JPH03220810A - 圧電体単結晶ウエーハおよびその製造方法 - Google Patents
圧電体単結晶ウエーハおよびその製造方法Info
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- JPH03220810A JPH03220810A JP1555090A JP1555090A JPH03220810A JP H03220810 A JPH03220810 A JP H03220810A JP 1555090 A JP1555090 A JP 1555090A JP 1555090 A JP1555090 A JP 1555090A JP H03220810 A JPH03220810 A JP H03220810A
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- Japan
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- single crystal
- piezoelectric single
- abrasive grains
- crystal wafer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は圧電体単結晶ウェーハおよびその製造力イ去、
特にはその表面を粗面加工してなる圧電体単結晶ウェー
ハおよびその製造方法に関するものである。
特にはその表面を粗面加工してなる圧電体単結晶ウェー
ハおよびその製造方法に関するものである。
［従来の技術］
圧電体単結晶についてはタンタル酸リチウム、ニオブ酸
リチウム、水晶などが知られており、これらは例えば弾
性表面波デバイス基板として汎用されている。
リチウム、水晶などが知られており、これらは例えば弾
性表面波デバイス基板として汎用されている。
しかして、弾性表面波デバイス基板としで使用される圧
電体単結晶ウェーハについては表面波伝搬面ａ面とされ
る面ば鏡面研磨して鏡面とするかこの反対面はバルク波
除去のために凹凸をもつように粗面加工したものとされ
でおり、この粗面加工は所望する面粗さに応して適度の
粒度、例えば面粗さＲａか１５μｍてあれはＬｉ２Ｏ，
Ｒａか２５μｍてあれば＃２４０の砥粒を水および少量
の分散剤などと７昆合したスラリーとして使用してラッ
ピングするという方７去で行なわれている。
電体単結晶ウェーハについては表面波伝搬面ａ面とされ
る面ば鏡面研磨して鏡面とするかこの反対面はバルク波
除去のために凹凸をもつように粗面加工したものとされ
でおり、この粗面加工は所望する面粗さに応して適度の
粒度、例えば面粗さＲａか１５μｍてあれはＬｉ２Ｏ，
Ｒａか２５μｍてあれば＃２４０の砥粒を水および少量
の分散剤などと７昆合したスラリーとして使用してラッ
ピングするという方７去で行なわれている。
［発明か解決しようとする課題］
しかし、この方７去で圧電体単結晶ウェーハを粗面加工
するとこの砥粒か粒度の大きいものであるために得られ
るウェーハ面内の面粗さＲａバラツキか犬きく、加工中
にウェーハに割れ、チップ、傷などの不良か多発し、ウ
ェーハの歩留りか低下するという欠点がある。
するとこの砥粒か粒度の大きいものであるために得られ
るウェーハ面内の面粗さＲａバラツキか犬きく、加工中
にウェーハに割れ、チップ、傷などの不良か多発し、ウ
ェーハの歩留りか低下するという欠点がある。
［課題を解決するための手段］
本発明はこのような不利を解決した圧電体単結晶ウェー
ハおよびその製造方法に関するものであり、これは圧電
体単結晶ウエーハのウェーハ面内の面粗さＲａのバラツ
キが平均値に対して±１５％以下であることを特徴とす
る圧電体単結晶ウェーハおよび圧電体単結晶ウェーハを
ｆｉ煎砥゛位を用いたラッピングにより粗面加工するに
当り、所望の面粗さを得るのに必要なＪＩＳ Ｒδ００
１ ！、：定める粒度＃１００〜＃４００の砥粒にそれ
よりも粒度の細かい砥粒を加えてラッピングすることを
特徴とする圧電体単結晶ウェーハの製造方庄に関するも
のである。
ハおよびその製造方法に関するものであり、これは圧電
体単結晶ウエーハのウェーハ面内の面粗さＲａのバラツ
キが平均値に対して±１５％以下であることを特徴とす
る圧電体単結晶ウェーハおよび圧電体単結晶ウェーハを
ｆｉ煎砥゛位を用いたラッピングにより粗面加工するに
当り、所望の面粗さを得るのに必要なＪＩＳ Ｒδ００
１ ！、：定める粒度＃１００〜＃４００の砥粒にそれ
