JPS6373627A - ドライプロセス装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は半導体素子の製造工程で使用されるドライプロ
セス装置において、試料を収容する試料室の天丼面及び
周壁面に反射板を設け、紫外線ランプより直接試料を照
射する紫外線に加えて、紫外線ランプより天井面及び周
壁面に向く紫外線も反射板で試料に向けて反射させてド
ライプロセスに利用しうるようにして、ドライプロセス
の効率化及び均一化を図ったものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明はドライプロセス装置に係り、特に、半導体素子
の製造工程で使用されるドライプロセス装■に関する。

〔従来の技術） 半導体素子の製造工程においては、シリコンウェハの表
面のクリーニング、レジストパターンを形成すべくレジ
ストを部分的に除去するレジストストリッピング、クロ
ムマスク表面のクリーニング、有機物の除去及び表面の
改善等において、光エネルギーを利用したドライプロセ
ス装置が使用される。

第２図はレジストストリッピングに使用される従来のド
ライプロセス装置の１例を示す。図中、１は露光済ウェ
ハであり、試料台２上に載置され、温度制御２１ＩＨ置
３を協えたヒータ４により所定の温度に加熱されている
。

５は基台、６はカバーであり、ウェハ１を収容する気密
の試料室７を形成する。

試料室７内には、酸素０２がオゾン化装置８を経てオゾ
ンｏ３とされて供給され、試料室７はオゾン雰囲気とさ
れる。試料室７内のオゾンｏ３はボート９より排気され
る。

１０は紫外線ランプであり、試料室７の天井近くの個所
に設けである。ウェハ１はランプ１０の真下に位置して
いる。

試料室５の天井面１１及び周壁面１２、即ちカバー６の
内面は通常の面である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ランプ１０より天井面１１及び周壁面１２に向く紫外線
１３はここでは良好に反射せず、ウェハ１に向く反射紫
外線１４の光量は多くはなく、ウェハ１は主にランプ１
０からウェハ１に向く紫外線１５を照射される。

このため、ランプ１０より射出した紫外線の全体の光ｍ
に対するウェハ１を照射する光量の割合、即ち、レジス
トストリッピングのための光ｍの利用率は低い。従って
レジストストリッピングの効率が良くなく、その分レジ
ストストリッピングに時間がかかるという問題点があっ
た。

また、ランプ１０は、例えば第３図に示すような渦巻形
状として紫外線のウェハ１上の照度の均一化を図るよう
にしているが、ウェハ１は殆どランプ１０からの直射紫
外線だけを照射されている状態であるため、ランプ１０
に対向する部分とランプ１０の隙間１６に対向する部分
との間に照度差が生ずる。このため、レジストストリッ
ピングにむらができ、レジストストリッピングが均一に
行なわれないという問題点があった。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、その内部に試料を収容する試料室と、該試料
室内に設けてあり上記試料に紫外線を照射する紫外線ラ
ンプとよりなるドライプロセス装置において、 該試料室の天井面と周壁面上に、上記紫外線ランプより
の紫外線を上記試料に向くように反射させる反射板を設
けた構成である。

〔作用〕

上記反射板は、紫外線ランプより天井面及び周壁面に向
かって出射した紫外線を反射させて、試料に向け、ドラ
イプロセスに利用されるようにする。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例になるドライプロセス装置２
０を示す。同図中、第１図に示す構成部分と同一構成部
分には同一符号を付しその説明は省略する。

２１．２２．２３は夫々反射板であり、試料室７の天井
面１１及び周壁面１２に設けである。

各反射板２１．２２．２３は、例えば四角錐状の突部が
平面上に並んだ構成であり、ランプ１０よりの紫外線を
ウェハ１に向くように反射させる。

例えば、ランプ１０よりの紫外線２４を反射板で反射さ
せてウェハ１に向（反射紫外線２５とし、紫外Ｆｌ１２
６を反射板２２で反射させてウェハ１に向く反射紫外線
２７とし、更には紫外線２８を反射板２３で反射させて
同じくウェハ１に向く反射紫外線２９とする如くである
。また各反射板２１〜２３で反射した反射光線の中には
、別の反射板に向かいここで反射してウェハ１に向かう
反射光線もある。

このように、オゾン雰囲気中において、ウェハ１には、
ランプ１０よりの直射紫外線３０は勿論、この他に反射
板２１．２２．２３で反射した紫外線２５．２７．２９
等が照射する。

従って、第１には、ランプ１０より射出した紫外線全体
の光通のうちレジストストリッピングに利用される光量
の割合、即ちレジストストリッピングのためのランプ１
０よりの紫外線光量の利用率は高くなり、レジストスト
リッピングはより知時間で完了する。

また第２には、ウェハ１上の照度が平均化し、レジスト
ストリッピングは、各部分について同じ遠位で進行し、
むらなく均一に行なわれる。

局部的にレジストが残ることが無くなり、レジストスト
リッピングが完了した後の顕Ｗｉ鎮を使用しての目視に
よる検査が容易となる。

また、上記のように反射板２１，２２．２３を設けたこ
とにより、シリコンウェハクリーニング。

クロムマスククリーニング、有機物除去１表面改善等も
、上記のレジストストリッピングの場合と同様に、効率
良く、且つ均一に行なわれる。

（発明の効果） 本発明によれば、紫外線ランプより試料とは異なる方向
に射出した紫外線もドライプロセスに利用されるため、
ドライプロセスを効率良く、より短時間で、しかも、試
料の表面全体に亘って均一に行なうことが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実論例になるドライプロセス装置を
示す図、 第２図は従来のドライプロセス装置の１例を示す図、 第３図は紫外線ランプの１例の形状を示す図である。 図中、 １は露光済ウェハ、 ２は試料台、 ５は基台、 ６はカバー、 ７は試料室、 １０は紫外線ランプ、 １１は天井面、 １２は周壁面、 ２０はドライプロセス装置、 ２１〜２３は反射板、 ２４．２６．２８は紫外線、 ２５．２７，２９４；を反［：外線、 ３０は直射紫外線である。 代理人　弁理士　井　桁　貞　− ゛、− １１列　と　η＼・ヤ図 第２図 坦

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 その内部に試料（１）を収容する試料室（７）と、該試
   料室（７）内に設けてあり上記試料（１）に紫外線を照
   射する紫外線ランプ（１０）とよりなるドライプロセス
   装置において、 該試料室（７）の天井面（１１）と周壁面 （１２）上に、上記紫外線ランプ（１０）よりの紫外線
   （２４、２６、２８）を上記試料（１）に向くように反
   射させる反射板（２１、２２、２３）を設けた構成とし
   たことを特徴とするドライプロセス装置。