JPH03224212A

JPH03224212A - 光アッシング装置

Info

Publication number: JPH03224212A
Application number: JP2017868A
Authority: JP
Inventors: Toshiro Mihashi; 敏郎三橋
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1990-01-30
Filing date: 1990-01-30
Publication date: 1991-10-03

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は、例えば半導体装置の製造装置として用いら
れ、フォトリソグラフィ工程後の半導体ウェハ上の不要
なフォトレジストを除去する光アッシング装置に関する
ものである。

（従来の技術）セミコン・ニュース（Ｓｅｍｉｃｏｎ　ＮＥＷＳ）　１
９８Ｂ−１２゜Ｐ４７〜５３に説明されるような従来の
光アッシング装置を第３図に示す。この図において、１
はオゾンガスを生成するオゾナイザ−２はオゾンガスを
輸送する輸送管、３はその輸送管２によってオゾンガス
が供給される処理室である。この処理室３の上部には低
圧水銀ランプ４が配置される。

一方、処理室３の下部には、ヒーター５を内蔵した試料
台６が設けられ、この試料台６上に被除去フォトレジス
トを有する例えば半導体ウェハ７が配置される。８は処
理室３に接続された排気ダクトである。

このように構成された光アッシング装置においては、オ
ゾナイザ−１によりオゾンガスが生成される。そして、
そのオゾンガスが輸送管２により処理室３に輸送され、
半導体ウェハ７上で低圧水銀ランプ４により紫外線がオ
ゾンガスに照射される。ここで、オゾンガスは波長２５
５ｎｍに吸収ピークがあるため、１８５ｎｍと２５４ｎ
ｍにピークをもつ低圧水銀ランプ４を光源として紫外線
を照射することにより、オゾンガスを分解してラジカル
酸素を生成することができる。そして、そのラジカル酸
素で半導体ウェハ７上のフォトレジストを次式に示す化
学反応により分解して除去できる。

ｃｌｌＨｌｌｏ、　＋　０”→Ｃｏｇ↑＋Ｈ２０↑この
時、除去速度を上げるため、試料台６内にはヒーター５
が設置され、半導体ウェハ温度２５０℃の高温下で上記
除去処理する。また、この処理により生成した反応生成
物は、処理室３に接続された排気ダクト８により外部へ
排出される。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、上記のような従来の装置では、フォトレ
ジストの除去速度を上げるために、低圧水銀ランプ４と
半導体ウェハ７間の距離が０．２ｆｉ以下とかなり狭く
なっているため、低圧水銀ランプ４の照度のバラツキが
フォトレジストの除去速度に大きな影響を与えて、フォ
トレジスト除去速度の半導体ウェハ面内均一性があまり
良くないという問題点があった。

この発明は上記の点に鑑みなされたもので、光源の照度
のバラツキに影響されず、フォトレジストの除去速度の
被処理板面内均一性の良好な光アッシング装置を提供す
ることを目的とする。

（課題を解決するための手段）この発明は、光アッシング装置において、被処理板上に
位置する紫外線発生光源の上部に複数の紫外線反射鏡を
並べて設け、この複数の紫外線反射鏡は独立して、前記
光源側と反対側を選択的に向くように各々独立して回転
自在としたものである。

（作　用）この発明においては、光源の照度のバラツキによりフォ
トレジストの除去速度が遅い部分の反射鏡を光源側（被
処理板側でもある）に向け、他の部分の反射鏡を反対側
に向ける。すると、フォトレジストの除去速度が遅い部
分においては、反射光により紫外線の光量が増えるため
フォトレジストの除去速度は増し、結果として被処理板
面内のフォトレジスト除去速度の均一性が向上する。

（実施例）以下この発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
１図はこの発明の一実施例を示す装置の構成図である。

この図のように、この発明の一実施例の装置では、試料
台６上の半導体ウエノ１７（被処理板）の上に位置する
低圧水銀ランプ４（紫外線発生光源）の上部に、複数の
紫外線反射鏡９が並べて設けられる。その他は第３図の
従来例と同一であり、１はオゾナイザ−２はオゾンガス
の輸送管、３は処理室、５は試料台６に内蔵されたヒー
ター　８は排気ダクトである。

