JPH02150754A - 感応素子の製造方法 - Google Patents
感応素子の製造方法Info
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- JPH02150754A JPH02150754A JP63303675A JP30367588A JPH02150754A JP H02150754 A JPH02150754 A JP H02150754A JP 63303675 A JP63303675 A JP 63303675A JP 30367588 A JP30367588 A JP 30367588A JP H02150754 A JPH02150754 A JP H02150754A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、感応素子およびその製造方法に係り、特にエ
アコン等空調機の制御に際して用いられる湿度センサ等
の感応素子に関する。
アコン等空調機の制御に際して用いられる湿度センサ等
の感応素子に関する。
（従来の技術）
湿度センサとしては、多種多様のものが提案されている
が、その代表的なものは、次に示すように、 １、多孔質セラミックへの水分の吸着による導電率の変
化を利用したもの。
が、その代表的なものは、次に示すように、 １、多孔質セラミックへの水分の吸着による導電率の変
化を利用したもの。
２、高分子への水分子の吸着による導電率または誘電率
の変化を利用したもの。
の変化を利用したもの。
３、電解質のイオン電導率の変化を利用したもの。
４、熱伝導率の変化を利用したもの。
等である。
このような湿度センサは、雰囲気中の湿度変化に対して
その電気的特性が変化するのを利用し、湿度を電気信号
として取り出すようにしたものである。
その電気的特性が変化するのを利用し、湿度を電気信号
として取り出すようにしたものである。
例えば、第７図に示すように、センサ基板１上に、下部
電極２、湿度変化に対応して電気的特性が変化する感応
膜３、上部電極４を順次積層してなるものが提案されて
いる。
電極２、湿度変化に対応して電気的特性が変化する感応
膜３、上部電極４を順次積層してなるものが提案されて
いる。
このセンサでは、外部回路との接続のために上部電極４
はセンサ基板１上まで伸長し、センサ基板１上に形成さ
れたポンディングパッド５に接続されている。
はセンサ基板１上まで伸長し、センサ基板１上に形成さ
れたポンディングパッド５に接続されている。
ところで、このようなセンサでは、感応膜３は、上部１
ｉＥｔｌｉ４を通して雰囲気の湿度変化を感知するもの
であり、上部電極は、湿気を透過し易いように薄く形成
されているが、感応膜は、十分な静電容量を得て湿度関
知能力を得るために数千オングストローム乃至数μｍ程
度の厚さを有している。
ｉＥｔｌｉ４を通して雰囲気の湿度変化を感知するもの
であり、上部電極は、湿気を透過し易いように薄く形成
されているが、感応膜は、十分な静電容量を得て湿度関
知能力を得るために数千オングストローム乃至数μｍ程
度の厚さを有している。
このため、上部電極４は、高い段差を越えてポンディン
グパッド５まで到達する必要がある。
グパッド５まで到達する必要がある。
従って、この上部電極は薄いと感応膜の端部でクラック
（段切れ）を生じ易く、この段切れによる接続不良が発
生しやすいという問題があった。
（段切れ）を生じ易く、この段切れによる接続不良が発
生しやすいという問題があった。
そこで、第８図に示すように、上部電極は十分に薄く形
成し、この上部電極上からセンサ基板１上に、蒸着法な
どによって十分に厚く形成された引き下ろし電極６を形
成したものも提案されている。
成し、この上部電極上からセンサ基板１上に、蒸着法な
どによって十分に厚く形成された引き下ろし電極６を形
成したものも提案されている。
この構造では、前述したような段切れは防止される。
しかしながら、この感応膜は、熱により感湿特性に劣化
を生じる場合が多く、この引き下ろし電極６は、感応膜
と同等かそれ以上の厚さを有するように形成しなければ
