JPH03220407A - Sor露光装置用傾き検出装置 - Google Patents
Sor露光装置用傾き検出装置Info
- Publication number
- JPH03220407A JPH03220407A JP2015486A JP1548690A JPH03220407A JP H03220407 A JPH03220407 A JP H03220407A JP 2015486 A JP2015486 A JP 2015486A JP 1548690 A JP1548690 A JP 1548690A JP H03220407 A JPH03220407 A JP H03220407A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detected
- measured
- laser light
- reflecting plane
- sor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 4
- 238000011896 sensitive detection Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 206010041662 Splinter Diseases 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
二産業上の利用分野]
本発明は傾き検出装!に関し、特にSOR露光装置にお
けるマスクやウェーハ等の被測定体の面の法線かSOR
光軸等の基準軸に対してなす傾きを検出するための傾き
検出装置に関する。
けるマスクやウェーハ等の被測定体の面の法線かSOR
光軸等の基準軸に対してなす傾きを検出するための傾き
検出装置に関する。
次世代超LSIの露光装置用精密ステージの位置決め精
度は、現在の0.1μmオーダがら約1桁以上向上させ
て0.01μm以下の領域に入れることが必要であると
考えられる。たとえば次世代超LSI露光装置の1つと
してSOR光を利用したX線露光装置が開発されている
が、同露光装置においてはサブミクロンのオーダでのマ
スクおよびウェハの位置決めか要求されている。これら
を裁置するステージの位置決め精度は、さらに1桁上の
o、oiμmの精度が望まれている。
度は、現在の0.1μmオーダがら約1桁以上向上させ
て0.01μm以下の領域に入れることが必要であると
考えられる。たとえば次世代超LSI露光装置の1つと
してSOR光を利用したX線露光装置が開発されている
が、同露光装置においてはサブミクロンのオーダでのマ
スクおよびウェハの位置決めか要求されている。これら
を裁置するステージの位置決め精度は、さらに1桁上の
o、oiμmの精度が望まれている。
[従来の技術〕
従来の光ステッパ等の光露光装置では光源とマスクステ
ージ、露光ステージは同一の横遺体内に形成されていた
ので、光軸に対するステージの面の傾きは組立時、調整
時に行えば十分である。
ージ、露光ステージは同一の横遺体内に形成されていた
ので、光軸に対するステージの面の傾きは組立時、調整
時に行えば十分である。
しかし、SOR光利用の露光装置においては、光源とス
テージとは少なくとも数m、多くは10m程度は離れて
配置される4そのため十分な剛性を有する共通ベース体
上に光源と・ステージとを載せることは誰しく、露光装
置に対してSOR光軸か一定せず、変化することになる
。従って、s。
テージとは少なくとも数m、多くは10m程度は離れて
配置される4そのため十分な剛性を有する共通ベース体
上に光源と・ステージとを載せることは誰しく、露光装
置に対してSOR光軸か一定せず、変化することになる
。従って、s。
R光軸等の基準軸を常に計測する必要が生じる。
また、SOR,i光用マスクは通常、第2図(A)に示
すような補遺を有している。すなわちマスク20は、中
央部をくり抜いたたとえば厚さ2n1程度の81ウエー
ハ21と、その上に形成した厚さ数μm程度のSiN膜
等のSOR光に対して透過率の高いメンブレン22と、
その上に形成した^UやTa等SOR光に対して高い吸
収係数を持つ吸収材で形成したSOR光吸収パターン2
3を有している。
すような補遺を有している。すなわちマスク20は、中
央部をくり抜いたたとえば厚さ2n1程度の81ウエー
ハ21と、その上に形成した厚さ数μm程度のSiN膜
等のSOR光に対して透過率の高いメンブレン22と、
その上に形成した^UやTa等SOR光に対して高い吸
収係数を持つ吸収材で形成したSOR光吸収パターン2
3を有している。
ところが、Siウェーハ21と、SOR光透過メンブレ
ン22とを合わせた厚さをマスク全面で高精度に均一に
作成することは極めて難しい、加工上数μm程度のバラ
