JPH03230752A - 電圧共振形dc/dcコンバータ - Google Patents

電圧共振形dc/dcコンバータ

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JPH03230752A
JPH03230752A JP2025062A JP2506290A JPH03230752A JP H03230752 A JPH03230752 A JP H03230752A JP 2025062 A JP2025062 A JP 2025062A JP 2506290 A JP2506290 A JP 2506290A JP H03230752 A JPH03230752 A JP H03230752A
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JP
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resonant
voltage
converter
mosfets
main switch
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Jun Senda
潤 千田
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Fujitsu Ltd
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    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/02Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
    • H02M3/04Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/10Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
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    • H02M3/158Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

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  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [概要] 電圧共振形D C/D Cコンバータに関し、全波形で
動作させることによって、入出力電圧特性を良好にする
ことができ、かつ、主スイッチ素子としてパワーMO3
FETを用いることができるとともに、低損失でかつ高
周波化が可能な電圧共振形D C/D Cコンバータを
提供することを目的とし、 入力コイルと2個のMOSFETを互いに逆方向に接続
してなる主スイッチとを直列にして入力電源に対して接
続するとともに、該主スイッチの両端に並列に接続した
共振コンデンサに対して共振コイルと整流ダイオードと
負荷とを直列にして接続してなり、該主スイッチを構成
する2個のMOSFETを同時にオン、オフするように
制御することによって、該主スイッチのオン時入力コイ
ルに蓄えられたエネルギーによって、該主スイッチのオ
フ時共振コンデンサと共振コイルとの共振によって発生
した交番電圧を前記整流ダイオードを経て整流して負荷
に供給することによって構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は電圧共振形D C/D Cコンバータに係り、
特に全波形で動作して零電圧スイッチングを行うことが
できる電圧共振形D C/D Cコンバータに関するも
のである。
電圧共振形D C/D Cコンバータは、全波形で動作
させた場合、入力電圧対出力電圧の特性が良好であるこ
とが知られている。
このような全波形で動作する電圧共振形DC/DCコン
バータにおいては、パワーMO3FETを主スイッチ素
子として使用する回路構成が可能であることが要望され
る。
〔従来の技術] 第8図は電圧共振形D C/D Cコンバータの基本回
路を示したものであって、V i nは入力電源、C8
,、は入力コンデンサ、L、は入力コイル、Crは共振
コンデンサ、Lrは共振コイル、D、は整流ダイオード
、CFは出力コンデンサ、RLは負荷、Qはスイッチで
ある。
第8図のD C/D Cコンバータは、スイッチQがオ
ンのとき、入力電源V inから入力コイルし。
を経て電流を流すことによって、入力コイルし。
にエネルギーを蓄える。そしてスイッチQがオフのとき
入力コイルLユに蓄えられたエネルギーによって、共振
コンデンサCrと共振コイルL、とで共振を生じ、これ
