／Ｎ比は飽和しないのに対し
、Ｐ　ｔ　１３Ｔｂ　２ａＦｅ　５ｅｃｏ　ｅで示され
る光磁気記録膜では、小さなバイアス磁界でも充分に記
録可能であり、１２００ｅ以上でＣ／Ｎ比は飽和してい
ることがわかる。なお実施例では、表中に各光磁気記録
膜について、Ｃ／Ｎ比が飽和するのに必要な最小バイア
ス磁界Ｈｓａｔの値を示す。この値Ｈｓａｔが小さいほ
ど、小さなバイアス磁界でＣ／Ｎ比が飽和することにな
る。

また第１０図に、Ｐｔ　Ｔｂ　Ｆｅ　Ｃｏ系光磁気記録
膜およびＰｄ　Ｔｂ　Ｆｅ　Ｃｏ系光磁気記録膜におけ
るｐｔおよび／またはＰｄの含有量と、最小バイアス磁
界（Ｈｓａｔ、　（Ｏｅ））との関係を示す。

この第１０図より、Ｐｔおよび／またはＰｄの５７− そ 含有量が１０原子％を超えると、最小バイアス磁界Ｈｓ
ａｔが充分に小さくなることがわかる。

（ｉｉｉ　　　　土　　−ＲＥ 本発明に係る光磁気記録膜中には、希土類元素（ＲＥ）
が含まれており、この希土類元素としては、　　Ｎｄ、
　　　Ｓｍ、　　　Ｐｒ、　　　ＣｅＳ　　Ｅｕ、　　
　Ｇｄ、　　Ｔｂ。

ＤｙまたはＨｏが用いられる。

これらの中では、Ｎｄ　ＳＰｒ　、Ｇｄ　、ＴｂＤｙが
好ましく用いら汰　特にＴｂが好ましい。

また希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合に
Ｔｂを希土類元素のうち５０原子％以上含有しているこ
とが好ましい。

この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
った光磁気を得るという点からＲＥ／（ＲＥ＋Ｆｅ　＋
Ｃｏ）比［原子比］をＸで表わした場合に、０．１５≦
Ｘ≦０．４５好ましくは０、２０≦Ｘ≦０．　４である
ような量で光磁気記録膜中に存在していることが望まし
い。

本発明においては、光磁気記録膜に種々の元素を少量添
加して、キュリー温度や補償温度あるいモ） は保磁力Ｈｃやカー回転角θにの改善あるいは低コスト
化を計ることもできる。これらの元素は、記録膜を構成
する全原子数に対してたとえば１０原子％未溝の割合で
用いることができる。

併用できる他の元素の例としては、以下のような元素が
挙げられる。

（１）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的には、Ｓｃ　、Ｔｉ　　、Ｖ、Ｃｒ　ＳＭｎＮｉ
、　　Ｃｕ、　　Ｚｎが用いられる。

これらのうち、Ｔｉ、ＮｉＳ　Ｃｕ、Ｚｎなどが好まし
く用いられる。

（ｍ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、Ｚｒ　、Ｎｂ　、Ｍｏ　、ＴｃＲｕ、
Ｒｈ、ＡｇＳ　Ｃｄが用いられる。

このうちＺｒ、Ｎｂが好ましく用いられる。

（ｍ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、Ｈｆ　、Ｔａ　、Ｗ、Ｒｅ　、０ｓＩｒ、
Ａｕ、Ｈｇが用いられる。

このうちＴａが好ましく用いられる。

（ｒｖ）ｍＢ族元素 （研 具体的には、Ｂ、ＡＩ、Ｇａ、　　Ｉｎ、Ｔｌが用いら
れる。

このうちＢ、Ａｌ、Ｇａが好ましく用いられる。

（ｖ）■Ｂ族元素 具体的には、Ｃ，Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが用いられる
。

このうち、　Ｓｉ、Ｇｅ、　　Ｓｎ、Ｐｂが好ましく用
いられる。

（ｖｒ）ｖＢ族元素 具体的には、Ｎ、ＰＳ　Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉが用いられる
。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（■）ＶＩＢ族元素 具体的には、ＳＳ　Ｓｓ、Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