よりも粒度の細かい砥粒を加えてラッピングすることを
特徴とする圧電体単結晶ウェーハの製造方庄に関するも
のである。
すなわち本発明者らは圧電体単結晶ウェーハの粗面加工
時における割れ、チップ、傷などの不良発生を抑制する
方（去について種々検討した結果、圧電体＄結晶ウエー
ハの粗面加工に通常使われている＃１００〜＃４００の
砥粒にそれよりも粒度の細かい砥粒を添加してラッピン
グすると、大きな砥粒の隙間が粒径の小さい砥粒て埋め
られるのでラッピング中のウェーハに与えられるタメー
シか減少し、得られるウェーハ面内の面粗さ（Ｒａ）の
バラツキか平均値に対して±１５％以内になるというこ
とを見出し、ここに使用する砥粒の粒度、添加量などに
ついての研究を進めて本発明を完成させた。
時における割れ、チップ、傷などの不良発生を抑制する
方（去について種々検討した結果、圧電体＄結晶ウエー
ハの粗面加工に通常使われている＃１００〜＃４００の
砥粒にそれよりも粒度の細かい砥粒を添加してラッピン
グすると、大きな砥粒の隙間が粒径の小さい砥粒て埋め
られるのでラッピング中のウェーハに与えられるタメー
シか減少し、得られるウェーハ面内の面粗さ（Ｒａ）の
バラツキか平均値に対して±１５％以内になるというこ
とを見出し、ここに使用する砥粒の粒度、添加量などに
ついての研究を進めて本発明を完成させた。
以下にこれをさらに詳述する。
［作 用コ
本発明は圧電体単結晶ウェーハを粗面加工する方法の改
良およびこれにより得られる圧電体！＃結晶ウェーハに
関するものである。
良およびこれにより得られる圧電体！＃結晶ウェーハに
関するものである。
弾性表面波デバイス基板として使用されているタンタル
酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶なとの圧電体単結
晶ウェーハは片面が表面波伝搬面とされるためにこの面
は鏡面仕上げしたものとされているが、この反対面はバ
ルク波除去のために粗面加工されている。
酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶なとの圧電体単結
晶ウェーハは片面が表面波伝搬面とされるためにこの面
は鏡面仕上げしたものとされているが、この反対面はバ
ルク波除去のために粗面加工されている。
この粗面加工は通常その目的とする粗面粗ざに応してＪ
ＩＳ Ｒ〜６００１に走められている粒度＃１００〜＃
４００の砥粒を用いたラッピングによって行なわれてい
るか、この場合には砥粒の粒度か大きいことからウェー
ハに割れ、チップ、傷などが多発し、この発生量か砥粒
の粒度によって相違するか多いときには３５％、少ない
ときても１５％程度となるためにウェーハの製品歩留り
か６５〜８５％になるという不利がある。
ＩＳ Ｒ〜６００１に走められている粒度＃１００〜＃
４００の砥粒を用いたラッピングによって行なわれてい
るか、この場合には砥粒の粒度か大きいことからウェー
ハに割れ、チップ、傷などが多発し、この発生量か砥粒
の粒度によって相違するか多いときには３５％、少ない
ときても１５％程度となるためにウェーハの製品歩留り
か６５〜８５％になるという不利がある。
しかし、本発明にしたがっで粒度か＃２ＱＯ〜＃４００
の砥粒にこれより粒径の細かい砥粒を添加すると、粒径
の大きい砥粒の隙間に細粒の小さい砥粒か入りこみ、■
粒径の大きい砥粒にかかる荷重が分散されて軽減される
、■砥粒の隙間が狭くなるのでこの砥粒に水および分散
剤を加えて作ったスラリーの保水性、流動性かよくなり
、粒径の大きな砥粒も回転し易くなる、■砥粒の分散性
がよくなるので、粒径の大きな砥粒か均一に分布するよ
うになる、ということから、粒度が＃１００〜＃４００
の砥粒を主体とするスラリーを使用しても割れ、チップ
、傷などをもつウェーハが少なくなり、目的とするウェ
ーハの取得率を８８〜９６％にまで上昇させることがて
きるという有利性か与えられる。
の砥粒にこれより粒径の細かい砥粒を添加すると、粒径
の大きい砥粒の隙間に細粒の小さい砥粒か入りこみ、■
粒径の大きい砥粒にかかる荷重が分散されて軽減される
、■砥粒の隙間が狭くなるのでこの砥粒に水および分散
剤を加えて作ったスラリーの保水性、流動性かよくなり
、粒径の大きな砥粒も回転し易くなる、■砥粒の分散性
がよくなるので、粒径の大きな砥粒か均一に分布するよ
うになる、ということから、粒度が＃１００〜＃４００
の砥粒を主体とするスラリーを使用しても割れ、チップ
、傷などをもつウェーハが少なくなり、目的とするウェ
ーハの取得率を８８〜９６％にまで上昇させることがて
