JPH0322338A - 分析電子顕微鏡用半導体x線検出器 - Google Patents

分析電子顕微鏡用半導体x線検出器

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JPH0322338A
JPH0322338A JP1157512A JP15751289A JPH0322338A JP H0322338 A JPH0322338 A JP H0322338A JP 1157512 A JP1157512 A JP 1157512A JP 15751289 A JP15751289 A JP 15751289A JP H0322338 A JPH0322338 A JP H0322338A
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ray detector
ray
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electron microscope
angle
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Eiichi Watanabe
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Jeol Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、電子顕微鏡像の観察とX線分析とを同時に行
える分析電子顕微鏡に係り、特に、X線を検出する半導
体X線検出器の構造に関するものである。
[従来の技術コ 従来、試料の電子顕微鏡像の観察と、試料の元素分析等
を行うためのX線分析とを同時に行うものとして分析電
子顕微鏡が知られている。その横戊の概略を第6図に示
す。
第5図において、電子銃1から放射された電子ビームは
電子レンズ群3で収束および/または偏向されて試料4
に照射される。試料4を透過した電子ビームは電子レン
ズ群5により観察室7内に配置された蛍光面6に拡大投
影される。また、試料4からは、電子ビーム2が照射さ
れることによって特性X線が発生するが、当該特性X線
は、通常シリコンにリチウムを拡散した半導体検出器か
らなるXNs検出器8で検出され、X線分析装置9にお
いて所望の分析が行われる。
以上の構成により、電子顕微鏡像を観察しながら、同時
に試料の元素分析等を行うことができる。
[発明が解決しようとする課題] ところで、第5図に示すような透過電子顕微鏡型の分析
電子顕微鏡においては、試料4は、第6図に示すように
、対物レンズを構成する、断面形状が略台形状のポール
ピース上極10と、ボールピース下極11の間に配置さ
れており、その近傍にXwA検出器8が配置されている
。そして、従来のX線検出器8の有感領域面は円形にな
されている。このような構成において、X線検出器8を
どのような位置に配置するのが最も望ましいかを考えて
みると次のようである。
まず、高感度でX線を検出するためにはX線検出器8は
試料4に可能な限り近付ける必要がある。
即ち、第6図においては試料4の測定点Pと、X線検出
器8の有感領域面13の中心点Qとの距離を短くするこ
とで感度を向上させることができる。
また、試料4の面と線分PQとのなす角度θIは取出角
と呼ばれ、一般に、取出角は大きい程望ましいとされて
いる。なぜなら、取出角が大きい程試料の凹凸に影響さ
れず、また試料によるX線吸収の影響も少ないからであ
る。
更に、第6図では、測定点Pから発生されたX線は、測
定点Pから有感領域面13を見込む角度、即ち01〜θ
2の範囲で検出されることになるが、当該角度範囲が大
きいと、測定点PにおけるX線吸収量が異なるため、定
量精度が落ちることになるので、測定点Pから有感領域
面13を見込む角度は小さい方が望ましい。
しかしながら、従来の構成によれば、ポールビース上極
10の断面形状が略台形状となっているために、X線検
出器8の配置は空間的な制限を受け、感度も取出角も満
足できる位置に配置することはできないものであった。
つまり、第6図において、検出感度を向上させようとし
てX線検出器8を試料4の近傍に配置すると、取出角が
小さくなって取出角の精度が低下するばかりでなく、測
定点Pから有感領域面13を見込む角度が広くなるので
定量精度が悪くなり、また、取出角を大きくすると測定
点PとX線検出器8の距離が大きくなるので、検出感度
が悪くなるものである。
本発明は、上記の課題を解決するものであって、X線取
出角の精度、およびX線検出感度を向上できる分析電子
顕微鏡用半導体X線検出器を提供することを目的とする
ものである。
[課題を解決するための手段コ 上記の目的を達成するために、本発明の分析電子顕微鏡
用半導体X線検出器は、有感領域面の形状が偏平である
ことを特徴とする。
[作用および発明の効果コ 本発明はXm検出器の有感領域面を、長円、楕円等の偏
平な形状としたので、X線取出角の精度を向上させるこ
とができ、しかも、試料とX線検出器との距離を短くで
きるのでxtii検出感度を向上させることができる。
また、対物レンズのポールピースの上極と下極との距離
が小さくなされている場合でも取出角を大きく取ること
ができるので、対物レンズの空間を有効に活用すること
ができる。
[実施例] 以下、図面を参照しつつ実施例を説明する。
本発明においては、X線検出器の有感領域面の形状を偏
平とする。第1図(a)、(b)に示すものはその実施
例であり、第1図(a)では有感領域面は楕円となされ
、第1図(b)では長円となされている。これ以外にも
菱形、矩形等とすることも有効であるが、電場が集中し
、その結果分解能が低下することがないように、角の部
分は面取りを行う必要がある。
有感領域面を偏平にすることによる効果は次のようであ
る。
