JPH03224275A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH03224275A JPH03224275A JP30084690A JP30084690A JPH03224275A JP H03224275 A JPH03224275 A JP H03224275A JP 30084690 A JP30084690 A JP 30084690A JP 30084690 A JP30084690 A JP 30084690A JP H03224275 A JPH03224275 A JP H03224275A
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は 各種制御部に使用される半導体圧力センサに
関すム 従来の技術 第３図は従来の半導体圧力センサの平面図であるっ この半導体圧力センサＣＬ ｎ型シリコン半導体チッ
プの（１００）面の中央部に形成された矩形のダイヤフ
ラム領域１４と、このダイヤフラム領域１４内の一方の
面に配置され ダイヤフラム領域１４の各辺の中央部に
形成された四つのゲージ抵抗５〜８と、これらのゲージ
抵抗５〜８間を電気的に接続し、ゲージ抵抗５〜８とと
もにブリッジ回路を構成すム 低抵抗のつなぎ抵抗９〜
１３とを有すａ つなぎ抵抗９はゲージ抵抗５，６に電気的に接続され
つなぎ抵抗９の一部分には外部バイアス用のポンディン
グパッド１が形成されていも また ゲージ抵抗７，８
にそれぞれ接続されたつなぎ抵抗１１．１２にＧｉ
外部バイアス用のポンディングパッド２が接続されてい
も ゲージ抵抗６゜７を電気的に接続するつなぎ抵抗１
ｏには引出し抵抗１０ａが接続され この引出し抵抗１
０ａには出力用のポンディングパッド３が接続されてい
ａ 同様Ｇニ ゲージ抵抗５，８を電気的に接続するつ
なぎ抵抗１３には 引出し抵抗１３ａが接続され 前記
引出し抵抗１３ａには出力用のポンディングパッド４が
接続されていも 第４図は 第３図のＡ−Ａ線に沿った この半導体圧力
センサの製造工程を示す断面図であムこの半導体圧力セ
ンサは以下のようにして製造されム まず、第４図（ａ）に示すようＧＱ ｎ型シリコン半
導体基板２ｏ上に熱酸化によってシリコン酸化膜２１が
形成され このシリコン酸化膜２１上にレジスト（図示
せず）が堆積されも そして、つなぎ抵抗９〜１３が形
成されるべき部分の酸化膜２１および前記レジストが
フォトリソグラフィ法およびエツチング法により除去さ
れも それから、レジストを曇芋≠中キマスクとして、
はう素イオンが高濃度で注入された微 前記レジストが
除去されム 次番へ 第４図（ｂ）に示すように この半導体体基板
２０上の全域にさらにレジスト２２が形成されゲージ抵
抗５〜８が形成されるべき部分のレジスト２２および酸
化膜２１力＼ フォトリソグラフィ法およびエツチング
法により除去されも それか呟 レジスト２２を虐イ傘
中４マスクとして、はう素イオンが低濃度で注入されも
そして、この半導体基板を加熱することにより、つな
ぎ抵抗９〜１３およびゲージ抵抗５〜８におけるほう素
イオンの熱拡散が行われも 次（、、第４図（ｃ）に示すように この半導体基板２
０上の全域に シリコン酸化膜２ａがＣＶＤ法により堆
積されも さらに フォトリソグラフィ法およびエツチ
ング法により、ポンディングパッド１，２が形成される
部分の酸化膜２３が除去されも 次に アルミニウム金
属の膜が半導体基板２０上の全域に形成され フォトリ
ソグラフィ法およびエツチング法によって、ポンディン
グパッドｌ、 ２が形成されも さらに この半導体
基板２ｏがチップに分割され 第３図に示す半導体圧力
センサが得られも 第３図に示した半導体圧力センサで！上 ポンディング
パッド１． ２に一定の外部バイアス電圧が印加される
と、ゲージ抵抗５〜８とつなぎ抵抗９〜１３に電流が流
れも ダイヤフラム領域１４に圧力が加えられていない
場合には 四つのゲージ抵抗５〜８の抵抗値は互いに等
しし〜 ダイヤフラム領域１４に外部から圧力が加えら
れると、ダイヤフラム領域１４に応力が発生すム この