によって生じる交番電圧によって整流ダイオードD、を
経て負荷RLに電流が流れる。この際出力コンデンサC
Fは、負荷RLに対する出力電圧を平滑化する作用を行
う。
第9図はバイポーラ形電圧共振形D C/D Cコンバ
ータを示したものであって、第8図に示された基本回路
におけるスイ・7チQとして、バイポーラ形トランジス
タQが用いられている。この場合は、共振時の逆電圧が
トランジスタQに印加されて破壊されることを防止する
ため、逆阻止ダイオードD2をトランジスタQに直列に
接続することが必要となる。
第10図は、従来のMO3FET形電圧共振形D C/
D Cコンバータを示したものであって、第8図に示さ
れた基本回路におけるスイッチQとして、パワーMO3
FETQが用いられている。MO3FETQだけを用い
た場合には、MO3FETQの寄生ダイオードD、のた
め全波形の動作を行うことができず、半波形の電圧共振
形D C/DCコンバータとなる。これを全波形として
動作させるためには、第9図に示されたバイポーラ形の
場合と同様に逆阻止ダイオードD2を挿入して、第10
図のような回路構成とすることが必要である。
第11図は半波形電圧共振形D C/D Cコンバータ
の入出力電圧特性を示したものであって、f。/f、(
f、は共振周波数、fsは変換周波数)と■。/Vin
 (voは出力電圧、V iFlは入力電圧)との関係
を、負荷RLをバラン、−夕として示している。
第11図から明らかなように、半波形電圧共振形D C
/D Cコンバータは、fo/fsが一定な場合でも、
負荷RLの変動によって入出力電圧特性が変化する。
第12図は全波形電圧共振形D C/D Cコンバータ
の入出力電圧特性を示したものであって、第11図と同
様にf o / f sと■。/V1、lとの関係を、
示しているが、この場合は、f o / f sが一定
な場合には、負荷RLO値にかかわらず入出力電圧特性
は一定である。
このように全波形電圧共振形D C70Cコンバータは
、負荷変動による入出力電圧特性の変動が少ないという
特長を有している。
[発明が解決しようとする課題] 第9図に示されたバイポーラ形電圧共振形DC/DCコ
ンバータは、全波形として動作することができるが、バ
イポーラトランジスタの特性上、高周波動作に限界があ
るという問題がある。
また第10図のD C70Cコンバータのように、主ス
イッチ素子にパワーMO3FETQを用い、逆阻止ダイ
オードD2を接続した場合には、全波形として動作させ
ることができるが、パワーMO3FETの寄生容量に基
づく素子内部の熱損失が大きいという問題がある。
第13図は、第10図の従来例の動作波形を示したもの
である。
いま、MO3FETQに対する駆動信号qを、D C7
0Cコンバータの変換周波数f、で定まるオン、オフの
繰り返し周期で与える。この場合、オフ期間を共振コイ
ルL、と共振コンデンサCrによって定まる共振周波数
f、の1周期になるように設定することによって、全波
形としての動作を行わせることができ、共振コンデンサ
Crの端子電圧Vc、は図示のようになる。
この際、第10図に示されたパワーMO3FETQの寄
生容量C08,には、MO3FETQのオフ期間におい
て、共振コンデンサCrにおける共振電圧と等しいピー
ク値まで、電荷が充電される。
この電荷は、MO3FETQがオンになったとき、素子
内部で消費されて熱損失となる。第13図において、■
。、はMO3FETQのドレイン−ソース間の電圧を示
し、Aで示される寄生容量C3ssの電荷に基づく部分
が、MO3FETQの内部で放電して損失となる。
このような損失は、変換周波数が高くなるに従って増大
し、これに基づく素子の熱破壊によって、D C70C
コンバータの高周波化が妨げられることになる。このよ
うな問題から、従来、MOSFETを用いた全波形の電
圧共振形D C70Cコンバータは、実用に供されるこ
とがなかった。
本発明はこのような従来技術の課題を解決しようとする
ものであって、全波形で動作させることによって、入出
力電圧特性を良好にすることができ、かつ、主スイッチ
素子としてパワーMO3FETを用いることができると
ともに、低損失でかつ高周波化が可能な電圧共振形D 
C70Cコンバータを提供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は第1図にその原理的構成を示すように、入力コ
イルL1と2個のM OS F E T Q+、 Qz
を互いに逆方向に接続してなる主スイッチとを直列にし
て入力電源に対して接続するとともに、この主スイッチ
の両端に並列に接続した共振コンデンサCrに対して共
振コイルしrと整流ダイオードD、と負荷RLとを直列
にして接続して構成されている。
そしてこの主スイッチを構成する2個のMO3FETQ
+、Qtを同時にオン、オフするように制御することに