きるという有利性か与えられる。
なお、ここに使用する砥粒は炭化けい素、アルミナ、ダ
イヤモンド粉、緑色炭化けい素研削材ＧＣ（ＪＩＳ Ｒ
６１１１） などの硬質微粉から選択したものとすれは
よいが、この粒径の細かい砥粒はこれを添加する粒径の
大きい砥粒の粒度に応してＪＩＳ Ｒ−６００１に定め
られている＃５００〜＃ｌ、０００のものとすれ；ｆよ
く、この添加量は粒径の大きい砥ｊ位に対して重量で５
〜３５％の範囲とすればよいことか判り、このようにし
て得られたウェーハはウェーハ面内の面粗さ（Ｒａ）の
バラツキが平均値に対して±１５％以内になることか確
認された。
イヤモンド粉、緑色炭化けい素研削材ＧＣ（ＪＩＳ Ｒ
６１１１） などの硬質微粉から選択したものとすれは
よいが、この粒径の細かい砥粒はこれを添加する粒径の
大きい砥粒の粒度に応してＪＩＳ Ｒ−６００１に定め
られている＃５００〜＃ｌ、０００のものとすれ；ｆよ
く、この添加量は粒径の大きい砥ｊ位に対して重量で５
〜３５％の範囲とすればよいことか判り、このようにし
て得られたウェーハはウェーハ面内の面粗さ（Ｒａ）の
バラツキが平均値に対して±１５％以内になることか確
認された。
［実施例］
つきに本発明の実施例、比較例を示す。
実施例１〜３、比較例１〜３
直径３インチ、厚さ０．４ｍ＋ｎのタンタル酸リチウム
単結晶ウェーハ３００枚を準備し、これを５０枚ずつ定
盤上に配置し、これにＪＩＳ Ｒ−６００１で定められ
た粒度か＃１８０． ＃２４０． ＃３６０の炭化けい
素砥粒１０Ｋｇに水２５．Ｑと分散剤を添加して作った
スラリーを１℃／分で供給し、荷重２５ｇ／ｃｍ２．定
盤回転数２０ｒｐｍ、ウェーハ取り代１０ａｍという条
件てラッピングする（比較例１〜３）と共に、これらの
砥粒にＪＩＳ Ｒ−６００１に定められた粒度か＃５０
０． ＃７００． ＃８００である炭化けい素砥粒を第
１表に示した量で添加したスラリーを用いて上記と同し
条件てラッピングしく実施例１〜３）、得うれたウェー
ハについてのワレ不良、チ・ンブ不良、傷不良の枚数、
ウェーハ製品の歩留り、得られたウェーハの面粗さをし
らへたところ、第１表に示したとおりの結果が得られた
。
単結晶ウェーハ３００枚を準備し、これを５０枚ずつ定
盤上に配置し、これにＪＩＳ Ｒ−６００１で定められ
た粒度か＃１８０． ＃２４０． ＃３６０の炭化けい
素砥粒１０Ｋｇに水２５．Ｑと分散剤を添加して作った
スラリーを１℃／分で供給し、荷重２５ｇ／ｃｍ２．定
盤回転数２０ｒｐｍ、ウェーハ取り代１０ａｍという条
件てラッピングする（比較例１〜３）と共に、これらの
砥粒にＪＩＳ Ｒ−６００１に定められた粒度か＃５０
０． ＃７００． ＃８００である炭化けい素砥粒を第
１表に示した量で添加したスラリーを用いて上記と同し
条件てラッピングしく実施例１〜３）、得うれたウェー
ハについてのワレ不良、チ・ンブ不良、傷不良の枚数、
ウェーハ製品の歩留り、得られたウェーハの面粗さをし
らへたところ、第１表に示したとおりの結果が得られた
。
また、このようにして得たウェーハについてはそのウェ
ーハの面内の粗さ（Ｒａ）のハラツキヲ面中心とウェー
ハエツジから５ｍｍ内側の外周４点についてしらべたと
ころ、第２表に示したとおりの結果か得られた。
ーハの面内の粗さ（Ｒａ）のハラツキヲ面中心とウェー
ハエツジから５ｍｍ内側の外周４点についてしらべたと
ころ、第２表に示したとおりの結果か得られた。
第１
表
第２表
（注）（）内は平均値よりのバラツキを示す［発明の効
果コ 本発明は圧電体単結晶ウェーハの粗面用工注に関するも
のであり、これは前記したように圧電体単結晶ウェーハ
を粒度か＃１００〜＃４００の砥粒にそれよりも粒径の
細かい砥粒をカロえたものを用し）てラッピングし、粗
面加工することを特徴とするものであり、これによれば
大きい砥粒の隙間が粒径の小さい砥粒で埋められるので
、従来ウェーハに割れ、チップ、傷か発生するために６
５〜８５％であったウェーハの製品歩留りを８８〜９６
％にまで上昇させることができるという有利性が与えら
れる。
果コ 本発明は圧電体単結晶ウェーハの粗面用工注に関するも
のであり、これは前記したように圧電体単結晶ウェーハ
を粒度か＃１００〜＃４００の砥粒にそれよりも粒径の
細かい砥粒をカロえたものを用し）てラッピングし、粗
面加工することを特徴とするものであり、これによれば
大きい砥粒の隙間が粒径の小さい砥粒で埋められるので
、従来ウェーハに割れ、チップ、傷か発生するために６
５〜８５％であったウェーハの製品歩留りを８８〜９６
