JPH03219699A - 電波シール装置 - Google Patents

電波シール装置

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JPH03219699A
JPH03219699A JP2015502A JP1550290A JPH03219699A JP H03219699 A JPH03219699 A JP H03219699A JP 2015502 A JP2015502 A JP 2015502A JP 1550290 A JP1550290 A JP 1550290A JP H03219699 A JPH03219699 A JP H03219699A
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JP
Japan
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groove
radio wave
opening
choke
door
Prior art date
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Pending
Application number
JP2015502A
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English (en)
Inventor
Shigeru Kusuki
楠木 慈
Takashi Kashimoto
隆 柏本
Koji Yoshino
浩二 吉野
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、高周波電波を遮蔽する電波シール装置に関
するものである。
従来の技術 従来、この種の電波シール装置として、たとえば高周波
により調理物を誘電加熱して調理する電子レンジを例に
挙げて説明する。電子レンジは調理物を収納して高周波
加熱する加熱庫と、この加熱庫の調理物出入用の開口部
を開閉自在に覆う扉とを備えたものであるが、調理物の
出入時に扉を開ける際、加熱庫内の高周波電磁波が庫外
へ漏洩して人体に弊害を及ぼさないように電波シール対
策が施されている。
従来の一例として米国特許第3182164号を第11
図に示す、第11図において、18は電子レンジの加熱
庫であり、この加熱庫18の開口部19を開閉自在に覆
う取手を有する扉21が設けられている。この扉21の
周縁部には加熱庫18側に向いて開口した隙間部22を
有する空胴のチョーク部23が形成されている。このチ
ョーク部の奥行24は、使用される高周波の波長の実質
的に4分の1に設計されている。
この場合界21の厚みも4分の1波長である。すなわち
従来電子レンジで使用されている電磁波の周波数は24
50MHzであるので、4分の1波長は約30−となる
、この長さのチョーク部23と対向させるために、加熱
庫18の開口部19に形成した周縁部20の厚さ21は
4分の1波長より大きい値となる。したがって加熱庫1
8の開口部19の有効大きさは周縁部20の分だけひと
まわり小さい。
次に従来の他の一例として、米国特許第2500676
号を第12図a、bに示す、この例も電子レンジの構成
を示したものであり、マグネトロン27の発振によって
得た高周波を加熱庫28に供給し、調理物29を電磁誘
導により加熱調理するものである。この加熱庫28の開
口部30にはこの開口部30を開閉自在に覆う扉31が
設けられている。この扉31の周縁部にも溝状のチョー
ク部32が形成され、高周波が外部へ漏洩するのをこの
チョーク部32が防いでいる。このチョーク部32の深
さ、33もやはり使用周波数の4分の1波長で設計され
ている。このため開口部30の有効大きさは第11図同
様、加熱庫28よりもひとまわり小さい。
上述のとおり従来のチョーク部は4分の1波長の深さと
して高周波を減衰させるという技術思想に基づいている
すなわち、チョーク部の特性インピーダンスをZo、深
さをLとし、終端部を短縮したときにチョーク部開口部
でのインピーダンスZいは、2πL Z+++= j Zo tan  ()λO (λ。は自由空間波長) となる。
チョーク方式の電波減衰手段は、チョーク部の深さLを
4分の1波長に選定することにより、π ZIM l = Zo tan  (−) =o。
を達成するという原理に基づいている。
もし、チョーク部内に誘電体(比誘導体εr)を充填す