また本発明でｉＬ　　光磁気記録膜３として、上記のよ
うな（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と
、　（ｉｉｉ）希土類から選ばれる少なくとも１種の元
素とからなる光磁気記録膜も用いることができる。この
ような光磁気記録膜としては、Ｔｂ　Ｆｅ　Ｃｏ系の光
磁気記録膜が好ましく、Ｔｂは１０〜４０原子％の量で
、Ｆｅは３０〜９０原子％の量で、ＣＯは０〜３０原子
％の量で存在していることが好ましい。また本発明では
、（ｉ）３ｄ遷移金属と（ｉｉｉ）希土類元素、たとえ
ばＴｂ−Ｆａ。

Ｔ　ｂ−Ｆ　ｅ−Ｃｏ　系にさらにたとえば上記（１）
〜（■）で示される元素のような他の元素を含んでいて
もよい。

上記のような組成を有する光磁気記録膜３は、膜面に垂
直な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒステリシスが良
好な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な
非晶質薄膜となることハ広角Ｘ線回折などにより確かめ
られる。

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角（θに＋）と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留ためカー回転角（θに２）との
比θに２／θに１が０．８以上であることを意味してい
る。

（五− （渉 このような光磁気記録膜２の膜厚は、１００〜５０００
オングストローム好ましくは１００〜３０００オングス
トロームより好ましくは１５０〜２０００オングストロ
一ム程度である。

反−一射一一１゜ 本発明に係る光磁気記録媒体１では、上記のような光磁
気記録膜３上に、反射膜４が設けられていてもよい。

この反射膜４は、熱伝導率が２Ｊ／ｃｍ−８ｅｃ・Ｋ以
下好ましくはＩＪ／ｃｌＩＩ−８ｅｃ−に以下であるよ
うな金属または合金から構成されていることが望ましい
。

さらに好ましくは、反射膜４は、反射率が５０％以上好
ましくは７０％以上であり、かつ熱伝導率が２Ｊ／１２
・５ｅｃ−に以下好ましくはＩＪ／、。

・５ｅｃ−に以下であるような金属または合金から構成
されている。

具体的には、反射膜４は、熱伝導率が０．７１Ｊ／の・
ｓｅｃ　　−にであるＰｔ　　、熱伝導率が０、　７６
Ｊ／ａｎ−ｓｅｃ−にであるＰｄ、　　熱伝導率÷ が０．　２２　Ｊ／ｃｍ　−５ｅｅ−にであるＴ１、ま
たは熱伝導率が０．　９９Ｊ／ｃｍ・ｓｅｃ　−にであ
るＣｏ。

熱伝導率が０．２３Ｊ／ｃＩ＋１・５ｅｃ−にであるＺ
ｒあるいはこれらの合金から構成されていることが好ま
しい。

このような反射膜４は、反射率が５０％以上好ましくは
７０％以上であり、熱伝導率が２　Ｊ　／　ｃｍ−５ｅ
ｃ−に以下好ましくはＩ　Ｊ／ｃｍ　−５ｅｃ　−に以
下であるニッケル系合金であることも好ましい。

このような反射膜を構成するニッケル系合金は、特にニ
ッケルを主成分とし、がっシリコン、モリブデン、鉄、
クロムおよび銅からなる群から選択される少なくとも１
種を含有していることが好ましい。このようなニッケル
系合金では、ニッケルは３０〜９９原子％好ましくは５
０〜９ｏ原子％の量で存在している。

上記のような反射膜を構成するニッケル合金としては、
具体的には下記のような合金を用いることができる。

Ｎ　ｉ　−Ｃｒ　系合金（たとえば３０〜９９原子％台 Ｎｉ、　１〜７０原子％Ｃｒ、　　特に好ましくは７０
〜９５原子％Ｎｉ、５〜３０原子％Ｃｒ）Ｎｉ−３ｉ　
　系合金（たとえば８５原子％Ｎｉ１ｏ原子％Ｓｉ、３
原子％Ｃｕ、２原子％Ａｔ）Ｎ　ｉ　−Ｃｕ　系合金（
たとえば６３原子％Ｎｉ２９〜３０原子％Ｃｕ、０．９
〜２原子％Ｆｅ。

