JPH03220754A - Circuit board - Google Patents
Circuit boardInfo
- Publication number
- JPH03220754A JPH03220754A JP1741290A JP1741290A JPH03220754A JP H03220754 A JPH03220754 A JP H03220754A JP 1741290 A JP1741290 A JP 1741290A JP 1741290 A JP1741290 A JP 1741290A JP H03220754 A JPH03220754 A JP H03220754A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- semiconductor element
- potential
- circuit board
- die pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、いわゆるペアチップ半導体素子を搭載する回
路基板に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a circuit board on which so-called paired chip semiconductor elements are mounted.
(従来の技術)
メモリ素子等のペアチップ半導体素子は、ダイパッド上
に搭載され、当該ダイパッドより電圧が印加されて作動
する。(Prior Art) A paired chip semiconductor element such as a memory element is mounted on a die pad, and is operated by applying a voltage from the die pad.
ところで、ペアチップ半導体素子の作動電圧の電位はペ
アチップ半導体素子の種類に応じて異なる。このため、
従来の回路基板では、回路基板の設計の時点で、その作
動電圧の電位に応じて配線パターンにより電源やグラン
ド等をペアチップ半導体素子が搭載されるダイパッドに
接続していた。By the way, the potential of the operating voltage of the paired chip semiconductor device differs depending on the type of the paired chip semiconductor device. For this reason,
In conventional circuit boards, at the time of designing the circuit board, a power supply, a ground, etc. are connected to a die pad on which a paired chip semiconductor element is mounted using a wiring pattern according to the potential of the operating voltage.
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、このようにペアチップ半導体素子に電圧
を供給する場合には、ペアチップ半導体素子を変更する
際、変更前のペアチップ半導体素子と同電位のものしか
使用することができなかった。また、変更前のペアチッ
プ半導体素子と異なる電位のものを使用するときには、
配線パタンの設計変更を必要としていた。(Problem to be Solved by the Invention) However, when supplying voltage to a paired chip semiconductor element in this way, when changing the paired chip semiconductor element, it is only possible to use one that has the same potential as the paired chip semiconductor element before the change. could not. Also, when using a pair chip semiconductor element with a different potential than the original pair chip semiconductor element,
It was necessary to change the design of the wiring pattern.
本発明は、このような事情に基づき成されたもノテ、配
線パターンの設計変更をすることなく、異なる電位の作
動電圧の半導体素子に変更することができる回路基板を
提供することを目的としている。The present invention was developed based on the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a circuit board that can be changed to a semiconductor element having a different potential operating voltage without changing the design of the wiring pattern. .
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
本発明は、このような課題を解決するため、ダイパッド
上に搭載され当該ダイパッドより電圧が印加されて作動
する半導体素子を搭載する回路基板において、前記ダイ
パッドより導出される電圧印加用接続端子と、この電圧
印加用接続端子に隣接し異なる電位の電圧を供給する複
数の電圧供給用接続端子とを設け、前記電圧印加用接続
端子と前記半導体素子の作動電圧の電位に応じた電位の
電圧を供給する一つの前記電圧供給用接続端子とを接続
したものである。[Structure of the Invention (Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention provides a circuit board on which a semiconductor element is mounted on a die pad and operates by applying a voltage from the die pad. , a voltage application connection terminal led out from the die pad, and a plurality of voltage supply connection terminals that are adjacent to the voltage application connection terminal and supply voltages of different potentials, and the voltage application connection terminal and the semiconductor It is connected to one of the voltage supply connection terminals that supplies a voltage at a potential corresponding to the operating voltage of the element.
(作 用)
本発明では、搭載される半導体素子が異なる電位の作動
電圧の半導体素子に変更する場合、その作動電圧の電位
に応じた電位の電圧を供給する電圧供給用接続端子を選
び、この電圧供給用接続端子と電圧印加用接続端子とを
例えばワイヤボンディングにより接続すればよい。この
ため、配線パターンの設計変更をすることなく、異なる
電位の作動電圧の半導体素子に変更することができる。(Function) In the present invention, when the mounted semiconductor element is changed to a semiconductor element with an operating voltage of a different potential, a voltage supply connection terminal that supplies a voltage corresponding to the operating voltage potential is selected, and this The voltage supply connection terminal and the voltage application connection terminal may be connected by wire bonding, for example. Therefore, it is possible to change to a semiconductor element with a different potential operating voltage without changing the design of the wiring pattern.