ツキが生じることは防ぎにくい。
ン22とを合わせた厚さをマスク全面で高精度に均一に
作成することは極めて難しい、加工上数μm程度のバラ
ツキが生じることは防ぎにくい。
たとえば、第2図(B)に示すように厚さがマスク20
の一方の端から他方の端に向がって徐マに減少したり、
第2図(C)に示すように厚さが一旦増加し、再び減少
するような厚さ分布か生じる。
の一方の端から他方の端に向がって徐マに減少したり、
第2図(C)に示すように厚さが一旦増加し、再び減少
するような厚さ分布か生じる。
このような厚さ分布はマスク毎に変化する。
半導体装置の露光工程においては、所望の露光パターン
に応じてマスクを交換する。すると、マスク毎に厚さ分
布か変化する。このマスク毎の形状変化に応じて、マス
ク面を光軸に合わせることか要求される。そのためには
、マスク毎にマスク面を計測し、その計測結果に従って
マスク面を調整する必要がある。
に応じてマスクを交換する。すると、マスク毎に厚さ分
布か変化する。このマスク毎の形状変化に応じて、マス
ク面を光軸に合わせることか要求される。そのためには
、マスク毎にマスク面を計測し、その計測結果に従って
マスク面を調整する必要がある。
このような、変動し得る基準軸に対する面の傾きを検出
する方法しては、エアマイクロ、静電容量センサ等があ
るが、それぞれ取り付はスペースを要し、応答速度にも
問題があった。
する方法しては、エアマイクロ、静電容量センサ等があ
るが、それぞれ取り付はスペースを要し、応答速度にも
問題があった。
[発明か解決しようとする課U]
以上説明したように、相対的に位置を変動し得る基準軸
と被測定物の面とのなす角を取り付はスペースをほとん
ど必要とせずに測定しようとすると、従来の技術で適応
できるものはなかった。
と被測定物の面とのなす角を取り付はスペースをほとん
ど必要とせずに測定しようとすると、従来の技術で適応
できるものはなかった。
本発明の目的は、基準軸に対する被測定物の面の傾きを
、被測定物側では特別のスペースをほとんど要すること
なく測定することのできる傾き測定装置を提供すること
である。
、被測定物側では特別のスペースをほとんど要すること
なく測定することのできる傾き測定装置を提供すること
である。
′L課題を解決するための手段コ
対象とする被測定物の面に、反射面を形成する。
基準軸にそって遠方からレーザ光を反射面に照射し、反
射光を被測定物から離れた位置で測定する。
射光を被測定物から離れた位置で測定する。
;作用〕
反射光を離れた位置で測定すると、面が傾くと、反射光
は光梃の原理によって大きく移動する。したがって、微
少な面の傾きを高精度で検出することかできる。
は光梃の原理によって大きく移動する。したがって、微
少な面の傾きを高精度で検出することかできる。
3実施例コ
第1図は本発明の実施例による傾き検出装置の構成を示
す概略図である。SORリング1は、はぼ光速に加速さ
れた電子の軌道を含み、軌道放射光を水平方向にSOR
光軸2に冶って発射する。
す概略図である。SORリング1は、はぼ光速に加速さ
れた電子の軌道を含み、軌道放射光を水平方向にSOR
光軸2に冶って発射する。
SORリングlから発射されたSOR光は、SOR光軸
2にそって直進する。SOR光軸2上に露光装置3が配
置される。露光装置3はステージ4ヲ有し、その上にマ
スクやウェハ等の被測定′#R5を載置している。
2にそって直進する。SOR光軸2上に露光装置3が配
置される。露光装置3はステージ4ヲ有し、その上にマ
スクやウェハ等の被測定′#R5を載置している。
露光装置においては、対象物であるウェハやマスクの面
は入射光に対して垂直に配!するのか好ましい、第1図
に示した系の場合は、SOR光軸2が被測定物5の面に
垂直になることが好ましい。
は入射光に対して垂直に配!するのか好ましい、第1図
に示した系の場合は、SOR光軸2が被測定物5の面に
垂直になることが好ましい。
この被測定物であるマスクやウェハの測定面上にアルミ
ニウム層等の反射面7か形成されている。
ニウム層等の反射面7か形成されている。
SOR光の進む方向をX方向とし、図中上方に向かう方
向をY方向としたとき、反射面7の法線のX軸方向から
の傾きを測定し、調整する。ステージ4には、X方向の
高さを調整するためのレベルアクチュエータ8が少なく
とも3つ設けられており、ステージの面法線をillす
ることができるようにされている。尚、ステージ4には
他の自由度についても調整装置が設けられているが、説
明および図示を省略する。
向をY方向としたとき、反射面7の法線のX軸方向から
の傾きを測定し、調整する。ステージ4には、X方向の
高さを調整するためのレベルアクチュエータ8が少なく
とも3つ設けられており、ステージの面法線をillす
ることができるようにされている。尚、ステージ4には
