JPH03220717A - 結晶成長装置 - Google Patents
結晶成長装置Info
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- JPH03220717A JPH03220717A JP1492390A JP1492390A JPH03220717A JP H03220717 A JPH03220717 A JP H03220717A JP 1492390 A JP1492390 A JP 1492390A JP 1492390 A JP1492390 A JP 1492390A JP H03220717 A JPH03220717 A JP H03220717A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高性能化合物半導体光素子や電気素子用結晶
成長装置に係り、特に歪系超格子ＩＩＩ −Ｖ族、ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体およびそれらの混晶半導体の結晶
成長装置に関し、更に詳しくは結晶成長原料として、そ
れぞれの納品の構成元素を含む有機金属化合物、または
水素化合物を用いる結晶成長装置に関する。
成長装置に係り、特に歪系超格子ＩＩＩ −Ｖ族、ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体およびそれらの混晶半導体の結晶
成長装置に関し、更に詳しくは結晶成長原料として、そ
れぞれの納品の構成元素を含む有機金属化合物、または
水素化合物を用いる結晶成長装置に関する。
（２）
従来の歪量化合物半導体の応用例として、ＭＢＥ（分子
線エピタキシー法）によりＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ系の
歪超格子活性層を持つ半導体レーザを試作したものとし
ては、インタナショナルコンファレンスオンインテグレ
ーテッドオプチツクスアンドオプチカルコミュニケーシ
ョンズ］、８Ｂ２−６８頁（１９８９） （Ｉｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎＩｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄ ０ｐｔｉｃｓ ａｎｄ ０ｐｔｉｃａ
ｌ Ｃｏｍｍｕｎｊ、ｃａｔｉｏｎｓ１８Ｂ２−６ Ｐ
−８（１，９８９）がある。
線エピタキシー法）によりＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ系の
歪超格子活性層を持つ半導体レーザを試作したものとし
ては、インタナショナルコンファレンスオンインテグレ
ーテッドオプチツクスアンドオプチカルコミュニケーシ
ョンズ］、８Ｂ２−６８頁（１９８９） （Ｉｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎＩｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄ ０ｐｔｉｃｓ ａｎｄ ０ｐｔｉｃａ
ｌ Ｃｏｍｍｕｎｊ、ｃａｔｉｏｎｓ１８Ｂ２−６ Ｐ
−８（１，９８９）がある。
上述した従来技術による歪超格子の納品成長法は、歪量
のフィードバック機構が付与されておらず、正確な制御
がなされていないものであった。
のフィードバック機構が付与されておらず、正確な制御
がなされていないものであった。
本発明の目的は、歪量の化合物半導体成長において、歪
量の正確な計測とその設定植からのずれ量の迅速なフィ
ードバックによって、目的の歪超格子構造を得ることで
ある。さらに、成長ウェーハの歪量の面内分布を均一化
し、新規で生産性の高い化合物半導体等の結晶成長装置
を提供することにある。
量の正確な計測とその設定植からのずれ量の迅速なフィ
ードバックによって、目的の歪超格子構造を得ることで
ある。さらに、成長ウェーハの歪量の面内分布を均一化
し、新規で生産性の高い化合物半導体等の結晶成長装置
を提供することにある。
（３）
（ｉｌｌ１題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明の結晶成長装置では
例えば、第工同に示すように、横型の有機金属熱分解用
リアクタ１にＸ線源２、Ｘ線透過窓３、同折波透過窓４
、カウンター５、ジャイロ機構６からなるＸ線同折装青
を組込み、所定の反応ガスを流して形成した半導体納品
層７の同折角を測定できる手段を設ける。また、この回
