JPH03227569A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH03227569A JPH03227569A JP2409390A JP2409390A JPH03227569A JP H03227569 A JPH03227569 A JP H03227569A JP 2409390 A JP2409390 A JP 2409390A JP 2409390 A JP2409390 A JP 2409390A JP H03227569 A JPH03227569 A JP H03227569A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特に大規模なマスター
スライス方式の半導体集積回路に関する。
スライス方式の半導体集積回路に関する。
従来よりマスタースライス方式の半導体集積回路では機
能セル(または論理ブロック)を相互に結線する仁は、
半導体チップの1部分または全域にわたり各配線層ごと
に仮想的な配線格子を設定した上で、その格子上にのせ
た配線を連ねることにより実現している。各配線層ごと
に設定される配線格子は、配線材料および回路の標準の
電流等から決る配線の幅に合わせた許容間隔を満たすピ
ッチを有する。電源配線等の共通な配線以外の信号用配
線は、設定された1格子分を占める標準幅の配線を以っ
て構成される。
能セル(または論理ブロック)を相互に結線する仁は、
半導体チップの1部分または全域にわたり各配線層ごと
に仮想的な配線格子を設定した上で、その格子上にのせ
た配線を連ねることにより実現している。各配線層ごと
に設定される配線格子は、配線材料および回路の標準の
電流等から決る配線の幅に合わせた許容間隔を満たすピ
ッチを有する。電源配線等の共通な配線以外の信号用配
線は、設定された1格子分を占める標準幅の配線を以っ
て構成される。
第3図は従来の半導体集積回路の一例を示すレイアウト
図である。
図である。
第3図に示すように、半導体基板上に水平方向に設けた
行1110,11,12.13と垂iii方向に設けた
列線14,15,16.17,18,19.20により
構成した配線格子に合わせて配線21.25.26.2
7が設けられ、行線11と列線14の交点における入力
端Eに供給されたりロック信号を行線10と列線16の
交点で分岐した配線25の出力端Fと、行線10と列!
118の交点で分岐した配線26の出力端Gおよび行線
10と列線20の交点に接続した配線27の出力端Hの
夫々に分配している。
行1110,11,12.13と垂iii方向に設けた
列線14,15,16.17,18,19.20により
構成した配線格子に合わせて配線21.25.26.2
7が設けられ、行線11と列線14の交点における入力
端Eに供給されたりロック信号を行線10と列線16の
交点で分岐した配線25の出力端Fと、行線10と列!
118の交点で分岐した配線26の出力端Gおよび行線
10と列線20の交点に接続した配線27の出力端Hの
夫々に分配している。
このような配線格子の設定と、配線格子上にのせた配線
の配置は、計算機を使用した自動配線処理により設計さ
れる。
の配置は、計算機を使用した自動配線処理により設計さ
れる。
上述した従来のマスタースライス方式の半導体集積回路
に形成されたクロック信号の分配配線では、第4図に示
すように、入力端Eに入力されたクロック信号波形は、
クロック信号出力端F。
に形成されたクロック信号の分配配線では、第4図に示
すように、入力端Eに入力されたクロック信号波形は、
クロック信号出力端F。
G、Hの夫々に到達するにつれて遅れが生ずる。
これは配線がもつインピーダンスRとキャパシタンスC
による時定数RCが原因で一般的にクロックスキューと
言われる。入力端Eから入力されるクロック信号は出力
端F、G、Hの夫々に接続される論理ブロック(例えば
フリップフロップ〉の同時に同一位相で動作させること
を目的とするが、クロックスキュー時間が大きくなると
、このような動作は望めず、誤動作を引きおこす。そこ
で、配線を太くすれば配線のもつインピーダンスは低下
し、クロックスキューは小さくなる。しかし、通常の信
号に合わせて設定された仮想配線格子上にクロック配線
のみ通常の信号以上に太く作成した場合、格子間隔は通
常の信号配線が隣接して通れるように設定されているの
で、太いクロック配線が通ることによりこの配線に隣接
する配線格子は使えなくなる。加えて、ひとつの配線層
に対して異なる配線幅の配線を扱うのは自動配線に大き
な煩雑さと負荷を与えることになる。また、あらかじめ
クロック配線の太さに合わせて仮想格子のピッチを広く
設定すればクロック配線どうしや通常の信号は自由に隣
接可能となるが、これでは半導体チップの寸法が増大す
るという問題点を生ずる。
による時定数RCが原因で一般的にクロックスキューと
言われる。入力端Eから入力されるクロック信号は出力
端F、G、Hの夫々に接続される論理ブロック(例えば
フリップフロップ〉の同時に同一位相で動作させること
を目的とするが、クロックスキュー時間が大きくなると
、このような動作は望めず、誤動作を引きおこす。そこ
で、配線を太くすれば配線のもつインピーダンスは低下
し、クロックスキューは小さくなる。しかし、通常の信
号に合わせて設定された仮想配線格子上にクロック配線
のみ通常の信号以上に太く作成した場合、格子間隔は通
常の信号配線が隣接して通れるように設定されているの
で、太いクロック配線が通ることによりこの配線に隣接
する配線格子は使えなくなる。加えて、ひとつの配線層
に対して異なる配線幅の配線を扱うのは自動配線に大き
な煩雑さと負荷を与えることになる。また、あらかじめ
クロック配線の太さに合わせて仮想格子のピッチを広く
設定すればクロック配線どうしや通常の信号は自由に隣
接可能となるが、これでは半導体チップの寸法が増大す
るという問題点を生ずる。
〔課題を解決するための1段〕
本発明の半導体集積回路は、半導体チップ上に仮想的に
設定した行線及び前記行線と直行する列線からなる配線
格子上に配置してクロック信号発生回路と接続する配線
を有する半導体集積回路において、前記クロック信号発
生回路の出力端子に接続して前記行線上に配置し且つ前
記列線との交差点で相互間を並列接続する複数の配線を
備えている。
設定した行線及び前記行線と直行する列線からなる配線
格子上に配置してクロック信号発生回路と接続する配線
を有する半導体集積回路において、前記クロック信号発
生回路の出力端子に接続して前記行線上に配置し且つ前
記列線との交差点で相互間を並列接続する複数の配線を
備えている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
2 第1図は本発明の第1の実施例を示すレイアウト図であ
る。
2 第1図は本発明の第1の実施例を示すレイアウト図であ
る。
第1図に示すように、半導体基板37の上に設けた絶縁
pIA38上の水平方向に設けた行線1011.12.
