JPH0322914Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0322914Y2 JPH0322914Y2 JP1985155606U JP15560685U JPH0322914Y2 JP H0322914 Y2 JPH0322914 Y2 JP H0322914Y2 JP 1985155606 U JP1985155606 U JP 1985155606U JP 15560685 U JP15560685 U JP 15560685U JP H0322914 Y2 JPH0322914 Y2 JP H0322914Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- bonding
- group
- window
- reducing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は集積回路素子等の半導体素子をリー
ドフレームにボンデイングするのに最適なボンデ
イング用加熱装置に関するものである。
ドフレームにボンデイングするのに最適なボンデ
イング用加熱装置に関するものである。
周知のように半導体素子をリードフレーム等に
半田付等のろう材を用いてボンデイングするに
は、溶融ろう材の表面酸化膜を還元するかあるい
は表面酸化膜の発生を防止させる非酸化性の雰囲
気が必要である。
半田付等のろう材を用いてボンデイングするに
は、溶融ろう材の表面酸化膜を還元するかあるい
は表面酸化膜の発生を防止させる非酸化性の雰囲
気が必要である。
このため従来は実公昭57−42175号公報に開示
されているようなボンデイング用加熱装置が使用
されていた。すなわち、その構成例を第２図ａ，
ｂに示す。同図において、１は集積回路用のリー
ドフレーム、２は半田等のろう材を溶融温度まで
加熱するヒートブロツク、３は還元性ガスを噴出
する開口群、４は還元性雰囲気を形成するための
ガスカバーであり、中央にはろう材や半導体ペレ
ツトを運び込む窓５が形成されている。６は前記
ガスカバー４によつて形成された凹溝で、開口群
３から噴出された還元性ガスがこの凹部６に戻
り、還元性雰囲気を形成する。７は加熱された無
酸化ガスを噴出するヒートブロツク２に形成され
た開口群、８は前記ガスカバー４を覆うガスカバ
ー、９は前記ガスカバー８に形成された窓、１０
は前記開口群７から噴出する無酸化ガスを導き窓
９に向つて層状に流出する凹部である。
されているようなボンデイング用加熱装置が使用
されていた。すなわち、その構成例を第２図ａ，
ｂに示す。同図において、１は集積回路用のリー
ドフレーム、２は半田等のろう材を溶融温度まで
加熱するヒートブロツク、３は還元性ガスを噴出
する開口群、４は還元性雰囲気を形成するための
ガスカバーであり、中央にはろう材や半導体ペレ
ツトを運び込む窓５が形成されている。６は前記
ガスカバー４によつて形成された凹溝で、開口群
３から噴出された還元性ガスがこの凹部６に戻
り、還元性雰囲気を形成する。７は加熱された無
酸化ガスを噴出するヒートブロツク２に形成され
た開口群、８は前記ガスカバー４を覆うガスカバ
ー、９は前記ガスカバー８に形成された窓、１０
は前記開口群７から噴出する無酸化ガスを導き窓
９に向つて層状に流出する凹部である。
このような構成において、前述した無酸化ガス
には窒素ガス、アルゴンガス等を用い、還元性ガ
スに比べて比重が重く、開口群７から噴出した無
酸化ガスはガスカバー４の窓５を覆い、開口群３
から噴出する還元性ガスの上昇を防ぎ、凹部６内
に充分なる還元性雰囲気を形成し、たとえ無酸化
ガスを吸い込んでも還元性雰囲気を保つことがで
きた。
には窒素ガス、アルゴンガス等を用い、還元性ガ
スに比べて比重が重く、開口群７から噴出した無
酸化ガスはガスカバー４の窓５を覆い、開口群３
から噴出する還元性ガスの上昇を防ぎ、凹部６内
に充分なる還元性雰囲気を形成し、たとえ無酸化
ガスを吸い込んでも還元性雰囲気を保つことがで
きた。
前述した従来のボンデイング用加熱装置では、
次に説明する条件下では還元性雰囲気を保つこと
ができなくなるという問題があつた。すなわち、
例えば64Kあるいは256KのDRAM等ダイボンド
を施す半導体ペレツトサイズが従来のTTL等の
１mm〜３mm角に比べて大寸法、大面積を持つ半導
体ペレツトにおいて、前述した同一構造のボンデ
イング用加熱装置であれば、ボンデイング用操作
窓５，９の開口部面積を拡げることになる。ま
た、ヒートブロツク２により加熱された無酸化ガ
スは窒素ガス等比重が重いが、加熱されて上昇気
流となり、外部に放出され、さらに開口部面積を