折角情報は歪量から混晶組成へ、さらに混晶組成から反
応ガス流量へとＣＰＵ制御系８によって変換され、次い
でガス制御系９にフィードバックされる。また、半導体
結晶層７の歪量のウェーハ面内分布は、リアクタ１内に
設けられたガス流制御板１０により、均一化を同れるよ
うにしである。また、ガス流制御板１．０の一部分は、
Ｘ線の透過率が十分に高い飼料を用いることにより、容
易に回折角を測定できる。例えばベリリウムを用いれば
、Ｘ線の透過率は９０％以上を確保できる。ところで、
基板納品上部に配置されたベリリウム製Ｘ線透過窓１１
は、納品成長中に反応ガスに曝されるため。
例えば、第工同に示すように、横型の有機金属熱分解用
リアクタ１にＸ線源２、Ｘ線透過窓３、同折波透過窓４
、カウンター５、ジャイロ機構６からなるＸ線同折装青
を組込み、所定の反応ガスを流して形成した半導体納品
層７の同折角を測定できる手段を設ける。また、この回
折角情報は歪量から混晶組成へ、さらに混晶組成から反
応ガス流量へとＣＰＵ制御系８によって変換され、次い
でガス制御系９にフィードバックされる。また、半導体
結晶層７の歪量のウェーハ面内分布は、リアクタ１内に
設けられたガス流制御板１０により、均一化を同れるよ
うにしである。また、ガス流制御板１．０の一部分は、
Ｘ線の透過率が十分に高い飼料を用いることにより、容
易に回折角を測定できる。例えばベリリウムを用いれば
、Ｘ線の透過率は９０％以上を確保できる。ところで、
基板納品上部に配置されたベリリウム製Ｘ線透過窓１１
は、納品成長中に反応ガスに曝されるため。
（４）
反応積出物が徐々に堆積し、結果としてＸ線透過率が徐
々に低下する。この現象は、搬送機構上２により、−同
の結晶成長毎に基板ウェーハと一緒に新しいベリリウム
（ベリリウムホルダーと一体になっている）に交換する
ことにより解決出来る。
々に低下する。この現象は、搬送機構上２により、−同
の結晶成長毎に基板ウェーハと一緒に新しいベリリウム
（ベリリウムホルダーと一体になっている）に交換する
ことにより解決出来る。
Ｘ線同折装青と結晶成長装置を一体化した事により、成
長結晶の回折情報を歪量から混晶組成へ、混晶組成から
反応ガス流量へと短時間にフィードバックできるため、
所定の歪量を持った超格子構造を再現性良く実現１出来
る。また、ガス流制御板を兼ねたＸ線透過率の良いベリ
リウムを用いる為、Ｘ線の入射波と同折波の強度減衰は
少なく、正確な同折角情報が容易に得られるばかりでな
く、歪量のウェーハ面内分布もまた均一になるため、再
現性、量産性に優れた結晶成長が実現できる。
長結晶の回折情報を歪量から混晶組成へ、混晶組成から
反応ガス流量へと短時間にフィードバックできるため、
所定の歪量を持った超格子構造を再現性良く実現１出来
る。また、ガス流制御板を兼ねたＸ線透過率の良いベリ
リウムを用いる為、Ｘ線の入射波と同折波の強度減衰は
少なく、正確な同折角情報が容易に得られるばかりでな
く、歪量のウェーハ面内分布もまた均一になるため、再
現性、量産性に優れた結晶成長が実現できる。
以下に本発明の一実施例をあげ、図面な参照しながらさ
らに詳細に説明する。
らに詳細に説明する。
（実施例工）
（５）
相料として５０ｍｍφのＩｎＰ基板上にＩｎＰ／ Ｉ
ｎ Ｇ ａ Ａ ｓの歪超格子構造を作成する場合を例
にとって第１図及び第２図を用いて説明する。
ｎ Ｇ ａ Ａ ｓの歪超格子構造を作成する場合を例
にとって第１図及び第２図を用いて説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る結晶成長装置の構成
間である。第２同は本発明の一実施例に係る結晶成長装
置の、特に基板ホルダー周辺の詳細な構成間である。
間である。第２同は本発明の一実施例に係る結晶成長装
置の、特に基板ホルダー周辺の詳細な構成間である。
ｎ型のＩｎＰ （１００）基板７を前処理エッチした後
、第１図に示すように搬送系工２によりリアクタ１内の
所定装置に固定する。この時、基板ウェーハ７をセット
する治具は第２同に三面同を示すように、ガス制御板を
兼ね、かつ２絹のベリリウム製Ｘ線透過窓工１が配置さ
れ、さらにこれとウェーハホルダー王３が一体となって
いる構造体である。基板加熱用のホルダー１４は、高周
波誘導加熱法や抵抗加熱法等によって加熱されるが、こ
の基板ホルダーエ４の上部にウェーハホルダー１３が配
置される構造となっている。さらに基板ホルダー１４は
外部駆動力により同転運動可能とすることもできる。
、第１図に示すように搬送系工２によりリアクタ１内の
所定装置に固定する。この時、基板ウェーハ７をセット