ると、電波の波長λ′は、 λ′ζλ。/Jt。
に圧縮される。この場合チョーク部の深さL′は、L”
=L/Jε。
と短くなる。
発明が解決しようとする課題 しかしながら前述のL’=λ′/4とすることに変りは
なく、チョーク方式においては、深さを実質的に4分の
1波長よりも小さくすることができず、チョーク部の小
型化に限界のあるものであった。
この発明は、チョーク部の大きさが小さい電波シール装
置を提供するものである。
課題を解決するだめの手段 この発明は、新しいインピーダンス変換原理を用いた電
波シールであり、漏波路と溝のそれぞれが特性インピー
ダンス不連続構成をとることにより、4分の1波長相当
の寸法よりも小さい形状としかつ溝の平面を含む開孔部
を絶縁シートで覆う構成をとるものである。
作用 上記手段により電波の漏洩を防止できるとともに絶縁シ
ートでシール溝内に異物の侵入を防止できる。
実施例 以下第3図、第4図を用いて電波シール装置の特性イン
ピーダンスについて説明する。第3図はマイクロストリ
ップ線路の斜視図であり、誘電体を介してストリップ導
体Mと接地導体Gが対向しである。ここでは線路幅をa
、線路間隙をす、誘電媒質の比誘電率をε、としている
この場合の特性インピーダンスZ0は周知の如く 従って特性インピーダンスZ0は、線路幅aを広くする
こと、線路間隙すをせまくすること、比誘電率ε、を大
きくすることで小さな値にできる。
第4図にはドアの構成例を示す。この場合、ドア4に設
けたX方向にのびる壁面G、Mと幅a、ピーチPの導線
路群13により溝幅すなる溝5を構成している。この場
合は接地面に相当する壁面tこ対し、導線路群13が配
された電波伝搬系として作用するが、個々の線路に対し
て特性インピーダンスり平行線の場合と殆んど同様の関
係が保たれる。
第5図〜第8図を用いて本発明の詳細説明る、第5図a
、b、Cは小型溝を2.3、n個にインピーダンス変化
させた例を示している。特性インピーダンスZ1゜の区
間が長さ11であり、インピーダンス変化点からみた溝
路端側をみたインピーダンスがZ、で、溝開孔部から、
溝路端側をみたインピーダンスがZinn となる。
具体的には溝を2分割した第5図aの場合Z2 = j
 Zzotanβ1z=j’Xg以下βはβ− λ。
Lo+jZztan  βI 但しく2+。<72゜) 第5図すの場合 Z3 = j Z 3otanβ13 Zzo +j Z3 tan β12 21g+j Z x tan βl 但しくZ、。<72゜<23゜) 第5図Cの場合 Z*  −j Zaotan  β111Z、、1 10+J Z 、1tanβI 但し く2+。〈Z2゜・・・< Z z。)Z +* + 
j Z z  tafl  β1となる。
従って小型満開孔からみたインピーダンスはn個の不連
続特性インピーダンスの場合に7、、、+ j Zl 
 tan  βlLo  X、、tan  βl となる、上式はZl。とxlltan β1.が等しく
なれば、lZi、   l=■にできることを意味する
即ちZ 、、= XいtanβI+が溝開孔部でのイン
ピーダンスを大きくする要件になることがわかる。
λ。=  122.4mn (f =2450MHz)
  −=30.8餉の例で第5図aの2個不連続、第5
図すの3個不連続の場合についてZl。−X、tanβ
1.の条件を満たすl+   1x(1:+)、l t
otal の組合せを開孔部特性インピーダンスZ、。
と終端部特性インピーダンスZ2゜またはZ3゜の比を
1対2として計算すると次の如くなる。
(単位m) 1%。、、t= 1 、+! 。
この結果は次のことを意味する。■特性インピーダンス
をZ+*<Zz。又はZl。<Z、。<23゜とするこ
とにより溝の深さl (total)が4分の1波長よ
りも小さくできる。■溝の深さの寸法圧縮率は開孔部特
性インピーダンスZ1゜と終端部特性インピーダンスZ
1゜によりほとんど決まり、特性インピーダンスの変化
数nにはほとんど左右されない。
上記説明はZ2゜/ z +。−Z3゜/z、。=2の
場合であるが第6図には2分割の場合に寸法11と1゜
の比を1〜5まで変化させたときの特性インビータンス
比ト、チョーク溝深さに対し小型溝深さが寸法圧縮され
た圧縮比の関係を示している。特性インピーダンスの選
定を工夫すればチョーク溝の十分の一以下にもできるこ
とをこのグラフは示す。
第7図には寸法!1を12mとしたとき、寸法1□をパ
ラメータに開孔部特性インピーダンス絶対値をブロード
したもので、寸法1□が24mと25m++のところで