13と垂直方向に設けた列線14゜15、’16,17
,18,19.20により仮想の配線格子を構成し、行
線11.12.13上に配置した配線21.22;’2
3と列*14.16.18.20上に配置した配線24
,25,26.27を設け、且つそれらの行線上の配線
と列線上の配線の各交差点で互に接続した並列接続の配
線を構成している。
pIA38上の水平方向に設けた行線1011.12.
13と垂直方向に設けた列線14゜15、’16,17
,18,19.20により仮想の配線格子を構成し、行
線11.12.13上に配置した配線21.22;’2
3と列*14.16.18.20上に配置した配線24
,25,26.27を設け、且つそれらの行線上の配線
と列線上の配線の各交差点で互に接続した並列接続の配
線を構成している。
ここで、配線24で共通接続した配線21,22.23
の入力端Aに供給されたクロック信号は行線11.12
.13と列線16の各交点で配線21.22.23に接
続された配線25の出力端Bと、行線11,12と列線
18の各交点で配線21.22に接続された配線26の
出力端Cと、行5illと列線20の交点で配!!21
に接続された配線27の出力端りの夫々に出力される。
の入力端Aに供給されたクロック信号は行線11.12
.13と列線16の各交点で配線21.22.23に接
続された配線25の出力端Bと、行線11,12と列線
18の各交点で配線21.22に接続された配線26の
出力端Cと、行5illと列線20の交点で配!!21
に接続された配線27の出力端りの夫々に出力される。
従って、入力端Aから入る信号は、配線21,22゜2
3およびこれらに直行する配線24により通常の1行線
上のみを用いる配線に比べて、格段に低いインピーダン
スを持つ配線に入力される。出力端Bに接続されたフリ
ップフロ71回路に信号か伝搬した後は動作させるフリ
ップフロップ回路が1つ減ったため、行線上の配線を1
本減らして2本を用いて出力端Cのフリップフロップに
回路に伝搬させ、出力端りのフリップフロップ回路には
配線21 ’+ :2’、6を用いてクロック信号が伝
搬される。
3およびこれらに直行する配線24により通常の1行線
上のみを用いる配線に比べて、格段に低いインピーダン
スを持つ配線に入力される。出力端Bに接続されたフリ
ップフロ71回路に信号か伝搬した後は動作させるフリ
ップフロップ回路が1つ減ったため、行線上の配線を1
本減らして2本を用いて出力端Cのフリップフロップに
回路に伝搬させ、出力端りのフリップフロップ回路には
配線21 ’+ :2’、6を用いてクロック信号が伝
搬される。
以上のように、クロック信号が入力される入力端Aでは
最も負荷が重い、つまり先に接続されている配線やフリ
ップフロップ回路が多いため、最もインピーダンスが低
くなっていなればならない。そこで多数の平行する隣り
合う配線を並列接続してこれを実現している。負荷が軽
くなれば並列接続される配線数は減り、クロック入力端
から最も離れた79717071回路には通常と同一の
インピーダンスを持つ1本の配線で入力される。
最も負荷が重い、つまり先に接続されている配線やフリ
ップフロップ回路が多いため、最もインピーダンスが低
くなっていなればならない。そこで多数の平行する隣り
合う配線を並列接続してこれを実現している。負荷が軽
くなれば並列接続される配線数は減り、クロック入力端
から最も離れた79717071回路には通常と同一の
インピーダンスを持つ1本の配線で入力される。
この実施例の効果を第4図に示す。第1図のクロック信
号の入力端Aでは、第3図に示した従来の配線の入力端
Eにくらべて配線全体の容量が大きいため伝達遅延時間
が劣る。しかし配線のインピーダンスが低くなっている
ため入力端Aから出力端B、C,Dへの伝達遅延時間は
小さくなりクロックスキューを小さくすることが可能と
なる。
号の入力端Aでは、第3図に示した従来の配線の入力端
Eにくらべて配線全体の容量が大きいため伝達遅延時間
が劣る。しかし配線のインピーダンスが低くなっている
ため入力端Aから出力端B、C,Dへの伝達遅延時間は
小さくなりクロックスキューを小さくすることが可能と
なる。
第2図(a)、(b)は本発明の第2の実施例を示すレ
イアウト図及びx−x′線断面図である。
イアウト図及びx−x′線断面図である。
第2図(a>、(b)に示すように、半導体基板37の
上に設けた絶縁M38の上に仮想的に行線10,11,
12.13及び列1!14,15゜16.17,18,
19.20を設け、行線11の上に配線、31,32.