する治具は第２同に三面同を示すように、ガス制御板を
兼ね、かつ２絹のベリリウム製Ｘ線透過窓工１が配置さ
れ、さらにこれとウェーハホルダー王３が一体となって
いる構造体である。基板加熱用のホルダー１４は、高周
波誘導加熱法や抵抗加熱法等によって加熱されるが、こ
の基板ホルダーエ４の上部にウェーハホルダー１３が配
置される構造となっている。さらに基板ホルダー１４は
外部駆動力により同転運動可能とすることもできる。
（６）
次いで、反応系を７６ Ｔ ｏ ｒ ｒの減圧下におい
て水素ガスにより十分にガス置換した。その後、抵抗加
熱方式により基板ホルダー１４を加熱昇温し、６００℃
に保持した。約５分後にＩｎ（インジウム）の原料であ
るトリメチルインジウム及びＰ（リン）の原料であるホ
スフィンを２０分間輸送し、０．５μｍのＩｎＰ （イ
ンジウムリン）バッファ層を成長した。次いでＩｎ（イ
ンジウム）の原料であるトリメチルインジウム、Ｐ（リ
ン）の原料であるホスフィン及びＧａ（ガリウム）の原
料であるトリエチルガリウムを基板ＩｎＰとの結晶格子
ミスマツチ量が＋２．０％になるようにそれぞれガス流
量を調整して約２５秒間輸送し、０．０１ａｍのＩ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓ歪層（量子井戸層）を成長じた。この
状態でＸ線同折装置によりＸ軸、Ｙ軸、あおり等（ジャ
イロ機構６を用いる）を微調整してＩ ｎ Ｇ ａ Ａ
ｓ歪層の同折角を測定し、ＣＰＵ制御系８により歪量
を計算した結果、成長層の歪量は＋１．８％であった。
て水素ガスにより十分にガス置換した。その後、抵抗加
熱方式により基板ホルダー１４を加熱昇温し、６００℃
に保持した。約５分後にＩｎ（インジウム）の原料であ
るトリメチルインジウム及びＰ（リン）の原料であるホ
スフィンを２０分間輸送し、０．５μｍのＩｎＰ （イ
ンジウムリン）バッファ層を成長した。次いでＩｎ（イ
ンジウム）の原料であるトリメチルインジウム、Ｐ（リ
ン）の原料であるホスフィン及びＧａ（ガリウム）の原
料であるトリエチルガリウムを基板ＩｎＰとの結晶格子
ミスマツチ量が＋２．０％になるようにそれぞれガス流
量を調整して約２５秒間輸送し、０．０１ａｍのＩ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓ歪層（量子井戸層）を成長じた。この
状態でＸ線同折装置によりＸ軸、Ｙ軸、あおり等（ジャ
イロ機構６を用いる）を微調整してＩ ｎ Ｇ ａ Ａ
ｓ歪層の同折角を測定し、ＣＰＵ制御系８により歪量
を計算した結果、成長層の歪量は＋１．８％であった。
この歪量は設計値である＋２．０％と比較して−０，２
％の差かあ（７） す、この情報はＣＰＵ制御系８により直ちに結晶の混晶
組成に、さらに混晶組成より反応ガス流量に変換されデ
ータは一既保存された。この間、リアクタ１内では次の
ＩｎＰ層（障壁層）を約０．０１μｍ成長じた。次にＩ
ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ量子井戸層を成長じたが、この時
点ではすでに歪量が＋２．０％になるように調整された
反応ガス流量が得られた。
％の差かあ（７） す、この情報はＣＰＵ制御系８により直ちに結晶の混晶
組成に、さらに混晶組成より反応ガス流量に変換されデ
ータは一既保存された。この間、リアクタ１内では次の
ＩｎＰ層（障壁層）を約０．０１μｍ成長じた。次にＩ
ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ量子井戸層を成長じたが、この時
点ではすでに歪量が＋２．０％になるように調整された
反応ガス流量が得られた。
この操作を１０回繰返したのち最後にＩｎＰ層を約０．
５μｍ成長じた。以上の様なプロセスにより、結晶の歪
量は誤差±０．１％以下となり、従来の±０．２〜０．
４％に比べ格段に高精度の歪量を得ることができた。こ
の結晶をリアクタｌより取り吊し半導体プロセスを経た
のち、キャリアを注入したところ通常の超格子あるいは
バルクに比べてキャリアのエネルギー分布の変化（バン
ドフィリング効果）が大きく、屈折率が大きく変化した
。屈折率変化はバルクが２％に対し、本発明の素子では
４％であった。これは歪超格子の大きな特徴である。
５μｍ成長じた。以上の様なプロセスにより、結晶の歪
量は誤差±０．１％以下となり、従来の±０．２〜０．
４％に比べ格段に高精度の歪量を得ることができた。こ
の結晶をリアクタｌより取り吊し半導体プロセスを経た
のち、キャリアを注入したところ通常の超格子あるいは
