JPH03225844A - Wafer chuck - Google Patents
Wafer chuckInfo
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- JPH03225844A JPH03225844A JP2164290A JP2164290A JPH03225844A JP H03225844 A JPH03225844 A JP H03225844A JP 2164290 A JP2164290 A JP 2164290A JP 2164290 A JP2164290 A JP 2164290A JP H03225844 A JPH03225844 A JP H03225844A
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- chuck
- wafer
- semiconductor wafer
- conductive metal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハを載置固定し、その電気的特
性値を測定するためのウェハチャックの構造に関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to the structure of a wafer chuck for mounting and fixing a semiconductor wafer and measuring its electrical characteristic values.
Ｊ従来の技術〕
従来のウェハチャックの構造を第６図、第７図を用いて
説明する。第６図は従来のウェハチャックを示す全体斜
視図であり、第７図は第６図の■−■線における断面図
である０図において、１は絶縁物（材質はセラミックが
一般的）からなるチャックステージ、２は前記チャック
ステージ１のチャックトップ部であり、その表面全体に
は導電性金属のメッキ１０（−船釣には金メッキやカニ
ゼンメッキが多い）が形成されている。そして、このチ
ャックトップ部２には、半導体ウェハ８を載置した後こ
れを固定するための真空穴３と吸着溝４が設けられてい
る。また、前記チャックステージ１の側面には真空チュ
ーブ５が接続されていて、この真空チューブ５の接続部
からチャックステージ１の内部を通って前記真空穴３ま
でチューブ状に貫通されている。一方、チャックトップ
部２から電極をとるために、計測ケーブル６がケーブル
接続部７を通じて、前記チャックトップ部２のメッキｌ
Ｏに電気的に接続されている。J. Prior Art] The structure of a conventional wafer chuck will be explained with reference to FIGS. 6 and 7. Fig. 6 is an overall perspective view showing a conventional wafer chuck, and Fig. 7 is a sectional view taken along the line ■-■ in Fig. 6. The chuck stage 2 is the chuck top portion of the chuck stage 1, and the entire surface thereof is coated with conductive metal plating 10 (gold plating or Kanigen plating is often used for boat fishing). The chuck top portion 2 is provided with vacuum holes 3 and suction grooves 4 for fixing the semiconductor wafer 8 after it is placed thereon. Further, a vacuum tube 5 is connected to the side surface of the chuck stage 1, and a tube-shaped tube passes through the inside of the chuck stage 1 from the connecting portion of the vacuum tube 5 to the vacuum hole 3. On the other hand, in order to take the electrode from the chuck top part 2, the measurement cable 6 is connected through the cable connection part 7 to the plating l of the chuck top part 2.
electrically connected to O.
次に、第８図に基づいて前記ウェハチャックの使用され
る動作について説明する。第８図は実際に半導体ウェハ
８がウェハチャックのチャックトップ部２に載った状態
を示すものである。ここでは、ウェハチャックの径より
小さい径の半導体ウェハ８がウェハチャックのほぼ中央
に載り、真空チューブ５からの真空引きにより真空穴３
と吸着溝４を介して、半導体ウェハ８の裏面がウェハチ
ャックのチャックトップ部２の表面と密着する仕組にな
っている。Next, the operation of the wafer chuck will be explained based on FIG. 8. FIG. 8 shows a state in which a semiconductor wafer 8 is actually placed on the chuck top portion 2 of the wafer chuck. Here, a semiconductor wafer 8 having a diameter smaller than that of the wafer chuck is placed almost in the center of the wafer chuck, and vacuum is drawn from the vacuum tube 5 into the vacuum hole 3.
The back surface of the semiconductor wafer 8 is brought into close contact with the surface of the chuck top portion 2 of the wafer chuck via the suction grooves 4.
そして、実際の半導体ウェハ８の電気的特性を測定する
ためには、プローブニードル９を半導体ウェハ８の表面
にコンタクトさせ、ブローブニドルつと半導体ウェハ８
の裏面の間の電気的特性を測定する。この時、半導体ウ
ェハ８の裏面は、チャックトップ部２の導電性金属のメ
ッキ１ｏを通して計測ケーブル６に電気的に接続されて
おり、半導体ウェハ８の裏面より電極をとることかて′
きる。In order to measure the actual electrical characteristics of the semiconductor wafer 8, the probe needle 9 is brought into contact with the surface of the semiconductor wafer 8.
Measure the electrical characteristics between the back sides of the At this time, the back side of the semiconductor wafer 8 is electrically connected to the measurement cable 6 through the conductive metal plating 1o of the chuck top part 2, and it is possible to take an electrode from the back side of the semiconductor wafer 8.
Wear.
