JPH0322714B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は半導体レーザーの製作方法に係る。

本発明の背景 過去数年における半導体レーザーの発展によ
り、デバイスの信頼性及び有用性は著しく上つ
た。半導体レーザーの特性についての有用な文献
は、エイチ・シー・カセイ、ジユニア（H.C.
Casey Jr.）及びエム・ビー、パニツシユ（M.B.
Panish）によるヘテロ構造レーザー、アカデミ
ツク、プレス社、ニユーヨーク、1978、パートＡ
及びＢ、また背景となる有用な文献は、1973年９
月11日イズオ・ハヤシ（Izuo Hayashi）に承認
された米国特許第3758875号及び1980年１月15日
にモルトン・ビー・パニツシユ（Morton B.
Panish）に承認された米国特許第4184171号であ
る。

多くの研究の後、製作された鏡（蒸着金属鏡又
は誘電体鏡のような）を有するかあるいは有しな
いへき開レーザー面は、最も低い閾値と最も再現
性のよいデバイス特性を生ずることがわかつた。
半導体レーザー上に小面をへき開するには多くの
技術が使用でき、それにはたとえば半導体レーザ
ー材料上にけがき用マークを機械的につけ、次に
けがきマークに沿つて半導体材料をへき開する方
法が含まれる。マイクロ−へき開法とよばれる別
の方法も用いられる。その場合半導体レーザーの
活性部分の周囲構造の一部を形成するある種の材
料がエツチされ、レーザーミラーを生成するよう
半導体材料がへき開される。（エイチ・ブローベ
ルト（H.Blauvelt）ら、アプライト・フイジツ
クス・レターズ（Appl.Phys.Lett.）、40(4)289
（1982）及びオー・ウエード（O.Wade）ら、エ
レクトロニクス・レターズ（Electronics
Letters）18、第５号、189、（1982）を参照のこ
と） 製造に容易にかつ早く適用できる半導体レーザ
ー結晶の正確な信頼性のあるプロセスを有するこ
とが特に望ましい。半導体ウエハ上の半導体レー
ザー結晶のアレイ全体に対し、これを実現できる
ことが、特に望ましい。へき開のためにけがきマ
ークを容易かつ正確に作り、（半導体ウエハ上の
場合のような）レーザーの大きなアレイに同時に
適用できることが基本的関心事である。

加えて、ある種の用途の場合、半導体レーザー
の空胴長を非常に小さくすることが、非常に望ま
しい。空胴長が短いと、縦モード構造が生じ、そ
れは周波数単位でより広がり、（周波数における
モードの分離がより大きくなり）それにより単一
縦モード動作がより容易に実現できる。より短い
空胴長では、より安定な単一モード動作が可能で
ある。（たとえば、テイー・ピー・リー（T.P.
Lee）ら、アイ・イー・イー、ジヤーナル・オ
ブ・カンタム・エレクトロニクス（IEEE Ｊ of
Quntum Electrnnics）、第QE−18巻、第７号、
1982年７月を参照のこと）また、50−100ミクロ
ン範囲の空胴長まで空胴長を短くすると、より低
い閾値電流が得られる。（シー・エイ・バラス
（C.A.Burrus）ら、エレクトロニクス、レターズ
（Electronics Letters）、17、954−956（1981）参
照のこと）しばしば、半導体ウエハの厚さより小
さいレーザー結晶をへき開しようとすることは、
非常に難しく、特に高い歩留りで一定した信頼性
ある結果を得ることは難しい。

上で述べた理由により、非常に短い空胴長を有
するへき開ミラーをもつ半導体レーザーを作成す
るための製作方法を開発することは、非常に望ま
しい。本技術はいずれの長さの半導体レーザーに
も対し適用できるはずであるが、100ミクロン以
下あるいは50ミクロンまたは25ミクロンにも達す
る空胴長の信頼性ある結果を与えるはずである。
高信頼性及び高歩留りのレーザー構造を生じる方
法が特に望ましい。