バルクに比べてキャリアのエネルギー分布の変化（バン
ドフィリング効果）が大きく、屈折率が大きく変化した
。屈折率変化はバルクが２％に対し、本発明の素子では
４％であった。これは歪超格子の大きな特徴である。
（実施例２）
（８）
第３同は本発明を半導体レーザレご適用した場合の説明
図である。
図である。
実施例１と同様の操作によりｎＧａＡｓ基板３１上にｎ
−Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓクララド層３２、膜厚５０
Ａの１ ｎ、ａ、Ｇ ａｏ、５Ａ ｓ井戸１３３と膜厚
１００ＡのＧ ａ Ａ ５ｎ−ａＰｎａ７障壁層３４の
５周期構造からなる歪超格子層、ｐ −Ａ Ｉ Ｇ ａ
Ａ ｓクラッド層３５、ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ層３６
を本発明の結晶成長装置により順次成長し、Ｚｎ拡散領
域３７により電流通過領域３８を形成し、ｐ電極３９．
ｎ電極４０を形成した。
−Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓクララド層３２、膜厚５０
Ａの１ ｎ、ａ、Ｇ ａｏ、５Ａ ｓ井戸１３３と膜厚
１００ＡのＧ ａ Ａ ５ｎ−ａＰｎａ７障壁層３４の
５周期構造からなる歪超格子層、ｐ −Ａ Ｉ Ｇ ａ
Ａ ｓクラッド層３５、ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ層３６
を本発明の結晶成長装置により順次成長し、Ｚｎ拡散領
域３７により電流通過領域３８を形成し、ｐ電極３９．
ｎ電極４０を形成した。
このレーザの特性を測定したところ、歪超格子構造の効
果を反映して、しきい値電流は約１ｍＡ、共振周波数は
光出力５ｍＷで３０ Ｇ Ｈｚと従来の数倍の値が得ら
れた。
果を反映して、しきい値電流は約１ｍＡ、共振周波数は
光出力５ｍＷで３０ Ｇ Ｈｚと従来の数倍の値が得ら
れた。
（実施例３）
第４図は本発明を半導体光位相変調器に適用した場合の
説明図である。
説明図である。
実施例１と同様の操作によりｎ−ＩｎＰ基板５１上にｎ
−Ｉ ｎ Ｐバラフッ層５２、膜厚７０Ａ（９） のＩｎ。、＊Ｇ ａｏ＋７．Ａ ｓ井戸層５３と膜厚７
０ＡのＩｎＰ障壁層５４の７周期からなる歪超格子層、
ｐ−ＩｎＰクラッド層５５、ｐ −Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ
ｓ Ｐキャラプ層５６を本発明の結晶成長装置により
順次成長する。この時井戸層の歪量は１．９％であった
。
−Ｉ ｎ Ｐバラフッ層５２、膜厚７０Ａ（９） のＩｎ。、＊Ｇ ａｏ＋７．Ａ ｓ井戸層５３と膜厚７
０ＡのＩｎＰ障壁層５４の７周期からなる歪超格子層、
ｐ−ＩｎＰクラッド層５５、ｐ −Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ
ｓ Ｐキャラプ層５６を本発明の結晶成長装置により
順次成長する。この時井戸層の歪量は１．９％であった
。
次いでホトレジストマスクを用いて塩酸と硝酸の混合液
を用いてキャップ層５６とクラッド層５５を歪超格子層
に達するまで選択的にエツチングすることで第４図に示
すようなりッジ構造を形成する。この後、ＳｉＯ，股５
７をＣＶＤ法で形成し、コンタクトホールを形成した後
、Ｚｎの拡散領域５８を形成する。次いで、ｎ型電極５
９とｐ型電極６０を形成した後、結晶の臂開法により光
軸方向の長さを１ｍｍとし、双方の璧開面を無反射コー
ティングした。この光変調器の片端面より波長１．５５
μｍのレーザ光を入射させた時の伝搬損失は２０ ｄ
Ｂ ／ ｃ ｍ、注入電流３０ ｍ Ａで２πの位相制
御が得られた。
を用いてキャップ層５６とクラッド層５５を歪超格子層
に達するまで選択的にエツチングすることで第４図に示
すようなりッジ構造を形成する。この後、ＳｉＯ，股５
７をＣＶＤ法で形成し、コンタクトホールを形成した後
、Ｚｎの拡散領域５８を形成する。次いで、ｎ型電極５
９とｐ型電極６０を形成した後、結晶の臂開法により光
軸方向の長さを１ｍｍとし、双方の璧開面を無反射コー
ティングした。この光変調器の片端面より波長１．５５
μｍのレーザ光を入射させた時の伝搬損失は２０ ｄ
Ｂ ／ ｃ ｍ、注入電流３０ ｍ Ａで２πの位相制
御が得られた。
本実施例では基板としてＩ ｎ Ｐ 、 Ｇ ａ Ａ
ｓ、歪（１０） 超格子の井戸層と障檗層の組合せとしてＩｎＧａＡｓＩ
ｎＰ、ＩｎＧａＡｓ−ＧａＡｓＰ層を代表として述べた
が、これらの基板、歪超格子の井戸層と障檗層の組合せ