％にまで上昇させることができるという有利性が与えら
れる。
Claims (8)
- １． 圧電体単結晶ウエーハのウエーハ面内の面粗さＲ
ａのバラツキが平均値に対して±１５％以下であること
を特徴とする圧電体単結晶ウエーハ。 - ２． 圧電体単結晶がタンタル酸リチウム、ニオブ酸リ
チウムまたは水晶である請求項１に記載した圧電体単結
晶ウエーハ。 - ３． 圧電体単結晶ウエーハを遊離砥粒を用いたラッピ
ングにより粗面加工するに当り、所望の面粗さを得るの
に必要なＪＩＳ Ｒ６００１に定める粒度＃１００〜＃
４００の砥粒にそれよりも粒度の細かい砥粒を加えてラ
ッピングすることを特徴とする圧電体単結晶ウエーハの
製造方法。 - ４．粒度の細かい砥粒がＪＩＳ Ｒ６００１に定める粒
度＃５００〜＃１，０００のものである請求項３に記載
した圧電体単結晶ウエーハの製造方法。 - ５． 粒度の細かい砥粒の混合量が重量比で５〜３５％
とされる請求項３または４に記載した圧電体単結晶ウエ
ーハの製造方法。 - ６． 砥粒がＳｉＣを主成分とするものである請求項３
、４または５に記載した圧電体単結晶ウエーハの製造方
法。 - ７． 砥粒がＡｌ＿２Ｏ＿３を主成分とするものである
請求項３、４または５に記載した圧電体単結晶ウエーハ
の製造方法。 - ８． 砥粒がＪＩＳ Ｒ６１１１に定める緑色炭化けい
素研削剤ＧＣである請求項３、４または５に記載した圧
電体単結晶ウエーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1555090A JPH03220810A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 圧電体単結晶ウエーハおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1555090A JPH03220810A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 圧電体単結晶ウエーハおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03220810A true JPH03220810A (ja) | 1991-09-30 |
Family
ID=11891885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1555090A Pending JPH03220810A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 圧電体単結晶ウエーハおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03220810A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6482814A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Shinetsu Chemical Co | Piezoelectric body monocrystal wafer and its manufacture |
| JPH01121164A (ja) * | 1987-11-05 | 1989-05-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 微粉研摩材 |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP1555090A patent/JPH03220810A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6482814A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Shinetsu Chemical Co | Piezoelectric body monocrystal wafer and its manufacture |
| JPH01121164A (ja) * | 1987-11-05 | 1989-05-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 微粉研摩材 |
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