JPS582027A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS582027A JPS582027A JP56099955A JP9995581A JPS582027A JP S582027 A JPS582027 A JP S582027A JP 56099955 A JP56099955 A JP 56099955A JP 9995581 A JP9995581 A JP 9995581A JP S582027 A JPS582027 A JP S582027A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- mask
- ray
- mechanical strength
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線ｍ光用マスクに係り、特に機械的強度の向
上を図った構造に関する。
上を図った構造に関する。
半導体工業の発達に伴い、Ｌ、８Ｊおよび超ＬＳ１と高
精＋Ｘ度を要求され、これら高度な製造技術として、た
とえば電子ビーム露光技術が実用化されており、さらに
最近、高Ｎ−加工技術としてＸ線露光技術が実用化され
つつある。このＸ融結光を、選択的に行うためにＸ線露
光用マスクが用いら３れ、このマスクの選択精度に高度
の精一度が要求、され、る。
精＋Ｘ度を要求され、これら高度な製造技術として、た
とえば電子ビーム露光技術が実用化されており、さらに
最近、高Ｎ−加工技術としてＸ線露光技術が実用化され
つつある。このＸ融結光を、選択的に行うためにＸ線露
光用マスクが用いら３れ、このマスクの選択精度に高度
の精一度が要求、され、る。
従来％ Ｘｍ１ｉ光用マスクの膜の材質には、樹脂ある
いは８１０マ膜などの膜を用いる方法が知られており、
その膜の支持台には通常シリコンが主に便用されている
。Ｗ、１図（ａ）〜（ｅ）は８１０１膜などを用いた従
来のマスクの製造工程を示したもので、シリコン基板ｌ
の表面を酸化して８１０麿膜２を形成する。その後、一
方の表面上に金（Ａｕ ）などのＸ線吸収系数の高い金
属Ｉを蒸着し、この金属ＩＩを選択エツチングして所望
のパターン３＃３．・・・を第１図（ｂ）のように形成
する。次に、他方の表面の８１０ｚ 膜２について、
その周縁部を残して他の中央部を第１図（Ｃ）のように
除去する。その後、この日１０！膜２をマスクとして、
８１０．膜２とシリコン基板１との選択比の高いエッチ
ャントを用いてシリコン基板１のみをエツチングし、第
１図（ｄ）のように残つたシリコン基板ｌを支持台４と
したものである。
いは８１０マ膜などの膜を用いる方法が知られており、
その膜の支持台には通常シリコンが主に便用されている
。Ｗ、１図（ａ）〜（ｅ）は８１０１膜などを用いた従
来のマスクの製造工程を示したもので、シリコン基板ｌ
の表面を酸化して８１０麿膜２を形成する。その後、一
方の表面上に金（Ａｕ ）などのＸ線吸収系数の高い金
属Ｉを蒸着し、この金属ＩＩを選択エツチングして所望
のパターン３＃３．・・・を第１図（ｂ）のように形成
する。次に、他方の表面の８１０ｚ 膜２について、
その周縁部を残して他の中央部を第１図（Ｃ）のように
除去する。その後、この日１０！膜２をマスクとして、
８１０．膜２とシリコン基板１との選択比の高いエッチ
ャントを用いてシリコン基板１のみをエツチングし、第
１図（ｄ）のように残つたシリコン基板ｌを支持台４と
したものである。
しかしながら、このような構造のｘ＊ｇ光用マスクアは
、８１０雪膜□２と支持台４となるシリコン基板１との
ストレス差によって、シリコンの支持台４と６１０１膜
Ｉとの境界領域５からクラックあるいは８１０を膜２の
収縮が生じ、マスクの製造が非常に困難であるｉともに
、Ｘ線の透過率を上げるためには、８１０ｍ ＪＩＪを
出来る限り薄くシカけ−ればならないため機械的強度に
も乏しく、耐久性に難点があった。
、８１０雪膜□２と支持台４となるシリコン基板１との
ストレス差によって、シリコンの支持台４と６１０１膜
Ｉとの境界領域５からクラックあるいは８１０を膜２の
収縮が生じ、マスクの製造が非常に困難であるｉともに
、Ｘ線の透過率を上げるためには、８１０ｍ ＪＩＪを
出来る限り薄くシカけ−ればならないため機械的強度に
も乏しく、耐久性に難点があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、Ｘ線透過膜をストレス特性が相反する複