本発明の要約 本発明はレーザーの個々の小面が、最初好まし
い深く狭い溝又はＶ溝を電気化学フオトエツチン
グ方法によりレーザーウエハの裏面にエツチング
し、結晶をへき開するため応力をウエハに加える
ことにより形成される半導体レーザー作成方法に
係る。特に重要なことは、電気化学フオトエツチ
ング方法である。なぜならば、それはへき開の精
密な位置合せを可能にする深く、狭いスロツト又
はＶ溝を生成するからである。へき開の補助に
（レーザーの活性領域から離れた）穴を含む他の
形状も使用できるが、深く狭い溝又はＶ溝は最も
便利で、動作上も最もよい。

エツチ深さに関する限り関心あるパラメータ
は、ウエハのエツチされない部分の厚さ（エツチ
された溝からウエハの相対する面までの距離）が
へき開面間の間隔より小さいことである。ウエハ
をへき開する上での容易さ及び信頼性は、エツチ
されないウエハの厚さが小さくなるにつれ大きく
なる。

このエツチング方法はｎ形及び真性化合物半導
体材料に対し、有用である。それは以下の工程を
含む。

ａ 化合物半導体上のエツチすべき表面を、価電
子帯中に正孔を生成するのに十分なエネルギー
をもつ光で照射すること ｂ 適度の酸化−還元速度を可能にする十分な導
電性（一般に0.0001Ω／cm以上）をもち、エツ
チング方法の酸化生成物を除去する電解液に、
化合物半導体を露出すること ｃ 化合物半導体を酸化−還元電気化学プロセス
の一部とし、標準電極に対し化合物半導体に印
加し、その電位は電解液中の化合物半導体の価
電子帯最大値と伝導帯最小値の間の値である。

そのような工程により、典型的な場合１−10ミ
クロンの幅、５−100ミクロンの深さの垂直な壁
の溝又はＶ溝が急速に形成される。特に重要なこ
とは、深く狭い溝を生成するエツチ方法の方向性
である。そのようにしてエツチされた構造は失わ
れる量を最小にする（従つて個々のレーザー構造
はウエハ上でより近づけることができ、あるいは
空胴長はより小さくできる）が、エツチングの深
さはへき開をより容易にかつ信頼性あるものにす
る。ウエハに応力を加えることにより（好ましく
はレーザー構造の活性領域中でへき開が始まるよ
うな方法で）、活性領域中での半導体材料のへき
開が達成される。典型的な場合、100ミクロン以
下、50ミクロンあるいは25ミクロンより短い非常
に短いレーザーは、低閾値、広いモード構造等優
れたレーザー特性を有するように定常的に製作で
きる。この方法は大量生産に有用で操作に習熟し
た人には、単調でもなく高い精密性も必要としな
い。

詳細な記述 本発明は特に深く狭いエツチ構造（すなわち、
溝、Ｖ溝等）はある種の半導体材料中にエツチで
き、これらの溝は化合物半導体レーザー構造中の
結晶面に沿つてへき開を始めるのに適している。
これらの溝は電気化学フオトエツチング方法によ
り作られ、正方形壁、Ｖ溝あるいは丸底などを含
む各種の形状をもつてよいが、一般に比較的深く
かつ狭い特性を有する。一般に、これらの溝はレ
ーザー構造の裏面（基板上レーザーの活性領域か
ら離れて）形成され、半導体レーザーの端面でへ
き開が起るよう、ウエハを曲るか歪を加える。ま
た、便利であるため、同じ一般的方法はレーザー
構造の側面をへき開するためにも使用できる。

特に重要なのは、レーザー構造上に溝を形成す
るために用いられる電気化学フオトエツチング工
程である。この工程はある種の半導体、すなわち
−化合物及び−化合物半導体を含む化合
物半導体に有用である。フオトエツチング方法が
適用できる典型的な化合物半導体はCdS、CdSe、
HgCdTe、GaP、GaAs、AlAs、AlP、AlSb、
InSb、InAs、InP、GaInAs、GaInP、
GaInAsP、GaAlP及びGaAlAsである。真性及
びｎ形材料の両方が本方法により、エツチでき
る。真性半導体というのは、正孔と電子の数がほ
ぼ等しい（通常100倍以内）一連の半導体をさす。