ならないため、長時間にわたる高温工程により、特性に
変動をきたすことがあった。
を生じる場合が多く、この引き下ろし電極６は、感応膜
と同等かそれ以上の厚さを有するように形成しなければ
ならないため、長時間にわたる高温工程により、特性に
変動をきたすことがあった。
また、この他、第９図に示すように、センサ基板１上に
形成された２個の独立した下部電極２ａ。
形成された２個の独立した下部電極２ａ。
２ｂ上に感応膜３を形成し、この感応膜上に上部電極４
を形成した構造も提案されている。
を形成した構造も提案されている。
この構造では、上下電極間（下部電極２ａと上部電極４
との間、下部電極２ｂと上部電極４との間）で構成され
る２個のコンデンサの直列接続体として容量変化を取り
出すようになっており、引き下ろし電極を形成する必要
はないが、第７図および第８図に示した構造と比較する
と、同一面積の感応膜に対して検出効率は半分以下とな
る。
との間、下部電極２ｂと上部電極４との間）で構成され
る２個のコンデンサの直列接続体として容量変化を取り
出すようになっており、引き下ろし電極を形成する必要
はないが、第７図および第８図に示した構造と比較する
と、同一面積の感応膜に対して検出効率は半分以下とな
る。
（発明が解決しようとする課題）
このように、従来例の構造では、検出効率を高く維持し
かつ、引き下ろし電極の段切れを防止し、信頼性の高い
感応素子を提供することができないという問題があった
。
かつ、引き下ろし電極の段切れを防止し、信頼性の高い
感応素子を提供することができないという問題があった
。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、検知能力
が高く、信頼性の高い感応素子を提供することを目的と
する。
が高く、信頼性の高い感応素子を提供することを目的と
する。
（課題を解決するための手段）
そこで本発明では、下部電極を有する基板の端部（上部
電極とりだし領域）上に絶縁膜を形成したのち、感応膜
を形成し、この感応膜をまず該絶縁膜とやや離間するよ
うにバターニングし、さらに再びこの上層に感応膜を形
成し、これを反応性イオンエツチングにより、エッチバ
ックし、この絶縁膜と感応膜との空間を完全に埋めるよ
うにしている。
電極とりだし領域）上に絶縁膜を形成したのち、感応膜
を形成し、この感応膜をまず該絶縁膜とやや離間するよ
うにバターニングし、さらに再びこの上層に感応膜を形
成し、これを反応性イオンエツチングにより、エッチバ
ックし、この絶縁膜と感応膜との空間を完全に埋めるよ
うにしている。
（作用）
上記方法によれば、絶縁膜上に感応膜が残留して、凹凸
が大きくなったり、絶縁膜と感応膜との間に空間ができ
、上部電極と下部電極との短絡が生じたりすることなく
、容易に信頼性よく、平坦な表面を得ることができる。
が大きくなったり、絶縁膜と感応膜との間に空間ができ
、上部電極と下部電極との短絡が生じたりすることなく
、容易に信頼性よく、平坦な表面を得ることができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。
説明する。
本発明実施例の半導体感湿センサは、第１図に断面図を
示すように、高濃度に不純物ドープされ、基板と下部電
極とを兼ねる抵抗率数ΩｃＩ１１程度のｎ型シリコン基
板１ｃ上に、ポリイミド膜からなる感湿膜３とこの感湿
膜３から約１μ塩程度離間して、膜厚１μ−程度の酸化
シリコン膜からなる絶縁膜７が配設されており、該感湿
膜の上層から該絶縁膜７上にかけて上部電極４が形成さ
れて感応部を構成してなるもので、上部電極４の端部お
よび基板上とにそれぞれポンディングパッド８および１
１が形成されている。
示すように、高濃度に不純物ドープされ、基板と下部電
極とを兼ねる抵抗率数ΩｃＩ１１程度のｎ型シリコン基
板１ｃ上に、ポリイミド膜からなる感湿膜３とこの感湿
膜３から約１μ塩程度離間して、膜厚１μ−程度の酸化
シリコン膜からなる絶縁膜７が配設されており、該感湿
膜の上層から該絶縁膜７上にかけて上部電極４が形成さ
