JPH03225883A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH03225883A JPH03225883A JP2008590A JP2008590A JPH03225883A JP H03225883 A JPH03225883 A JP H03225883A JP 2008590 A JP2008590 A JP 2008590A JP 2008590 A JP2008590 A JP 2008590A JP H03225883 A JPH03225883 A JP H03225883A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductivity type
- striped
- epitaxial growth
- cladding layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序で本発明を説明する。
Ａ 産業上の利用分野
Ｂ 発明の概要
Ｃ従来の技術
Ｄ 発明が解決しようとする課題
Ｅ 課題を解決するための手段
Ｆ 作用
Ｇ 実施例
［Ｉ 発明の効果
Ａ 産業上の利用分野
本発明は、半導体レーザ特に例えばＡｉＧ ａ Ａ ｓ
系等の化合物半導体による埋込みへテロ接合型（ＢＨ型
）半導体レーザに係わる。
系等の化合物半導体による埋込みへテロ接合型（ＢＨ型
）半導体レーザに係わる。
Ｂ 発明の概要
本発明は、半導体レーザに係わり、第１導電型の化合物
半導体の１００結晶面による主面に０１１結晶軸方向に
延びるストライプ状のメサ突起が形成され、主面側に第
１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型の第１
のクラッド層と、第１導電型の中間層と、第２導電型の
中間層と、第１導電型の電流ブロック層と、第２導電型
の第２のクラッド層とが順次エピタキシャル成長され、
ストライプ状のメサ突起上に対して他と分断して第１導
電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型の第１のク
ラッド層とが積層されたストライプ状エピタキシャル成
長層が形成され、メサ突起の両側のメサ溝上にエピタキ
シャル成長された第１導電型のクラッド層と、活性層と
、第２導電型の第１のクラッド層と、第１導電型の中間
層と、第２導電型の中間層と、電流ブロック層とがメサ
突起及びストライプ状エピタキシャル成長層によってそ
の両側にそれぞれ分断して形成され、第２導電型の第２
のクラッド層はストライプ状エピタキシャル成長層上を
横切って全面的に形成され、ストライプ状エピタキシャ
ル成長層における活性層の両側端面が電流ブロック層の
端面内に衝合するようになされ、ストライプ状エピタキ
シャル成長層におけるストライプ状活性層が発光動作領
域とされて成り、しきい値電流Ｉいの低減化及び出力特
性の飽和の改善をはかる。
半導体の１００結晶面による主面に０１１結晶軸方向に
延びるストライプ状のメサ突起が形成され、主面側に第
１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型の第１
のクラッド層と、第１導電型の中間層と、第２導電型の
中間層と、第１導電型の電流ブロック層と、第２導電型
の第２のクラッド層とが順次エピタキシャル成長され、
ストライプ状のメサ突起上に対して他と分断して第１導
電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型の第１のク
ラッド層とが積層されたストライプ状エピタキシャル成
長層が形成され、メサ突起の両側のメサ溝上にエピタキ
シャル成長された第１導電型のクラッド層と、活性層と
、第２導電型の第１のクラッド層と、第１導電型の中間
層と、第２導電型の中間層と、電流ブロック層とがメサ
突起及びストライプ状エピタキシャル成長層によってそ
の両側にそれぞれ分断して形成され、第２導電型の第２
のクラッド層はストライプ状エピタキシャル成長層上を
横切って全面的に形成され、ストライプ状エピタキシャ
ル成長層における活性層の両側端面が電流ブロック層の
端面内に衝合するようになされ、ストライプ状エピタキ
シャル成長層におけるストライプ状活性層が発光動作領
域とされて成り、しきい値電流Ｉいの低減化及び出力特
性の飽和の改善をはかる。
Ｃ従来の技術
低いしきい値電流Ｉいを有する半導体レーザを作製する
には、活性層の横方向にすなわち活性層の面方向と直交
する両側に屈折率差を形成するＢＨ型構成をとり、しか
も電流狭窄を行うブロック手段を設けることが望まれる
。この種のＢＨ型半導体レーザでは、通常２回以上に互
いに独立したエピタキシャル成長すなわち第１回のエピ
タキシャル成長後にエツチング作業を施し、次に第２回
のエピタキシャル成長作業を行うという手順が一般にと
られる。ところが、この場合箱１と第２のエピタキシャ
ル成長作業間において、表面酸化等の問題が生し、これ
が信顛性の低下、特性の低下を来す。
には、活性層の横方向にすなわち活性層の面方向と直交
する両側に屈折率差を形成するＢＨ型構成をとり、しか
も電流狭窄を行うブロック手段を設けることが望まれる
。この種のＢＨ型半導体レーザでは、通常２回以上に互
いに独立したエピタキシャル成長すなわち第１回のエピ
タキシャル成長後にエツチング作業を施し、次に第２回
のエピタキシャル成長作業を行うという手順が一般にと
られる。ところが、この場合箱１と第２のエピタキシャ
ル成長作業間において、表面酸化等の問題が生し、これ
が信顛性の低下、特性の低下を来す。
このような信頼性の問題、さらに作業性の煩雑さを回避
する目的をもって本出願人は、先に例えば特開昭６１−
１８３９８７号において１回のエピタキシャル成長にお
いて全層を形成することができるようにしたＳ Ｄ Ｈ
（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｄｏｕｂｌｅ ）Ｉｅｔｅｒｏ
ＪｕｎｃＬｉｏｎ）型の半導体レーザを提案した。
する目的をもって本出願人は、先に例えば特開昭６１−
１８３９８７号において１回のエピタキシャル成長にお
いて全層を形成することができるようにしたＳ Ｄ Ｈ
（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｄｏｕｂｌｅ ）Ｉｅｔｅｒｏ
ＪｕｎｃＬｉｏｎ）型の半導体レーザを提案した。
Ｄ 発明が解決しようとする課題
