JPH03225817A - 有機金属気相成長装置 - Google Patents
有機金属気相成長装置Info
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- JPH03225817A JPH03225817A JP2020856A JP2085690A JPH03225817A JP H03225817 A JPH03225817 A JP H03225817A JP 2020856 A JP2020856 A JP 2020856A JP 2085690 A JP2085690 A JP 2085690A JP H03225817 A JPH03225817 A JP H03225817A
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- tube
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、有機金属気相成長装置に関するものである
。
。
従来より、受・発光素子作製のためのＧａＡｓ系または
ＩｎＰ系の結晶成長工程に用いられる有機金属気相成長
装置の構成として第４図に示すような構成が知られてい
る。
ＩｎＰ系の結晶成長工程に用いられる有機金属気相成長
装置の構成として第４図に示すような構成が知られてい
る。
以下、簡単にその構成を説明すると、成長前は各原料ガ
ス１０１は原料ガスライン１０１ａからベントライン１
０２に流れ込み、ベントライン１０２はダミーの反応管
１０３に接続されている。一方、各原料ガスｌｏｔと同
じ流量の水素ガス（以下「バランスガス」という、 ）
１０４がバランスライン１０４ａからメインライン
１０５に流れ込んでいて、メインライン１０５は成長用
反応管１０６に接続されている。成長用反応管１０６と
ダミーの反応管１０３は同一の排気ライン１１１より排
気されていて前記の２管１０３゜１０６に圧力差がない
ように制御されている。成長は、各原料ガス１０１をメ
インライン１０５に流し込み、バランスガス１０４をベ
ントライン１０２に流し込むように各ラインのバルブ１
０７．１０８，１０９．１１０を切り替えることにより
開始する０例えばＡｊ！ＧａＡｓの成長の場合には、Ａ
ｊ！の原料ガスとして液体のトリメチルアルミニウムの
入ったボンベ内を水素ガスでバブリングさせて供給する
が、この量は数ｃｃ／−ｉｎとごくわずかであるため、
成長用反応管１０６への導入ガスの切り換え時にわずか
数Ｔｏｒｒでも圧力変動があると、Ａｆ！ＧａＡｓ層界
面の組成変動や成長界面の急峻性の劣化を招いてしまう
。
ス１０１は原料ガスライン１０１ａからベントライン１
０２に流れ込み、ベントライン１０２はダミーの反応管
１０３に接続されている。一方、各原料ガスｌｏｔと同
じ流量の水素ガス（以下「バランスガス」という、 ）
１０４がバランスライン１０４ａからメインライン
１０５に流れ込んでいて、メインライン１０５は成長用
反応管１０６に接続されている。成長用反応管１０６と
ダミーの反応管１０３は同一の排気ライン１１１より排
気されていて前記の２管１０３゜１０６に圧力差がない
ように制御されている。成長は、各原料ガス１０１をメ
インライン１０５に流し込み、バランスガス１０４をベ
ントライン１０２に流し込むように各ラインのバルブ１
０７．１０８，１０９．１１０を切り替えることにより
開始する０例えばＡｊ！ＧａＡｓの成長の場合には、Ａ
ｊ！の原料ガスとして液体のトリメチルアルミニウムの
入ったボンベ内を水素ガスでバブリングさせて供給する
が、この量は数ｃｃ／−ｉｎとごくわずかであるため、
成長用反応管１０６への導入ガスの切り換え時にわずか
数Ｔｏｒｒでも圧力変動があると、Ａｆ！ＧａＡｓ層界
面の組成変動や成長界面の急峻性の劣化を招いてしまう
。
このため、成長用反応管１０６と同じ容積のダミーの反
応管１０３をベントライン１０２に接続するように設け
て、成長用反応管１０６と同一の排気ライン１１１より
排気し、前記の２管１０３．１０６の間に圧力差がない
ように制御する必要がある。なお、１１２は試料、１１
３はサセプタ、１１４は高周波コイルである。
応管１０３をベントライン１０２に接続するように設け
て、成長用反応管１０６と同一の排気ライン１１１より
排気し、前記の２管１０３．１０６の間に圧力差がない
ように制御する必要がある。なお、１１２は試料、１１
３はサセプタ、１１４は高周波コイルである。
上述のような有機金属気相成長装置では、成長用反応管
１０６とダミーの反応管１０３とが別々に設置されてい