よって、この主スイッチのオン時入力コイルし、に蓄え
られたエネルギーによって、この主スイッチのオフ時共
振コンデンサC1と共振コイルしrとの共振によって発
生した交番電圧を整流ダイオードD、を経て整流して負
荷Rtに供給するように動作させる。
〔作用〕
MO3FET形全波形電圧共振形D C70Cコンバー
タにおいて、主スイッチを構成するパワーMO3FET
Qの寄生容量C3ssに基づく熱損失を防止するために
は、主スイッチのオフ時に寄生容量C05,に蓄積され
る電荷を放電するバイパスルートを、回路的に構成すれ
ばよい。
本発明においては、第1図の原理構成図に示すように、
主スイッチとして互いに逆向きに接続された2個のMO
3FETQ1、Q、を用いる。
第2図は本発明の詳細な説明する図である。同図に示さ
れるように、MO3FETQ1、Q2は、駆動電圧q+
、qzによって同時にオンした後、同時にオフするよう
に制御される。これによって共振コイルLrと共振コン
デンサCrによって共振動作が生じ、このため共振コン
デンサCrの電圧■Crの波形は正負のほぼ正弦波状の
波形となる。
この正負の電圧サイクルに対応して、MO3FETQ1
、Qtの寄生コンデンサC(II、  C0tに充電し
た電荷は、それぞれ他方のMO3FETQz、Q、の寄
生ダイオードD2S+  DI3を経て、■、■に示す
ルートで放電され、電荷が蓄積することはない。
この場合のMO3FETQz、Ql のドレインソース
間の電圧(寄生コンデンサc o + 、  c o 
zの電圧) Vos (Q1)、VI+3 (Q1)は
、図示のように電圧■Crの正負のサイクルの終了時に
0となり、第1O図および第11図に示された従来例の
ように、寄生コンデンサに電荷が蓄積された状態で、ス
イッチ素子がオンされることを防止できる。
〔実施例〕
第3図は本発明の第1の実施例を示したものであって、
第8図の基本回路と同じものを同じ符号で示し、Q1、
Qz はパワーMO3FET、Tは駆動トランス、1は
増幅回路、2は電圧/周波数(V/F)変換回路、3は
駆動回路(DRV)である。
また第4図は第3図の実施例の動作波形を示している。
第3図に示された電圧共振形D C/D Cコンバータ
は、フィードバック制御回路を構成している。
すなわち、負荷RLの出力電圧■。は、増幅回路lにお
いて基準電圧V refと比較されて、誤差電圧を増幅
される。この誤差増幅回路の出力は、V/F変換回路2
に加えられて、電圧値に比例して上昇する周波数のクロ
ック信号■に変換される。
駆動回路3は、V/F変換回路2のクロック周波数(変
換周波数)に応じて変化する周期でオンオフを繰り返す
駆動信号■を発生する。これによって駆動トランスTを
介して、ゲート−ソース間電圧VCS■を与えられるこ
とによって、パワーMOS F E T Qt、 Qz
は、同時にオン、オフするように制御される。
この際、パワーM OS F E T Ql、Qtのオ
フ時間は、前述のように共振周波数f、によって定まる
一定の時間になるように制御されることによって、共振
コンデンサC7に第4図に示すような電圧Vc、を生じ
全波形の動作が行われる。従って負荷RLの変動等によ
って出力電圧V。が変化したときは、オン時間が変化し
て入力コイルし、の励磁エネルギーが変化し、これによ
って出力電圧■oが一定に保たれるように、フィードハ
ック制御が行われる。
第5図は本発明の第2の実施例を示したものであって、
第3図の実施例と同じものを同じ符号で示し、T1、T
、はそれぞれ駆動トランスである。
また第6図は第5図の実施例の動作波形を示している。
第5図に示された電圧共振形D C/D Cコンバータ
では、主スイッチ素子Q1、Q2はそれぞれ異なるタイ
ミングでオン、オフを制御される。駆動回路3は、クロ
ック信号■に応じて、異なるタイミングの駆動信号■、
■を発生し、これによってパワーM OS F E T
 Ql、 Qzのゲート−ソース間電圧VCSは、駆動
トランスT1、T2を介してそれぞれ第6図に示すよう
に制御され、これによってM OS F E T Ql
、 Qzは、それぞれ異なるタイミングでオン、オフを
行う。
この場合、MO3FETQ+、Qzは、第2図に示され
たM OS F E T Ql、 Qtのドレイン−ソ
ース間電圧■。s (Q1)、  Vos (Qz)が
オンの期間に対応してオフとなり、それ以外の期間はオ
ンとなるように制御されるので、それぞれの寄生コンデ
ンサC01,Cogに蓄積された電荷は他方のMO3F
 E T Qt、 Qlを経て放電されるようになり、
寄生コンデンサC0I、COZの電荷の解放がより容易
に行われるようになる。
第7図は本発明の第3の実施例を示したものであって、
第3図の実施例と同じものを同じ符号で示し、Cr1、
Cr、はそれぞれ共振コンデンサである。