れて感応部を構成してなるもので、上部電極４の端部お
よび基板上とにそれぞれポンディングパッド８および１
１が形成されている。
次に、この半導体感湿センサの製造工程について説明す
る。
る。
先ず、第２図（ａ）に示すように、高濃度に不純物ドー
プされ、抵抗率数Ωｅｌｌｌ程度のシリコン基板ＩＣの
表面に、熱酸化法またはＣＶＤ法によって膜厚約１μ曙
の酸化シリコン膜を形成し、これを通常のフォトリソ法
によりパターニングし、絶縁膜７とする。
プされ、抵抗率数Ωｅｌｌｌ程度のシリコン基板ＩＣの
表面に、熱酸化法またはＣＶＤ法によって膜厚約１μ曙
の酸化シリコン膜を形成し、これを通常のフォトリソ法
によりパターニングし、絶縁膜７とする。
続いて、第２図（ｂ）に示すように、スピンコード法に
よりこの上層に膜厚１〜２μｌのポリイミド膜３を塗布
し、絶縁膜７と同程度の膜厚になるようにする。
よりこの上層に膜厚１〜２μｌのポリイミド膜３を塗布
し、絶縁膜７と同程度の膜厚になるようにする。
そして、第２図（ｃ）に示すように、１５０〜３００℃
で、３０分間程度キュアした後、フォトリソ法により、
酸化膜の一端から１〜５μ−程度離間するようにパター
ニングする。
で、３０分間程度キュアした後、フォトリソ法により、
酸化膜の一端から１〜５μ−程度離間するようにパター
ニングする。
さらに、第２図（ｄ）に示すように、スピンコード法に
より再びこの上層に膜厚１〜２μ−のポリイミド膜３を
塗布し、先に塗布したポリイミド膜３と絶縁膜７との凹
凸がでないように、約１μｍ程度の膜厚になるようにす
る。
より再びこの上層に膜厚１〜２μ−のポリイミド膜３を
塗布し、先に塗布したポリイミド膜３と絶縁膜７との凹
凸がでないように、約１μｍ程度の膜厚になるようにす
る。
そして、第２図（ｅ）に示すように、１５０４３００℃
で、３０分間程度キュアした後、反応性イオンエツチン
グ（ＲＩ Ｅ）法により、ポリイミド膜表面を均一にエ
ツチングし先の酸化シリコン膜表面を露呈せしめ、ポリ
イミド膜３と絶縁膜７との表面が平坦につながるように
する。ここで、表面に残留物がある場合は、さらにウェ
ットエツチングを組み合わせるようにしてもよい。
で、３０分間程度キュアした後、反応性イオンエツチン
グ（ＲＩ Ｅ）法により、ポリイミド膜表面を均一にエ
ツチングし先の酸化シリコン膜表面を露呈せしめ、ポリ
イミド膜３と絶縁膜７との表面が平坦につながるように
する。ここで、表面に残留物がある場合は、さらにウェ
ットエツチングを組み合わせるようにしてもよい。
続いて、第２図（ｆ）に示すように、３００〜４００℃
で、１時間程度キュアした後、スパッタリング法あるい
は蒸着法により数百１６程度の通気性のある金薄膜を形
成し、フォトリソ法によりこれをパターニングし、上部
電極４を形成する。
で、１時間程度キュアした後、スパッタリング法あるい
は蒸着法により数百１６程度の通気性のある金薄膜を形
成し、フォトリソ法によりこれをパターニングし、上部
電極４を形成する。
そして最後に、第２図（ｇ）に示すように、スパッタリ
ング法あるいは蒸着法により１μ麿程度の厚い金薄膜を
形成し、フォトリソ法によりこれをパターニングし、下
部電極用および上部電極用のポンディングパッド８，１
１を形成する。
ング法あるいは蒸着法により１μ麿程度の厚い金薄膜を
形成し、フォトリソ法によりこれをパターニングし、下
部電極用および上部電極用のポンディングパッド８，１
１を形成する。
このようにして、絶縁膜上になめらかに上部電極を伸長
し、段切れもなく、電極の取りだしをおこなうことがで
きるため、厚い引き下ろし電極は不要となり、引き下ろ
し電極形成時に、長時間にわたる高温工程を経ることな
く形成でき、感応膜は良好に維持される。
し、段切れもなく、電極の取りだしをおこなうことがで
きるため、厚い引き下ろし電極は不要となり、引き下ろ
し電極形成時に、長時間にわたる高温工程を経ることな
く形成でき、感応膜は良好に維持される。
ところで、このポリイミド膜は、フォトリソ工程による
パターンの位置決めがわずかでもずれ、絶縁膜上にかか
ると、表面は凹凸が大きくなってしまい、また逆に空間
