JPH0322009A - 定電流回路 - Google Patents

定電流回路

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JPH0322009A
JPH0322009A JP15771089A JP15771089A JPH0322009A JP H0322009 A JPH0322009 A JP H0322009A JP 15771089 A JP15771089 A JP 15771089A JP 15771089 A JP15771089 A JP 15771089A JP H0322009 A JPH0322009 A JP H0322009A
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JP
Japan
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source
drain
fet
channel
gate
Prior art date
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Pending
Application number
JP15771089A
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English (en)
Inventor
Koji Yokozawa
晃二 横澤
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は定電流回路に関する。
〔従来の技術〕
従来の定電流回路は、第2図に示すようにカレントミラ
ー回路8を構成する電界効果トランジスタのFET1の
ドレインに直接負荷回路3が接続されていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の定電流回路では、電源電圧の変動や負荷
回路のインピーダンス変動により、カレントミラー回路
8を構戒するFETIのドレイン・ンース間電圧■。3
が変動するために、第(1)式からわかるように定電流
値InI1が変動するという欠点があった。
ID8 β Vast ■7 VOS ■. PETのドレイン電流、 PETのサイズなどで決まる係数、 FETのゲート・ソース間電圧、 FETのしきい値電圧、 FETのドレイン・ソース間電圧、 FETの7ーリー電圧. 〔課題を解決するための手段〕 本発明の定電流回路は、FETで構成される集積回路に
おいて、第1の電源に接地されたカレントミラ−回路を
構成する第1の導電型のエンノ・ンスメント形FETの
ドレインと第1の導電型のデプレッション形FETのソ
ースとを接続し、前記第1の導電型のデブレッション形
FETのゲートと第1の電源とを接続し、前記第1の導
電型のデプレッション形FETのドレインと負荷回路と
を接続して構成される。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する.第1図
は本発明の一実施例の回路図である。
Nチャンネルのエンハンスメント形FETIのドレイン
とNチャンネルのデプレッション形FET2のソースと
を接続し、Nチャンネルのデプレッション形FETのゲ
ートとNチャンネルのエンハンスメント形FET1のン
ースとNチャンネルのエンハンスメント形FET6のソ
ースとンース電源端子4とを接続し、Nチャンネルのデ
プレッション形FET2のドレインと負荷回路3の一方
の端子とを接続し、Nチャンネルのエンハンスメント形
FET1のゲートとNチャンネルのエンハンスメント形
FET6のゲートとドレインと定電流源7の一方の端子
とを接続し、負荷回路3の他方の端子と定電流源7の他
方の端子とドレイン電源端子5とを接続した回路で構成
される。
本実施例の定電流回路の場合、ドレイン電源電圧vDD
の変動や負荷回路7のインピーダンス変動により、■,
の電圧は変動する。
しかし、負荷回路の電流iLは、Nチャンネルのエンハ
ンスメント形FETIからNチャンネルのデプレッショ
ン形FET2を介して供給される為、電圧変動分はF’
ET2のドレイン・ソース電圧■2が分担する。
したがってNチャンネルのデプレッション形FET2の
ゲート・ソース間電圧V。,2はほぼ一定に保たれる事
から、Nチャンネルのエンハンスメント形FBET1の
ドレイン・ソース間電圧Vつ,もほぼ一定に保たれる為
、第(1)式に示したように負荷電流iLは従来よりも
安定した工.の値となる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、電源電圧の変動や
負荷回路のインピーダンス変動によるカレントミラー回
路を構成するFETのドレインーソース間電圧の変動を
排除することにより、従来よりも安定した定電流回路が
実現できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は従来の定
電流回路の一例の回路図である。 1・・・・・・Nチャンネルのエンハンスメント形FE
T、2・・・・・・Nチャンネルのデプレッション形F
ET,3・・・・・・負荷回路、4・・・・・・第1の
電源端子、5・・・・・・第2の電源端子、6・・・・
・・Nチャンネルのエンハンスメント形FET,7・・
・・・・定電流源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁ゲート形電界効果トランジスタで構成される集積回
    路において、第1の電源に接地されたカレントミラー回
    路を構成する第1の導電型のエンハンスメント形電界効
    果トランジスタのドレインと第1の導電型のデプレッシ
    ョン形電界効果トランジスタのソースとを接続し、前記
    第1の導電型のデプレッション形電界効果トランジスタ
    のゲートと第1の電源とを接続し、前記第1の導電型の
    デプレッション形電界効果トランジスタのドレインと負
    荷回路とを接続したことを特徴とする定電流回路。
JP15771089A 1989-06-19 1989-06-19 定電流回路 Pending JPH0322009A (ja)

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