に限らず、ＳｊやＩＩ−ＶＩ族の基板を用いても良いし
、量子井戸及び障壁層としてＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ
Ｐ 、 Ｉ ｎ Ａ ｓ Ｐ 、 Ａ ］、 Ｇ ａ
Ａ ｓ 。
ｓ、歪（１０） 超格子の井戸層と障檗層の組合せとしてＩｎＧａＡｓＩ
ｎＰ、ＩｎＧａＡｓ−ＧａＡｓＰ層を代表として述べた
が、これらの基板、歪超格子の井戸層と障檗層の組合せ
に限らず、ＳｊやＩＩ−ＶＩ族の基板を用いても良いし
、量子井戸及び障壁層としてＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ
Ｐ 、 Ｉ ｎ Ａ ｓ Ｐ 、 Ａ ］、 Ｇ ａ
Ａ ｓ 。
Ｇａ Ｉ ｎＡｓ Ｓｂ、 Ｉ ｎＧａＡＩＡ、ｓ、
ＩｎＧａＡＩＰのいずれの紹合せでも良いことはいうま
でもない。
ＩｎＧａＡＩＰのいずれの紹合せでも良いことはいうま
でもない。
また、納品成長の手段として他の分子ビームエピタキシ
ー装置等を用いてもよい。
ー装置等を用いてもよい。
以十詳細に説明したように、本発明によれば所望の歪を
持った超格子構造を精度良く、かつ再現性良く形成でき
るため、従来の結晶成長装置では出来なかった種々の新
しい光素子や電気素子が設計可能になる。
持った超格子構造を精度良く、かつ再現性良く形成でき
るため、従来の結晶成長装置では出来なかった種々の新
しい光素子や電気素子が設計可能になる。
第工図は本発明の結晶成長装置の全体構成を示す模式同
、第２図は本発明の結晶成長装置におけるウェーハホル
ダーを兼ねたベリリウム製Ｘ線透（１１） 適意の構造を示す電面同、第３図、第４図は本発明の結
晶成長装置によって形成された歪超格子構造応用素子の
一例の断面間である。 工・・・リアクタ、２・・・Ｘ線源、３・・・Ｘ線透過
窓、４・・・同折波透過窓、５・・・カウンター、６・
・・ジャイロ機構、７・・・半導体結晶層、８・・・Ｃ
ＰＵ制御系、９・・ガス制御系、ｌＯ・・・ガス流制御
盤、工１・・・ベリリウム製Ｘ線透過窓、↓３・・・ウ
ェーハホルダー１４・・・基板ホルダー、３１・・・ｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓ基板、３２− ｎ −Ａ ］ Ｇ
ａ Ａ ｓクララド層、３３ ・・・Ｉ ｎ Ｇ ａ
Ａ、 ｓ井戸層、３４− Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ障壁層、
３５− Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓクララド層、３６−
ｎ −ＧａＡｓ層、５１− ｎ −Ｉ ｎ Ｐ基板、５
２− ｎ −Ｉ ｎ Ｐバラフッ層、５３・・・Ｉ ｎ
Ｇ ａ Ａ、 ｓ井戸層、５４・・・ＩｎＰ障棲層、
５５・・・ｐ−ＩｎＰクラッド層、（１２） 第 ？ 図 第 図
、第２図は本発明の結晶成長装置におけるウェーハホル
ダーを兼ねたベリリウム製Ｘ線透（１１） 適意の構造を示す電面同、第３図、第４図は本発明の結
晶成長装置によって形成された歪超格子構造応用素子の
一例の断面間である。 工・・・リアクタ、２・・・Ｘ線源、３・・・Ｘ線透過
窓、４・・・同折波透過窓、５・・・カウンター、６・
・・ジャイロ機構、７・・・半導体結晶層、８・・・Ｃ
ＰＵ制御系、９・・ガス制御系、ｌＯ・・・ガス流制御
盤、工１・・・ベリリウム製Ｘ線透過窓、↓３・・・ウ
ェーハホルダー１４・・・基板ホルダー、３１・・・ｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓ基板、３２− ｎ −Ａ ］ Ｇ
ａ Ａ ｓクララド層、３３ ・・・Ｉ ｎ Ｇ ａ
Ａ、 ｓ井戸層、３４− Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ障壁層、
３５− Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓクララド層、３６−
ｎ −ＧａＡｓ層、５１− ｎ −Ｉ ｎ Ｐ基板、５
２− ｎ −Ｉ ｎ Ｐバラフッ層、５３・・・Ｉ ｎ
Ｇ ａ Ａ、 ｓ井戸層、５４・・・ＩｎＰ障棲層、
５５・・・ｐ−ＩｎＰクラッド層、（１２） 第 ？ 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に半導体エピタキシャル層を成長させ
る半導体結晶成長装置において、上記エピタキシャル層
の形成中に上記エピタキシャル屑の歪量を測定する機能