０．１〜４原子％Ｓｉ、Ｏ〜２．７５原子％Ａｌ）Ｎ　
ｉ−Ｍ　ｏ−Ｆ　ｅ系合金（たとえば６０〜６５原子％
Ｎｉ、２５〜３５原子％Ｍｏ、５原子％Ｆｅ）Ｎ　ｉ−
Ｍ　ｏ−Ｆ　ｅ−Ｃｒ系合金（たとえば５５〜６０原子
％Ｎｉ　　　１５〜２ｏ原子％Ｍｏ　　　６原子％Ｆｅ
　　１２〜１６原子％Ｃｒ　　　５原子％Ｗ）Ｎ　ｉ−
Ｍ　ｏ−Ｆ　ｅ−Ｃｒ−Ｃｕ系合金（たとえば６０原子
％Ｎｉ、５原子％ＭＯ１８原子％Ｆｅ、２１原子％Ｃｒ
、３原子％Ｃｕ、１原子％Ｓｉ、１原子％Ｍｎ、１原子
％Ｗ１　　あるいは４４〜４７原子％Ｎｉ、　　５．　
５〜７．　５原子％Ｍｏ、２１〜２３原子％Ｃｒ、０．
　１５原子％Ｃｕ、Ｉ原子％Ｓｉ、１〜２原子％Ｍｎ、
　　２．　５原子％Ｃｏ、１原子％Ｗ、１．７〜２．５
原子％Ｎｂ、　　残部Ｆｅ）Ｎ　ｉ−Ｃｒ−Ｃｕ−Ｍ　
ｏ系合金（たとえば５６〜５７原子％Ｎｉ　　　２３〜
２４原子％Ｃｒ　　　８原子％Ｃｕ、４原子％ＭＯ１２
原子％Ｗ、　　１原子％ＳｉまたはＭｎ） Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ系合金（たとえば７９．５原子％Ｎｉ
　　　１３原子％Ｃｕ６．５原子％ＦｅＯ，２原子％Ｃ
ｕ、　　あるいは３０〜３４原子％Ｎｉ、１９〜２２原
子％Ｃｒ、　　０．　５原子％Ｃｕ。

１原子％Ｓｉ、　　１．　５原子％Ｍｎ、　　残部Ｆｅ
）このような反射膜４を有する光磁気記録媒体は、アル
ミニウム、鉱　金などからなる反射膜を有する光磁気記
録媒体と比較して、優れたＣ／Ｎ比を有している。

すなわち、アルミニウムなどの熱伝導率が大きな反射膜
を用いると、レーザービームを照射して光磁気記録膜に
ピットを形成する場合に、レーザービームから光磁気記
録膜に与えられた熱エネルギーがこの反射膜を伝わって
拡散するため、大きな記録レーザーパワーな必要とする
。さらに、光磁気記録膜に形成されるビットの形状は大
きく（） 七） なったり、形状が乱れたりしてしまう。その＆反射膜の
膜厚に対する記録パワー依存性が大きくなりすぎてしま
う。

また上記のような反射膜４は、光磁気記録膜の耐酸化性
を向上させる効果を有しており、したがって長期信頼性
に優れた光磁気記録媒体が得られる。

反射膜４としては、熱伝導率が２Ｊ／ｃＩｌｌ−８ｅｃ
・Ｋ以下、好ましくはＩ　Ｊ　７ｃｍ　−５ｅｃ　−に
以下のニッケル系合金からなる反射膜が好ましく、特に
Ｎｉ−Ｃｒ合金（たとえば３０〜９９原子％Ｎｉ。

１〜７０原子％Ｃｒ）が好ましく、さらにＮｉ７０〜９
５原子％、Ｃｒ５〜３ｏ原子％のＮｉ−Ｃｒ合金からな
る反射膜ハ　高いＣ／Ｎ比が得られるため好ましい。

また一方低い熱伝導率で高い反射率を有する金属特にニ
ッケル系合金からなる反射膜４を設けることによって、
光磁気記録膜の膜厚を薄くしても、高いカー回転角、反
射率を得ることができる。