応力によるピエゾ抵抗効果により、ブリッジ回路を構成
するゲージ抵抗５〜８の抵抗値が等しくなくなり、ポン
ディングパッド３，４間に ダイヤフラム領域１４に加
えられた圧力に相当する出力電圧が発生すム 発明が解決しようとする課題 このような従来の半導体圧力センサでは 第３図に示す
よう（ミ ゲージ抵抗５〜８およびつなぎ抵抗９〜１３
が形成されていない残余領域１５がダイヤフラム領域１
４に形成されていも この残余領域１５番上 ダイヤフ
ラム領域１４の中央部に位置し、比較的大きな面積を有
していも また第４図（ｄ）に示すように 残余領域１
５には二層のシリコン酸化膜２１．２３が厚く形成され
ていもダイヤフラム領域１４のシリコン半導体と、シリ
コン酸化膜との熱膨張係数が異なるたぬ 面積が広くて
厚いシリコン酸化膜を有する残余領域１５の存在によっ
て、ダイヤフラム領域１４に内部応力（残留応力）が発
生すム この内部応力によって、測定すべき外部からの
圧力がない状態でのポンディングパッド３，４間の電圧
すなわちオフセット電圧がゼロにならず、しかもばら
つきが大きいという問題点があった 本発明はこのような問題点を解決するものであり、本発
明の目的６裏 オフセット電圧の絶対値が小さく、しか
もばらつきが小さい半導体圧力センサを提供することで
あム 課題を解決するための手段 本発明の半導体圧力センサは 半導体チップ土に形成さ
れたダイヤフラム領域と、このダイヤフラム領域の一方
の面にブリッジ回路を構成するように配置された複数の
ゲージ抵抗とを備え このゲージ抵抗以外のダイヤフラ
ム領域の部分に追加パターンが形成され この追加パタ
ーンにおける酸化膜の厚さをゲージ抵抗 °
こおける酸化膜の厚さより薄くしたものであムまた 本
発明の半導体圧力センサは 半導体チップ上に形成され
たダイヤフラム領域と、このダイヤフラム領域の一方の
面に配置された複数のゲージ抵抗と、これらのゲージ抵
抗間を電気的に接続し、かつこれらゲージ抵抗とともに
ブリッジ回路を構成する低抵抗のつなぎ抵抗とを備え
ゲージ抵抗およびつなぎ抵抗以外のダイヤフラム領域の
部分に追加パターンが形成され この追加パターンにお
ける酸化膜の厚さを、ゲージ瓶代 つなぎ抵抗および追
加パターン以外の領域に形成された酸化膜の厚さより薄
くしたものであムさらに 本発明の半導体圧力センサは
半導体チップの中央部に形成された矩形のダイヤフラ
ム領域と、このダイヤフラム領域内の一方の面に配置さ
れ ダイヤフラム領域の各辺の中央部に形成された四つ
のゲージ抵抗と、これらゲージ抵抗間を電気的に接続し
、かつこれらゲージ抵抗とともにブリッジ回路を構成す
る低抵抗のつなぎ抵抗とを備え、ゲージ抵抗およびつな
ぎ抵抗以外のダイヤフラム領域の部分に追加パターンが
形成されこの追加パターンにおける酸化膜の厚さを、ゲ
ージ抵抗および追加パターン以外の領域に形成された酸
化膜の厚さより薄く形成したものであ４作用 このようにすれば ダイヤフラム領域の内部に厚い酸化
膜を有する面積の広い領域が存在しないので、ダイヤフ
ラム領域の内部応力が低減されも実施例 本発明の一実施例について以下に説明すも第１図は本実
施例の平面図であム 本実施例の半導体圧力センサＣＬ ｎ型シリコン半導
体チップの（ｌ ＯＯ）面の中央部に形成された矩形の
ダイヤフラム領域１４と、ダイヤフラム領域１４内の一
方の面に配置され ダイヤフラム領域１４の各辺の中央
部に形成された四つのゲージ抵抗５〜８と、これらのゲ
ージ抵抗５〜８間を電気的に接続し、かつこれらととも
にブリッジ回路を構成する低抵抗のつなぎ抵抗９〜１３
とを有す４ 半導体チップのダイヤフラム領域１４以外
の部分の厚さは２９０μ瓜 半導体チップの一辺の長さ
は３．５μｍであム ダイヤフラム領域１４の厚さは７
０μｍであａ つなぎ抵抗９はゲージ抵抗５．６に電気的に接続され
つなぎ抵抗９の一部分には外部バイアス用のポンディン
グパッド１が形成されていも また ゲージ抵抗７，８
にそれぞれ接続されたつなぎ抵抗１１．１２に＆よ 外
部バイアス用のポンディングパッド２が接続されていも
ゲージ抵抗６゜７を電気的に接続するつなぎ抵抗１０