数の膜を積層して形成することにより、クラックの防止
および機械的強度の向上を図ったｘｓｇ光用マスクを提
供することにある。
するところは、Ｘ線透過膜をストレス特性が相反する複
数の膜を積層して形成することにより、クラックの防止
および機械的強度の向上を図ったｘｓｇ光用マスクを提
供することにある。
以下、本発明の一実施例について図１を参照して説明す
る。なお、第１図と同一部分には同一符号を付して説明
する。
る。なお、第１図と同一部分には同一符号を付して説明
する。
ｍ ２ 図（ａ） 〜（ｄ） Ｋ オイテ、約４００＃
乃至６００μのシリコン基板１の表面を約１０００℃乃
至１２００℃の温度で加熱することにより、シリコン着
板１０表面に厚さ約１ｏｏｏｏｉ以下の５ｉｆｔ膜（熱
酸化膜）２を形成する。次に、この８１０を膜２とはス
トレス特性が相反する。つまり逆のストレス特性を有す
る膜、たとえば低温減圧Ｃ’ＶＤによる８１０．膜６を
上記８１０ｔ 狭２上に厚さ約３０００λ以下に形成す
ることにより、８４０．膜２と８１０雪膜６とのストレ
スをコンペンセートする。さらに、上記８１０！膜６上
に機械的強度を向上させるための膜、たとえば常圧ＣＶ
Ｄ（ケミカル・ペーパ・デポジション）法による５ｉｏ
＝ｙＸｙを形成し、これらによってＸ線透過膜８を構成
する。その後、この８１０置換７上に金（Ａｕ）などの
Ｘ線吸収系数の高い金属層を蒸着し、この金属層を選択
エツチングして所望形状のパターン３．３．を第２図（
ｂ）のように形成する。次に、このパターン３と反対側
表面の周縁部Ｘ線透過膜８を残して、他の中央部のＸ線
透過膜８を第２図（Ｃ）のように選択エツチングして除
去する。その後、この残つ良Ｘ線透過膜８をマスクとし
て、露出したシリコン基板１のみをエツチングし、第２
図（ｄ）のように残ったシリコン基板１を支持台４とす
る。勿論、このエツチングはＸ線透過膜８とシリコン基
板Ｉとの選択比の高いエッチャントを用いて行うもので
あり、これにより第２図（ｄ）に示すようなＸ線露光用
マスクが得られる。
乃至６００μのシリコン基板１の表面を約１０００℃乃
至１２００℃の温度で加熱することにより、シリコン着
板１０表面に厚さ約１ｏｏｏｏｉ以下の５ｉｆｔ膜（熱
酸化膜）２を形成する。次に、この８１０を膜２とはス
トレス特性が相反する。つまり逆のストレス特性を有す
る膜、たとえば低温減圧Ｃ’ＶＤによる８１０．膜６を
上記８１０ｔ 狭２上に厚さ約３０００λ以下に形成す
ることにより、８４０．膜２と８１０雪膜６とのストレ
スをコンペンセートする。さらに、上記８１０！膜６上
に機械的強度を向上させるための膜、たとえば常圧ＣＶ
Ｄ（ケミカル・ペーパ・デポジション）法による５ｉｏ
＝ｙＸｙを形成し、これらによってＸ線透過膜８を構成
する。その後、この８１０置換７上に金（Ａｕ）などの
Ｘ線吸収系数の高い金属層を蒸着し、この金属層を選択
エツチングして所望形状のパターン３．３．を第２図（
ｂ）のように形成する。次に、このパターン３と反対側
表面の周縁部Ｘ線透過膜８を残して、他の中央部のＸ線
透過膜８を第２図（Ｃ）のように選択エツチングして除
去する。その後、この残つ良Ｘ線透過膜８をマスクとし
て、露出したシリコン基板１のみをエツチングし、第２
図（ｄ）のように残ったシリコン基板１を支持台４とす
る。勿論、このエツチングはＸ線透過膜８とシリコン基
板Ｉとの選択比の高いエッチャントを用いて行うもので
あり、これにより第２図（ｄ）に示すようなＸ線露光用
マスクが得られる。
なお、上記実施例では、”０＊ Ｈ’と逆のストレス特
性を有する膜６として、低温減圧ＣＶＤ法による８１０
？膜を用いた場合について説明したが、逆のストレス特
性を有する膜であれば何れでもよく、たとえば高温８１
Ｎ Ｉｌｌ！を用いることができる。また、機械的強度
を向上させるための膜１として、通常の常〜圧ＣＶＤ法
によるＳｉｎ、膜を用いた場合について説明し九が、機
械的強度を向上させる友めの膜であれば何れでもよく、
たとえば減圧ＣＶＤ法による８１０．膜を用いることが
できる。
性を有する膜６として、低温減圧ＣＶＤ法による８１０
？膜を用いた場合について説明したが、逆のストレス特
性を有する膜であれば何れでもよく、たとえば高温８１
Ｎ Ｉｌｌ！を用いることができる。また、機械的強度
を向上させるための膜１として、通常の常〜圧ＣＶＤ法
によるＳｉｎ、膜を用いた場合について説明し九が、機
械的強度を向上させる友めの膜であれば何れでもよく、
たとえば減圧ＣＶＤ法による８１０．膜を用いることが
できる。