があくと、上部電極がこの空間を介して下部電極（ここ
ではシリコン基板）と短絡してしまう。
パターンの位置決めがわずかでもずれ、絶縁膜上にかか
ると、表面は凹凸が大きくなってしまい、また逆に空間
があくと、上部電極がこの空間を介して下部電極（ここ
ではシリコン基板）と短絡してしまう。
これに対し、上記方法では、あらかじめ絶縁膜とやや離
間するようにパターニングしたのち、再びこの上層にポ
リイミド膜を形成し、これを反応性イオンエツチングに
より、エッチバックし、この空間を完全に埋めるように
しているため、絶縁膜に並んでポリイミド膜を絶縁膜７
と同一の高さになるように形成することができ、容易に
信頼性よく、平坦な表面を得ることができる。
間するようにパターニングしたのち、再びこの上層にポ
リイミド膜を形成し、これを反応性イオンエツチングに
より、エッチバックし、この空間を完全に埋めるように
しているため、絶縁膜に並んでポリイミド膜を絶縁膜７
と同一の高さになるように形成することができ、容易に
信頼性よく、平坦な表面を得ることができる。
なお、前記実施例において、基板は必ずしもｎ型である
必要はなく、ｐ型であってもよいが、下部電極用パッド
部の金属としてはオーミックコシタクトがとれるような
材料を選択する必要がある。
必要はなく、ｐ型であってもよいが、下部電極用パッド
部の金属としてはオーミックコシタクトがとれるような
材料を選択する必要がある。
また、感湿膜の材料としても、ポリイミド膜に限定され
るものではなく、セルロース系材料や光硬化型材料等だ
の材料を用いてもよい。
るものではなく、セルロース系材料や光硬化型材料等だ
の材料を用いてもよい。
次に、本発明の第２の実施例について説明する。
本発明の第２の実施例の半導体感湿センサは、第３図に
断面図を示すように、絶縁性のガラス基板１１上に形成
された金薄膜からなる下部電極２の上層に、ポリイミド
膜からなる感湿膜３とこの感湿膜３から約１μｍ程度離
間して、膜厚１μｍ程度の酸化シリコン膜からなる絶縁
膜７が配設されており、該感湿膜の上層から該絶縁膜７
上にかけて上部電極４が形成されて感応部を構成してな
るもので、上部電極４の端部に形成されたポンディング
パッド８と、下部電極２の端部（ポンディングパッド）
１を、取り出し電極としている。
断面図を示すように、絶縁性のガラス基板１１上に形成
された金薄膜からなる下部電極２の上層に、ポリイミド
膜からなる感湿膜３とこの感湿膜３から約１μｍ程度離
間して、膜厚１μｍ程度の酸化シリコン膜からなる絶縁
膜７が配設されており、該感湿膜の上層から該絶縁膜７
上にかけて上部電極４が形成されて感応部を構成してな
るもので、上部電極４の端部に形成されたポンディング
パッド８と、下部電極２の端部（ポンディングパッド）
１を、取り出し電極としている。
次に、この半導体感湿センサの製造工程について説明す
る。
る。
先ず、第４図（ａ）に示すように、ガラス基板１１の表
面に、蒸着法により、膜厚数千１８〜数八會程度の金薄
膜を堆積し、これをフォトリソ法によりパターニングし
、下部電極２（端部がポンディングパッドとなる）を形
成する。
面に、蒸着法により、膜厚数千１８〜数八會程度の金薄
膜を堆積し、これをフォトリソ法によりパターニングし
、下部電極２（端部がポンディングパッドとなる）を形
成する。
次いで、第４図（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法によって
膜厚約１μ−の酸化シリコン膜を形成し、これを通常の
フォトリソ法によりパターニングし、絶縁膜７とする。
膜厚約１μ−の酸化シリコン膜を形成し、これを通常の
フォトリソ法によりパターニングし、絶縁膜７とする。
続いて、第４図（ｃ）乃至第４図（【）に示すように、
第２図（Ｃ）乃至第２図（ｆ）に示したのと同様に、ポ
リイミド膜３、上部電極４を形成する。
第２図（Ｃ）乃至第２図（ｆ）に示したのと同様に、ポ
リイミド膜３、上部電極４を形成する。
すなわち、第４図（Ｃ）乃至に示すように、スピンコー
ド法によりこの上層に膜厚１〜２μｌのポリイミド膜３
