JPH03225974A - 超伝導素子の製造加工方法 - Google Patents
超伝導素子の製造加工方法Info
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- JPH03225974A JPH03225974A JP2019267A JP1926790A JPH03225974A JP H03225974 A JPH03225974 A JP H03225974A JP 2019267 A JP2019267 A JP 2019267A JP 1926790 A JP1926790 A JP 1926790A JP H03225974 A JPH03225974 A JP H03225974A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、超伝導薄膜の加工方法に関する。特に、高温
超伝導体薄膜の微細加工に有効な超伝導薄膜の加工方法
に関する。
超伝導体薄膜の微細加工に有効な超伝導薄膜の加工方法
に関する。
［従来の技術及び発明が解決しようとする問題点］従来
の超伝導体を用いた素子作成方法は、先ず、単結晶基板
上に超伝導薄膜を形成し、フォトリソ技術により、所定
の超伝導パターンを形成する。このパターンの上に、絶
縁体薄膜や半導体薄膜、金属薄膜を形成し、更に、フォ
トリソ技術（こより、電極を形成する方法であった。こ
の加工処理方法では、超伝導薄膜が加工処理に供される
回数が多く超伝導薄膜表面が加工時にフォトレジストや
現像液と反応して変質したり、表面に不純物が付着する
ことにより、超伝導特性の劣化が観察される場合が多か
った。
の超伝導体を用いた素子作成方法は、先ず、単結晶基板
上に超伝導薄膜を形成し、フォトリソ技術により、所定
の超伝導パターンを形成する。このパターンの上に、絶
縁体薄膜や半導体薄膜、金属薄膜を形成し、更に、フォ
トリソ技術（こより、電極を形成する方法であった。こ
の加工処理方法では、超伝導薄膜が加工処理に供される
回数が多く超伝導薄膜表面が加工時にフォトレジストや
現像液と反応して変質したり、表面に不純物が付着する
ことにより、超伝導特性の劣化が観察される場合が多か
った。
また、超伝導薄膜の」ニに形成された絶縁体薄膜上に電
極を形成する場合、電極接続時に薄膜を破壊することが
多かった。そこで、超伝導体を用いた素子を作成するに
際して、超伝導特性の劣化しない加工処理方法の開発又
は製造方法の簡略化が望まれていた。
極を形成する場合、電極接続時に薄膜を破壊することが
多かった。そこで、超伝導体を用いた素子を作成するに
際して、超伝導特性の劣化しない加工処理方法の開発又
は製造方法の簡略化が望まれていた。
本発明は、上記のような技術的課題を解決するために、
高温超伝導体を素子にする加工方法において、超伝導特
性の劣化を防止し、且つ、簡便な超伝導素子の製造加工
方法を提供することを目的にする。
高温超伝導体を素子にする加工方法において、超伝導特
性の劣化を防止し、且つ、簡便な超伝導素子の製造加工
方法を提供することを目的にする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、上記の技術的な課題の解決のために、単結晶
基板上に、第１工程として、素子用電極の金属パターン
を形成し、第２工程として、超伝導体の構成する成分と
反応して絶縁体又は半導体に形成１−る成分を、第１王
程で設けた電極金属を利用する所定パターンに堆積し、
ここで、堆積されたパターンは、半導体又は絶縁体であ
り、堆積きれていない領域のみが、超伝導領域になり、
次に、第３工程として、第２工程までで作成したパター
ン上に直接に超伝導薄膜を形成し、更に、第４工程とし
て、第３工程までで得られた薄膜の上に絶縁体又は半導
体並びに超伝導体の薄膜を所定に応じて、堆積し、第５
工程として、形成された電極パターン上部に形成された
薄膜をエツチングにより、取り除き、電極接続部を形成
することを特徴とする超伝導薄膜の加工方法を提供する
。
基板上に、第１工程として、素子用電極の金属パターン
を形成し、第２工程として、超伝導体の構成する成分と
反応して絶縁体又は半導体に形成１−る成分を、第１王
程で設けた電極金属を利用する所定パターンに堆積し、
ここで、堆積されたパターンは、半導体又は絶縁体であ
り、堆積きれていない領域のみが、超伝導領域になり、
次に、第３工程として、第２工程までで作成したパター
ン上に直接に超伝導薄膜を形成し、更に、第４工程とし
て、第３工程までで得られた薄膜の上に絶縁体又は半導
体並びに超伝導体の薄膜を所定に応じて、堆積し、第５
工程として、形成された電極パターン上部に形成された
薄膜をエツチングにより、取り除き、電極接続部を形成
することを特徴とする超伝導薄膜の加工方法を提供する
。
また、その第に［程で形成される電極パターンは、超伝
導体と反応しないか或いは反応の少ない金属材料（或い
は貴金属材料）で、超伝導薄膜を堆積する条件下で、電
極が腐食又は溶融、蒸発しない成分であり、更に、前記
基板との付着力を高めるため、元来付着力の強い材料（
例えば、Ｃｒ）を堆積した後に、その上に、所望により
、ｗｊ記の材料を堆積し、更に、前記電極の金属材料に
は、酸化物又は他の導電性の化合物を用いることが好適
である。そして、その第２工程においては、多層膜を堆
積し、熱処理することにより、超伝導体薄膜パターンを
形成することが好適である。また、その第４工程におい
ては、該超伝導薄膜の上に、耐環境性にすぐれる薄膜を
形成し、超伝導薄膜を加工するときの保護膜として利用
することが好適である。そして、その第４工程で得られ
た該薄膜上に絶縁体、半導体又は超伝導体の層を多層に
積層することができる。
導体と反応しないか或いは反応の少ない金属材料（或い
は貴金属材料）で、超伝導薄膜を堆積する条件下で、電
極が腐食又は溶融、蒸発しない成分であり、更に、前記
基板との付着力を高めるため、元来付着力の強い材料（
例えば、Ｃｒ）を堆積した後に、その上に、所望により
、ｗｊ記の材料を堆積し、更に、前記電極の金属材料に
は、酸化物又は他の導電性の化合物を用いることが好適
である。そして、その第２工程においては、多層膜を堆
積し、熱処理することにより、超伝導体薄膜パターンを
形成することが好適である。また、その第４工程におい
ては、該超伝導薄膜の上に、耐環境性にすぐれる薄膜を
形成し、超伝導薄膜を加工するときの保護膜として利用
することが好適である。そして、その第４工程で得られ
た該薄膜上に絶縁体、半導体又は超伝導体の層を多層に
積層することができる。
従来の超伝導素子の作成方法としては、先ず、超伝導薄
膜を作製した後、加工及び電極を作成している。
膜を作製した後、加工及び電極を作成している。
これに対して、本発明の加に方法では、単結晶基板上に
電極用の金属パターン及び絶縁体パターン又は半導体パ
ターンとなる領域をあらかしめパターニングした後に、
超伝導薄膜を形成する方法である。
電極用の金属パターン及び絶縁体パターン又は半導体パ
ターンとなる領域をあらかしめパターニングした後に、
超伝導薄膜を形成する方法である。
従って、超伝導薄膜の形成後の処理数を著しく減じるこ
とが可能になり、素子を作成するに際して、加工処理が
原因となる超伝導薄膜特性の劣化を抑えることが可能に
なった。
とが可能になり、素子を作成するに際して、加工処理が
原因となる超伝導薄膜特性の劣化を抑えることが可能に
なった。
また、従来は、超伝導薄膜の上に電極を形成しており、
電極を接続する際に、薄膜を破壊することが多かったが
、本発明の加工処理方法では、電極は薄膜の下にあり、
基板に直接接合しており、電極を接続する際に、超伝導
薄膜を痛めることがなくなった。
電極を接続する際に、薄膜を破壊することが多かったが
、本発明の加工処理方法では、電極は薄膜の下にあり、
基板に直接接合しており、電極を接続する際に、超伝導
薄膜を痛めることがなくなった。
本発明による超伝導体の微細加−Ｌ方法の説明のために
、ＹＢａｔＣｕｓＯｘを例にとると、一般に、単結晶基
板例えばＭｇＯ単結晶基板上に、第１工程として、素子
用電極の金属パターン例えばゲート電極を形成し、第２
工程として、超伝導体の構成する成分と反応して絶縁体
又は半導体に形成する成分を、第１工程で設けた電極金
属を利用する所定パターンに堆積し、ここで、堆積され
たパターンは、半導体又は絶縁体であり、堆積諮れてい
ない領域のみが、超伝導領域になり、次に、第３工程と
して、第２工程までで作成したパターン上に直接に超伝
導薄膜を形成し、更に、第４工程として、第３王程まで
で得られた薄膜の上に絶縁体又は半導体並びに超伝導体
の薄膜を所定に応して、堆積し、第５工程として、形成
された電極パターン」二部に形成された薄膜をエツチン
グにより、取り除き、電極接続部を取り出すものである
。
、ＹＢａｔＣｕｓＯｘを例にとると、一般に、単結晶基
板例えばＭｇＯ単結晶基板上に、第１工程として、素子
用電極の金属パターン例えばゲート電極を形成し、第２
工程として、超伝導体の構成する成分と反応して絶縁体
又は半導体に形成する成分を、第１工程で設けた電極金
属を利用する所定パターンに堆積し、ここで、堆積され
たパターンは、半導体又は絶縁体であり、堆積諮れてい
ない領域のみが、超伝導領域になり、次に、第３工程と
して、第２工程までで作成したパターン上に直接に超伝
導薄膜を形成し、更に、第４工程として、第３王程まで
で得られた薄膜の上に絶縁体又は半導体並びに超伝導体
の薄膜を所定に応して、堆積し、第５工程として、形成
された電極パターン」二部に形成された薄膜をエツチン
グにより、取り除き、電極接続部を取り出すものである
。
第１工程で堆積される電極パターンは、超伝導体と反応
しないか或いは反応の少ない金属材料（或いは貴金属材
料）で、超伝導薄膜上に堆積する条件で、電極が腐食又
は溶融、蒸発しない成分であり、更に、前記基板との付
着力を高めるため、元来付着力の強い材料、例えばＣｒ
を堆積し、その上に、所望の電極材料を堆積することが
、好適である。
しないか或いは反応の少ない金属材料（或いは貴金属材
料）で、超伝導薄膜上に堆積する条件で、電極が腐食又
は溶融、蒸発しない成分であり、更に、前記基板との付
着力を高めるため、元来付着力の強い材料、例えばＣｒ
を堆積し、その上に、所望の電極材料を堆積することが
、好適である。
更に、この電極材料としては、酸化物又は他の導電性の
化合物を用いることができる。
化合物を用いることができる。
更に、第２二［程において、超伝導体多層膜を堆積し、
熱処理する。このとき、ｍｆ記のパターン化された箇所
では、超伝導体が反応し、絶縁体パタンを形成し、それ
に対しで、残りの部分が、超伝導体パターンを構成し、
超伝導体薄膜パターンを形成することができる。
熱処理する。このとき、ｍｆ記のパターン化された箇所
では、超伝導体が反応し、絶縁体パタンを形成し、それ
に対しで、残りの部分が、超伝導体パターンを構成し、
超伝導体薄膜パターンを形成することができる。
更に、その超伝導体薄膜の上に、耐環境性にすぐれた薄
膜、例えば、ＭｇＯ薄膜を形成し、超伝導薄膜パターン
による装置を加工するときの保護膜として、利用するこ
とができる。即ち、ゲート電極のための絶縁体膜を形成
することができる。
膜、例えば、ＭｇＯ薄膜を形成し、超伝導薄膜パターン
による装置を加工するときの保護膜として、利用するこ
とができる。即ち、ゲート電極のための絶縁体膜を形成
することができる。
この絶縁体膜の上に、絶縁体、半導体又は超伝導体の薄
膜の層を多層に積層し、超伝導膜による装置を多層に、
或いは立体的に構成することができる。
膜の層を多層に積層し、超伝導膜による装置を多層に、
或いは立体的に構成することができる。
本発明による超伝導薄膜の加工方法により、再現性良く
、超伝導特性のすぐれた酸化物超伝導複合体の作製が可
能となった。
、超伝導特性のすぐれた酸化物超伝導複合体の作製が可
能となった。
更に、本発明の超伝導薄膜加工方法は、例えば、光検出
素子、トランジスタ等の酸化物超伝導素子の作製に賽易
に有用である。
素子、トランジスタ等の酸化物超伝導素子の作製に賽易
に有用である。
次に、本発明による超伝導薄膜の加工方法を、ＹＢａ、
Ｃｕ、Ｏ，（ＹＢＣＯ）膜を例示として、具体的に実施
例により説明するが、本発明はそれらによって限定され
るものではない。
Ｃｕ、Ｏ，（ＹＢＣＯ）膜を例示として、具体的に実施
例により説明するが、本発明はそれらによって限定され
るものではない。
［実施例］
超伝導薄膜としてＹＢａｔＣｕｓＯｘを用いて、絶縁体
層としてＭｇＯ薄膜を用いたＦＥＴ装置を作製した。そ
の作製手順を第１図に示し、その完成したＦＥＴ装置の
構造を第２図に示す。
層としてＭｇＯ薄膜を用いたＦＥＴ装置を作製した。そ
の作製手順を第１図に示し、その完成したＦＥＴ装置の
構造を第２図に示す。
基板として、（１００）ＭｇＯ単結晶基板１を用い、そ
の上フォトレジスト層２として、レジスト（ＡＺ−１３
５０Ｊ：ヘキストジャパン製）を塗布し、レジスト層を
形成し、それに対して、マスクを用いて、露光し、更に
現像した後に、Ｃｒを蒸着し、Ｃｒ薄膜３を形成し、引
き続いて、Ａｕを蒸着し、Ａｕ薄膜４を形成し、Ａ ｕ
／ Ｃｒの積層膜４／３を形成する。即ち、Ｓ−Ｄ埋
込み電極（Ａ ｕ ／ Ｃｒ ）を第１図Ａに示すよう
に、形成した。次に、リフトオフし、形成した前記の電
極金属パターン４／３のみを第１図Ａに示すように、残
した。次に、その上に、フォトリソ法を用いて、ＳｉＯ
薄膜パターン１２を第１図Ｂに示すように、形成した。
の上フォトレジスト層２として、レジスト（ＡＺ−１３
５０Ｊ：ヘキストジャパン製）を塗布し、レジスト層を
形成し、それに対して、マスクを用いて、露光し、更に
現像した後に、Ｃｒを蒸着し、Ｃｒ薄膜３を形成し、引
き続いて、Ａｕを蒸着し、Ａｕ薄膜４を形成し、Ａ ｕ
／ Ｃｒの積層膜４／３を形成する。即ち、Ｓ−Ｄ埋
込み電極（Ａ ｕ ／ Ｃｒ ）を第１図Ａに示すよう
に、形成した。次に、リフトオフし、形成した前記の電
極金属パターン４／３のみを第１図Ａに示すように、残
した。次に、その上に、フォトリソ法を用いて、ＳｉＯ
薄膜パターン１２を第１図Ｂに示すように、形成した。
次に、そのＡ ｕ ／ Ｃｒ積層膜４／３及びＳｉ０薄
膜１２の形成された基板上に、マグネトロンスパッター
装置を用いて、ＹＢａｚＣｕｓＯｘ層５を２０００人厚
となるように、スパッタリングし、超伝導膜を形成した
。これにより、第１図Ｃに示すように、各層が形成され
た。このときに、ＭｇＯ基板表面が露出した領域は、超
伝導体ＹＢａ＊Ｃｕ５Ｏｘのエピタキシャル成長薄膜５
となっていた。
膜１２の形成された基板上に、マグネトロンスパッター
装置を用いて、ＹＢａｚＣｕｓＯｘ層５を２０００人厚
となるように、スパッタリングし、超伝導膜を形成した
。これにより、第１図Ｃに示すように、各層が形成され
た。このときに、ＭｇＯ基板表面が露出した領域は、超
伝導体ＹＢａ＊Ｃｕ５Ｏｘのエピタキシャル成長薄膜５
となっていた。
また、電極３／４上部も超伝導薄膜５となっているが、
ＳｉＯ薄膜１２の上面は、ＳｉＯとＹＢａ＊Ｃｕ５Ｏｘ
との反応生成物により、半導体又は絶縁体になっている
。
ＳｉＯ薄膜１２の上面は、ＳｉＯとＹＢａ＊Ｃｕ５Ｏｘ
との反応生成物により、半導体又は絶縁体になっている
。
更に、以上のように形成した薄膜をスパッタ装置を開け
ることなく、ＭｇＯ薄膜６をその上に、５００人厚に形
成した。次に、フォトリソ技術により、フォトレジスト
層７を形成し、パター一ングし、Ａｌ薄膜を蒸着し、第
１図Ｅに示すように、ゲート電極８を形成した。
ることなく、ＭｇＯ薄膜６をその上に、５００人厚に形
成した。次に、フォトリソ技術により、フォトレジスト
層７を形成し、パター一ングし、Ａｌ薄膜を蒸着し、第
１図Ｅに示すように、ゲート電極８を形成した。
最後に、第１工程で形成したソース、ドレイン用電極膜
３／４の上に、形成されたＹＢａ＊Ｃｕ５Ｏｘ薄膜及び
ＭｇＯ４膜をフォトリソ技術により、パタ１ ニングした後に、１０％リン酸溶液でエツゾングして取
り除き、第１図Ｆに示すような断面を得た。更に、フォ
トレジスト層９を取り除いて、第１図Ｇに示すような断
面を得た。各電極から引き出し線で図示のようにボンデ
ィングし、装置を完成した。
３／４の上に、形成されたＹＢａ＊Ｃｕ５Ｏｘ薄膜及び
ＭｇＯ４膜をフォトリソ技術により、パタ１ ニングした後に、１０％リン酸溶液でエツゾングして取
り除き、第１図Ｆに示すような断面を得た。更に、フォ
トレジスト層９を取り除いて、第１図Ｇに示すような断
面を得た。各電極から引き出し線で図示のようにボンデ
ィングし、装置を完成した。
完成したＦＥＴ装置は、第２図Ａ、Ｂの断面図及び平面
図に示すものである。尚、Ｓはソース電極、Ｄはドレイ
ン電極、Ｇはゲート電極を示す。
図に示すものである。尚、Ｓはソース電極、Ｄはドレイ
ン電極、Ｇはゲート電極を示す。
各々の電極を接続して、その特性を測定した。
ここで、ＭｇＯ基板上に形成したＹＢａ＋Ｃｕ５Ｏｘ薄
膜のＸ線回折図を第３図に示し、Ｃｒ ／ Ａ ｕ積層
電極パターンの上に形成きれた超伝導体ＹＢａｔＣｕ＋
ＯｘのＸ線回折図を第４図に示す。各々のＣ軸配向した
超伝導薄膜であることが明らかにされた。
膜のＸ線回折図を第３図に示し、Ｃｒ ／ Ａ ｕ積層
電極パターンの上に形成きれた超伝導体ＹＢａｔＣｕ＋
ＯｘのＸ線回折図を第４図に示す。各々のＣ軸配向した
超伝導薄膜であることが明らかにされた。
また、ＭｇＯ基板上に形成された超伝導体ＹＢａ＋Ｃｕ
ｘＯｘ薄膜の抵抗−温度特性を測定した結果を第５図に
示す。
ｘＯｘ薄膜の抵抗−温度特性を測定した結果を第５図に
示す。
これに対して、全加工処理を終ｒし℃作成した試料装置
について、ソース−ドレイン間の抵抗２ 温度特性を測定した結果を第６図に示した。この２つの
結果に差は見られず、加工処理による超伝導特性の劣化
は見られないことが分かった。
について、ソース−ドレイン間の抵抗２ 温度特性を測定した結果を第６図に示した。この２つの
結果に差は見られず、加工処理による超伝導特性の劣化
は見られないことが分かった。
［発明の効果］
本発明による超伝導薄膜の加工処理方法により、次のよ
うな顕著な技術的効果が得られた。
うな顕著な技術的効果が得られた。
第１に、従来の高温超伝導薄膜の加工方法に比べ、超伝
導薄膜形成後の加工処理工程を極端に少なくすることが
可能である加工方法を提供できる。
導薄膜形成後の加工処理工程を極端に少なくすることが
可能である加工方法を提供できる。
第２に、更に、本発明による加工方法では、超伝導体薄
膜を加工した後にも、その超伝導特性の劣化を防市でき
る超伝導薄膜の加重［方法を提供した。
膜を加工した後にも、その超伝導特性の劣化を防市でき
る超伝導薄膜の加重［方法を提供した。
第３に、電極が直接に基板上に接合されであるために、
超伝導薄膜の上に積層きれた絶縁体薄膜上に形成された
電極とコンタクトをとるときに見られる、絶縁体薄膜の
破壊を生じる危険がなくなる。
超伝導薄膜の上に積層きれた絶縁体薄膜上に形成された
電極とコンタクトをとるときに見られる、絶縁体薄膜の
破壊を生じる危険がなくなる。
第４に、更に、本発明の超伝導薄膜の加工方法により、
寸法的な精密き、緻密さを要求される超伝導素子の作製
方法として応用できる技術を提供する。
寸法的な精密き、緻密さを要求される超伝導素子の作製
方法として応用できる技術を提供する。
第１図は、本発明による超伝導素子の作成方法を説明す
る工程順による断面図である。 第２図Ａ、Ｂは、本発明により超伝導薄膜を素子化、作
成きれたＦＥＴ装置を示す断面図及び平面図である。 第３図は、本発明によるＭｇＯ薄膜の−１−に堆積した
超伝導薄膜ＹＢａｔＣｕｎＯｘのＸ線回折図である。 第４図は、本発明による電極パターンの上に堆積した超
伝導薄膜Ｙ Ｂ ａ ＠ Ｃｕ ｓ ＯｘのＸ線回折図
である。 第５図は、ＭｇＯ基板の上に堆積した超伝導薄膜ＹＢａ
、Ｃｕ、Ｏアの抵抗−温度特性を示すグラフである。 第６図は、本発明による超伝導薄膜の加工処理方法によ
り作製した装置において、ソース−ドレイン間の抵抗−
温度特性を示すグラフである。 （ く 口 θ … し。 （） 第３ 図 Ｘ手卑回Ｊ牟Ｒクーン（Ｍ９０蔓ｊ８上１０積イ眞し爾
幻暫ｔγＢＣθＮｌ）第４ 図 第５図 柩抗／ｌ温膚依存狂 ２却 １２．６に ぶ ｖ ２ｍ 〃Ｏ 第 図 自吸４ａ Ａ４＊ＪｍＮ＋（！ｋ ／＋ｔ−１−ｒｌ
−Ｊ ＼）ｌＬ’４ ）ス浪曝回揃−ノＶ７−ン（隻手
）押上ぽに培ｊ資し尺γＢＣθに１うπ 荀 ６θ π 勿 ０ ご７．６に ５０ πＯ スで ３θθ
る工程順による断面図である。 第２図Ａ、Ｂは、本発明により超伝導薄膜を素子化、作
成きれたＦＥＴ装置を示す断面図及び平面図である。 第３図は、本発明によるＭｇＯ薄膜の−１−に堆積した
超伝導薄膜ＹＢａｔＣｕｎＯｘのＸ線回折図である。 第４図は、本発明による電極パターンの上に堆積した超
伝導薄膜Ｙ Ｂ ａ ＠ Ｃｕ ｓ ＯｘのＸ線回折図
である。 第５図は、ＭｇＯ基板の上に堆積した超伝導薄膜ＹＢａ
、Ｃｕ、Ｏアの抵抗−温度特性を示すグラフである。 第６図は、本発明による超伝導薄膜の加工処理方法によ
り作製した装置において、ソース−ドレイン間の抵抗−
温度特性を示すグラフである。 （ く 口 θ … し。 （） 第３ 図 Ｘ手卑回Ｊ牟Ｒクーン（Ｍ９０蔓ｊ８上１０積イ眞し爾
幻暫ｔγＢＣθＮｌ）第４ 図 第５図 柩抗／ｌ温膚依存狂 ２却 １２．６に ぶ ｖ ２ｍ 〃Ｏ 第 図 自吸４ａ Ａ４＊ＪｍＮ＋（！ｋ ／＋ｔ−１−ｒｌ
−Ｊ ＼）ｌＬ’４ ）ス浪曝回揃−ノＶ７−ン（隻手
）押上ぽに培ｊ資し尺γＢＣθに１うπ 荀 ６θ π 勿 ０ ご７．６に ５０ πＯ スで ３θθ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、単結晶基板上に、第１工程として、素子用電極の金
属パターンを形成し、第２工程として、超伝導体の構成
する成分と反応して絶縁体又は半導体に形成する成分を
、第１工程で設けた電極金属を利用する所定パターンに
堆積し、ここで、堆積されたパターンは、半導体又は絶
縁体であり、堆積されていない領域のみが、超伝導領域
になり、次に、第３工程として、第２工程までで作成し
たパターン上に直接に超伝導薄膜を形成し、更に、第４
工程として、第３工程までで得られた薄膜の上に絶縁体
又は半導体並びに超伝導体の薄膜を所定に応じて、堆積
し、第５工程として、形成された電極パターン上部に形
成された薄膜をエッチングにより、取り除き、電極接続
部を取り出すことを特徴とする超伝導薄膜の加工方法。 ２、前記第１工程で形成される電極パターンは、超伝導
体と反応しないか或いは反応の少ない金属材料（或いは
貴金属材料）で、超伝導薄膜を堆積する条件下で、電極
が腐食又は溶融、蒸発しない成分であり、更に、前記基
板との付着力を高めるため、元来付着力の強い材料（例
えば、Ｃｒ）を堆積した後に、その上に、所望により、
前記の材料を堆積し、更に、前記電極材料には、酸化物
又は他の導電性の化合物を用いることができることを特
徴とする請求項１に記載の超伝導薄膜の加工方法。 ３、前記の第２工程において、多層膜を堆積し、熱処理
することにより、超伝導体薄膜パターンを形成すること
を特徴とする請求項１に記載の超伝導薄膜の加工処理方
法。 ４、前記の第４工程において、該超伝導薄膜の上に、耐
環境性にすぐれる薄膜を形成し、超伝導薄膜を加工する
ときの保護膜として利用することを特徴とする請求項１
に記載の超伝導薄膜の加工処理方法。 ５、前記第４工程で得られた該薄膜上に絶縁体、半導体
又は超伝導体の層を多層に積層することを特徴とする請
求項１に記載の超伝導薄膜の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019267A JP2566028B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 超伝導素子の製造加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019267A JP2566028B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 超伝導素子の製造加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225974A true JPH03225974A (ja) | 1991-10-04 |
| JP2566028B2 JP2566028B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=11994668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019267A Expired - Lifetime JP2566028B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 超伝導素子の製造加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2566028B2 (ja) |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2019267A patent/JP2566028B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2566028B2 (ja) | 1996-12-25 |
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