従来のウェハチャックは以上のように構成されており、
半導体ウェハ８の電気的特性の測定時には、半導体ウェ
ハ８の裏面はチャックトップ部２のメッキ１０の表面と
同電位となり、チャックトップ部２のメッキｌＯの表面
にノイズかのれば、そのノイズにより正確な測定ができ
なくなる。これは、チャックトップ部２のメッキ１ｏの
表面積が大きくてかつ半導体ウェハ８の径の方が小さく
、導電性金属メッキ１０の露出部が大きければ大きい程
前記のようなノイズはのりやすくなる。A conventional wafer chuck is configured as described above.
When measuring the electrical characteristics of the semiconductor wafer 8, the back surface of the semiconductor wafer 8 has the same potential as the surface of the plating 10 on the chuck top section 2, and if noise is applied to the surface of the plating 10 on the chuck top section 2, the noise will cause Accurate measurements will no longer be possible. This is because the surface area of the plating 1o on the chuck top portion 2 is large and the diameter of the semiconductor wafer 8 is smaller, and the larger the exposed portion of the conductive metal plating 10, the easier the above-mentioned noise will be.
この発明は上記の様な問題点を解消するなめになされた
もので、ウェハチャックの径よりも小さい半導体ウェハ
をのせても、半導体ウェハ裏面にノイズがのりづらく、
正確な測定が行えるウェハチャックを得ることを目的と
する。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and even when a semiconductor wafer smaller than the diameter of the wafer chuck is placed on it, it is difficult for noise to be deposited on the back side of the semiconductor wafer.
The purpose is to obtain a wafer chuck that can perform accurate measurements.
この発明に係るウェハチャックは、チャックトップ部の
表面に導電性金属を部分的にメッキ形成し、前記導電性
金属のメッキ部分は連続的・電気的に計測ケーブルに接
続されている。In the wafer chuck according to the present invention, the surface of the chuck top portion is partially plated with a conductive metal, and the plated portion of the conductive metal is continuously and electrically connected to a measurement cable.
この発明におけるウェハチャックは、チャックトップ部
の表面に導電性金属を部分的にメ・ツキ形成することに
より、露出した導電性金属メ・ツキ部分の面積を小さく
し、しかも半導体ウェハの裏面を電極としてとり出せる
様になっているため、ノイズの影響を受けることが少な
くなり、正確な電気的測定か行える。In the wafer chuck of the present invention, conductive metal is partially plated on the surface of the top of the chuck, thereby reducing the area of the exposed conductive metal plate and connecting the back surface of the semiconductor wafer to an electrode. Because it can be taken out as a signal, it is less affected by noise and can perform accurate electrical measurements.
以下、この発明の一実施例を第１図〜第３図を用いて説
明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 3.
第１図はこの実施例に係るウェハチャックを示す全体斜
視図であり１図において、１はチャックステージ、２は
チャックトップ部、３は真空穴、４は吸着溝、５は真空
チューブ、６は計測ケーブル、７はケーブル接続部であ
り、これらは第６図。FIG. 1 is an overall perspective view showing a wafer chuck according to this embodiment. In FIG. 1, 1 is a chuck stage, 2 is a chuck top, 3 is a vacuum hole, 4 is a suction groove, 5 is a vacuum tube, and 6 is a The measurement cable, 7 is a cable connection part, and these are shown in FIG.
第７図に示した従来のウェハチャックと同様の構成部品
である。この実施例において、半導体ウェハ裏面から電
極をとるための導電性金属メッキ１１は、従来のように
チャックトップ部２の表面全体でなく、十文字形状に一
定の幅をもって形成されている。These components are similar to those of the conventional wafer chuck shown in FIG. In this embodiment, the conductive metal plating 11 for taking electrodes from the back surface of the semiconductor wafer is not formed over the entire surface of the chuck top portion 2 as in the conventional case, but is formed in a cross shape with a constant width.
第２図は第１図の■−■線の断面図を示しており、この
断面では、チャックトップ部２の表面のほとんどは絶縁
物が露出した状態になっている。FIG. 2 shows a sectional view taken along the line ■--■ in FIG. 1, and in this cross section, most of the surface of the chuck top portion 2 is exposed to the insulator.
一方、第３図は第１図のＩＩＩ−Ｉ線の断面図を示し、
この断面では、チャックトップ部２の表面が帯状にメッ
キされていることがわかる。On the other hand, FIG. 3 shows a cross-sectional view taken along line III-I in FIG.
In this cross section, it can be seen that the surface of the chuck top portion 2 is plated in a band shape.
この実施例のウェハチャックの動作は、前記従来技術（
第７図参照）における説明とまったく同様であり、半導
体ウェハ８かチャックトップ部２に密着し、プローブニ
ードルと半導体ウェハ裏面より電気的測定がなされる。The operation of the wafer chuck of this embodiment is similar to that of the prior art (
7), the semiconductor wafer 8 is brought into close contact with the chuck top portion 2, and electrical measurements are made from the probe needle and the back surface of the semiconductor wafer.