て、成長用反応管１０６のスペースとは別にダミーの反
応管１０３のスペースが必要であり、さらにマニホール
ドやダミーの反応管１０３前後の配管系等が別に必要で
あり、加えて、導入ガスの切り替え時の圧力変動を極力
抑えるために原料ガスの流量制御用のマスフローコント
ローラから各反応管までの距離を極力同じにする必要が
あり、成長用反応管１０６付近のスペースとほぼ同容積
のダミーの反応管１０３のためのスペースをできるだけ
並列して設ける必要がある。このため、各原料ガスライ
ンが長くなったり装置の奥行きが数割程度増したりして
、装置の設置スペースが増したり装置の作製コストが高
くなるなど装置設計上の制約が多いという問題があった
。
１０６とダミーの反応管１０３とが別々に設置されてい
て、成長用反応管１０６のスペースとは別にダミーの反
応管１０３のスペースが必要であり、さらにマニホール
ドやダミーの反応管１０３前後の配管系等が別に必要で
あり、加えて、導入ガスの切り替え時の圧力変動を極力
抑えるために原料ガスの流量制御用のマスフローコント
ローラから各反応管までの距離を極力同じにする必要が
あり、成長用反応管１０６付近のスペースとほぼ同容積
のダミーの反応管１０３のためのスペースをできるだけ
並列して設ける必要がある。このため、各原料ガスライ
ンが長くなったり装置の奥行きが数割程度増したりして
、装置の設置スペースが増したり装置の作製コストが高
くなるなど装置設計上の制約が多いという問題があった
。
この発明の第１の目的は、原料ガスの流れ込む側をベン
トラインからメインラインに切り替えた時（成長開始時
）の圧力変動を抑え、コンパクトで低コストな有機金属
気相成長装置を提供することである。
トラインからメインラインに切り替えた時（成長開始時
）の圧力変動を抑え、コンパクトで低コストな有機金属
気相成長装置を提供することである。
第２の目的は、成長開始時のガスの切り替えの際の圧力
変動を抑え、さらに成長用反応管の冷却効率を高め、成
長用反応管の管壁への反応生成物の付着を抑制してラン
ニングコストを低下させる有機金属気相成長装置を提供
することである。
変動を抑え、さらに成長用反応管の冷却効率を高め、成
長用反応管の管壁への反応生成物の付着を抑制してラン
ニングコストを低下させる有機金属気相成長装置を提供
することである。
第３の目的は、成長部とダミ一部の各室内のガスの流れ
をバランスさせて成長開始時のガスの切り替えの際の圧
力変動を極力抑えるとともに、導入ガスの流れや冷却状
態が同じである仕切られた部分を成長部やダミ一部とし
て交互に使用できるようにしてランニングコストのより
一層の低下を図るとともに、複数の成長部やダミ一部を
設けることにより異なる試料上に同時に成長させること
ができるようにした有機金属気相成長装置を提供するこ
とである。
をバランスさせて成長開始時のガスの切り替えの際の圧
力変動を極力抑えるとともに、導入ガスの流れや冷却状
態が同じである仕切られた部分を成長部やダミ一部とし
て交互に使用できるようにしてランニングコストのより
一層の低下を図るとともに、複数の成長部やダミ一部を
設けることにより異なる試料上に同時に成長させること
ができるようにした有機金属気相成長装置を提供するこ
とである。
請求項（１）記載の有機金属気相成長装置は、成長用反
応管としての内管とダミーの反応管としての外管とから
なる２重構造の反応管を用いることを特徴とする 請求項（２）記載の有機金属気相成長装置は、ダミーの
反応管としての内管と成長用反応管としての外管とから
なる２重構造の反応管を用いることを特徴とする 請求項（３）記載の有機金属気相成長装置は、ガス流に
平行に設けた一つまたは複数の仕切板またはパイプ等に
より成長部とダミ一部に分離した反応管を用いることを
特徴とする。
応管としての内管とダミーの反応管としての外管とから
なる２重構造の反応管を用いることを特徴とする 請求項（２）記載の有機金属気相成長装置は、ダミーの
反応管としての内管と成長用反応管としての外管とから
なる２重構造の反応管を用いることを特徴とする 請求項（３）記載の有機金属気相成長装置は、ガス流に
平行に設けた一つまたは複数の仕切板またはパイプ等に
より成長部とダミ一部に分離した反応管を用いることを
特徴とする。
請求項（１）記載の構成によれば、通常は別に設置され
るダミーの反応管を成長用反応管の外側に外管として設
けた反応管とすることにより、ダミーの反応管のスペー
スを別に必要とせずマニホールドやダミーの反応管前後
の配管系も別に必要としないために、装置設計上の制約