前記紫外線反射鏡９は、一方の面が紫外線反射面１０と
なっており、裏面の他方の面は紫外線を反射しない非反
射面１１となっている。また、この複数の紫外線反射鏡
９は独立して、前記紫外線反射面１０が前記低圧水銀ラ
ンプ４側（半導体ウェハ７側でもある）と反対側（処理
室天井部３ａ側）を選択的に向くように各々独立して回
転自在となっており、かつ個々に設けた回転駆動機構で
回転駆動される。

その回転駆動機構を第２図に示す。紫外線反射鏡９は両
側に支軸１２ａ、１２ｂを有し、この支軸１２ａ、１２
ｂ、が図示しない支持体に回転自在に支持されることに
より、前記紫外線反射鏡９が回転自在に支持されて設け
られる。また、一方の支軸１２ｂには大歯車１３が取り
付けられる。

一方、１４はモーターで、その回転軸には小歯車１５が
取り付けられ、この小歯車１５が前記大歯車１３に噛合
する。したがって、モーター１４が動作すると、歯車１
５．１３で減速されて紫外線反射鏡９が回転し、該紫外
線反射鏡９が反転する。

以上のように構成された装置においては、第３図の従来
装置と同様にして半導体ウエノＸ７上のフォトレジスト
の除去作用が行われるが、いま、低圧水銀ランプ４の照
度のバラツキによりフォトレジストの除去速度が半導体
ウェハ７周辺で遅い場合には、第１図に示すように周辺
部の紫外線反射鏡９を、その紫外線反射面１０が低圧水
銀ランプ４側（半導体ウェハ７側でもある）を向くよう
に回転させ、他の紫外線反射鏡９は紫外線を反射しない
ように紫外線反射面１０を低圧水銀ランプ４と反対側、
すなわち処理室天井部３ａ側に向くように回転させる。

すると、半導体ウェハ７の周辺部では反射光により紫外
線の光量が増え、フォトレジストの除去速度は増し、結
果として半導体ウェハ７面内のフォトレジスト除去速度
の均一性が向上する。

一方、半導体ウェハ７の中心部でフォトレジストの除去
速度が遅い場合は、上記とは逆に、中心部の紫外線反射
鏡９の紫外線反射面１０を低圧水銀ランプ４側に向け、
周辺部の紫外線反射鏡９の紫外線反射面１０を処理室天
井部３ａ側に向けることにより、中心部の紫外線光量が
増え、中心部のフォトレジストの除去速度が堆すので、
やはり半導体ウェハ７面内のフォトレジスト除去速度の
均一性が向上する。

このように上記装置によれば、フォトレジストの除去速
度が遅い部分の紫外線反射鏡９を低圧水銀ランプ４側に
向けて反射光を加えることにより、半導体ウェハ７面内
のフォトレジスト除去速度の均一性の向上が図れる。

（発明の効果）以上詳細に説明したように、この発明の装置によれば、
紫外線発生光源の上部に複数の紫外線反射鏡を独立して
回転自在に設けて、光源の照度のバラツキによりフォト
レジストの除去速度が遅い部分においては、反射光によ
り光量を増大させてフォトレジストの除去速度を上げら
れるようにしたので、被処理板面内のフォトレジスト除
去速度の均一性の向上を図ることができる。それによっ
て、残渣のない良好なフォトレジスト除去工程が可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の光アッシング装置の一実施例を示す
構成図、第２図は上記装置の紫外線反射鏡回転駆動機構
を示す斜視図、第３図は従来の光アッシング装置の構成
図である。１・・・オゾナイザ−２・・・輸送管、３・・・処理室
、４・・・低圧水銀ランプ、６・・・試料台、７・・・
半導体ウェハ、９・・・紫外線反射鏡、１０・・・紫外
線反射面。本発明の実施例の装置第図非反射面１回転駆動機構第２図

Claims

【特許請求の範囲】

　オゾンガスに紫外線を照射してラジカル酸素を発生さ
せ、そのラジカル酸素で被処理板上のフォトレジストを
除去する光アッシング装置において、被処理板上に位置
する紫外線発生光源の上部に複数の紫外線反射鏡を並べ
て設け、この複数の紫外線反射鏡は独立して、前記光源
側と反対側を選択的に向くように各々独立して回転自在
であることを特徴とする光アッシング装置。