(実施例) 以下、本発明の実施例を図面に旦づき説明する。(Example) Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例に係る回路基板の一部の平面
図である。FIG. 1 is a plan view of a portion of a circuit board according to an embodiment of the present invention.
同図において、1はメモリ素子等のペアチップ半導体素
子が搭載されるダイパッドを示している。In the figure, 1 indicates a die pad on which a paired chip semiconductor element such as a memory element is mounted.
このダイパッド1の一辺より電圧印加用ポンディングパ
ッド2が突出して設けられている。この電圧印加用ポン
ディングパッド2の近くには、グランド電位の電圧供給
用ポンディングパッド3及び電源電位の電圧供給用ポン
ディングパッド4が設けられている。また、ダイパッド
1の周囲には、このダイパッド1上に搭載されるペアチ
ップ半導体素子(図示省略)のデータ端子等とワンヤボ
ンディングにより接続されるリード5が多数設けられて
いる。A voltage application bonding pad 2 is provided to protrude from one side of the die pad 1. A voltage supplying pad 3 having a ground potential and a voltage supplying pad 4 having a power supply potential are provided near the voltage applying pad 2. Further, around the die pad 1, a large number of leads 5 are provided which are connected to data terminals and the like of a paired chip semiconductor element (not shown) mounted on the die pad 1 by one-way bonding.
そして、ダイパッド1上に搭載されるペアチップ半導体
素子の作動電圧の電位がグランド電位の場合には、電圧
印加用ポンディングパッド2とグランド電位の電圧供給
用ポンディングパッド3とをワンヤボンディング(図示
省略)により接続する。When the operating voltage potential of the paired chip semiconductor element mounted on the die pad 1 is the ground potential, the voltage application bonding pad 2 and the voltage supply bonding pad 3 at the ground potential are connected by one-way bonding (not shown). (omitted).
一方、ダイパッド1上に搭載されるペアチップ半導体素
子の作動電圧の電位が電源電位の場合には、電圧印加用
ポンディングパッド2と電源電位の電圧供給用ポンディ
ングパッド4とをワンヤボンディング(図示省略)によ
り接続する。On the other hand, when the potential of the operating voltage of the paired chip semiconductor element mounted on the die pad 1 is the power supply potential, the voltage application bonding pad 2 and the voltage supply bonding pad 4 of the power supply potential are connected by one-way bonding (not shown). (omitted).
従って、本実施例の回路基板では、配線パターンの設計
変更をすることなく、異なる電位(グランド電位と電源
電位)の作動電圧のペアチップ半導体素子に変更するこ
とができる。Therefore, in the circuit board of this embodiment, it is possible to change to a pair of chip semiconductor elements having operating voltages of different potentials (ground potential and power supply potential) without changing the design of the wiring pattern.
尚、本発明は、上述した実施例に限定されることはない
。Note that the present invention is not limited to the embodiments described above.
例えば、上述した実施例では電圧供給用ポンディングパ
ッドとしてグランド電位と電源電位の2種類のものを用
いていたが、3種類以上であってもよい。For example, in the above-described embodiment, two types of voltage supply bonding pads, one for the ground potential and one for the power supply potential, are used, but three or more types may be used.
また、上述した実施例では専用の電圧供給用ポンディン
グパッドを設けていたが、第2図に示すように、電圧印
加用ポンディングパッド2の近くのリード5をグランド
電位のリード・電圧供給兼用ポンディングパッド5a及
び電源電位のリード・電圧供給用ポンディングパッド5
bとして、リード5と兼用するようにしてもよい。In addition, in the above-described embodiment, a dedicated voltage supply bonding pad was provided, but as shown in FIG. Bonding pad 5a and power supply potential lead/voltage supply bonding pad 5
As b, it may also be used as the lead 5.
更に、上述した実施例では電圧印加用ポンディングパッ
ド2と電圧供給用ポンディングパッド3.4とをワンヤ
ボンディングにより接続していたが、第3図に示すよう
に、電圧供給用ポンディングパッド3.4と同様の機能
を有する電圧供給用ダイパッド6.7をそれぞれダイパ
ッド1の異なる辺に沿って設け、ペアチップ半導体素子
をこれら電圧供給用ダイパッド6.7のいずれか一方と
ダイパッド1とを跨ぐように搭載してもよい。Furthermore, in the above embodiment, the voltage application bonding pad 2 and the voltage supply bonding pad 3.4 were connected by one-way bonding, but as shown in FIG. Voltage supply die pads 6.7 having the same function as in 3.4 are provided along different sides of the die pad 1, and the paired chip semiconductor element is placed across either one of these voltage supply die pads 6.7 and the die pad 1. It may be installed as follows.