他の自由度についても調整装置が設けられているが、説
明および図示を省略する。
SORリング1のSOR光引き出し口近くにレーザーヘ
ッド11か固定されている。また、このし−ザヘ/ド1
1から発するレーザー光の光軸上にビームベンダ−12
およびビームベンダ−12で折り曲けられた反射光を検
出するための位置敏感型検出器14かSORリング1と
同一の構造物上に配置される。レーザヘッド11はSO
R光軸2に対して所定の位置関係で配置され、SOR光
軸と平行にレーザー光を発するように初期調整される。
ッド11か固定されている。また、このし−ザヘ/ド1
1から発するレーザー光の光軸上にビームベンダ−12
およびビームベンダ−12で折り曲けられた反射光を検
出するための位置敏感型検出器14かSORリング1と
同一の構造物上に配置される。レーザヘッド11はSO
R光軸2に対して所定の位置関係で配置され、SOR光
軸と平行にレーザー光を発するように初期調整される。
露光工程に先立って、シーブヘッド11からレーサー光
を発し、被測定物5上の反射面7にレーザ光スポットを
形成し、反射して同一光軸上を掃ってくる反射光をビー
ムベンダー12によって図中下方に折り曲げ、位置敏感
型検出素子14で検出する6位置敏感型検出素子14は
、たとえばPSD (position 5ensi
tive device) −CCD(charge
coupled device ) +ホトタイオード
アレーなとて・構成し、面内の光照射位置検出に関して
十分な分解能を有する1反射面7がレーザ光に対して垂
直に配置されているとき位置敏感型検出素子14で検出
するレーザ光位置を基準位置とし、反射面7か傾いた時
、位置敏感型検出素子14上で検出位置かどれたけ移動
するかを検出する6反射面7の法線か、レーザ光の光軸
から角度θ傾いたときに、位置敏感型検出素子14上で
検出される位置の移動は、反射面7と位置敏感型検出素
子14の間の距離をrとしたとき、rs+n(2θ)と
表すことかできる。ここで反射光を測定することによっ
て傾きの角度θは2倍になり、更に反射面から距離を離
すことによって、測定値はr倍される。このような先板
作用によって微少な傾きが容易に検出できるようになる
0位置敏感型検出素子14は、数ミクロン以下の分解能
を有する事も容易であるので、秒単位の面の傾きを測定
する事も容易である。また、位置敏感型検出素子14上
で受光ビーム点がどの方向に移動するかを検出すること
によって、被対象物の反射面7がどの方向に傾いたかを
知ることかでき、この信号を制m口路15て鴇理し、マ
スク傾き補正用のアクチュエータ8にフィードバンクす
ることによって、被測定物5の面を常にSOR光軸2に
対して垂直に保つことかできる。なお、反射光の光路中
にビームスプリンタを設け、粗位置検出系を併設しても
よい 以上説明!た構成によれば、被測定面近傍には反射面以
外何ら測定器を設置しなくてよいので、設計の自由度か
増す、特に空間的制約の多いSOR露光装置等に好適で
ある6反射面は特に形成しなくてら、ある程度の反射率
を有する何らかの面かあれば測定は可能である。
を発し、被測定物5上の反射面7にレーザ光スポットを
形成し、反射して同一光軸上を掃ってくる反射光をビー
ムベンダー12によって図中下方に折り曲げ、位置敏感
型検出素子14で検出する6位置敏感型検出素子14は
、たとえばPSD (position 5ensi
tive device) −CCD(charge
coupled device ) +ホトタイオード
アレーなとて・構成し、面内の光照射位置検出に関して
十分な分解能を有する1反射面7がレーザ光に対して垂
直に配置されているとき位置敏感型検出素子14で検出
するレーザ光位置を基準位置とし、反射面7か傾いた時
、位置敏感型検出素子14上で検出位置かどれたけ移動
するかを検出する6反射面7の法線か、レーザ光の光軸
から角度θ傾いたときに、位置敏感型検出素子14上で
検出される位置の移動は、反射面7と位置敏感型検出素
子14の間の距離をrとしたとき、rs+n(2θ)と
表すことかできる。ここで反射光を測定することによっ
て傾きの角度θは2倍になり、更に反射面から距離を離
すことによって、測定値はr倍される。このような先板
作用によって微少な傾きが容易に検出できるようになる
0位置敏感型検出素子14は、数ミクロン以下の分解能
を有する事も容易であるので、秒単位の面の傾きを測定
する事も容易である。また、位置敏感型検出素子14上
で受光ビーム点がどの方向に移動するかを検出すること
によって、被対象物の反射面7がどの方向に傾いたかを
知ることかでき、この信号を制m口路15て鴇理し、マ
スク傾き補正用のアクチュエータ8にフィードバンクす
ることによって、被測定物5の面を常にSOR光軸2に
対して垂直に保つことかできる。なお、反射光の光路中