真性半導体には、アンドープ半導体及び補償半
導体（不純物又は他のドーパントを補償するた
め、トラツプをドープした半導体）が含まれる。
典型的な場合、そのような半導体は10⁶Ω−cm以
上の抵抗率を有する半絶縁性である。しばしばそ
のような材料は半絶縁性特性のため、基板として
有用である。

10⁷Ω−cm又は10⁸Ω−cm以上の抵抗率が用いら
れる。

電子が正孔より多いｎ形化合物半導体も含まれ
る。通常ｎ形半導体はＶ族元素の代りにドナ（す
なわち、イオウ、セレン又はテルル）を、または
族元素の代りにシリコンをドーピングすること
により得られる。典型的なドーピングレベルは１
立方センチメートル当り10¹⁵ないし10¹⁹原子で、
多くの用途には、１立方センチメートル当り10¹⁶
ないし10¹⁸原子が好ましい。

便利であるため、エツチング方法について３つ
の部分にわけて述べる。電気化学的部分、照射部
分、該方法に用いられる電解液の特性である。

広義には、エツチされる化合物半導体は、酸化
−還元電気化学方法の一部となり、化合物半導体
はアノード、不活性材料は対向電極又はカソード
になる。典型的な場合、カソードは白金又は白金
メツキされたチタンのような不活性金属である
が、各種の材料が使える。

化合物半導体上の電位を以下で述べる範囲に調
整し、酸化−還元反応のためのパワーを供給する
ため、電源（電池又は電子的電源）が用いられ
る。加えて、化合物半導体上の電位を測定するた
め、標準電極（通常飽和KClカロメル電極、
SCE）が用いられる。電位は典型的な場合、電圧
形で測定され、（エツチ速度に比例する）電流は、
電流計で測定される。

特に厳密さを必要とするのは、電気化学的フオ
トエツチング方法中の化合物半導体に印加される
電位である。電位が高すぎると光がなくとも過度
のエツチングが起り、そのためエツチング方法は
本質的に等方的方法となる。この場合、エツチさ
れる所望の幾何学的形状は得られない。電位が低
すぎると、エツチ速度があまりにも低くなりすぎ
るか、エツチングは全く起らない。一般的原則と
して、化合物半導体に印加される電位は、用いら
れる電解液中の化合物半導体の価電子帯最大電位
と同じ条件下の化合物半導体の伝導帯最小電位間
にあるべきである。

真性半導体の場合、電位範囲は価電子帯最大値
とフラツトバンド電位−しばしば価電子帯最大値
と伝導帯最小値の中間にある一間にあるべきであ
る。しかし、フラツトバンド電位は（わずかなド
ーピング、表面効果等により）変えることがで
き、より広い電位範囲がより適当にみえる。これ
ら２つの電位（価電子帯最大値及び伝導帯最小値
はエツチされる具体的な化合物半導体、化合物半
導体中のドーピングの種類及び量、用いられる電
解液の組成に依存する。しばしば、これら各種の
電位は文献中のデータから直接算出あるいは得る
ことができるが、エツチング方法に用いる実際の
電解液中でのボルタモグラムから、それらの量を
測るのが、よりしばしば有利である。ボルタモグ
ラムにおいて、上で述べた典型的な電気化学的構
成における電流は、化合物半導体に印加される電
位の関数として測定される。これは光照射した場
合及びしない場合の両方について行なう。電位の
一領域において、（高電流で明らかなように）光
照射した時高いエツチング速度が得られ、光照射
をしない時、本質的にエツチングは起らない（ほ
とんど電流ゼロ）ことがわかる。電気化学フオト
エツチング方法で興味があるのは、この電位領域
である。光照射なしでも電流が増す電位は、価電
子帯電位より正で、光照射でこれが起る電位は伝
導帯最小値電位より正の時である。この電位はフ
ラツトバンド電位である。真性材料の場合、これ
は通常価電子帯最大値と伝導帯最小値の中央に位
置する。ｎ形材料の場合、それは伝導帯域最小値
の付近にある。