もなくなりコンパクトで低コストな有機金属気相成長装
置を提供することができるものである。
るダミーの反応管を成長用反応管の外側に外管として設
けた反応管とすることにより、ダミーの反応管のスペー
スを別に必要とせずマニホールドやダミーの反応管前後
の配管系も別に必要としないために、装置設計上の制約
もなくなりコンパクトで低コストな有機金属気相成長装
置を提供することができるものである。
請求項（２）記載の構成によれば、ダミーの反応管のス
ペースを別に必要とせずマニホールドやダミーの反応管
前後の配管系も別に必要としないために、装置設計上の
制約もなくなりコンパクトで低コストな有機金属気相成
長装置を提供することができる。ダミーの反応管の外側
に外管として成長用反応管を設けることにより、成長用
反応管の両側の管壁の冷却が可能となり成長用反応管の
管壁への反応生成物の付着が抑制されて、厚く付着した
反応生成物が剥がれ落ちてくるのを抑えることができる
ため反応管の取り替え回数が減ってランニングコストを
さげることができるものである。
ペースを別に必要とせずマニホールドやダミーの反応管
前後の配管系も別に必要としないために、装置設計上の
制約もなくなりコンパクトで低コストな有機金属気相成
長装置を提供することができる。ダミーの反応管の外側
に外管として成長用反応管を設けることにより、成長用
反応管の両側の管壁の冷却が可能となり成長用反応管の
管壁への反応生成物の付着が抑制されて、厚く付着した
反応生成物が剥がれ落ちてくるのを抑えることができる
ため反応管の取り替え回数が減ってランニングコストを
さげることができるものである。
請求項（３）記載の構成によれば、ダミーの反応管のス
ペースを別に必要とせずマニホールドやダミーの反応管
前後の配管系も別に必要としないために、装置設計上の
制約もなくなりコンパクトで低コストな有機金属気相成
長装置を提供することができる。ガス流と平行に設けた
一つまたは複数の仕切板またはパイプ等により成長部と
ダミ一部に分離することにより、成長部とダミ一部の反
応管の断面形状を同じにすることができて、各室のガス
流に対するインピーダンスを等しくすることができるた
め、各室内のガスの流れを完全にバランスさせることが
できて、成長開始時にガスを切り替えた際の圧力変動を
極力抑えることができる。
ペースを別に必要とせずマニホールドやダミーの反応管
前後の配管系も別に必要としないために、装置設計上の
制約もなくなりコンパクトで低コストな有機金属気相成
長装置を提供することができる。ガス流と平行に設けた
一つまたは複数の仕切板またはパイプ等により成長部と
ダミ一部に分離することにより、成長部とダミ一部の反
応管の断面形状を同じにすることができて、各室のガス
流に対するインピーダンスを等しくすることができるた
め、各室内のガスの流れを完全にバランスさせることが
できて、成長開始時にガスを切り替えた際の圧力変動を
極力抑えることができる。
さらに、仕切られた部分のガスの流れや冷却状態を同じ
にすることができるため、成長部やダミー部として仕切
られた部分のどの部分を使ってもよく、また成長部やダ
ミ一部として交互に使用することもできるため、ランニ
ングコストをより一層下げることができる。さらに、複
数の成長部やダミ一部を設けることにより、異なる試料
上に成長させることもできる。
にすることができるため、成長部やダミー部として仕切
られた部分のどの部分を使ってもよく、また成長部やダ
ミ一部として交互に使用することもできるため、ランニ
ングコストをより一層下げることができる。さらに、複
数の成長部やダミ一部を設けることにより、異なる試料
上に成長させることもできる。
この発明の第１の実施例について第１図を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図はこの発明の第１の実施例における有機金属気相
成長装置の反応管の断面構造図およびその周辺部の配管
図である０反応管は横型で成長用反応管１の外側に外管
としてダミーの反応管２が設けられ、さらにダミーの反
応管２の外側に水冷用の外管３が設けられた構造になっ
ている。たとえば、ＧａＡｓ基板上にＡｌｌＧａＡｓの
成長を行う場合には、■族原料ガスとして液体のトリメ
チルアルミニュウム４および液体のトリメチルガリウム
５の入った各有機金属ボンベ内を水素ガスでバブリング
させて供給し、Ｖ族原料ガスとしてアルシン６を供給す
る。ＡｌＧａＡｓの成長前、各原料ガス４．５．６は、
それぞれ各原料ガスライン４ ａ ＋５ａ、６ａからベ