増すほど助長され、ひいては良好な還元性雰囲気
効果が保てなくなる。また、同図ｂでも示すよう
に半導体ペレツトサイズが大きくなると、リード
フレーム１内のダイパツトリード１′も幅が広く
なり、還元性ガスが充分に届かなくなり、前記ダ
イパツトリード１上に置かれた半田等のろう材表
面に発生した酸化膜を充分に還元できないという
問題があつた。
次に説明する条件下では還元性雰囲気を保つこと
ができなくなるという問題があつた。すなわち、
例えば64Kあるいは256KのDRAM等ダイボンド
を施す半導体ペレツトサイズが従来のTTL等の
１mm〜３mm角に比べて大寸法、大面積を持つ半導
体ペレツトにおいて、前述した同一構造のボンデ
イング用加熱装置であれば、ボンデイング用操作
窓５，９の開口部面積を拡げることになる。ま
た、ヒートブロツク２により加熱された無酸化ガ
スは窒素ガス等比重が重いが、加熱されて上昇気
流となり、外部に放出され、さらに開口部面積を
増すほど助長され、ひいては良好な還元性雰囲気
効果が保てなくなる。また、同図ｂでも示すよう
に半導体ペレツトサイズが大きくなると、リード
フレーム１内のダイパツトリード１′も幅が広く
なり、還元性ガスが充分に届かなくなり、前記ダ
イパツトリード１上に置かれた半田等のろう材表
面に発生した酸化膜を充分に還元できないという
問題があつた。
この考案に係るボンデイング用加熱装置は、ガ
スカバーによつて形成された凹溝のボンデイング
操作用窓に沿つて周囲に凸部を設け、かつ前記凸
部の外周部に傾斜面を形成したものである。
スカバーによつて形成された凹溝のボンデイング
操作用窓に沿つて周囲に凸部を設け、かつ前記凸
部の外周部に傾斜面を形成したものである。
この考案においては、凸部の傾斜面に沿つて還
元性ガスが流れ、ダイパツトリードフレームに直
接的に吹き付けられることになる。
元性ガスが流れ、ダイパツトリードフレームに直
接的に吹き付けられることになる。
第１図ａ，ｂはこの考案の一実施例を示す断面
図、下方向から見た斜視図であり、前述の図と同
一もしくは相当部分には同一符号を付してある。
同図において、還元性ガスを噴出する開口群を覆
うガスカバー４′において、前記ガスカバー４′の
ボンデイング用操作窓５の下面に、図中Ｘ寸法よ
り0.3mm〜0.5mm短かいＹ寸法で凸部１１が下向き
に設けかつ還元性ガスを噴出する開口群３側（凸
部１１の外周面）に対して約45度の傾斜面１１ａ
を周囲に設ける。
図、下方向から見た斜視図であり、前述の図と同
一もしくは相当部分には同一符号を付してある。
同図において、還元性ガスを噴出する開口群を覆
うガスカバー４′において、前記ガスカバー４′の
ボンデイング用操作窓５の下面に、図中Ｘ寸法よ
り0.3mm〜0.5mm短かいＹ寸法で凸部１１が下向き
に設けかつ還元性ガスを噴出する開口群３側（凸
部１１の外周面）に対して約45度の傾斜面１１ａ
を周囲に設ける。
このような構成において、ガスカバー４′では
還元性ガスを噴出する開口群３から噴出した還元
性ガスはガスカバー４′の凹部に当たる。次いで
前記ボンデイング操作用窓５の下部に凸部からな
るチヤンバーを形成しており、このチヤンバー内
に還元性ガスが充満し、かつ前記開口群３から噴
出する圧力により、前記ボンデイング操作用窓５
下部に設けた傾斜面１１ａに沿つて還元性ガスが
斜め下方に向つて放出される。その放出された還
元性ガスがダイパツトリード１′上で溶融した半
田表面に触れることにより、半田表面に形成され
ている酸化膜が還元されることになる。
還元性ガスを噴出する開口群３から噴出した還元
性ガスはガスカバー４′の凹部に当たる。次いで
前記ボンデイング操作用窓５の下部に凸部からな
るチヤンバーを形成しており、このチヤンバー内
に還元性ガスが充満し、かつ前記開口群３から噴
出する圧力により、前記ボンデイング操作用窓５
下部に設けた傾斜面１１ａに沿つて還元性ガスが
斜め下方に向つて放出される。その放出された還
元性ガスがダイパツトリード１′上で溶融した半
田表面に触れることにより、半田表面に形成され
ている酸化膜が還元されることになる。
以上説明したようにこの考案は、還元性ガスを
一度ガスバーナに貯え、さらに凸部傾斜面に沿つ
て４方向から均一に還元性ガスを吹き下ろし、か
つ凸部先端とヒートブロツクとの隙間を絞ること
により、開口群を通過するときの還元性ガスを流
速以上に上げることができ、直接リードフレーム
上の半田などのろう材表面まで還元性ガスを吹き
付けることができるようにしたので、チツプサイ
ズが大きく、従来の方法では良好な還元性ガスの
雰囲気が得られない場合でも十分な効果が期待で
きる。また、従来ではチツプサイズが異なる毎に