にＧ！ 引出し抵抗１０ａが接続され この引出し抵
抗１０ａには出力用のポンディングパッド３が接続され
ていも 同様に ゲージ抵抗５，８を電気的に接続する
つなぎ抵抗１３には 引出し抵抗１３ａが接続され こ
の引出し抵抗１３ａには出力用のポンディングパッド４
が接続されていも 本実施例の半導体圧力センサにおいては ゲージ抵抗５
〜８およびつなぎ抵抗９〜１３以外のダイアフラム領域
１４の部分に追加パターン１６゜１７が形成され 追加
パターン１６、１７におけるシリコン酸化膜の厚さは
ゲージ抵抗５〜８、つなぎ抵抗９〜１３および追加パタ
ーン１６，１７以外の領域に形成されたシリコン酸化膜
の厚さより薄し〜 第２図は 第１図のＰ−Ｐ線に沿った本実施例の半導体
圧力センサみ 製造工程を示す断面図であム 本実施例の半導体圧力センサは以下のようにして製造さ
れも まず、第２図（ａ）に示すように ｎ型シリコン半導体
基板２０上に 熱酸化法によって、シリコン酸化膜２１
が５００ｎｍの厚さに形成され このシリコン酸化膜２
１上にレジスト（図示せず）が堆積されも それかぺ
つなぎ抵抗９〜１３が形成されるべき部分の酸化膜２１
と前記レジストとが フォトリソグラフィ法およびエツ
チング法により除去されも そして、 レジストをＨ→
ヤーマスクとしてほう素イオンが高濃度で注入された後
前記レジストが除去されも 次に 第２図（ｂ）に示すように この半導体基板２０
上の全域に さらにレジスト２２が形成されゲージ抵抗
５〜８と追加パターン１６．１７が形成されるべき部分
のレジスト２２と酸化膜２１と力（フォトリソグラフィ
法およびエツチング法により除去されも それから、レ
ジスト２２を；キ≠ウシマスクとして、はう素イオンが
低濃度で注入されも そして、この半導体基板２０を加
熱することにより、追加パターン１６．１？、つなぎ抵
抗９〜１３およびゲージ抵抗５〜８におけるほう素イオ
ンの熱拡散が行われも 次に 第２図（ｃ）に示すように この半導体基板２０
上の全域に シリコン酸化膜２３がＣＶＤ法により４０
０ｎｍの厚さに堆積されも さらにフォトリソグラフィ
法とエツチング法により、ポンディングパッド１，２が
形成されるべき部分の酸化膜２３が除去されも 次に
アルミニウム金属の膜が半導体基板２０上の全域に形成
さベ フォトリソグラフィ法とエツチング法とによって
、る。
関すム 従来の技術 第３図は従来の半導体圧力センサの平面図であるっ この半導体圧力センサＣＬ ｎ型シリコン半導体チッ
プの（１００）面の中央部に形成された矩形のダイヤフ
ラム領域１４と、このダイヤフラム領域１４内の一方の
面に配置され ダイヤフラム領域１４の各辺の中央部に
形成された四つのゲージ抵抗５〜８と、これらのゲージ
抵抗５〜８間を電気的に接続し、ゲージ抵抗５〜８とと
もにブリッジ回路を構成すム 低抵抗のつなぎ抵抗９〜
１３とを有すａ つなぎ抵抗９はゲージ抵抗５，６に電気的に接続され
つなぎ抵抗９の一部分には外部バイアス用のポンディン
グパッド１が形成されていも また ゲージ抵抗７，８
にそれぞれ接続されたつなぎ抵抗１１．１２にＧｉ
外部バイアス用のポンディングパッド２が接続されてい
も ゲージ抵抗６゜７を電気的に接続するつなぎ抵抗１
ｏには引出し抵抗１０ａが接続され この引出し抵抗１
０ａには出力用のポンディングパッド３が接続されてい
ａ 同様Ｇニ ゲージ抵抗５，８を電気的に接続するつ
なぎ抵抗１３には 引出し抵抗１３ａが接続され 前記
引出し抵抗１３ａには出力用のポンディングパッド４が
接続されていも 第４図は 第３図のＡ−Ａ線に沿った この半導体圧力
センサの製造工程を示す断面図であムこの半導体圧力セ
ンサは以下のようにして製造されム まず、第４図（ａ）に示すようＧＱ ｎ型シリコン半
導体基板２ｏ上に熱酸化によってシリコン酸化膜２１が
形成され このシリコン酸化膜２１上にレジスト（図示
せず）が堆積されも そして、つなぎ抵抗９〜１３が形
成されるべき部分の酸化膜２１および前記レジストが
フォトリソグラフィ法およびエツチング法により除去さ
れも それから、レジストを曇芋≠中キマスクとして、
はう素イオンが高濃度で注入された微 前記レジストが