このような反射膜４の膜厚は、１００〜（ト ４０００オングストローム好ましくは２００〜２０００
オングストロ一ム程度である。

また光磁気記録膜３と反射膜との合計膜厚は３００〜４
６００オングストローム好ましくは３５０〜２４００オ
ングストロ一ム程度である。

本発明に係る光磁気記録媒体１では、上記のような基板
２と光磁気記録膜３との間にエンハンス膜５が設けられ
ていてもよく、また光磁気記録膜３と反射膜４との間に
エンハンス膜５が設けられていてもよい。このエンハン
ス膜５は、本発明に係る光磁気記録媒体１の感度を高め
る働きをするとともに光磁気記録膜３の保護膜としても
作用している。このようなエンハンス膜５は、基板の屈
折率よりも大きな屈折率を有する透明膜であれば用いる
ことができる。

このようなエンハンス膜としては、基板との密着性、光
磁気記録媒体の光磁気記録特性の長期安定性の面からＺ
ｎ　　Ｓ、Ｚｎ　　Ｓｅ　　　Ｃｄ　　Ｓ。

Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉ　Ｎｘ　（０＜ｘ＜４／３）、Ｓｉ。

ＡＩＮなどを用いることができる。このエンハン（シ ス膜の膜厚は、１００〜１０００　好ましくは３００〜
８５０　　程度である。この中で耐クラツク性の点から
、特にＳｉ３Ｎ、、Ｓｉ　Ｎｘ　（０＜ｘ＜４／３）を
エンハンス膜として用いることが特に好ましい。

次に、本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法について
説明する。

基板温度を室温程度に保ち、非晶質合金薄膜を構成する
各元素からなるチップを所定割合で配置した複合ターゲ
ット、または所定割合の組成を有する合金ターゲットを
用い、スパッタリング法あるいは電子ビーム蒸着法など
の従来公知の成膜条件を採用して、この基板（基板は固
定していてもよく、また自転していてもよい）上に所定
組成の非晶質合金薄膜を被着させ、次いでこの上に反射
膜を上記と同様にして被着させることによって、本発明
に係る光磁気記録媒体を製造することができる。

このように本発明に係る光磁気記録媒体は、熱処理　プ
ラズマ処理などの前処理が必要なく常温での成膜が可能
であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持たせるために成膜
後にアニール処理などの熱処理をする必要がない。

なお必要に応じては、基板温度を５０〜１００℃に加熱
しながらまたは一５０℃まで冷却しながら、基板上に非
晶質合金薄膜を形成することもできる。

またスパッタリング時に、基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット
物質ばかりでなく成膜されつつある垂直磁化膜−をもた
たくことになり、優れた特性を有する垂直磁化膜が得ら
れることがある。

発明の効果 本発明に係る光磁気記録媒体では、エチレンと環状オレ
フィンとからなる環状オレフィンランダム共重合体基板
上に、特定の非晶質合金薄膜からなる光磁気記録膜が積
層された構成を有しているため、基板と光磁気記録膜と
の密着性に便法　しかも耐酸化性、光磁気記録特性およ
び光磁気記録（γ Ｊにト 特性の長期安定性にも優れている。

以下本発明を実施例によって説明する八　本発明は、こ
れら実施例に限定されるものではない。

なお、以下の実施例における光磁気記録媒体の物性は以
下の方法により調べた。

（１）光磁気記録膜の組成：　　ＩＣＰ分析法により行
った （２）カー回転角は基板側から測定した外部磁場ゼロで
の残留カー回転角を斜入射法（λ＝７８０ｎｍ）で測定
した。斜入射法の具体的測定法および装置は、山川相部
監修「磁性材料の測定技術」（昭和６０年１２月２５日
トリケッブス株式会社発行）第２６１頁〜２６３頁に記
載されている。