ガスカバーの交換が必要であつたが、本考案では
ある流速を持つてダイパツトリード１表面上に還
元性ガスを吹き付けることができるため、チツプ
サイズ毎にガスカバーを交換する必要もなく、高
稼働率が得られるボンデイング用加熱装置を提供
できるなどの極めて優れた効果が得られる。
一度ガスバーナに貯え、さらに凸部傾斜面に沿つ
て４方向から均一に還元性ガスを吹き下ろし、か
つ凸部先端とヒートブロツクとの隙間を絞ること
により、開口群を通過するときの還元性ガスを流
速以上に上げることができ、直接リードフレーム
上の半田などのろう材表面まで還元性ガスを吹き
付けることができるようにしたので、チツプサイ
ズが大きく、従来の方法では良好な還元性ガスの
雰囲気が得られない場合でも十分な効果が期待で
きる。また、従来ではチツプサイズが異なる毎に
ガスカバーの交換が必要であつたが、本考案では
ある流速を持つてダイパツトリード１表面上に還
元性ガスを吹き付けることができるため、チツプ
サイズ毎にガスカバーを交換する必要もなく、高
稼働率が得られるボンデイング用加熱装置を提供
できるなどの極めて優れた効果が得られる。
第１図ａ，ｂはこの考案によるボンデイング用
加熱装置の一実施例を示す要部断面図、下方向か
ら見た斜視図、第２図ａ，ｂは従来のボンデイン
グ用加熱装置を示す平面図、その要部断面図であ
る。 １……リードフレーム、１′……リードフレー
ム内のダイパツトリード、２……ヒートブロツ
ク、３……開口群、４′……ガスカバー、５……
窓、６……凹部、７……開口群、８……ガスカバ
ー、９……窓、１０……凹部、１１……凸部、１
１ａ……傾斜面。
加熱装置の一実施例を示す要部断面図、下方向か
ら見た斜視図、第２図ａ，ｂは従来のボンデイン
グ用加熱装置を示す平面図、その要部断面図であ
る。 １……リードフレーム、１′……リードフレー
ム内のダイパツトリード、２……ヒートブロツ
ク、３……開口群、４′……ガスカバー、５……
窓、６……凹部、７……開口群、８……ガスカバ
ー、９……窓、１０……凹部、１１……凸部、１
１ａ……傾斜面。
Claims (1)
- リードフレーム等を加熱し還元性ガスを噴射す
る開口群および無酸化ガスを噴出する開口群を備
えたヒートブロツク上に、前記還元性ガスを噴出
する開口群に連通し還元性雰囲気を形成する凹部
と、この凹部の上方にボンデイング操作用の窓を
形成した第１のガスカバーと、前記無酸化ガスを
噴出する開口群に連通し前記無酸化ガス膜を前記
窓の上方に形成する凹部と、この凹部上方にボン
デイング操作用窓を形成した第２のガスカバーと
を設けたボンデイング用加熱装置において、前記
第１のガスカバーのボンデイング操作用窓に沿つ
た内側周囲に、前記凹部の凹寸法よりも小さな寸
法を有する凸部を設け、かつ該凸部の前記還元性
ガスを噴出する開口群側周囲に傾斜面を形成した
ことを特徴とするボンデイング用加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985155606U JPH0322914Y2 (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985155606U JPH0322914Y2 (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6263933U JPS6263933U (ja) | 1987-04-21 |
| JPH0322914Y2 true JPH0322914Y2 (ja) | 1991-05-20 |
Family
ID=31076456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985155606U Expired JPH0322914Y2 (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0322914Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6133262Y2 (ja) * | 1980-08-14 | 1986-09-29 |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP1985155606U patent/JPH0322914Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6263933U (ja) | 1987-04-21 |
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