除去されム 次番へ 第４図（ｂ）に示すように この半導体体基板
２０上の全域にさらにレジスト２２が形成されゲージ抵
抗５〜８が形成されるべき部分のレジスト２２および酸
化膜２１力＼ フォトリソグラフィ法およびエツチング
法により除去されも それか呟 レジスト２２を虐イ傘
中４マスクとして、はう素イオンが低濃度で注入されも
そして、この半導体基板を加熱することにより、つな
ぎ抵抗９〜１３およびゲージ抵抗５〜８におけるほう素
イオンの熱拡散が行われも 次（、、第４図（ｃ）に示すように この半導体基板２
０上の全域に シリコン酸化膜２ａがＣＶＤ法により堆
積されも さらに フォトリソグラフィ法およびエツチ
ング法により、ポンディングパッド１，２が形成される
部分の酸化膜２３が除去されも 次に アルミニウム金
属の膜が半導体基板２０上の全域に形成され フォトリ
ソグラフィ法およびエツチング法によって、ポンディン
グパッドｌ、 ２が形成されも さらに この半導体
基板２ｏがチップに分割され 第３図に示す半導体圧力
センサが得られも 第３図に示した半導体圧力センサで！上 ポンディング
パッド１． ２に一定の外部バイアス電圧が印加される
と、ゲージ抵抗５〜８とつなぎ抵抗９〜１３に電流が流
れも ダイヤフラム領域１４に圧力が加えられていない
場合には 四つのゲージ抵抗５〜８の抵抗値は互いに等
しし〜 ダイヤフラム領域１４に外部から圧力が加えら
れると、ダイヤフラム領域１４に応力が発生すム この
応力によるピエゾ抵抗効果により、ブリッジ回路を構成
するゲージ抵抗５〜８の抵抗値が等しくなくなり、ポン
ディングパッド３，４間に ダイヤフラム領域１４に加
えられた圧力に相当する出力電圧が発生すム 発明が解決しようとする課題 このような従来の半導体圧力センサでは 第３図に示す
よう（ミ ゲージ抵抗５〜８およびつなぎ抵抗９〜１３
が形成されていない残余領域１５がダイヤフラム領域１
４に形成されていも この残余領域１５番上 ダイヤフ
ラム領域１４の中央部に位置し、比較的大きな面積を有
していも また第４図（ｄ）に示すように 残余領域１
５には二層のシリコン酸化膜２１．２３が厚く形成され
ていもダイヤフラム領域１４のシリコン半導体と、シリ
コン酸化膜との熱膨張係数が異なるたぬ 面積が広くて
厚いシリコン酸化膜を有する残余領域１５の存在によっ
て、ダイヤフラム領域１４に内部応力（残留応力）が発
生すム この内部応力によって、測定すべき外部からの
圧力がない状態でのポンディングパッド３，４間の電圧
すなわちオフセット電圧がゼロにならず、しかもばら
つきが大きいという問題点があった 本発明はこのような問題点を解決するものであり、本発
明の目的６裏 オフセット電圧の絶対値が小さく、しか
もばらつきが小さい半導体圧力センサを提供することで
あム 課題を解決するための手段 本発明の半導体圧力センサは 半導体チップ土に形成さ
れたダイヤフラム領域と、このダイヤフラム領域の一方
の面にブリッジ回路を構成するように配置された複数の
ゲージ抵抗とを備え このゲージ抵抗以外のダイヤフラ
ム領域の部分に追加パターンが形成され この追加パタ
ーンにおける酸化膜の厚さをゲージ抵抗 °
こおける酸化膜の厚さより薄くしたものであムまた 本
発明の半導体圧力センサは 半導体チップ上に形成され
たダイヤフラム領域と、このダイヤフラム領域の一方の
面に配置された複数のゲージ抵抗と、これらのゲージ抵
抗間を電気的に接続し、かつこれらゲージ抵抗とともに
ブリッジ回路を構成する低抵抗のつなぎ抵抗とを備え
ゲージ抵抗およびつなぎ抵抗以外のダイヤフラム領域の
部分に追加パターンが形成され この追加パターンにお
ける酸化膜の厚さを、ゲージ瓶代 つなぎ抵抗および追
加パターン以外の領域に形成された酸化膜の厚さより薄
くしたものであムさらに 本発明の半導体圧力センサは
半導体チップの中央部に形成された矩形のダイヤフラ
ム領域と、このダイヤフラム領域内の一方の面に配置さ
れ ダイヤフラム領域の各辺の中央部に形成された四つ
のゲージ抵抗と、これらゲージ抵抗間を電気的に接続し
、かつこれらゲージ抵抗とともにブリッジ回路を構成す