極大値をとることを示している。
第8図には電波漏洩大側値を示す。この結果も12寸法
が23.5■と24.5amの間で最小値を示しており
これは次のことを意味するものである。
■ 小型溝の開孔部インピーダンスの絶対値を大きくす
ることが電波漏洩量を少なくする。
■ 小型溝の開孔部インピーダンスを大きくする溝の深
さ寸法(1+   12)は計算値と実測値が精度よく
合致すること。
■ チョーク溝の深さにくらべて確実に小型化ができる
ことである。
第9図の実施例の具体構成を示す。本発明は小型溝を構
成する壁面群のうち少なくとも1つの壁面が導線幅をピ
ッチよりも小さくしたものにおいて各線路群の開孔部導
線幅a、が短絡終端部のそれa、よりも大きくする構成
をとる。壁面群1316、17により小型溝5は構成さ
れる。特に壁面13は開孔部の導線幅a、が短絡部導線
幅atよりも大きい線路群からなる点に特徴を有する。
本発明は電波シールの分野で歴史的に用いられていたλ
/4線路ではなく、λ/4未満線路でインピーダンス反
転を実施するものである。この原理を理解しやすくする
ために、解析結果の一部を第1O図に示す。第1θ図は
A端を励振源としD端を開放した伝送路の一部に、先端
Cが短絡された開孔Bを有する溝を設けている。溝は開
孔側より短絡側の溝幅を2倍にしている。A点を同一条
件で励振し、溝の深さ17を変化させたとき、伝送路内
の電界は、a、b、cのように変化し、D端に電波がと
どかないのはbの場合、すなわち溝の深さl、が、4分
の1波長の約80%のとき(λ/4未満線路)であり、
それよりも長くても短くても(a、Cの場合)、bにく
らべて電波がよく洩れる。
本発明の実施例を第1図に、第1図のA−A斜視図を第
2図に示す。加熱室1を覆う加熱壁部2、加熱室1を開
閉自在に覆うドア3、ドア3は1枚の金属導体4で形成
される。ドア3は、溝幅すの小型溝5とプラスチック性
のカバー6で構成されている。溝部はさらに、開孔平面
7、溝開孔部8、外溝面9からなり、満5は、第2図の
ように導体片13はスリット群14により分別され、さ
らに各導体片13は開孔部側10で線幅al、スロット
群15により、短絡端側11では線幅a2/2が2本(
合計でa2)で構成されている。さらに満開孔千面7と
満開孔8はPET(ポリテトラメチレンテレフタレート
〕などの絶縁シート12でカバーされ溝5内に食品汚物
などの混入を防いでいる。
このような構成をとることで、チョーク溝が小型に構成
でき、さらに平面を含む溝開孔部を絶縁シートで覆う構
成をとっているのでドア作成の作業性を大幅に向上でき
るものである。
発明の効果 (11本質的に小型溝の深さを4分の1波長より小さく
できる。
(2)小型溝を構成する壁面のうち少なくとも1つの壁
面は線路群からなるので、X方向の電波伝搬性成分を少
なくでき電波シール性能の向上がはがれる。
(3)  導線幅を変化させるという簡単な構成で電波
シールの小型化がはかれる。
(4)開孔部を開孔平面部をともに絶縁シートで覆う構
成をとるのでドア作成の作業性を高められる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は本発明の実施例の電波シール装置の断
面図、平面図、第3図、第4図はマイクロストリップ線
路とドア溝部構成の対応を説明するための斜視図、第5
図は間装!の模式断面図、fよ 第6図、第7図、第8図咬同装置の特性図、第9図は同
装置の斜視図、第10119は同装置の原理図、第11
図、第12図はそれぞれ従来例の電波シール装置の断面
図である。 5・・・・・・(小型溝)、7・・・・・・開孔部平面
、8・・・・・・(溝の)開孔、12・・・・・・絶縁
シート、13・・・・・・導体片(壁面体)、14・・
・・・・スリット群。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  開口部を有し、電波が内部に供給される本体を設け、
    この本体の前記開口部を開閉自在に覆うドアを設け、前
    記本体と前記ドアが対向する部分の少なくとも一方に溝
    を設け、この溝の中に配された導線を形成する少なくと
    も一方の壁面は、周期的に連続する導体片で形成し、さ
    らに導体片の幅は開孔部側で広く短絡部側で狭くし、さ
    らに溝の開孔部平面と溝を絶縁シートで覆った電波シー
    ル装置。
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