ヘリウム−ネオンレーザー（波長6328オングス
トローム）からの光を照射した時の典型的なボル
タモグラムが、第１図に示されている。これらの
測定は光としてヘリウム−ネオンレーザーを用い
て、ｎ形InPの三方向について行なつた。ドーピ
ング密度は１c.c.当り約10¹⁶原子であつた。測定は
１モル濃度塩酸溶液中で行なつた。レーザーパワ
ーは約110マイクロワツトであつた。異なる曲線
は異なる結晶方位に対するものである。すなわ
ち、曲線２１は（100）面のエツチング、曲線２
２は（111）面、曲線２３は（１１１）面のエツ
チングについてである。光照射した場合のボルタ
モグラムは、一部分のみ示されている。光照射が
ない場合、電流の開始（従つて、エツチング）
が、約1.4ボルトだけより正電位方向にずれる。
図からわかるように、電位は約−0.2ボルトから
増加し、約0.2ボルトで最大値に達する。電流は
電気化学フオトエツチングの速度の尺度である。
台形状の最大値における電流の量（エツチング速
度）は電位には存在せず、化合物半導体上に入射
する光の強度にのみ比例する。化合物半導体上に
各種の幾何学的形状が形成可能なのは、電気化学
的フオトエツチング方法の特性である。第１図に
示されているのと同様の曲線は、HF水溶液、
HBr水溶液、GaAs及びGaAlAsのような他の化
合物半導体でも得られた。ｎ形InPの場合、光が
ないときのエツチングは、一般に約＋1.0ボルト
で起る。通常、電気化学的フオトエツチング方法
は、ボルタモグラムの平坦部の電圧で、かつ光照
射なしでエツチングが起る電圧からは離れた電圧
で行なうのが最もよい。たとえば、ｎ形InPの場
合、これは約＋0.2ボルトの電位においてである。
ここで、電位依存性のないエツチングの利点が得
られ、光照射しない場合のエツチング量は最小と
なる。別の言い方をすると、エツチングは光強度
により感度をもち、印加電圧にはほとんど感度が
ない。

ｎ形GaAsの場合、１モル濃度HCl中での電位
は、約−0.7ないし＋1.0ボルトで、−0.4ないし＋
0.4ボルトが好ましく、0.0ボルト（SCE基準）が
ほとんどのエツチング方法に対し、最良である。
GaAlAsの場合、伝導帯は（アルミニウムの濃度
に依存して）価電子帯には大きな変化を起さず、
0.4ボルトだけより負になり、その結果約−1.1な
いし＋1.0の範囲が十分な結果を与える。

−0.8ないし＋0.4が好ましい。

価電子帯中に正孔を生成させるために、光照射
が用いられる、一般に、光照射のエネルギーは、
これを達成するのに十分大きくすべきである。理
論的には、光のフオトンエネルギーは、少なくと
も半導体の禁制帯以上にすべきである。場合によ
つては、禁制帯中に占有状態（不純物、ドーピン
グ要素、補償用要素、結晶欠陥等による）がある
ため、より小さなエネルギーも使用できる。しか
し、該方法は化合物半導体の禁制帯より大きなエ
ネルギーの光で、容易にかつ急速に行なえる。広
帯域光及び単色光の両方が使える。

該方法の具体的な利点は、エツチング速度が光
強度に依存することである。従つて、適当な光強
度分布及び光の方向により、各種の幾何学的形状
がエツチできる。

本発明の視点の重要さを説明するために、いく
つかの例が役立つであろう。化合物半導体中に深
い溝をエツチするため、溝が必要な部分への光照
射を限定する目的で、マスクが用いられる。平行
光（集められた光）を用いると、垂直な壁のエツ
チングが確実になる。Ｖ溝が必要な場合、光線は
溝に沿つた線上に焦点を合わされ、焦点をあわせ
る線は、Ｖ溝の底にする。逆円錐形の場合には、
円錐の頂点に光の焦点を合わせる必要がある。