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１導電型の化合物半導体の１００結晶面による主面の
０１１結晶軸方向に延びるストライブ状のメサ突起が形
成され、 上記化合物半導体の主面側に第１導電型のクラッド層と
、活性層と、第２導電型の第１のクラッド層と、第１導
電型の中間層と、第２導電型の中間層と、第１導電型の
電流ブロック層と、第２導電型の第２のクラッド層とが
順次エピタキシャル成長され、 上記ストライプ状のメサ突起上に対して他と分断して上
記第１導電型のクラッド層と、上記活性層と、上記第２
導電型の第１のクラッド層とが積層されたストライプ状
エピタキシャル成長層が形成され、上記メサ突起の両側
のメサ溝上にエピタキシャル成長された上記第１導電型
のクラッド層と、上記活性層と、上記第２導電型の第１
のクラッド層と、上記第１導電型の中間層と、上記第２
導電型の中間層と、上記電流ブロック層とが上記メサ突
起及びストライプ状エピタキシャル成長層によってその
両側にそれぞれ分断して形成され、上記第２導電型の第
２のクラッド層は上記ストライプ状エピタキシャル成長
層上を横切って全面的に形成され、 上記ストライプ状エピタキシャル成長層における活性層
の両側端面が上記電流ブロック層の端面内に衝合するよ
うになされ、 上記ストライプ状エピタキシャル成長層におけるストラ
イプ状活性層が発光動作領域とされた半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008590A JPH03225883A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008590A JPH03225883A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225883A true JPH03225883A (ja) | 1991-10-04 |
Family
ID=12017269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008590A Pending JPH03225883A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03225883A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002314200A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-25 | Sony Corp | 半導体レーザ素子及びその作製方法 |
-
1990
- 1990-01-30 JP JP2008590A patent/JPH03225883A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002314200A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-25 | Sony Corp | 半導体レーザ素子及びその作製方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3444610B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3183683B2 (ja) | 窓型半導体レーザ素子 | |
| KR19990006644A (ko) | 반도체 레이저 장치 | |
| JP3326283B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH09129969A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2002111136A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2007103581A (ja) | 埋込型半導体レーザ | |
| KR0158682B1 (ko) | 반도체 레이저 | |
| JP2804533B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP3049916B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH01140790A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0728093B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JP2000012953A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP4024319B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2945568B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH03225987A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS61145885A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2001094219A (ja) | 半導体発光デバイス | |
| JPH0728094B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH05110199A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS61244082A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0992925A (ja) | 歪多重量子井戸半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2003283053A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH04133381A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH03238887A (ja) | 半導体レーザ |