ントライン７に流れていてダミー側ガス導入口８よりダ
ミーの反応管２に流れ込み、ダミー側ガス排気口９より
排気ライン３２へ流れ出ていく、一方、各バランスガス
１０，１１．１２は、各バランスライン１０ａ、 ｌｌ
ａ、 １２ａからメインライン１３に流れていて成長側
ガス導入口１４より成長用反応管１に流れ込み、成長側
ガス排気口１５より流れ出ていく、成長用反応管ｌ内に
はゲートバルブ１６を介してサセプタ１７上に置かれた
試料１８が設置されていて、水冷用の外管３の外側より
高周波コイル１９により加熱されている。成長は各ライ
ンのバルブ２０．２１，２２，２３．２４．２５を閉め
て後、バルブ２６．２７゜２８．２９．３０．３１を開
けて、各原料ガス４．５．６をメインライン１３に流し
各バランスガス１０，１１．１２をベントライン７に流
すことにより開始する。成長終了は各ラインのバルブ２
０．２１，２２，２３．２４．２５を閉めて後、バルブ
２６，２７，２８．２９，３０．３１を開けて成長開始
前の状態に戻すことにより行われる。
成長装置の反応管の断面構造図およびその周辺部の配管
図である０反応管は横型で成長用反応管１の外側に外管
としてダミーの反応管２が設けられ、さらにダミーの反
応管２の外側に水冷用の外管３が設けられた構造になっ
ている。たとえば、ＧａＡｓ基板上にＡｌｌＧａＡｓの
成長を行う場合には、■族原料ガスとして液体のトリメ
チルアルミニュウム４および液体のトリメチルガリウム
５の入った各有機金属ボンベ内を水素ガスでバブリング
させて供給し、Ｖ族原料ガスとしてアルシン６を供給す
る。ＡｌＧａＡｓの成長前、各原料ガス４．５．６は、
それぞれ各原料ガスライン４ ａ ＋５ａ、６ａからベ
ントライン７に流れていてダミー側ガス導入口８よりダ
ミーの反応管２に流れ込み、ダミー側ガス排気口９より
排気ライン３２へ流れ出ていく、一方、各バランスガス
１０，１１．１２は、各バランスライン１０ａ、 ｌｌ
ａ、 １２ａからメインライン１３に流れていて成長側
ガス導入口１４より成長用反応管１に流れ込み、成長側
ガス排気口１５より流れ出ていく、成長用反応管ｌ内に
はゲートバルブ１６を介してサセプタ１７上に置かれた
試料１８が設置されていて、水冷用の外管３の外側より
高周波コイル１９により加熱されている。成長は各ライ
ンのバルブ２０．２１，２２，２３．２４．２５を閉め
て後、バルブ２６．２７゜２８．２９．３０．３１を開
けて、各原料ガス４．５．６をメインライン１３に流し
各バランスガス１０，１１．１２をベントライン７に流
すことにより開始する。成長終了は各ラインのバルブ２
０．２１，２２，２３．２４．２５を閉めて後、バルブ
２６，２７，２８．２９，３０．３１を開けて成長開始
前の状態に戻すことにより行われる。
以上のように、この実施例によれば各原料ガス４．５．
６の流入をベントライン７からメインライン１３に切り
換えた際の圧力変動を抑えるためのダミーの反応管を別
に設ける必要も無く、マニホールドやダミーの反応管２
前後の配管系を別に設ける必要も無く、成長用反応管１
とダミーの反応管２とを結ぶ排気ラインも短くすること
ができて、装置を非常にコンパクト化することができて
装置の低コスト化に非常に有効である。
６の流入をベントライン７からメインライン１３に切り
換えた際の圧力変動を抑えるためのダミーの反応管を別
に設ける必要も無く、マニホールドやダミーの反応管２
前後の配管系を別に設ける必要も無く、成長用反応管１
とダミーの反応管２とを結ぶ排気ラインも短くすること
ができて、装置を非常にコンパクト化することができて
装置の低コスト化に非常に有効である。
しかも、通常各原科ガスライン４ａ、５ａ、６ａ、メイ
ンライン１３およびベントライン７はデッドスペースと
呼ばれるガス溜まり部分を極力無くすため、各バルブ類
はできるだけ近づけて並べられるか集積されてブロック
化されている。このため、この実施例の反応管のように
メインライン１３とベントライン７からのガス導入口が
近い場合は、前記理由と相まって装置のコンパクト化の
上で非常に効果が大きい。
ンライン１３およびベントライン７はデッドスペースと
呼ばれるガス溜まり部分を極力無くすため、各バルブ類
はできるだけ近づけて並べられるか集積されてブロック
化されている。このため、この実施例の反応管のように
メインライン１３とベントライン７からのガス導入口が
近い場合は、前記理由と相まって装置のコンパクト化の
上で非常に効果が大きい。
さらに、従来ダミーの反応管が設置されていない有機金
属気相成長装置においても、この実施例の反応管を用い