本発明の特に重要なことは、電解液の特性と組
成である。電解液に一般に必要なことは、適度な
電気化学フオトエツチ速度が得られるよう、十分
導電性であることである。一般に、この条件を満
すためには、0.001Ω／cm以上の導電率で十分で
ある。この条件は窒化ナトリウムのようなイオン
化塩を導入することにより満せるが、エツチされ
る化合物半導体の酸化生成物を除去するために、
他の化学物質が存在しても、通常それは満され
る。

もう一つの別の条件は容易に述べられるが、実
際に行なうのはあまり容易でないことで、電解液
は酸化−還元電気化学反応又は光照射工程に有害
な影響を与えることである。一般に、このことは
電解液の組成は、いずれの電極における電位によ
つても酸化又は還元を起さず、該方法に用いられ
る光に対し不透明であつてはならない（すなわ
ち、過度の吸収があつてはならない。）これらの
特定の条件下において、電解液におだやかな酸化
剤を導入し、カソードにおける還元を容易に行な
わせることも便利で、有利である。同様の状態は
おだやかな還元剤でも得られるが、ほとんどの場
合、アノード（半導体材料）及びカソード（対向
電極）における電気化学的条件の安定性が好まし
い。一般に、カソードにおける還元には、水の還
元による水素ガスの形成が含まれる。

たとえば、本発明を実施するのに多数の酸が使
用できるが、HNO₃が還元したりあるいはHIが
酸化する可能性のために、HNO₃及びHIは避け
る。

電解液について最も厳密さを必要とする条件
は、それがフオトエツチング方法は酸化生成物を
急速にかつエツチ速度を制限しないように除去す
ることである。これら酸化生成物は、溶解度の高
いことが好ましい。この目的を達成するために、
酸及び塩基の両方が用いられ、一般にPHの値は５
以下又は９以上である。PHは３以下は11以上が好
ましい。アルカリ溶液は、通常水酸化ナトリウム
又は水酸化カリウムのようなアルカリ物質を加え
ることにより作られる。エツチング方法の酸化生
成物を確実にかつ急速に除去するために、キレー
ト剤も有用である。

ハロゲン酸HF、HCl及びHBrが最もよい結果
を生じることがわかつた。これらの酸は急速なエ
ツチングを生成するだけでなく、電気化学的フオ
トエツチング方法で用いられる電位において、き
わめて安定である。硫酸溶液もある種の化合物半
導体（すなわちGaAs）で、優れた結果を生じる
が、インジウムを含む化合物半導体（すなわち
InP）に対しては通常避けるべきである。

酸の濃度は0.05モル濃度ないし10モル濃度を含
む広い範囲で変化させてよいが、最善の結果は通
常0.2ないし2.0モル濃度の範囲で得られる。加え
て、ほとんどの場合、安定性、急速なエツチン
グ、光デバイス製作で生じる損傷を最小にするこ
とのため、塩酸が好ましい。一般に、エツチング
速度は広範囲に変えてもよいが、一般に１平方セ
ンチメートル当り１ないし150ミリアンペア間の
速度が、優れた結果を生む。

上で述べた方法は、半導体ウエハから個々のへ
き開されたレーザー構造を形成するために、構造
をへき開する目的で、ウエハ中に核み目又は溝を
エツチするのに用いられる。この方法について、
GaAsレーザーを例に説明するが、ｎ形又は真性
化合物半導体で作られた任意の型のレーザーが、
本発明の方法を用いて作られる。

本発明は、広義にはレーザーウエハ基板中ある
いはレーザーの層中に、レーザーの活性部分から
離れて各種の幾何学的形状をエツチするための上
で述べた電気化学的フオトエツチング方法を含
み、それによりへき開鏡面を生成するよう構造を
へき開する助けとなる。通常核み目又は溝が用い
られるが、光が放出される部分から離れて、構造
を貫く穴も使用できる。