即ち、この実施例においては、チャックトップ部２の表
面に、一定の幅を有した十文字形状の導電性金属メッキ
１１を形成したので、従来のようにチャックトップ部２
の表面全体に導電性金属メッキを形成したものと比べて
、導電性金属メッキの露出部が最小限に抑えられ、電気
的測定の際にノイズがのることが最小限に抑えられる。That is, in this embodiment, since the cross-shaped conductive metal plating 11 having a constant width is formed on the surface of the chuck top part 2, the chuck top part 2 is
Compared to a device in which conductive metal plating is formed on the entire surface of the device, the exposed portion of the conductive metal plating is minimized, and noise during electrical measurements is minimized.
なお、上記実施例では、チャックトップ部２の表面に、
十文字形状の導電性金属メッキ１１を施したものを示し
たが、少なくとも半導体ウェハの裏面より電極がとれる
ならば、第４図に示すように、一定の幅を持った円形状
の導電性金属メッキ１２を施してもよい、第５図は第４
図の■−■線の断面図であり、この場合もやはりチャッ
クトップ部２の表面はほとんどが絶縁物からなっている
。In the above embodiment, on the surface of the chuck top part 2,
Although the cross-shaped conductive metal plating 11 is shown, if the electrode can be removed from the back side of the semiconductor wafer, a circular conductive metal plating with a certain width can be used, as shown in FIG. 12 may be applied, Fig. 5 shows the 4th
It is a cross-sectional view taken along the line ■-■ in the figure, and in this case too, most of the surface of the chuck top portion 2 is made of an insulator.
以上のようにこの発明によれば、チャックトップ部の表
面に導電性金属を部分的にメッキ形成したので、導電性
金属メッキの露出部の面積が小さくなり、たとえ半導体
ウェハの径がウェハチャックの径より小さくても、この
メッキ部に対するノイズの影響が小さく、正確な電気的
測定が行えるという効果がある。As described above, according to the present invention, since the surface of the chuck top part is partially plated with conductive metal, the area of the exposed part of the conductive metal plating is reduced, even if the diameter of the semiconductor wafer is smaller than that of the wafer chuck. Even if it is smaller than the diameter, the effect of noise on this plated portion is small and accurate electrical measurements can be made.
第１図はこの発明の一実施例に係るウェハチャックを示
す全体斜視図、第２図は第１図の■−■線断面図、第３
図は第１図のト１線断面図、第４図はこの発明の他の実
施例に係るウェハチャックを示す全体斜視図、第５図は
第４図の■−■線断面図、第６図は従来のウェハチャッ
クを示す全体斜視図、第７図は第６図の■−■線断面図
、第８図はウェハチャックの使用例を表した概念図であ
る。
図中、１はチャックステージ、２はチャックトップ部、
３は真空穴、４は吸着溝、５は真空チューブ、６は計測
ケーブル、７はケーブル接続部、８は半導体ウェハ、９
はプローブニードル、１１゜１２は導電性金属メッキで
ある。
なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。FIG. 1 is an overall perspective view showing a wafer chuck according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along the line ■-■ in FIG.
1, FIG. 4 is an overall perspective view showing a wafer chuck according to another embodiment of the present invention, FIG. 5 is a sectional view taken along line ■-■ in FIG. 4, and FIG. The figure is an overall perspective view showing a conventional wafer chuck, FIG. 7 is a sectional view taken along the line ■--■ in FIG. 6, and FIG. 8 is a conceptual diagram showing an example of use of the wafer chuck. In the figure, 1 is the chuck stage, 2 is the chuck top part,
3 is a vacuum hole, 4 is a suction groove, 5 is a vacuum tube, 6 is a measurement cable, 7 is a cable connection part, 8 is a semiconductor wafer, 9
11 and 12 are conductive metal platings. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.
Claims (1)
ックトップ部を備え、前記半導体ウェハの裏面を電極と
して使用するためにチャックトップ部の表面に、導電性
金属のメッキが施され、この導電性金属メッキには計測
用ケーブルが接続されているウェハチャックにおいて、 前記導電性金属メッキを前記チャックトップ部表面に部
分的に施したことを特徴とするウェハチャック。[Scope of Claims] A chuck top portion is provided on which a semiconductor wafer is placed and fixed by suction, and the surface of the chuck top portion is plated with a conductive metal in order to use the back surface of the semiconductor wafer as an electrode. What is claimed is: 1. A wafer chuck in which a measurement cable is connected to the conductive metal plating, wherein the conductive metal plating is partially applied to the surface of the chuck top portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2164290A JPH03225844A (en) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | Wafer chuck |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2164290A JPH03225844A (en) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | Wafer chuck |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225844A true JPH03225844A (en) | 1991-10-04 |
Family
ID=12060716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2164290A Pending JPH03225844A (en) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | Wafer chuck |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03225844A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007036165A (en) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Creative Technology:Kk | Wafer inspection equipment mounting table |
-
1990
- 1990-01-30 JP JP2164290A patent/JPH03225844A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007036165A (en) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Creative Technology:Kk | Wafer inspection equipment mounting table |
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