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、搭載される半導体
素子が異なる電位の作動電圧の半導体素子に変更する場
合、その作動電圧の電位に応じた電位の電圧を供給する
電圧供給用接続端子を選び、この電圧供給用接続端子と
電圧印加用接続端子とを接続すればよいので、配線パタ
ーンの設計変更をすることなく、異なる電位の作動電圧
の半導体素子に変更することができる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, when a semiconductor element to be mounted is changed to a semiconductor element with an operating voltage of a different potential, a voltage supplying a voltage of a potential corresponding to the operating voltage potential is applied. All you have to do is select a supply connection terminal and connect this voltage supply connection terminal to the voltage application connection terminal, so you can change to a semiconductor element with a different operating voltage potential without changing the wiring pattern design. can.
第1図は本発明の一実施例に係る回路基板の一部の平面
図、第2図及び第3図は本発明の他の実施例に係る回路
基板の一部の平面図である。
1・・・ダイパッド、2・・・電圧印加用ポンディング
パッド、3.4・・・電圧供給用ポンディングパッド、
5・・・リード。FIG. 1 is a plan view of a portion of a circuit board according to one embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are plan views of a portion of a circuit board according to other embodiments of the invention. 1... Die pad, 2... Bonding pad for voltage application, 3.4... Bonding pad for voltage supply,
5...Lead.
Claims (1)
されて作動する半導体素子を搭載する回路基板において
、 前記ダイパッドより導出される電圧印加用接続端子と、
この電圧印加用接続端子に隣接し異なる電位の電圧を供
給する複数の電圧供給用接続端子とを設け、 前記電圧印加用接続端子と前記半導体素子の作動電圧の
電位に応じた電位の電圧を供給する一つの前記電圧供給
用接続端子とを接続した ことを特徴とする回路基板。[Scope of Claims] A circuit board on which a semiconductor element is mounted on a die pad and operates by applying a voltage from the die pad, comprising: a voltage application connection terminal led out from the die pad;
A plurality of voltage supply connection terminals that supply voltages of different potentials are provided adjacent to this voltage application connection terminal, and supply voltages of potentials that correspond to the potentials of the voltage application connection terminals and the operating voltage of the semiconductor element. A circuit board, characterized in that the circuit board is connected to one of the voltage supply connection terminals.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1741290A JPH03220754A (en) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | Circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1741290A JPH03220754A (en) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | Circuit board |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03220754A true JPH03220754A (en) | 1991-09-27 |
Family
ID=11943294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1741290A Pending JPH03220754A (en) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | Circuit board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03220754A (en) |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP1741290A patent/JPH03220754A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05160290A (en) | Circuit module | |
| US5892275A (en) | High performance power and ground edge connect IC package | |
| KR970067799A (en) | Semiconductor device | |
| KR880010641A (en) | Double-sided memory board | |
| JPH03220754A (en) | Circuit board | |
| KR960019683A (en) | Semiconductor devices | |
| US5869884A (en) | Semiconductor device having lead terminal on only one side of a package | |
| JPS6073269U (en) | Electronic component mounting structure | |
| JPH01150332A (en) | Printed circuit board | |
| JPH0478172B2 (en) | ||
| JPH01191433A (en) | Integrated circuit element | |
| JP2857823B2 (en) | Electronic component mounting structure on circuit board | |
| JPH02148758A (en) | Lead frame for semiconductor device | |
| JPH01316948A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JPS63239094A (en) | Module for ic card | |
| JPS5952659U (en) | hybrid integrated circuit | |
| JPS5846473U (en) | printed wiring pattern | |
| JPH01239962A (en) | semiconductor equipment | |
| JPS59135628U (en) | Blocked chip parts for electrical circuits | |
| JPS6146769U (en) | Electronic circuit forming chip mounting equipment | |
| JPS5853162U (en) | semiconductor equipment | |
| JPH03244154A (en) | Gate array semiconductor device | |
| JPH03261079A (en) | Hybrid integrated circuit | |
| JPH036840A (en) | Recording medium | |
| JPH0239453A (en) | integrated circuit device |