（３）記録、再生：光磁気ディスクは、直径φ１３０ｍ
ｍであり、この光磁気ディスクをドライブ装置（ナカミ
チ０ＭＳ−１０００）を使用して、記録周波数ＩＭＨｚ
　　（Ｄｕｔｙ比５０％）、線速１１．１ｍ／ｓ、　　
書込み時のバイアス磁界２０００ｅ、　　読出レーザー
パワー１．　０ｍＷの条件で記録、再生を行っ九 シバ− （４）表６にはスペクトラムアナライザーで２次高調波
のレベルが最小となる記録パワー（最適記録パワー）で
記録した時の信号対雑音比（Ｃ／Ｎ比）とノイズレベル
をも示す。

（５）そして、この情報を最適記録パワーより３、　０
ｍＷ大きなパワーで消去し、新たな情報の記録を行った
。この操作を１０回行なって、この消去前後でのＣ／Ｎ
比の差を△Ｃ／Ｎ比として表わした。

（６）バイアス磁界依存性については、上記の条件でバ
イアス磁界依存性については、上記の条件でバイアス磁
界を５０〜５０００ｅまで変化させた場合のＣ／Ｎ比の
変化よりＨｓａｔ、を求めた。

炎施撚」 ターゲットとしてＦｅ　、　Ｃｏ　　ターゲット上にＰ
ｔとＴｂとのチップを所定割合で配置した複合ターゲッ
トを用いてエチレンと１．４．５．８−ジメタノ−１，
２，３，４，４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒドロナフ
タレン非品性の共重合体（”Ｃ−ＮＭＲ分析で測定した
西） エチレン含量５９モル％、ＤＭＯＮ含量４１モル％、　
１３５℃デカリン中で測定した極限粘度［ηコゲ０．　
４２　ｄｉ／ｇ、　　軟化温度（ＴＭＡ）　１５４℃）
に安定剤としてテトラキス［メチレン−３（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
トコメタン、ステアリン酸亜鉛、グリセリンモノステア
レートをそれぞれ０．　５％、０．０５％、０．　５％
配合した組成物からなるディスク基板（１３０ｍＬＩφ
）（以下ＰＣ基板という）を乾燥せずにこの基板上に２
０〜５０℃でり、　　Ｃマグネトロンスパッタ法により
、Ａｒ　　雰囲気下真空到達度１．　　ＯＸ　１０−７
Ｔｏｒｒ以下の条件で膜厚１０００オングストロームの
Ｐｔ、２Ｔｂ３ｅＦｅ４゜Ｃｏ９の光磁気記録膜を成膜
した 得られた光磁気記録膜は広角Ｘ線回折法により測定した
結果、非晶質であった。なお組成はＩＣＰ発光分析によ
って求めた。

得られた光磁気記録膜（媒体）の各物性を表６に示した
　また顕微鏡で観察しな成膜状態は良好であった。

実ｊＨ律ヱ ターゲットとしてＦｅ　　　Ｃｏ　　ターゲット上にＴ
ｂのチップを所定割合で配置した複合ターゲットを用い
、実施例１で用いたＰＯと同じＰＯ基板上に実施例１と
同様の条件で膜厚１０ｏＯオングストロームのＴｂ２５
Ｆｅ６８Ｃ○７の光磁気記録膜を成膜した　得られた光
磁気記録膜は非晶質であった　この光磁気記録膜（媒体
）の各物性を表６に示した。また顕微鏡で観察しな成膜
は良好であった。

景Ｊ陳」１ユ ターゲットとしてＦｅ　　　Ｃｏ　　ターゲット上にＰ
ｔ　　とＴｂ　　のチップを所定割合で配置した複合タ
ーゲットを用いて、ポリカーボネート樹脂基板（ＰＣ基
板）をスパッタ装置中で８０℃で６時間乾燥処理し、終
夜排気後、この基板上に２０〜５０１Ｃでり、　　Ｃマ
グネトロンスパッタ法によりＡｒ雰囲気下、真空到達度
１．０Ｘ１０ゼＴ　ｏｒｒ以下の条件で膜厚１０００オ
ングストロームのＰｔ１２Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ９の光磁気
記録膜を成膜シ田 −７４＝ した　得られた光磁気記録膜は広角Ｘ線回折法により測
定した結策　非晶質であった　なお組成はＩＣＰ分析法
により行った よ豊皇」 ターゲットとしてＦｅ　　　Ｃｏ　　ターゲット上にＴ
ｂのチップを所定割合で配置した複合ターゲットを用い
、比較例１と同様にしてポリカーボネート樹脂基板上に
膜厚１０００オングストロームのＴｂ　２ｓＦｅｅａｃ
ｏ７の光磁気記録膜を成膜しへ得られた光磁気記録膜は
広角Ｘ線回折法により測定した結果、非晶質であつｆ。