を塗布し、絶縁膜７と同程度の膜厚になるようにする。
ド法によりこの上層に膜厚１〜２μｌのポリイミド膜３
を塗布し、絶縁膜７と同程度の膜厚になるようにする。
そして、第４図（ｄ）に示すように、１５０〜３００℃
で、３０分間程度キュアした後、フォトリソ法により、
酸化膜の一端から１〜５μ■程度離間するようにパター
ニングする。
で、３０分間程度キュアした後、フォトリソ法により、
酸化膜の一端から１〜５μ■程度離間するようにパター
ニングする。
さらに、第４図（ｅ）に示すように、スピンコード法に
より再びこの上層に膜厚１〜２μ−のポリイミド膜３を
塗布し、先に塗布したポリイミド膜３と絶縁膜７との凹
凸がでないように、約１μｍ程度の膜厚になるようにす
る。
より再びこの上層に膜厚１〜２μ−のポリイミド膜３を
塗布し、先に塗布したポリイミド膜３と絶縁膜７との凹
凸がでないように、約１μｍ程度の膜厚になるようにす
る。
そして、第４図（ｆ）に示すように、１５０〜３００℃
で、３０分間程度キュアした後、反応性イオンエツチン
グ（ＲＩＥ）法により、ポリイミド膜表面を均一にエツ
チングし先の酸化シリコン膜表面を露呈せしめ、ポリイ
ミド膜３と絶縁膜７との表面が平坦につながるようにす
る。
で、３０分間程度キュアした後、反応性イオンエツチン
グ（ＲＩＥ）法により、ポリイミド膜表面を均一にエツ
チングし先の酸化シリコン膜表面を露呈せしめ、ポリイ
ミド膜３と絶縁膜７との表面が平坦につながるようにす
る。
続いて、第４図（ｆ）に示すように、３００〜４００℃
で、１時間程度キュアした後、スパッタリング法あるい
は蒸着法により数百ｉ６程度の通気性のある金薄膜を形
成し、フォトリソ法によりこれをパターニングし、上部
電極４を形成する。
で、１時間程度キュアした後、スパッタリング法あるい
は蒸着法により数百ｉ６程度の通気性のある金薄膜を形
成し、フォトリソ法によりこれをパターニングし、上部
電極４を形成する。
そして最後に、第４図（ｇ）に示すように、スパッタリ
ング法あるいは蒸着法により１μ踵程度の厚い金薄膜を
形成し、フォトリソ法によりこれをパターニングし、上
部電極用のポンディングパッド８を形成する。
ング法あるいは蒸着法により１μ踵程度の厚い金薄膜を
形成し、フォトリソ法によりこれをパターニングし、上
部電極用のポンディングパッド８を形成する。
このようにして、絶縁膜上になめらかに上部電極を伸長
し、段切れもなく、電極の取りだしをおこなうことがで
きるため、厚い引き下ろし電極は不要となり、引き下ろ
し電極形成時に、長時間にわたる高温工程を経ることな
く形成でき、感応膜は良好に維持される。
し、段切れもなく、電極の取りだしをおこなうことがで
きるため、厚い引き下ろし電極は不要となり、引き下ろ
し電極形成時に、長時間にわたる高温工程を経ることな
く形成でき、感応膜は良好に維持される。
なお、前記実施例においては、ガラス基板を用いたが、
必ずしもガラス基板を用いる必要はなく他の絶縁性基板
を用いるようにしてもよい。
必ずしもガラス基板を用いる必要はなく他の絶縁性基板
を用いるようにしてもよい。
更にまた、前記実施例１および実施例２において、基板
と感湿膜等各層間の密着性を高めるための工夫をしても
よい。例えば、基板表面に形成された酸化シリコン膜上
に金薄膜を形成する際、金薄膜の形成に先立ち、アンカ
ーとしてのチタン薄膜あるいはクロム薄膜を形成したり
、何等かの全処理を施すようにしてもよい。
と感湿膜等各層間の密着性を高めるための工夫をしても
よい。例えば、基板表面に形成された酸化シリコン膜上
に金薄膜を形成する際、金薄膜の形成に先立ち、アンカ
ーとしてのチタン薄膜あるいはクロム薄膜を形成したり
、何等かの全処理を施すようにしてもよい。
さらにまた、前記実施例１において、第５図に示すよう
に、シリコン基板ＩＣを素子分離し、素子分離領域内に
信号処理回路部１８を作り込むようにしてもよい。この
場合は、下部電極を信号処理回路部１８の所定位置まで
伸長せしめ、接続するようにすれば下部電極とりたしの
ためワイヤボンディングは不要となる。なお、この例で