てマニホールドに若干の改造を加えるだけで、各原料ガ
スの流入をベントラインからメインラインに切り換えた
際の圧力変動を極力抑えることができてその効果は非常
に大きい。
属気相成長装置においても、この実施例の反応管を用い
てマニホールドに若干の改造を加えるだけで、各原料ガ
スの流入をベントラインからメインラインに切り換えた
際の圧力変動を極力抑えることができてその効果は非常
に大きい。
なお、この実施例では横型反応管を有する有機金属気相
成長装置について説明したが、縦型反応管またはバレル
型反応管またはチムニ−型反応管を有する有機金属気相
成長装置についても同様の効果があることはもちろんで
ある。また、この実施例では水冷としたが空冷としても
良いことはもちろんである。
成長装置について説明したが、縦型反応管またはバレル
型反応管またはチムニ−型反応管を有する有機金属気相
成長装置についても同様の効果があることはもちろんで
ある。また、この実施例では水冷としたが空冷としても
良いことはもちろんである。
次に、この発明の第２の実施例について第２図を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第２ｒｇＪはこの発明の第２の実施例における有機金属
気相成長装置の反応管の断面構造図である。
気相成長装置の反応管の断面構造図である。
反応管はバレル型でダミーの反応管３３の外側に外管と
して成長用反応管３４が設けられ、さらに、成長用反応
管３４の外側に水冷用の外管３５が設けられた構造とな
っている。ダミーの反応管３３の成長用反応管３４側の
管壁に沿ってサセプタ３６が設けられ、試料３７は前記
サセプタ３６上に設置される。ダミーの反応管３３は成
長用反応管３４に固定されておらず、成長時に回転でき
るようになっている。なお、３８はメインライン、３９
はベントライン、４０は高周波コイル、４１はゲートバ
ルブ、４２は成長側ガス排気口、４３はダミー側ガス排
気口である。
して成長用反応管３４が設けられ、さらに、成長用反応
管３４の外側に水冷用の外管３５が設けられた構造とな
っている。ダミーの反応管３３の成長用反応管３４側の
管壁に沿ってサセプタ３６が設けられ、試料３７は前記
サセプタ３６上に設置される。ダミーの反応管３３は成
長用反応管３４に固定されておらず、成長時に回転でき
るようになっている。なお、３８はメインライン、３９
はベントライン、４０は高周波コイル、４１はゲートバ
ルブ、４２は成長側ガス排気口、４３はダミー側ガス排
気口である。
以上のようにこの実施例によれば、成長時にはダミーの
反応管３３内をバランスガスが流れて空冷されていて、
サセプタ３６の上下の管壁が冷却されるため第１の実施
例に比べて冷却効率が良（、反応生成物が管壁に付着す
るのを抑制することができる。このため、厚く付着した
反応生成物が剥がれ落ちて管内を舞ったり、試料３７の
上に付着することを防ぐために、反応管を交換する回数
が減り、成長のランニングコストを下げることができて
、装置のコンパクト化や低コスト化だけでなく、デバイ
ス作製時の低コスト化にも有効である。
反応管３３内をバランスガスが流れて空冷されていて、
サセプタ３６の上下の管壁が冷却されるため第１の実施
例に比べて冷却効率が良（、反応生成物が管壁に付着す
るのを抑制することができる。このため、厚く付着した
反応生成物が剥がれ落ちて管内を舞ったり、試料３７の
上に付着することを防ぐために、反応管を交換する回数
が減り、成長のランニングコストを下げることができて
、装置のコンパクト化や低コスト化だけでなく、デバイ
ス作製時の低コスト化にも有効である。
なお、この実施例ではバレル型反応管を有する有機金属
気相成長装置について説明したが、縦型反応管または横
型反応管またはチムニ−型反応管を有する有機金属気相
成長装置についても同様の効果があることはもちろんで
ある。また、この実施例では水冷としたが空冷としても
良いことはもちろんである。
気相成長装置について説明したが、縦型反応管または横
型反応管またはチムニ−型反応管を有する有機金属気相
成長装置についても同様の効果があることはもちろんで
ある。また、この実施例では水冷としたが空冷としても
良いことはもちろんである。
次に、この発明の第３の実施例について第３図を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第３図はこの発明の第３の実施例における有機金属気相
成長装置の反応管の断面構造図である。
成長装置の反応管の断面構造図である。