を有することを特長とする結晶成長装置。 ２、特許請求範囲第１項に記載の結晶成長装置において
成長装置に少なくとも２つのＸ線透過窓および回折波透
過窓が設けられており、Ｘ線回折法により上記歪量を測
定する手段を有することを特長とする結晶成長装置。 ３、特許請求範囲第２項に記載の結晶成長装置において
、Ｘ線透過窓および回折波透過窓の材質がＢｅ（ベリリ
ウム）であることを特長とする結晶成長装置。 ４、特許請求範囲第１項、第２項または第３項に記載の
結晶成長装置において、半導体基板を装着するウェーハ
ホルダーの少なくとも２箇所にＸ線透過用のＢｅ（ベリ
リウム）が配置されていることを特長とする結晶成長装
置。 ５、特許請求範囲第４項に記載の結晶成長装置において
、Ｂｅ（ベリリウム）製Ｘ線透過窓と一体のウェーハホ
ルダーが搬送機構により成長装置外に取り出せる事を特
長とする結晶成長装置。 ６、特許請求範囲第４項または第５項に記載の結晶成長
装置において既ホルダーがガス流制御板を兼用している
ことを特長とする結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014923A JP2993691B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014923A JP2993691B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 結晶成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03220717A true JPH03220717A (ja) | 1991-09-27 |
| JP2993691B2 JP2993691B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=11874481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014923A Expired - Fee Related JP2993691B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2993691B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0827573A (ja) * | 1994-07-18 | 1996-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 成膜方法 |
| JPH10209052A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-08-07 | Sony Corp | 気相成長装置および気相成長方法 |
| WO2018135422A1 (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 国立大学法人名古屋大学 | 気相成長装置 |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP2014923A patent/JP2993691B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0827573A (ja) * | 1994-07-18 | 1996-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 成膜方法 |
| JPH10209052A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-08-07 | Sony Corp | 気相成長装置および気相成長方法 |
| WO2018135422A1 (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 国立大学法人名古屋大学 | 気相成長装置 |
| JP2018117005A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 国立大学法人名古屋大学 | 気相成長装置 |
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|---|---|
| JP2993691B2 (ja) | 1999-12-20 |
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