33を層間絶縁膜34a、34bを介して積層し、且つ
列線上の眉間絶縁膜34a、34bに設けたスルーホー
ル35a、35b、36a、36b、36cにより互に
並列接続して列線16,18.20上に配置した配線2
5,2.6.27と接続して入力端Aに供給されたクロ
ック信号を出力端B、C,Dの夫々に分配している。
上に設けた絶縁M38の上に仮想的に行線10,11,
12.13及び列1!14,15゜16.17,18,
19.20を設け、行線11の上に配線、31,32.
33を層間絶縁膜34a、34bを介して積層し、且つ
列線上の眉間絶縁膜34a、34bに設けたスルーホー
ル35a、35b、36a、36b、36cにより互に
並列接続して列線16,18.20上に配置した配線2
5,2.6.27と接続して入力端Aに供給されたクロ
ック信号を出力端B、C,Dの夫々に分配している。
第2の実施例では、配線を多層配線にしたことにより配
線領域の有効利用ができる利点がある。
線領域の有効利用ができる利点がある。
以上説明したように本発明は、通常の信号配線を想定し
て設定された仮想配線格子上で同一クロック信号を伝達
する配線と、この配線に隣接する配線とを並列接続する
ことにより、配線のインバーダンスを低下させ、クロッ
クスキューを小さくすることができるという効果を有す
る。
て設定された仮想配線格子上で同一クロック信号を伝達
する配線と、この配線に隣接する配線とを並列接続する
ことにより、配線のインバーダンスを低下させ、クロッ
クスキューを小さくすることができるという効果を有す
る。
第1図は本発明の第1の実施例を示すレイアウト図、第
2図(a)、(b)は本発明の第2の実施例を示すレイ
アウト図及びx−x”線断面図、第3図は従来の半導体
集積回路の一例を示すレイアウト図、第4図は本発明と
従来例を比較したクロックスキューを示す特性図である
。 10.11,12.13・・・行線、141516.1
7,18,19.20・・・列線、21,22.23.
24.25.26.27.31.32゜33・・・配線
、34a、34b・・・層間絶縁膜、35a、35b、
36a、36b、36c川スルーボール、37・・・半
導体基板、38・・・絶縁膜、A・・・入力端、B、C
,D・・・出力端。
2図(a)、(b)は本発明の第2の実施例を示すレイ
アウト図及びx−x”線断面図、第3図は従来の半導体
集積回路の一例を示すレイアウト図、第4図は本発明と
従来例を比較したクロックスキューを示す特性図である
。 10.11,12.13・・・行線、141516.1
7,18,19.20・・・列線、21,22.23.
24.25.26.27.31.32゜33・・・配線
、34a、34b・・・層間絶縁膜、35a、35b、
36a、36b、36c川スルーボール、37・・・半
導体基板、38・・・絶縁膜、A・・・入力端、B、C
,D・・・出力端。
Claims (1)
- 半導体チップ上に仮想的に設定した行線及び前記行線と
直行する列線からなる配線格子上に配置してクロック信
号発生回路と接続する配線を有する半導体集積回路にお
いて、前記クロック信号発生回路の出力端子に接続して
前記行線上に配置し且つ前記列線との交差点で相互間を
並列接続する複数の配線を備えたことを特徴とする半導
体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2409390A JP2940045B2 (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2409390A JP2940045B2 (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03227569A true JPH03227569A (ja) | 1991-10-08 |
| JP2940045B2 JP2940045B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=12128765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2409390A Expired - Fee Related JP2940045B2 (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2940045B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5689139A (en) * | 1995-09-11 | 1997-11-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Enhanced electromigration lifetime of metal interconnection lines |
| US5712510A (en) * | 1995-08-04 | 1998-01-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reduced electromigration interconnection line |
| US5859449A (en) * | 1994-08-05 | 1999-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit |
-
1990
- 1990-02-01 JP JP2409390A patent/JP2940045B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5859449A (en) * | 1994-08-05 | 1999-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit |
| US5712510A (en) * | 1995-08-04 | 1998-01-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reduced electromigration interconnection line |
| US5689139A (en) * | 1995-09-11 | 1997-11-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Enhanced electromigration lifetime of metal interconnection lines |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2940045B2 (ja) | 1999-08-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |