JPH0322686B2 - - Google Patents
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- JPH0322686B2 JPH0322686B2 JP9028682A JP9028682A JPH0322686B2 JP H0322686 B2 JPH0322686 B2 JP H0322686B2 JP 9028682 A JP9028682 A JP 9028682A JP 9028682 A JP9028682 A JP 9028682A JP H0322686 B2 JPH0322686 B2 JP H0322686B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマスクの製造方法に係り、とりわけＸ
線露光用マスクの製造方法に関する。
線露光用マスクの製造方法に関する。
従来、Ｘ線露光用マスクの製造方法としては、
第１図に示すごとく、(a)シリコン・ウエーハ１の
表面から、(b)ボロン拡散を2μｍ程度行ない、ボ
ロン拡散層２を形成する。次で(c)金パターン層３
を通常のホトリソグラフイー法によりパターン状
レジストを形成後、シリコン・ウエーハを陰極に
したメツキ法で、レジスト溝部に形成する。
第１図に示すごとく、(a)シリコン・ウエーハ１の
表面から、(b)ボロン拡散を2μｍ程度行ない、ボ
ロン拡散層２を形成する。次で(c)金パターン層３
を通常のホトリソグラフイー法によりパターン状
レジストを形成後、シリコン・ウエーハを陰極に
したメツキ法で、レジスト溝部に形成する。
次で、(d)シリコン・ウエーハの裏面の周辺にレ
ジスト膜を塗布してKOH水溶液でエツチングす
ると、ボロン拡散層でエツチングが止まり、2μ
ｍ厚のシリコンメンブラン膜４上に金パターン層
が形成され、シリコン枠５が形成されたＸ線露光
用マスクが製造される。裏面レジスト膜はシリコ
ン・ウエーハの裏面エツチング後除去される。
ジスト膜を塗布してKOH水溶液でエツチングす
ると、ボロン拡散層でエツチングが止まり、2μ
ｍ厚のシリコンメンブラン膜４上に金パターン層
が形成され、シリコン枠５が形成されたＸ線露光
用マスクが製造される。裏面レジスト膜はシリコ
ン・ウエーハの裏面エツチング後除去される。
しかし、上記従来技術等によるＸ線露光用マス
クは、一般にメンブラン自体の熱膨張率が大き
く、例えばシリコン・メンブラン・マスクの場
合、100mmφのマスクで、１℃の温度変化で、パ
ターンがマスク端で0.5μｍずれることとなる欠点
がある。
クは、一般にメンブラン自体の熱膨張率が大き
く、例えばシリコン・メンブラン・マスクの場
合、100mmφのマスクで、１℃の温度変化で、パ
ターンがマスク端で0.5μｍずれることとなる欠点
がある。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくしパター
ンずれの小さなＸ線露光用マスクの製造方法を提
供することを目的とする。
ンずれの小さなＸ線露光用マスクの製造方法を提
供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構
成は、マスクの製造法において、合成樹脂膜表面
には金あるいはMo等のＸ線阻止能を有する材料
を主体としたパターン状膜が形成され、該パター
ン状膜を有する合成樹脂膜表面に石英材からなる
枠状石英をのせ、前記パターン状膜を有する合成
樹脂表面と、該枠状石英の表面からスパツタ蒸着
法、化学蒸着法あるいはSi（OH）4等の液体塗布に
よるSiO2膜形成等を行ない、極めて薄いSiO2膜
を形成し、少なくとも前記パターン状膜と、前記
石英枠とを固着することにより、メンブラン状マ
スクとなす事を特徴とする。
成は、マスクの製造法において、合成樹脂膜表面
には金あるいはMo等のＸ線阻止能を有する材料
を主体としたパターン状膜が形成され、該パター
ン状膜を有する合成樹脂膜表面に石英材からなる
枠状石英をのせ、前記パターン状膜を有する合成
樹脂表面と、該枠状石英の表面からスパツタ蒸着
法、化学蒸着法あるいはSi（OH）4等の液体塗布に
よるSiO2膜形成等を行ない、極めて薄いSiO2膜
を形成し、少なくとも前記パターン状膜と、前記
石英枠とを固着することにより、メンブラン状マ
スクとなす事を特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
第２図は本発明によるＸ線露光用マスクの製造
方法の一実施例を示す工程毎の断面図である。
方法の一実施例を示す工程毎の断面図である。
まず(a)5μｍ厚のポリイミド膜１１上に、(b)200
〓白金層を金面スパツタ蒸着し、通常のホトリゾ
グラフイー技術によりパターン状レジストを形成
し、パターン溝に前記白金膜を陰極として0.5μｍ
厚の金メツキ層１３をパターン状に形成後、レジ
スト除去し、スパツタ・エツチングにより、白金
膜を金パターン層３をマスクとして行ない、金パ
ターン層１３の下に白金層１２を残存させる。次
に、(c)リング状の石英枠１４（厚さ１mm）を前記
パターン状金属層が形成されたポリイミド膜表面
にのせる。この場合、ポリイミド膜の裏表面に石
英枠１４をのせて、以後の工程の処理を行なつて
もよい。次で、(d)スパツタ蒸着法あるいは化学蒸
着（CUD）法あるいはSi（OH）液の塗布法等に
より、前記石英枠をのせた、金パターン膜付きの
ポリイミド膜等の表面から、SiO2膜１５を2μｍ
厚で形成する。Si（OH）4涎の塗布法では、石英枠
内に液体を塗布するため、少なくとも、石英枠と
ポリイミド膜の接する部分迄は該液体が塗布さ
れ、以後のベーキング（約300℃）等の処理によ
りSiO2膜が形成される。この段階で一応Ｘ線露
光用メングラン・マスクは形成される訳である
が、本例では、(e)工程として、ポリイミド膜をビ
ドラジン等により除去してSiO2メングラン・マ
スクとした。
〓白金層を金面スパツタ蒸着し、通常のホトリゾ
グラフイー技術によりパターン状レジストを形成
し、パターン溝に前記白金膜を陰極として0.5μｍ
厚の金メツキ層１３をパターン状に形成後、レジ
スト除去し、スパツタ・エツチングにより、白金
膜を金パターン層３をマスクとして行ない、金パ
ターン層１３の下に白金層１２を残存させる。次
に、(c)リング状の石英枠１４（厚さ１mm）を前記
パターン状金属層が形成されたポリイミド膜表面
にのせる。この場合、ポリイミド膜の裏表面に石
英枠１４をのせて、以後の工程の処理を行なつて
もよい。次で、(d)スパツタ蒸着法あるいは化学蒸
着（CUD）法あるいはSi（OH）液の塗布法等に
より、前記石英枠をのせた、金パターン膜付きの
ポリイミド膜等の表面から、SiO2膜１５を2μｍ
厚で形成する。Si（OH）4涎の塗布法では、石英枠
内に液体を塗布するため、少なくとも、石英枠と
ポリイミド膜の接する部分迄は該液体が塗布さ
れ、以後のベーキング（約300℃）等の処理によ
りSiO2膜が形成される。この段階で一応Ｘ線露
光用メングラン・マスクは形成される訳である
が、本例では、(e)工程として、ポリイミド膜をビ
ドラジン等により除去してSiO2メングラン・マ
スクとした。
本発明によるＸ線露光用マスクでは、石英
（SiO2）の熱膨張率が従来のＸ線露光用マスク材
料より一桁小さく、殆んどパターンずれないマス
クとなすことができる効果があると共に、マスク
製造が容易であるという効果もする。
（SiO2）の熱膨張率が従来のＸ線露光用マスク材
料より一桁小さく、殆んどパターンずれないマス
クとなすことができる効果があると共に、マスク
製造が容易であるという効果もする。
尚、本発明によるＸ線露光用マスクはＸ線露光
のみならず光露光にも用いることができ、Ｘ線露
光と光露光を混用する場合にはなお効果的に用い
ることができる。
のみならず光露光にも用いることができ、Ｘ線露
光と光露光を混用する場合にはなお効果的に用い
ることができる。
第１図ａ，ｂ，ｃ，ｄは従来のマスクの製造方
法、第２図ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは本発明によるマ
スクの製造方法を工程毎の断面図で示したもので
ある。 １……シリコン・ウエーハ、２……ボロン拡散
層、３……金パターン、４……メンブラン膜、５
……枠、１１……合成樹脂膜、１２……下地金属
層、１３……金パターン、１４……石英枠、１５
……SiO2膜。
法、第２図ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは本発明によるマ
スクの製造方法を工程毎の断面図で示したもので
ある。 １……シリコン・ウエーハ、２……ボロン拡散
層、３……金パターン、４……メンブラン膜、５
……枠、１１……合成樹脂膜、１２……下地金属
層、１３……金パターン、１４……石英枠、１５
……SiO2膜。
Claims (1)
- １ 合成樹脂膜表面にＸ線阻止能を有する材料を
主体としたパターン状膜を形成する工程、前記パ
ターン状膜を有する合成樹脂膜上に枠状部材を形
成する工程、前記パターン状膜、前記合成樹脂膜
及び前記枠状部材上に酸化シリコン膜を設けるこ
とにより、少なくとも前記パターン状膜及び前記
枠状部材と前記酸化シリコン膜とを固着する工程
を有することを特徴とするマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57090286A JPS58207048A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57090286A JPS58207048A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207048A JPS58207048A (ja) | 1983-12-02 |
| JPH0322686B2 true JPH0322686B2 (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=13994275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57090286A Granted JPS58207048A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207048A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674991B1 (ko) * | 2005-09-02 | 2007-01-29 | 삼성전자주식회사 | 토폴로지를 갖는 보상층을 구비한 바이너리 포토 마스크 및그 제조방법 |
| KR100734318B1 (ko) | 2006-06-12 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | 포토 마스크의 ｃｄ 보정 방법 및 ｃｄ가 보정된 포토마스크 |
-
1982
- 1982-05-27 JP JP57090286A patent/JPS58207048A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58207048A (ja) | 1983-12-02 |
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