反応管は横型でガス流と平行に設けた仕切板５１によっ
て２室４４．４５に分けられた構造をしていて、外側に
は水冷用の外資４６が設けられている。２室４４、４５
内にはゲートバルブ４７を介してサセプタ４８゜４９が
設置されている。試料５０は室４４内のサセプタ４８上
に置かれていて、残りの室４５はダミーの反応管として
用いる。なお、５２はメインライン、５３はベントライ
ン、５４は高周波コイル、５５．５６はガス排気口であ
る。
て２室４４．４５に分けられた構造をしていて、外側に
は水冷用の外資４６が設けられている。２室４４、４５
内にはゲートバルブ４７を介してサセプタ４８゜４９が
設置されている。試料５０は室４４内のサセプタ４８上
に置かれていて、残りの室４５はダミーの反応管として
用いる。なお、５２はメインライン、５３はベントライ
ン、５４は高周波コイル、５５．５６はガス排気口であ
る。
以上のようにこの実施例によれば、２室４４．４５の断
面形状が線対称で同じであるためにガス流に対するイン
ピーダンスを等しくすることができるため成長用反応管
内とダミーの反応管内のガスの流れを完全にバランスさ
せることができて、成長開始時にガスを切り替えた際の
圧力変動を極力抑えることができる。さらに、成長用反
応管とダミーの反応管として室４４．４５のどちらの室
を使ってもよく、交互に使用可能であることからより一
層ランニングコストを下げることができて、装置のコン
パクト化や低コスト化と相まってその効果は大きい。
面形状が線対称で同じであるためにガス流に対するイン
ピーダンスを等しくすることができるため成長用反応管
内とダミーの反応管内のガスの流れを完全にバランスさ
せることができて、成長開始時にガスを切り替えた際の
圧力変動を極力抑えることができる。さらに、成長用反
応管とダミーの反応管として室４４．４５のどちらの室
を使ってもよく、交互に使用可能であることからより一
層ランニングコストを下げることができて、装置のコン
パクト化や低コスト化と相まってその効果は大きい。
また、この実施例では仕切板５１によって２室４４゜４
５にわけたが３室以上に分けても同様の効果があり、さ
らに偶数に分ければ２室を１ペアとしてそれぞれを独立
したラインとすることにより複数の異なる試料を同時に
成長させることができてその効果は大きい。
５にわけたが３室以上に分けても同様の効果があり、さ
らに偶数に分ければ２室を１ペアとしてそれぞれを独立
したラインとすることにより複数の異なる試料を同時に
成長させることができてその効果は大きい。
なお、この実施例では横型反応管としたが、縦型反応管
またはバレル型反応管またはチムニ−型反応管を有する
有機金属気相成長装置についても同様の効果があること
はもちろんである。また、仕切物はパイプ等であっても
良いことももちろんであり、この実施例では水冷とした
が空冷としても良いことはもちろんである。
またはバレル型反応管またはチムニ−型反応管を有する
有機金属気相成長装置についても同様の効果があること
はもちろんである。また、仕切物はパイプ等であっても
良いことももちろんであり、この実施例では水冷とした
が空冷としても良いことはもちろんである。
請求項（１）記載の有機金属気相成長装置は、装置設計
上の制約もなくコンパクトで低コストな有機金属気相成
長装置を提供することができる。
上の制約もなくコンパクトで低コストな有機金属気相成
長装置を提供することができる。
請求項（２）記載の有機金属気相成長装置は、装置設計
上の制約もなくコンパクトで低コストな有機金属気相成
長装置を提供することができるうえに、成長のランニン
グコストを下げることができる。
上の制約もなくコンパクトで低コストな有機金属気相成
長装置を提供することができるうえに、成長のランニン
グコストを下げることができる。
請求項（３）記載の有機金属気相成長装置は、装置設計
上の制約もなくコンパクトで低コストな有機金属気相成
長装置を提供することができるうえに、成長のランニン
グコストを請求項（２）記載の有機金属気相成長装置よ
りも一層下げることができるとともに、複数の異なる試
料を同時に成長することができる。
上の制約もなくコンパクトで低コストな有機金属気相成
長装置を提供することができるうえに、成長のランニン
グコストを請求項（２）記載の有機金属気相成長装置よ
りも一層下げることができるとともに、複数の異なる試
料を同時に成長することができる。
第１図はこの発明の第１の実施例における有機金属気相
成長装置の反応管の断面構造図およびその周辺部の配管
図、第２図はこの発明の第２の実施例における有機金属