・以上説明したように本発明によれば、Ｘ線透過膜をス
トレス特性が相反する複数の膜を積層して形成すること
によって、り２ツクの防止および機械的強度の向上が図
れるｘｍＭ光用マスクを提供できる。
トレス特性が相反する複数の膜を積層して形成すること
によって、り２ツクの防止および機械的強度の向上が図
れるｘｍＭ光用マスクを提供できる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は従来のＸ線露光用マスクの製蚕
工程説明図で、（ｅ）図は（ｄ）においてＡ−Ａ矢印方
向から見た平面図、第２図（ａ）〜（（１）は本発明の
一実施例に係るＸ線露光用マスクの製造工楢図である。 １・・・シリコン基板、２・・・熱酸化膜、３・・・Ｘ
線吸収パターン、４・・・支持台、６・・・低温減圧Ｃ
ＶＤ法による８１（ｈ膜、７・・・常圧Ｃ’ＶＤ法によ
る５１０８膜、８・・・Ｘ線透過膜。 出−人代理人 弁理士 鈴 圧式 彦第１図 第２図
工程説明図で、（ｅ）図は（ｄ）においてＡ−Ａ矢印方
向から見た平面図、第２図（ａ）〜（（１）は本発明の
一実施例に係るＸ線露光用マスクの製造工楢図である。 １・・・シリコン基板、２・・・熱酸化膜、３・・・Ｘ
線吸収パターン、４・・・支持台、６・・・低温減圧Ｃ
ＶＤ法による８１（ｈ膜、７・・・常圧Ｃ’ＶＤ法によ
る５１０８膜、８・・・Ｘ線透過膜。 出−人代理人 弁理士 鈴 圧式 彦第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｌＪ Ｘ線透過膜上にＸ４１吸収パターンを形成して
、なるＸ ａ Ｗｉ元開用マスクおいて、前記Ｘ線透過
膜はストレス特性が相反する複数の膜を積ｌ−シてなる
ことを特徴とするＸ４Ｉ露光用マスク。 （２）Ｘ線透過膜は、ストレス特性が相反する複数の膜
の積ｊ−にさらに機械的強度を向上させるための膜を積
層したことを特徴とする特許請求の範咄第１項記載のＸ
線露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56099955A JPS582027A (ja) | 1981-06-27 | 1981-06-27 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56099955A JPS582027A (ja) | 1981-06-27 | 1981-06-27 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS582027A true JPS582027A (ja) | 1983-01-07 |
Family
ID=14261109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56099955A Pending JPS582027A (ja) | 1981-06-27 | 1981-06-27 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582027A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124136U (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-13 | 株式会社椿本チエイン | ロボツト付フイ−ダ |
| JPH05136029A (ja) * | 1991-11-08 | 1993-06-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｘ線リソグラフイ−用マスクの製造方法 |
-
1981
- 1981-06-27 JP JP56099955A patent/JPS582027A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124136U (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-13 | 株式会社椿本チエイン | ロボツト付フイ−ダ |
| JPH05136029A (ja) * | 1991-11-08 | 1993-06-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｘ線リソグラフイ−用マスクの製造方法 |
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