［基板と光磁気記録膜との密着性評価コ以下の方法によ
り実施例１，２、比較例１．２の光磁気記録媒体の基板
と光磁気記録膜との密着性の評価を行った。

結果を表１に示す。

艷農ユヌ１ 基盤目試験（ＪＩＳ　Ｋ５４００） 試料の記録膜上に、直交する縦横１１本ずつの平行線を
カッターナイフを用いて１　ｍｍの間隔てひモ く。　１釧２の中に１００個の升目ができるように基盤
目状の切傷を付ける。

セロハンテープにチバン製）を用いて剥離評価する。

圧−−１ ■成膜直後 ０８０’Ｃ／８５％ＦＫ　　１００時間後１シ 表１ 矢」１江に二影刃 実施例１と同様にして、実施例１と同じＰＯ基板上に表
２に示す組成の光磁気記録膜を成膜した。

得られた光磁気記録媒体の特性を表ユに示す。

７− ｑシ ７／− 尖】１」圀１ エチレン・ＤＭＯＮ共重合体（エチレン含量６ｏモル％
、ＤＭＯＮ含量４０モル％、軟化温度（ＴＭＡ）１５５
℃、　［η］＝０．　４５　ｄｉ／ｇ（１３５℃デカリ
ン中）、結晶化度０　［Ｘ線解析法］）のディスク基板
上に、スパッタ法によってエンハンス層として７００　
　のＳｉ　Ｎｘ　　（０（ｘ〈４／３、屈折率ｎ＝２．
３、ｋ（消衰係数）＝０．０１４）、光磁気記録層とし
て３００オングストロームのＰ　ｔ　＋ａＴｂ　３４Ｆ
’ｅ　３ｅｃｏ　＋ｓ、反射層として７００オングスト
ロームのＮｉ　５ｅｃｒ　２［Ｉを逐次積層形成し、光
磁気ディスクを作成した。

このディスクの記録再生特性を記録周波数ＩＭＨｚ　　
（Ｄｕｔｙ比５０％）、線速５．　４ｍ／ｓにて評価し
た。

その結果、最適記録レーザパワーは３．５ｍＷであり、
Ｃ／Ｎは５０ｄＢ（再生レーザパワーは１、　　ＯｍＷ
）であった。

例２２〜２７ 実施例２１と同様にして、光磁気記録層および反射層が
表３に示すような組成および構造を有する光磁気ディス
クを作成し、実施例２１と同様にして評価を行なった。