にビームスプリンタを設け、粗位置検出系を併設しても
よい 以上説明!た構成によれば、被測定面近傍には反射面以
外何ら測定器を設置しなくてよいので、設計の自由度か
増す、特に空間的制約の多いSOR露光装置等に好適で
ある6反射面は特に形成しなくてら、ある程度の反射率
を有する何らかの面かあれば測定は可能である。
光路長を十分長くすることにより、容易に高分l!ギ能
が得られる。
が得られる。
なお、SOR光露光装置の実施例に沿って本発明を説明
したか、SOR光露光装置以外にも同機の技術を用いる
ことかできる。SOR光軸2のかわりに、何等かの直進
する性質を有するビームの基準軸を用い、これに平行に
し一ザヘンド11がちレーザ光を対象物上に照射するこ
とによって、同様に基準軸に対する被測定物の面の傾き
を測定することかできる。
したか、SOR光露光装置以外にも同機の技術を用いる
ことかできる。SOR光軸2のかわりに、何等かの直進
する性質を有するビームの基準軸を用い、これに平行に
し一ザヘンド11がちレーザ光を対象物上に照射するこ
とによって、同様に基準軸に対する被測定物の面の傾き
を測定することかできる。
以上実施例にそって本発明を説明したが、本発明はこれ
らに制限されるものではない、たとえば種マの変更、改
良、組み合わせ等が可能な事は、当業者に自明であろう
。
らに制限されるものではない、たとえば種マの変更、改
良、組み合わせ等が可能な事は、当業者に自明であろう
。
こ発明の効果号
以上説明したように、本発明によれば、ウェハやマスク
等の被測定物の面の法線が、SOR光軸等の基準軸に対
して傾いた時、その傾きを高精度に検出することができ
る。
等の被測定物の面の法線が、SOR光軸等の基準軸に対
して傾いた時、その傾きを高精度に検出することができ
る。
また、検出した傾きをフィードバックすることによって
、被測定物の対象面を常に所定の方向に較正することが
できる。
、被測定物の対象面を常に所定の方向に較正することが
できる。
SOR露光装置等に於ける転写誤差を減少させることが
できる。
できる。
第1図は本発明の実施例による傾き検出装置の概略ブロ
ック図である。 図において SORリング SOR光軸 SOR露光装置 ステージ 被測定物 反射面 レベリングアクチュエータ レーザヘッド ビームベンダ 位1敏感型検出素子 制御回路
ック図である。 図において SORリング SOR光軸 SOR露光装置 ステージ 被測定物 反射面 レベリングアクチュエータ レーザヘッド ビームベンダ 位1敏感型検出素子 制御回路
Claims (1)
- (1)、所定の基準軸と、 該基準軸に対する面法線の傾きを検出しようとする面を
有し、前記面上に反射面を有する被測定物と、 前記基準軸に平行にレーザビームを発射し、前記反射面
に当てるレーザ光学系と、 前記反射面で反射したレーザ光を前記被測定物から離れ
た位置で、レーザ光の進行方向とほぼ直交する面で受け
、面内のレーザ光照射位置を検出する検出系と を有する傾き検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015486A JP2742462B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | Sor露光装置用傾き検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015486A JP2742462B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | Sor露光装置用傾き検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03220407A true JPH03220407A (ja) | 1991-09-27 |
| JP2742462B2 JP2742462B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=11890126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015486A Expired - Lifetime JP2742462B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | Sor露光装置用傾き検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2742462B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008120458A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 載置台整準方法及び載置台整準装置 |