る低抵抗のつなぎ抵抗とを備え、ゲージ抵抗およびつな
ぎ抵抗以外のダイヤフラム領域の部分に追加パターンが
形成されこの追加パターンにおける酸化膜の厚さを、ゲ
ージ抵抗および追加パターン以外の領域に形成された酸
化膜の厚さより薄く形成したものであ４作用 このようにすれば ダイヤフラム領域の内部に厚い酸化
膜を有する面積の広い領域が存在しないので、ダイヤフ
ラム領域の内部応力が低減されも実施例 本発明の一実施例について以下に説明すも第１図は本実
施例の平面図であム 本実施例の半導体圧力センサＣＬ ｎ型シリコン半導
体チップの（ｌ ＯＯ）面の中央部に形成された矩形の
ダイヤフラム領域１４と、ダイヤフラム領域１４内の一
方の面に配置され ダイヤフラム領域１４の各辺の中央
部に形成された四つのゲージ抵抗５〜８と、これらのゲ
ージ抵抗５〜８間を電気的に接続し、かつこれらととも
にブリッジ回路を構成する低抵抗のつなぎ抵抗９〜１３
とを有す４ 半導体チップのダイヤフラム領域１４以外
の部分の厚さは２９０μ瓜 半導体チップの一辺の長さ
は３．５μｍであム ダイヤフラム領域１４の厚さは７
０μｍであａ つなぎ抵抗９はゲージ抵抗５．６に電気的に接続され
つなぎ抵抗９の一部分には外部バイアス用のポンディン
グパッド１が形成されていも また ゲージ抵抗７，８
にそれぞれ接続されたつなぎ抵抗１１．１２に＆よ 外
部バイアス用のポンディングパッド２が接続されていも
ゲージ抵抗６゜７を電気的に接続するつなぎ抵抗１０
にＧ！ 引出し抵抗１０ａが接続され この引出し抵
抗１０ａには出力用のポンディングパッド３が接続され
ていも 同様に ゲージ抵抗５，８を電気的に接続する
つなぎ抵抗１３には 引出し抵抗１３ａが接続され こ
の引出し抵抗１３ａには出力用のポンディングパッド４
が接続されていも 本実施例の半導体圧力センサにおいては ゲージ抵抗５
〜８およびつなぎ抵抗９〜１３以外のダイアフラム領域
１４の部分に追加パターン１６゜１７が形成され 追加
パターン１６、１７におけるシリコン酸化膜の厚さは
ゲージ抵抗５〜８、つなぎ抵抗９〜１３および追加パタ
ーン１６，１７以外の領域に形成されたシリコン酸化膜
の厚さより薄し〜 第２図は 第１図のＰ−Ｐ線に沿った本実施例の半導体
圧力センサみ 製造工程を示す断面図であム 本実施例の半導体圧力センサは以下のようにして製造さ
れも まず、第２図（ａ）に示すように ｎ型シリコン半導体
基板２０上に 熱酸化法によって、シリコン酸化膜２１
が５００ｎｍの厚さに形成され このシリコン酸化膜２
１上にレジスト（図示せず）が堆積されも それかぺ
つなぎ抵抗９〜１３が形成されるべき部分の酸化膜２１
と前記レジストとが フォトリソグラフィ法およびエツ
チング法により除去されも そして、 レジストをＨ→
ヤーマスクとしてほう素イオンが高濃度で注入された後
前記レジストが除去されも 次に 第２図（ｂ）に示すように この半導体基板２０
上の全域に さらにレジスト２２が形成されゲージ抵抗
５〜８と追加パターン１６．１７が形成されるべき部分
のレジスト２２と酸化膜２１と力（フォトリソグラフィ
法およびエツチング法により除去されも それから、レ
ジスト２２を；キ≠ウシマスクとして、はう素イオンが
低濃度で注入されも そして、この半導体基板２０を加
熱することにより、追加パターン１６．１？、つなぎ抵
抗９〜１３およびゲージ抵抗５〜８におけるほう素イオ
ンの熱拡散が行われも 次に 第２図（ｃ）に示すように この半導体基板２０
上の全域に シリコン酸化膜２３がＣＶＤ法により４０
０ｎｍの厚さに堆積されも さらにフォトリソグラフィ
法とエツチング法により、ポンディングパッド１，２が
形成されるべき部分の酸化膜２３が除去されも 次に
アルミニウム金属の膜が半導体基板２０上の全域に形成
さベ フォトリソグラフィ法とエツチング法とによって
、る。
本実施例の半導体圧力センサでＣＬ 前述の第３図に
示した従来例における残余領域１５に相当する部分に
追加パターン１６．１７が形成されていも 追加パター
ン１６．１７上には一層のシリコン酸化膜１６．２３の
みが存在するので、ダイヤフラム領域１４には内部応力