第２図はへき開前の個々のレーザーを有する典
型的なウエハ２０の一部分を示す。ウエハの構造
は、本発明を説明するためには典型的なものであ
る。ウエハは１c.c.当り約10¹⁷−10¹⁸原子の量のシ
リコンをドープしたｎ型GaAsで作られている基
板２１から成る。基板は金属（通常金）電極２２
で被覆され、それはエツチされたチヤネルが必要
なフオトツチング方法用マスクとしても働く。基
板の他方の表面には、以下の層がその順序で、一
般的に液相エピタキシーにより形成される。
Ga.64Al.36Asのｎ形層２３、Ga.92Al.08Asのｐ
形層、Ga.64Al.36As.のｐ形層２５及びGaAsの
ｐ形層２６である。この最後の層は金属層２７
（一般に金又は金合金）により被覆され、それは
最終的には金属電極となる。溝は以下のようにエ
ツチされる。最初に、溝のない第２図に示される
ようなウエハが、1.0モル濃度塩酸から成る電解
液中に浸される。ウエハはウエハ構造中の金属層
の一つに、電源を電気的に接続することにより、
電解液構造のアノードとなる。白金片がこの構成
中のカソードとなり、飽和カロメル、セルが標準
電位として用いられる。約0.0ボルト（SCE基準）
の電位が半導体ウエハ上に印加されるように、電
源が用いられる。広帯域タングステン光源が光源
として使用され、金属電極間に光の焦点が確実に
あい、Ｖ溝が確実にエツチされるように、各種の
レンズが用いられた。Ｖ溝は可変透過マスクを用
い、溝が最も深くなる所で光強度を最大にし、溝
のあるマスクでは、焦点をはずすことにより得ら
れる。エツチングは第２図に示されるものに非常
に近いＶ溝を形成するために、約２時間のエツチ
ングを行なつた。

へき開面は半導体レーザーの前面及び裏面での
み必要であるから、Ｖ溝は一方向にのみ生成する
必要がある。レーザーの横方向に沿つて、通常の
ソーカツトを用いてもよい。しかし、両方向に本
発明に従つたＶ溝を形成してもよい。幾分異なる
電位（通常0.2ボルト）が用いられることを除い
て、同様の結果がInP形レーザー構造を用いて得
られた。

所望の領域のへき開を行なうために、Ｖ溝とは
別にあるいは組合せて、他の構造を用いてもよ
い。丸底の溝と同様、正方形の壁の溝を用いても
よい。また、レーザー領域を避ける注意をすれ
ば、へき開はウエハの反対の側で行なつてもよ
い。エツチングをレーザーの活性領域中で行なわ
なければ、ウエハ構造全体あるいはウエハ構造の
全体を貫く穴を用いてもよい。

へき開は当業者には周知の各種の方法で行なう
ことができる。一般に、これはたとえばウエハを
曲げることにより、溝に沿つて応力を加えること
によつて行なえる。レーザーの活性領域近くでへ
き開を始めるのも、非常に有利であることがわか
つた。活性領域近くでへき開を始めることにより
作られた半導体レーザーは、低閾値、高パワー、
良好な品質の鏡といつた好ましい特性を示す。こ
の理由により、へき開はエピタキシヤル層を含む
ウエハ端部で始めるのが好ましい。従つて、へき
開は溝又はチヤネルの壁を、相互に引離すように
することにより、行なえるはずである。