| CN110057303A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-07-26 | 广东工业大学 | 一种直线位移测量装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60144606A (ja) * | 1984-01-06 | 1985-07-31 | Toshiba Corp | 位置測定装置 |
| JPS62187214A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-15 | Nec Corp | 微小変位検出装置 |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP2015486A patent/JP2742462B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60144606A (ja) * | 1984-01-06 | 1985-07-31 | Toshiba Corp | 位置測定装置 |
| JPS62187214A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-15 | Nec Corp | 微小変位検出装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008120458A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 載置台整準方法及び載置台整準装置 |
| JP2008251577A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 載置台整準方法及び載置台整準装置 |
| CN110057303A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-07-26 | 广东工业大学 | 一种直线位移测量装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2742462B2 (ja) | 1998-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4475223A (en) | Exposure process and system | |
| KR100471018B1 (ko) | 두 개의 대상물 간의 갭 조절장치 및 조절방법 | |
| US7122814B2 (en) | Arrangement for the stabilization of the radiation emission of a plasma | |
| US6624879B2 (en) | Exposure apparatus and method for photolithography | |
| JPS6352453B2 (ja) | ||
| US4420233A (en) | Projecting apparatus | |
| JPH08145645A (ja) | 傾き検出装置 | |
| JP2756331B2 (ja) | 間隔測定装置 | |
| JPS63140989A (ja) | 位置決め装置 | |
| JPH03220407A (ja) | Sor露光装置用傾き検出装置 | |
| JP3023893B2 (ja) | 角度ずれ検出方法およびその装置と露光装置 | |
| JPH04162337A (ja) | 電子線装置 | |
| JP2513300B2 (ja) | 位置検出装置 | |
| JP4025049B2 (ja) | ギャップ調節装置 | |
| JP2698446B2 (ja) | 間隔測定装置 | |
| JP2805239B2 (ja) | Sor―x線露光装置 | |
| JPH1174186A (ja) | 位置決め装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2698388B2 (ja) | 位置検出装置 | |
| JP2827250B2 (ja) | 位置検出装置 | |
| JP2556559B2 (ja) | 間隔測定装置 | |
| JPH0412523A (ja) | 位置検出装置 | |
| JP2513281B2 (ja) | 位置合わせ装置 | |
| JPS59107515A (ja) | X線露光装置 | |
| JP2765003B2 (ja) | 間隔測定装置 | |
| JP2698389B2 (ja) | 位置検出装置 |