は、シリコン基［１ｃ表面に酸化シリコン膜を介して下
部電極２を形成している。
に、シリコン基板ＩＣを素子分離し、素子分離領域内に
信号処理回路部１８を作り込むようにしてもよい。この
場合は、下部電極を信号処理回路部１８の所定位置まで
伸長せしめ、接続するようにすれば下部電極とりたしの
ためワイヤボンディングは不要となる。なお、この例で
は、シリコン基［１ｃ表面に酸化シリコン膜を介して下
部電極２を形成している。
さらにまた、前記実施例１においては、下部電極の取り
だしを基板表面に形成したポンディングパッド１１によ
って行うようにしたが、例えば第６図に示すように、シ
リコン基板１ｃの裏面側に蒸着法などにより金薄膜２０
を形成して裏面側から取り出すようにしてもよい。また
、金属基板上にこのシリコン基板を接着せしめてもよい
。
だしを基板表面に形成したポンディングパッド１１によ
って行うようにしたが、例えば第６図に示すように、シ
リコン基板１ｃの裏面側に蒸着法などにより金薄膜２０
を形成して裏面側から取り出すようにしてもよい。また
、金属基板上にこのシリコン基板を接着せしめてもよい
。
以上説明してきたように、本発明によれば、まず、感応
膜の形成をまず該絶縁膜とやや離間するようにパターニ
ングする第１の工程と、さらに再びこの上層に感応膜を
形成し、これを反応性イオンエツチングにより、エッチ
バックし、この絶縁膜と感応膜との空間を完全に埋める
第２の工程との２工程で構成しするようにしているため
、絶縁膜上に感応膜が残留して、凹凸が大きくなったり
、絶縁膜と感応膜との間に空間ができ、上部電極と下部
電極との短絡が生じたりすることなく、容易に信頼性よ
く、平坦な表面を得ることができる。
膜の形成をまず該絶縁膜とやや離間するようにパターニ
ングする第１の工程と、さらに再びこの上層に感応膜を
形成し、これを反応性イオンエツチングにより、エッチ
バックし、この絶縁膜と感応膜との空間を完全に埋める
第２の工程との２工程で構成しするようにしているため
、絶縁膜上に感応膜が残留して、凹凸が大きくなったり
、絶縁膜と感応膜との間に空間ができ、上部電極と下部
電極との短絡が生じたりすることなく、容易に信頼性よ
く、平坦な表面を得ることができる。
第１図は本発明実施例の湿度センサを示す図、第２図（
ａ）乃至第２図（ｇ）は同湿度センサの製造工程図、第
３図は本発明の第２の実施例の湿度センサを示す図、第
４図（ａ）乃至第４図（ｇ）は同湿度センサの製造工程
図、第５図および第６図はそれぞれ本発明の他の実施例
を示す図、第７図乃至第９図は従来例の湿度センサを示
す図である。 １・・・センサ基板、１ｃ・・・シリコン基板、１１・
・・ガラス基板、２・・・下部電極、３・・・感湿膜、
４・・・上部電極、５・・・ポンディングパッド、６・
・・引き下ろし電極、７・・・絶縁膜、８・・・ポンデ
ィングパッド、９・・・酸化シリコン膜、１１・・・ポ
ンディングパッド、８・・・信号処理回路、 Ｏ・・・金薄膜。
ａ）乃至第２図（ｇ）は同湿度センサの製造工程図、第
３図は本発明の第２の実施例の湿度センサを示す図、第
４図（ａ）乃至第４図（ｇ）は同湿度センサの製造工程
図、第５図および第６図はそれぞれ本発明の他の実施例
を示す図、第７図乃至第９図は従来例の湿度センサを示
す図である。 １・・・センサ基板、１ｃ・・・シリコン基板、１１・
・・ガラス基板、２・・・下部電極、３・・・感湿膜、
４・・・上部電極、５・・・ポンディングパッド、６・
・・引き下ろし電極、７・・・絶縁膜、８・・・ポンデ
ィングパッド、９・・・酸化シリコン膜、１１・・・ポ
ンディングパッド、８・・・信号処理回路、 Ｏ・・・金薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下部電極の形成された基板表面の上部電極取り出し用
パッド形成領域に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、 該絶縁膜とやや離間するように感応膜パタ ーンを形成する感応膜形成第１工程と、 さらに再びこの上層に感応膜を形成し、こ れを反応性イオンエッチングにより、エッチバックし、
