JPH0322464B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0322464B2 JPH0322464B2 JP17915085A JP17915085A JPH0322464B2 JP H0322464 B2 JPH0322464 B2 JP H0322464B2 JP 17915085 A JP17915085 A JP 17915085A JP 17915085 A JP17915085 A JP 17915085A JP H0322464 B2 JPH0322464 B2 JP H0322464B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- substrate
- water
- electron beam
- evaporation
- Prior art date
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は、半導体基板への電極形成、光学レン
ズのコーテイングなどに用いられる電子ビーム蒸
着装置に関する。
ズのコーテイングなどに用いられる電子ビーム蒸
着装置に関する。
電子ビーム蒸着装置は、水冷された蒸着ソース
ハース中の蒸着材料に電子ビームを照射して加熱
し蒸発させ、被蒸着体に付着させるものである。
この場合、蒸着膜質の制御は基板の加熱温度によ
つて行なうが、基板の加熱温度により限界があ
り、所望の膜質が精度よく得られない欠点があつ
た。
ハース中の蒸着材料に電子ビームを照射して加熱
し蒸発させ、被蒸着体に付着させるものである。
この場合、蒸着膜質の制御は基板の加熱温度によ
つて行なうが、基板の加熱温度により限界があ
り、所望の膜質が精度よく得られない欠点があつ
た。
本発明は、上述の欠点を除いて基板加熱温度を
高めることなく蒸着膜質を精度よく制御すること
ができる電子ビーム蒸着装置を提供することを目
的とする。
高めることなく蒸着膜質を精度よく制御すること
ができる電子ビーム蒸着装置を提供することを目
的とする。
本発明は、電子ビーム蒸着装置の蒸着ソースハ
ースの温度が蒸着膜質に大きな影響を及ぼすこと
に着目したもので、蒸着ソースハース冷却水の水
温調節手段を備えることにより、蒸着膜質を制御
して上記の目的を達成する。
ースの温度が蒸着膜質に大きな影響を及ぼすこと
に着目したもので、蒸着ソースハース冷却水の水
温調節手段を備えることにより、蒸着膜質を制御
して上記の目的を達成する。
第１図は本発明の一実施例を示す。蒸着室１は
真空ポンプ２により真空排気可能であり、天井面
に備えられた電子銃３に対向して蒸着ソースハー
ス４が配置されている。蒸着ソースハース４に収
容された蒸着材料５は電子銃３からの電子ビーム
により蒸発し、支持体６に取り付けられた基板７
上に蒸着膜を形成する。基板７は下方に配置され
た加熱ヒータ８により加熱される。蒸着ソースハ
ース４は銅あるいはステンレス鋼からなり、電子
ビームにより蒸発しないように水槽９からの水１
０により水冷されている。水槽９には本発明によ
り水温調整器１１が備えられ、冷媒を用いての強
制冷却あるいはヒータによる加熱により水１０の
温度を調整することができる。冷却水１０の温度
を下げることにより基板７の加熱温度を下げるこ
とができる。例えばモリブデンを半導体基板上に
蒸着してシヨツトキーバリアダイオードを製造す
る際、従来は基板加熱温度によつて障壁高さを制
御していた。すなわち、障壁高さを高くするため
には基板温度を上げ、低くするためには基板温度
を下げる。しかし水１０の温度を２℃下げること
により基板７の温度を約50℃下げて同等の障壁高
さを有するシヨツトキーバリアを得ることができ
る。この結果、従来350〜400℃であつた基板加熱
温度を低くできることにより、蒸着装置、例えば
パツキング等の寿命が長くなり、省エネルギーと
もなつて経済的効果が得られる。また蒸着室１を
開いて大気にさらす場合には、水10の温度を上
げ、蒸着ソースハース４へ露が結ぶことを防ぎ、
次の真空排気時間の短縮あるいは蒸着雰囲気中へ
の水蒸気の混入を阻止することができる。なお水
温の調整は冷却水１０の水量を変化させることに
よつても行うことができる。
真空ポンプ２により真空排気可能であり、天井面
に備えられた電子銃３に対向して蒸着ソースハー
ス４が配置されている。蒸着ソースハース４に収
容された蒸着材料５は電子銃３からの電子ビーム
により蒸発し、支持体６に取り付けられた基板７
上に蒸着膜を形成する。基板７は下方に配置され
た加熱ヒータ８により加熱される。蒸着ソースハ
ース４は銅あるいはステンレス鋼からなり、電子
ビームにより蒸発しないように水槽９からの水１
０により水冷されている。水槽９には本発明によ
り水温調整器１１が備えられ、冷媒を用いての強
制冷却あるいはヒータによる加熱により水１０の
温度を調整することができる。冷却水１０の温度
を下げることにより基板７の加熱温度を下げるこ
とができる。例えばモリブデンを半導体基板上に
蒸着してシヨツトキーバリアダイオードを製造す
る際、従来は基板加熱温度によつて障壁高さを制
御していた。すなわち、障壁高さを高くするため
には基板温度を上げ、低くするためには基板温度
を下げる。しかし水１０の温度を２℃下げること
により基板７の温度を約50℃下げて同等の障壁高
さを有するシヨツトキーバリアを得ることができ
る。この結果、従来350〜400℃であつた基板加熱
温度を低くできることにより、蒸着装置、例えば
パツキング等の寿命が長くなり、省エネルギーと
もなつて経済的効果が得られる。また蒸着室１を
開いて大気にさらす場合には、水10の温度を上
げ、蒸着ソースハース４へ露が結ぶことを防ぎ、
次の真空排気時間の短縮あるいは蒸着雰囲気中へ
の水蒸気の混入を阻止することができる。なお水
温の調整は冷却水１０の水量を変化させることに
よつても行うことができる。
本発明は、電子ビーム蒸着装置の蒸着ソースハ
ースの冷却水温度を調整可能にすることにより、
蒸着膜質を被蒸着基板の加熱温度の調整によらな
いで制御することができ、膜質の精度のよい制御
ができるほか、蒸着室開放時の露のソースハース
への付着を防止でき、また蒸着装置の寿命の延
長、省エネルギーなど得られる効果は極めて大き
い。
ースの冷却水温度を調整可能にすることにより、
蒸着膜質を被蒸着基板の加熱温度の調整によらな
いで制御することができ、膜質の精度のよい制御
ができるほか、蒸着室開放時の露のソースハース
への付着を防止でき、また蒸着装置の寿命の延
長、省エネルギーなど得られる効果は極めて大き
い。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
１：蒸着室、２：真空ポンプ、３…電子銃、
４：蒸着ソースハース、５：蒸着材料、７：被蒸
着基板、９：水槽、１０：冷却水、１１：水温調
整器。
４：蒸着ソースハース、５：蒸着材料、７：被蒸
着基板、９：水槽、１０：冷却水、１１：水温調
整器。
Claims (1)
- １ 蒸着ソースハースの冷却水の水温調整手段を
備えたことを特徴とする電子ビーム蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17915085A JPS6240366A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 電子ビ−ム蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17915085A JPS6240366A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 電子ビ−ム蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6240366A JPS6240366A (ja) | 1987-02-21 |
| JPH0322464B2 true JPH0322464B2 (ja) | 1991-03-26 |
Family
ID=16060835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17915085A Granted JPS6240366A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 電子ビ−ム蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6240366A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2551179Y2 (ja) * | 1991-06-27 | 1997-10-22 | 山一電機株式会社 | Ｉｃソケット |
-
1985
- 1985-08-14 JP JP17915085A patent/JPS6240366A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6240366A (ja) | 1987-02-21 |
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