第7図に示された電圧共振形D C/D Cコンバータ
では、共振コンデンサは直列に接続された2個のコンデ
ンサCr1、Cr、に分割されていて、その接続点をパ
ワーM OS F E T Ql、 Qzの接続点に接
続され、従って共振コンデンサCr 1、 Cr2は、
それぞれ、MO3FETQ1、Q、に並列に接続されて
いる。
第7図の実施例は、D C/D Cコンバータの変換周
波数が高くなり、従って共振周波数が高くなって、パワ
ーMO3FETの寄生容量を、共振コンデンサとして利
用することができるようになった場合に適用できるもの
である。
[発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、主スイッチ素子と
してパワーMO3FETを用いる電圧共振形DC/DC
コンバータにおいて、全波形で動作させることによって
、入出力電圧特性を良好にすることができるとともに、
この際、主スイッチ素子の寄生コンデンサの電荷蓄積を
防止できるので、零電圧スイッチングを行うことができ
るようになる。従って寄生コンデンサの電荷の放電に基
づく熱損失がなく、低損失であってかつ高周波化が可能
な電圧共振形D C/D Cコンバータを実現できるよ
うになる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理的構成を示す図、第2図は本発明
の詳細な説明する図、第3図は本発明の第1の実施例を
示す図、第4図は第3図の実施例の動作波形を示す図、
第5図は本発明の第2の実施例を示す図、第6図は第5
図の実施例の動作波形を示す図、第7図は本発明の第3
の実施例を示す図、第8図は電圧共振形D C/D C
コンバータの基本回路を示す図、第9図はバイポーラ形
電圧共振形D C/D Cコンバータを示す図、第10
図は従来のMO3FET形電圧共振形D C/D Cコ
ンバータを示す図、第11図は半波形電圧共振形D C
/D Cコンバータの入出力電圧特性を示す図、第12
図は全波形電圧共振形D C/D Cコンバータの入出
力電圧特性を示す図、第13図は第10図の従来例の動
作波形を示す図である。 L、は入力コイル、Q1、Q2はMOSFET、Crは
共振コンデンサ、L、は共振コイル、Dは整流ダイオー
ド、RLは負荷である。 本弁明の原理的構成を示す図 本弁明の作用を説明する図 第2図 第3図 Vcs (Q+、Q2) ON ■ FF ON FF ON FF 第3図の実施例の動作波形を示す図 第4図 第5図の実施例の動作波形を示す図 第9図 IS 従来のMO5FET形電圧共振形DC/DCコンバータ
を示す図紡1凸M 半波形電圧共振形DC/DCコンハ゛−夕の入出力電圧
特性を示す図第11図 f0/↑・ 全波形電圧共振形D C/ DCコンハ゛夕の入出力電
圧特性を示す図 第10図の従来例の動作波形を示す図 第13図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)入力コイル(L_i)と2個のMOSFET(Q
    _1、Q_2)を互いに逆方向に接続してなる主スイッ
    チとを直列にして入力電源に対して接続するとともに、
    該主スイッチの両端に並列に接続した共振コンデンサ(
    C_r)に対して共振コイル(L_r)と整流ダイオー
    ド(D_1)と負荷(R_L)とを直列にして接続して
    なり、 該主スイッチを構成する2個のMOSFET(Q_1、
    Q_2)を同時にオン、オフするように制御することに
    よって、該主スイッチのオン時入力コイル(L_i)に
    蓄えられたエネルギーによって、該主スイッチのオフ時
    共振コンデンサ(C_r)と共振コイル(L_r)との
    共振によって発生した交番電圧を前記整流ダイオード(
    D_1)を経て整流して負荷(R_L)に供給すること
    を特徴とする電圧共振形DC/DCコンバータ。
  2. (2)請求項第1項記載の電圧共振形DC/DCコンバ
    ータにおいて、主スイッチを構成するMOSFET(Q
    _1、Q_2)を、前記共振によって発生した交番電圧
    の正の期間に一方をオンさせ、負の期間に他方をオンさ
    せるように制御することを特徴とする電圧共振形DC/
    DCコンバータ。
  3. (3)請求項第1項記載の電圧共振形DC/DCコンバ
    ータにおいて、共振コンデンサ(C_r)が直列に接続
    された2個の等しいコンデンサ(Cr_1、Cr_2)
    からなり、両コンデンサ(Cr_1、Cr_2)の接続
    点と主スイッチを構成する2個のMOSFET(Q_1
    、Q_2)の接続点とを接続したことを特徴とする電圧
    共振形DC/DCコンバータ。
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