が発生しなし＼ したがって、測定すべき外部からの圧
力がない状態でのオフセット電圧の絶対値を小さくする
ことができ、しかもばらつきも小さくすることができも
従来の半導体圧力センサのオフセット電圧の平均値ｘ＝
−５ｍＶ、標準偏差σ＝３ｍＶであるのに対し、本実施
例ではｘ＝−１ｍＶ、 σ＝１ｍＶであった なム 本実施例ではつなぎ抵抗９〜１３はダイヤフラム
領域１４内に形成されている力＼ ダイヤフラム領域１
４の外側の半導体チップ上に形成されていてもよし〜
その場合には ゲージ抵抗５〜８以外のダイヤフラム領
域１４の領域に 第１図に示した追加パターン１６．１
７より面積の広い追加パターンが形成されも また 本実施例でＣ１追加パターン１６．１７をゲージ
抵抗５〜８の形成方法と同様の方法によって形成したが
たとえば第４図（ｄ）に示した従来のセンサの残余領
域１５上のシリコン酸化膜２１゜２３をエツチングして
薄くすることにより形成することもできも 発明の効果 本発明の半導体圧力センサで＆上 厚い酸化膜を有する
面積の広い領域が存在しないので、ダイヤフラム領域に
内部応力が発生しなし〜 したがって、本発明の半導体
圧力センサでは オフセット電圧を小さくすることがで
きへ
示した従来例における残余領域１５に相当する部分に
追加パターン１６．１７が形成されていも 追加パター
ン１６．１７上には一層のシリコン酸化膜１６．２３の
みが存在するので、ダイヤフラム領域１４には内部応力
が発生しなし＼ したがって、測定すべき外部からの圧
力がない状態でのオフセット電圧の絶対値を小さくする
ことができ、しかもばらつきも小さくすることができも
従来の半導体圧力センサのオフセット電圧の平均値ｘ＝
−５ｍＶ、標準偏差σ＝３ｍＶであるのに対し、本実施
例ではｘ＝−１ｍＶ、 σ＝１ｍＶであった なム 本実施例ではつなぎ抵抗９〜１３はダイヤフラム
領域１４内に形成されている力＼ ダイヤフラム領域１
４の外側の半導体チップ上に形成されていてもよし〜
その場合には ゲージ抵抗５〜８以外のダイヤフラム領
域１４の領域に 第１図に示した追加パターン１６．１
７より面積の広い追加パターンが形成されも また 本実施例でＣ１追加パターン１６．１７をゲージ
抵抗５〜８の形成方法と同様の方法によって形成したが
たとえば第４図（ｄ）に示した従来のセンサの残余領
域１５上のシリコン酸化膜２１゜２３をエツチングして
薄くすることにより形成することもできも 発明の効果 本発明の半導体圧力センサで＆上 厚い酸化膜を有する
面積の広い領域が存在しないので、ダイヤフラム領域に
内部応力が発生しなし〜 したがって、本発明の半導体
圧力センサでは オフセット電圧を小さくすることがで
きへ
第１図は本発明の半導体圧力センサの一実施例の平面医
第２図は第１図のＰ−Ｐ線に沿った断面医 第３図は
従来の半導体圧力センサの平面阻第４図は第３図のＡ−
Ａ線に沿った断面図であａｌ、２・・・外部バイアス用
ポンディングパッド、３．４・・・出力用ポンディング
パッド、 ５〜８・・・ゲージ抵拡 ９〜１３・・・つ
なぎ抵Ｋ １４・・・ダイヤフラム １６，１７・・
・追加パターン。
第２図は第１図のＰ−Ｐ線に沿った断面医 第３図は
従来の半導体圧力センサの平面阻第４図は第３図のＡ−
Ａ線に沿った断面図であａｌ、２・・・外部バイアス用
ポンディングパッド、３．４・・・出力用ポンディング
パッド、 ５〜８・・・ゲージ抵拡 ９〜１３・・・つ
なぎ抵Ｋ １４・・・ダイヤフラム １６，１７・・
・追加パターン。
Claims (3)
- （１）半導体チップ上に形成されたダイヤフラム領域と
、前記ダイヤフラム領域の一方の面にブリッジ回路を構
成するように配置された複数のゲージ抵抗とを備え、前
記ゲージ抵抗以外の前記ダイヤフラム領域の部分に追加
パターンが形成され、前記追加パターンにおける酸化膜
の厚さが、前記ゲージ抵抗における酸化膜 の厚さより小さい半導体圧力センサ。 - （２）半導体チップ上に形成されたダイヤフラム領域と
、前記ダイヤフラム領域の一方の面に配置された複数の
ゲージ抵抗と、前記ゲージ抵抗間を電気的に接続し、前
記ゲージ抵抗とともにブリッジ回路を構成する低抵抗の