気相成長装置の反応管の断面構造図、第３図はこの発明
の第３の実施例における有機金属気相成長装置の反応管
の断面構造図、第４図は従来の有機金属気相成長装置の
反応管およびダミーの反応管の断面構造図およびその周
辺部の配管図である。 １ 、３４． １０６・・・成長用反応管、２．３３．
１０３・・・ダミーの反応管、３．３５．４６・・・
水冷用の外管、４４゜４５・・・室、５１・・・仕切板 第 図 ９ 第 ３ 図 第 ／ ０４ 図 １０３グミ−の尺応層
成長装置の反応管の断面構造図およびその周辺部の配管
図、第２図はこの発明の第２の実施例における有機金属
気相成長装置の反応管の断面構造図、第３図はこの発明
の第３の実施例における有機金属気相成長装置の反応管
の断面構造図、第４図は従来の有機金属気相成長装置の
反応管およびダミーの反応管の断面構造図およびその周
辺部の配管図である。 １ 、３４． １０６・・・成長用反応管、２．３３．
１０３・・・ダミーの反応管、３．３５．４６・・・
水冷用の外管、４４゜４５・・・室、５１・・・仕切板 第 図 ９ 第 ３ 図 第 ／ ０４ 図 １０３グミ−の尺応層
Claims (3)
- （１）成長用反応管としての内管と、前記内管と圧力バ
ランスを取るための同体積のダミーの反応管としての外
管とを同軸上に設けた有機金属気相成長装置。 - （２）成長用反応管としての外管と、前記外管と圧力バ
ランスを取るための同体積のダミーの反応管としての内
管とを同軸上に設けた有機金属気相成長装置。 - （３）ガス流に平行に設けた一つまたは複数の仕切物で
仕切られた各室の断面形状を同じとすることにより前記
各室のガス流と冷却状態を同じにした有機金属気相成長
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020856A JPH03225817A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 有機金属気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020856A JPH03225817A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 有機金属気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225817A true JPH03225817A (ja) | 1991-10-04 |
Family
ID=12038753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020856A Pending JPH03225817A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 有機金属気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03225817A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5951820A (en) * | 1996-06-25 | 1999-09-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of purifying an organometallic compound |
| JP2006173346A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機金属気相成長装置及び半導体の製造方法 |
-
1990
- 1990-01-30 JP JP2020856A patent/JPH03225817A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5951820A (en) * | 1996-06-25 | 1999-09-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of purifying an organometallic compound |
| JP2006173346A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機金属気相成長装置及び半導体の製造方法 |
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