【図面の簡単な説明】

第１図はｎ形InPのボルタモグラム、第２図は
分離をする前に、へき開を行なうためウエハ中に
Ｖ溝がエツチされた個々のレーザー結晶を有する
半導体ウエハの透視図である。 〔主要部分の符号の説明〕、ウエハー……２０。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ へき開された表面の一部が半導体レーザーの
   活性領域中にあり、端部鏡間の距離が100μｍ以
   下の半導体レーザー製作に特に適し、該へき開は
   ウエハ上の真性又はｎ形化合物半導体の一部を電
   解液中で最初にエツチングし、次にへき開面を生
   成するようウエハに応力を加えることにより行
   う、真性またはｎ形化合物半導体からなる半導体
   ウエハをへき開することによる半導体レーザー製
   造方法において、 該エツチングは 電解液中の半導体化合物の価電子帯最大電位
   と、電解液中の半導体化合物の伝導帯最小電位間
   の電位を、半導体化合物に印加する工程、 エツチすべき化合物半導体の表面の一部に、価
   電子帯中に正孔を生成するのに十分なエネルギー
   を有する光を照射する工程及び 電解液の組成には、化合物半導体表面からエツ
   チングにより生じた酸化生成物を除去する物質を
   含める工程 から成る電気化学フオトエツチング方法により行
   なうことを特徴とする半導体レーザー製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載された方法にお
   いて、 １−10μｍ幅、50−100μｍ深さの狭いスロツト
   を形成することを特徴とする半導体レーザー製造
   方法。 ３ 特許請求の範囲第１項に記載された方法にお
   いて、 最大幅１−10μｍ、深さ50−100μｍのＶ溝を形
   成することを特徴とする半導体レーザー製造方
   法。 ４ 特許請求の範囲第１項に記載された方法にお
   いて、電解液のPHは９以上、好ましくは11以上で
   あることを特徴とする半導体レーザー製造方法。 ５ 特許請求の範囲第１項に記載された方法にお
   いて、 電解液のPHは５以下、好ましくは３以下である
   ことを特徴とする半導体レーザー製造方法。 ６ 特許請求の範囲第５項に記載された方法にお
   いて、 電解液はHF、HCl及びHBrから選択された酸
   からなることを特徴とする半導体レーザー製造方
   法。 ７ 特許請求の範囲第６項に記載された方法にお
   いて、 酸はHClで、酸濃度は約0.05乃至10モル濃度、
   好ましくは0.2乃至2.0モル濃度で変化することを
   特徴とする半導体レーザー製造方法。 ８ 特許請求の範囲第１項に記載された方法にお
   いて、 化合物半導体は真性又はｎ形で、ドーピングレ
   ベルは１立方センチメートル当り10¹⁵ないし10¹⁹
   原子であることを特徴とする半導体レーザー製造
   方法。 ９ 特許請求の範囲第１項に記載された方法にお
   いて、 化合物半導体はCdS、CdSe、HgCdTeから選
   択された−化合物半導体、GaP、GaAs、
   AlAs、AlP、AlSb、InSb、InAs、InP、
   GaInAs、GaInP、GaInAsP、GaAlP及び
   GaAlAsから選択された−化合物半導体であ
   ることを特徴とする半導体レーザー製造方法。 １０ 特許請求の範囲第１項に記載された方法に
   おいて、 化合物半導体はｎ形InPで面（例えば100）の
   電位はSCE基準で、１モル濃度のHCl中におい
   て、−0.5ないし1.0ボルト、好ましくは−0.1ない
   し0.5ボルトであることを特徴とする半導体レー
   ザー製造方法。 １１ 特許請求の範囲第１項に記載された方法に
   おいて、 化合物半導体はｎ形GaAsで、電位は１モル濃
   度HCl中において、SCE基準で−0.7ないし＋1.0
   ボルト、好ましくは−0.4ないし0.4ボルトである
   ことを特徴とする半導体レーザー製造方法。 １２ 特許請求の範囲第１項に記載された方法に
   おいて、 放射エネルギーは化合物半導体の禁制帯以上で
   あることを特徴とする半導体レーザー製造方法。 １３ 特許請求の範囲第１項に記載された方法に
   おいて、 へき開が半導体レーザーの活性領域付近で最初
   に起こるよう応力を印加することを特徴とする半
   導体レーザー製造方法。 １４ 特許請求の範囲第１項に記載された方法に
   おいて、 半導体レーザーは50μｍ以下又は25μｍ以下の
   長さを有することを特徴とする半導体レーザー製
   造方法。