つなぎ抵抗とを備え、前記ゲージ抵抗および前記つなぎ
抵抗以外のダイヤフラム領域の部分に追加パターンが形
成され、前記追加パターンにおける酸化膜の厚さが、前
記ゲージ抵抗、前記つなぎ抵抗および前記追加パターン
以外の領域に形成された酸化膜の厚さより小さい半導体
圧力センサ。 - （３）半導体チップの中央部に形成された矩形のダイヤ
フラム領域と、前記ダイヤフラム領域内の一方の面に配
置され、前記ダイヤフラム領域の各辺の中央部に形成さ
れた四つのゲージ抵抗と、前記ゲージ抵抗間を電気的に
接続し、前記ゲージ抵抗とともにブリッジ回路を構成す
る低抵抗のつなぎ抵抗とを備え、前記ゲージ抵抗および
前記つなぎ抵抗以外のダイヤフラム領域の部分に追加パ
ターンが形成され、前記追加パターンにおける酸化膜の
厚さが、前記ゲージ抵抗、前記つなぎ抵抗および前記追
加パターン以外の領域に形成された酸化膜の厚さより小
さい半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30084690A JPH03224275A (ja) | 1989-11-06 | 1990-11-05 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28742489 | 1989-11-06 | ||
| JP1-287424 | 1989-11-06 | ||
| JP30084690A JPH03224275A (ja) | 1989-11-06 | 1990-11-05 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03224275A true JPH03224275A (ja) | 1991-10-03 |
Family
ID=26556724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30084690A Pending JPH03224275A (ja) | 1989-11-06 | 1990-11-05 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03224275A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210037794A (ko) * | 2019-09-27 | 2021-04-07 | 한국전자기술연구원 | 스트레인게이지 소자 및 이의 제조 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6112252B2 (ja) * | 1977-06-28 | 1986-04-07 | Intaanashonaru Bijinesu Mashiinzu Corp | |
| JPH0258350B2 (ja) * | 1986-06-07 | 1990-12-07 | Kawasaki Steel Co |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP30084690A patent/JPH03224275A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6112252B2 (ja) * | 1977-06-28 | 1986-04-07 | Intaanashonaru Bijinesu Mashiinzu Corp | |
| JPH0258350B2 (ja) * | 1986-06-07 | 1990-12-07 | Kawasaki Steel Co |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210037794A (ko) * | 2019-09-27 | 2021-04-07 | 한국전자기술연구원 | 스트레인게이지 소자 및 이의 제조 방법 |
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