いま、有感領域面の面積が30mm”必要であるとする
と、有感領域面が円形である場合には、その直径は約6
.1關であるのに対して、第l図(a)のように楕円と
した場合には、短軸d+ は約4.4市、長軸d2は約
8.4..となり、短軸の長さを短くすることができる
。第1図(b)に示すものにおいても同様でちる。そし
て、透過型電子顕微鏡等では、対物レンズの性能を向上
させるために、ポールビースの上極と下極との間隔が小
さくなされることがあり、その場合にはX線検出器を配
置する空間的な制限が厳しくなるが、本発明では有感領
域面は偏平となされ、従来のものに比して短軸が短くな
っているので、短軸をポールピース上極に沿わせること
によって、ポールピースの上極と下極との間隔が小さい
場合にもX線検出器を試料は近接して配置することが可
能となる。なお、この点に付いては後述する。
また、第2図は有感領域面が円形である従来のX線検出
器20と本発明に係るX線検出器21との定量感度の相
違を示す図であるが、X線検出器の有感領域面の面積お
よび取出角が同じ場合であっても、測定点PからX線検
出器20を見込む角度はl Q + P Q aである
のに対して、測定点PからX線検出器2lを見込む角度
はlQ2PQs となり、従来のものより小さくなる。
従って、本発明に係るX線検出器21は従来のX線検出
器20に比較して定量感度を向上させることができる。
また、本発明に係るX線検出器は従来のX線検出器に比
較して取出角を高くすることができる。
即ち、いま、第3図に示すように、X線検出器を取出角
に沿って配置するものとすると、本発明に係る有感領域
面の形状が偏平となされたX線検出器26は、その短軸
側をボールビース上極10に沿わせることによって、取
出角φ1を、有感領域面の形状が円形である従来のX線
検出器25の取出角φ2より大きくすることができる。
また、従来のX線検出器25の位置を、第3図の25′
で示す位置、即ち、試料4とX線検出器25′の有感領
域面の中心の距離を、試料4とX線検出器26の有感領
域面の中心の距離に等しくなる位置に移動させ、X線検
出感度を等しくした場合には、取出角φ3はより小さく
なってしまう。このように、本発明のX線検出器は、取
出角を大きくした状態で試料に近付けることができるの
である。
X線検出器を、第4図に示すように光軸と直交する方向
から挿入する場合も同様であり、本発明によるX線検出
器28の取出角α2は、従来のX線検出器27の取出角
α,より大きくすることができることが分かる。
なお、以上の説明ではポールピース上極の断面形状は略
台形としたが、他の形状であってもよいことは明らかで
あろう。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る分析電子顕微鏡用半導体X線検出
器の実施例を示す図、第2図、第3図3よび第4図は従
来のX線検出器と本発明に係るX線検出器との比較を説
明する図、第5図は分析電子顕微鏡の構成例を示す図、
第6図は従来のX線検出器の形状、配置を説明する図で
ある。 1・・・電子銃、2は電子ビーム、3・・・電子レンズ
群、4・・・試料、5・・・電子レンズ群、6・・・蛍
光面、7・・・観察室、8・・・X線検出器、9・・・
X線分析装置、10・・・ポールビース上極、 11・
・・ポールピース下極、 12・・・光軸。 出  願  人 日本電子株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)有感領域面の形状が偏平であることを特徴とする
    分析電子顕微鏡用半導体X線検出器。
JP1157512A 1989-06-20 1989-06-20 分析電子顕微鏡用半導体x線検出器 Expired - Fee Related JP2584865B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7544954B2 (en) * 2005-05-09 2009-06-09 Contrel Technology Co., Ltd. Device for operating gas in vacuum or low-pressure environment and for observation of the operation
JP2023533021A (ja) * 2020-07-09 2023-08-01 オックスフォード インストルメンツ ナノテクノロジー ツールス リミテッド 複数の検出器を用いた材料分析

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7544954B2 (en) * 2005-05-09 2009-06-09 Contrel Technology Co., Ltd. Device for operating gas in vacuum or low-pressure environment and for observation of the operation
JP2023533021A (ja) * 2020-07-09 2023-08-01 オックスフォード インストルメンツ ナノテクノロジー ツールス リミテッド 複数の検出器を用いた材料分析
US12607581B2 (en) 2020-07-09 2026-04-21 Oxford Instruments Nanotechnology Tools Limited Material analysis with multiple detectors

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JP2584865B2 (ja) 1997-02-26

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