結果を表３に示す。

→１ −８１＝

【図面の簡単な説明】

第１図、第２Ａ　第３図および第４図は、本発明に係る
光磁気記録媒体の断面図である。 第５図は、ｐｔ　　を含有する光磁気記録膜中のＣｏ　
／　（Ｆｅ　十Ｃｏ　）比［原子比］とノイズレベル（
ｄＢｍ）との関係を示す図である。第６図１３Ｐｄを含
有する光磁気記録膜中のＣｏ　／　（Ｆｅ　＋Ｃｏ）比
［原子比コとノイズレベル（ｄＢｍ）との関係を示す図
である。第７図は、光磁気記録膜中のＣｏ　／　（Ｆｅ
　＋Ｃｏ　）比［原子比］と消去劣化（△Ｃ／Ｎ比（ｄ
Ｂ））　　との関係を示す図である。 第８図は、光磁気記録膜中のｐｔおよび／またはＰ、ｄ
の含有量（原子％）と耐酸化性（△Ｃ／Ｎ比）との関係
を示す図である。第９図は、光磁気記録膜のバイアス磁
界（Ｏｅ　）とＣ／Ｎ比との関係を示す図である。第１
０図は、光磁気記録膜中のＰｔおよび／またｌ；ｌ　Ｐ
　ｄの含有量（原子％）と最ノ」）バイアス磁界（Ｈｓ
ａｔ、　（Ｏｅ））との関係を示す図である。 なお、第４図〜第９図の光磁気ディスクはすべて第１図
の構成のもので、基板がエチレン・ＤＭＯＮ共重合体で
あり、この基板上に１０００オングストロームの記録膜
を順次積層したものである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）基板上に、光磁気記録膜が積層されてなる光磁気記
   録媒体において、 基板が、エチレンと、下記一般式［ I ］で表わされる
   環状オレフィンとの共重合体からなる環状オレフィンラ
   ンダム共重合体から形成され、かつ光磁気記録膜が、（
   ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、（ｉ
   ｉｉ）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素とを少
   なくとも含む、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質
   合金薄膜であることを特徴とする光磁気記録媒体： ▲数式、化学式、表等があります▼…［ I ］ （式［Ｉ］において、ｎは０もしくは正の整数であり、
   Ｒ＾１ないしＲ＾１＾２はそれぞれ水素原子、ハロゲン
   原子または炭化水素基を示し、Ｒ＾９〜Ｒ＾１＾２は、
   互いに結合して単環または多環の基を形成していてもよ
   く、かつ該単環または多環の基が二重結合を有していて
   もよく、 またＲ＾９とＲ＾１＾０とで、またはＲ＾１＾１とＲ＾
   １＾２とで、アルキリデン基を形成していてもよい）。 ２）光磁気記録膜が、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる
   少なくとも１種と、（ｉｉ）耐腐食性金属と、（ｉ）希
   土類から選ばれる少なくとも１種の元素とからなり、前
   記耐腐食性金属の含有量が５〜３０原子％である、膜面
   に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜である請求
   項第１項に記載の光磁気記録媒体。 ３）光磁気記録膜に含まれる（ｉ）３ｄ遷移金属が、Ｆ
   ｅまたはＣｏあるいはこの両者であることを特徴とする
   請求項第１項または第２項に記載の光磁気記録媒体。 ４）光磁気記録膜に含まれる（ｉｉ）耐腐食性金属がＴ
   ｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄから選ばれた
   少なくとも１種であることを特徴とする請求項第１項ま
   たは第２項に記載の光磁気記録媒体。 ５）光磁気記録膜に含まれる（ｉｉ）耐腐食性金属が、
   ＰｔまたはＰｄあるいはこの両者であることを特徴とす
   る請求項第１項または第２項に記載の光磁気記録媒体。 ６）光磁気記録膜に含まれる（ｉｉｉ）希土類がＮｄ、
   Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤｙまたはＨｏ
   であることを特徴とする請求項第１項または第２項に記
   載の光磁気記録媒体。 ７）光磁気記録膜に含まれる（ｉ）３ｄ遷移金属の量が
   ４０原子％以上８０原子％以下であり、（ｉｉ）耐腐食
   性金属の量が１０原子％を超えて３０原子％以下である
   ことを特徴とする請求項第１項に記載の光磁気記録媒体
   。 ８）光磁気記録膜が、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる
   少なくとも１種と、（ｉｉｉ）希土類から選ばれる少な
   くとも１種の元素とからなる、膜面に垂直な磁化容易軸
   を有する非晶質合金薄膜である請求項第１項に記載の光
   磁気記録媒体。 ９）光磁気記録膜に含まれる（ｉ）３ｄ遷移金属が、Ｆ
   ｅまたはＣｏあるいはこの両者であることを特徴とする
   請求項第８項に記載の光磁気記録媒体。 １０）光磁気記録膜に含まれる（ｉｉｉ）希土類がＮｄ
   、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤｙまたはＨ
   ｏであることを特徴とする請求項第８項に記載の光磁気
   記録媒体。 １１）光磁気記録膜上に、反射膜が積層されている請求
   項第１項または第８項に記載の光磁気記録媒体。