前記絶縁膜と前記感応膜パターンとの空間を完全に埋め
る感応膜形成第２工程と、 前記絶縁層上に伸長するように上部電極を 形成する上部電極形成工程とを含むようにしたことを特
徴とする感応素子の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63303675A JPH02150754A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 感応素子の製造方法 |
| KR8917593A KR920007688B1 (en) | 1988-11-30 | 1989-11-30 | Production of sensitive element |
| US07/443,362 US5075667A (en) | 1988-11-30 | 1989-11-30 | Humidity sensor and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63303675A JPH02150754A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 感応素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02150754A true JPH02150754A (ja) | 1990-06-11 |
Family
ID=17923879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63303675A Pending JPH02150754A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 感応素子の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5075667A (ja) |
| JP (1) | JPH02150754A (ja) |
| KR (1) | KR920007688B1 (ja) |
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| US6259061B1 (en) | 1997-09-18 | 2001-07-10 | Tokyo Electron Limited | Vertical-heat-treatment apparatus with movable lid and compensation heater movable therewith |
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1988
- 1988-11-30 JP JP63303675A patent/JPH02150754A/ja active Pending
-
1989
- 1989-11-30 US US07/443,362 patent/US5075667A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-30 KR KR8917593A patent/KR920007688B1/ko not_active Expired
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| KR20030013234A (ko) * | 2001-08-07 | 2003-02-14 | 삼성전자주식회사 | 전자레인지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920007688B1 (en) | 1992-09-14 |
| US5075667A (en) | 1991-12-24 |
| KR900008275A (ko) | 1990-06-04 |
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