JPH03232138A - 光磁気記録媒体とその製造法およびそれを用いた記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザ光などのエネルギービームを用いて情
報の記録、再生、消去を行なう光磁気記録技術に係わり
、特に、固定したバイアス磁界の印加もしくは無磁界の
状態においてオーバーライド（重ね書き）可能な光磁気
記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた光磁
気記録再生装置に関する。

〔従来の技術〕

光磁気記録におけるオーバーライドの手法には。

磁界変調方式および光変調方式がある。

磁界変調方式では、光磁気記録膜に連続光を照射し、記
録部分を照射光エネルギーで昇温させ。

同時に、記録すべき情報をもとに変調させた磁界を印加
することにより、光磁気記録膜の磁化を反転させてオー
バーライドを行なうものである（例えば、特開昭６０−
２５１５３９．特開昭６０−２６１０５１、特開昭６１
−２２４５２など）。

一方、光変調方式によりオーバーライドを行なう方式と
しては、２暦の磁性膜を用いる方式（特開昭６２−１７
５９４８）、および固定磁界による方式〔アイ・イー・
イー・イー　トランザクション　オン　マグネチツクス
、エム　ニー　ジー２３、ｌ　（１９８７年１月）第１
７１頁から第１７３頁（Ｉ　Ｅ　Ｅ　Ｅ　、　Ｔｒａｎ
ｓ、　Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、　ｖｏｌ。

ＭＡＧ−２３，Ｎｏ、１　　（Ｊａｎｕａｒｙ　　１９
８７）ｐｐ１７１−１７３））に提案されている。この
うち。

２層の磁性膜を用いる方式は、交換相互作用により磁気
的に結合した２層の磁性膜からなる光磁気記録媒体を用
い、記録の都度に、磁界印加による記録膜の初期化を行
なう必要がある。また、固定磁界による光変調オーバー
ライド方式では、所定の時間幅のレーザパルスで記録磁
区を形成し、上記レーザパルスより短い時間幅のレーザ
パルスを上記記録磁区上に照射して、既存の記録磁区を
消去させることにより単一ビームによるオーバーライド
を行なう方式である。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述したごとく、従来技術のうち、磁界変調オーバーラ
イド方式では、高速で磁界をスイッチングすることが可
能な磁界発生用電磁石が必要とされる。このために、記
録再生装置における磁界印加機構が複雑になるという欠
点があった。

また、２層の磁性膜を用いる光変調オーバーライド方式
では９両方の磁性膜の補償温度や保磁力等の磁気特性お
よび両磁性膜間の磁気的な結合の強さを特定の範囲内に
コントロールしなければならず、また記録消去に用いる
レーザ光出力の許容範囲が小さくなるなどの問題があっ
た。

一方、固定した印加磁界もしくは無磁界におけるオーバ
ーライド方式では、上記の２つの方式に比へて、記録再
生装置が簡単であるという特徴を持つ。しかし、短いパ
ルス光で行なう記録磁区の消去動作が確実に行なわれな
いために消し残りエラーが発生し、書き換え動作の再現
性が不十分であるという問題があった。

本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解消し、光磁
気記録再生において、単一ビームの光ヘッドを用い、固
定した印加磁界もしくは無磁界のもとで、再現性良くオ
ーバーライドを行なうことが可能な光磁気記録媒体およ
びその製造方法ならびにそれを用いた記録再生装置を提
供することにある６ 〔課題を解決するための手段〕 上記本発明の目的は、情報の記録磁区の形成と消去を固
定した印加磁界もしくは無磁界のもとで行なう光磁気記
録方式において、上記記録磁区を保持する記録媒体とし
て、キュリー温度より少なくとも５度低い温度からキュ
リー温度までの温度範囲における保磁力が３エールステ
ッド以下である磁性膜を用いることにより、達成される
。

〔作用〕

上述したごとく、固定した印加磁界もしくは無磁界にお
けるオーバーライド方式は、これまでに提案されている
他のオーバーライド方式に比べて。

記録再生装置が簡単であるという特徴がある。しかし、
記録磁区の消去動作の再現性が不十分であり、消し残り
エラーが発生する確率が高いという問題があった。本発
明者らは、記録磁区の消去動作が、記録媒体である磁性
膜のキュリー温度近傍における磁気特性と密接な関係を
持つことに注目し、これを制御することにより上記オー
バーライド方式による再現性を高める検討を行なった。

光磁気記録における記録磁区の消去では、一般に、レー
ザ光などのエネルギービームを用いて。

磁性膜の温度をそのキュリー温度近傍、あるいはそれ以
上の温度に上昇させる。したがって、記録磁区の消去特
性は、磁性膜のキュリー温度近傍における磁気特性と密
接に関係するものと考えられる。そして、磁気特性の異
なる種々の磁性膜を用いて、上記の関係を詳細に調べた
結果、キュリー温度近傍における保磁力の温度変化が特
に重要であることが明らかになった。

第１図に、キュリー温度近傍の保磁力の異なる２種類の
Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系の磁性膜Ａ（保磁カポ）およびＢ（
保磁力大）において９重ね書きを行なった後の記録磁区
の直径ｄ（μｍ）と２重ね書きのために照射したレーザ
パルスのパルス幅τ（ｎｓ）との関係を示す。この実験
では、最初に、６００ナノ秒（ｎｓ）のレーザパルスに
より記録を行ない。

次に同じ部分にパルス幅を変えた種々のパルス光により
９重ね書きを行なった。膜面レーザパワーは１’７＋Ｗ
、印加磁界は、記録磁区の形成を補助する方向に３０エ
ールステッド（○ｅ）印加しており、記録時と重ね書き
時において印加磁界は変えていない。第１図に見られる
ように、磁性膜Ａでは、パルス幅が２００ｎｓから２５
０ｎｓの領域において、単一パルスにより既存の記録磁
区を消去することが可能である。これに対して、磁性膜
Ｂでは、パルス幅が１００ｎｓから２５０ｎｓの領域に
おいて２重ね書き後の磁区の直径が小さくなってはいる
が、記録磁区を完全に消去することはできない。

第２図に、上記の磁性膜Ａを用い、この磁性膜の記録磁
区が存在しない部分に、上記と同し条件でレーザ光を照
射した場合の記録磁区の直径ｄ（μｍ）と、照射したレ
ーザパルスの幅τ（ｎｓ）との関係を示す。第１図と見
比べると、２００ｎｓ以上のパルス幅においては、既存
磁区の有無にかかわらず、最後に照射された光パルスの
パルス幅によって、最終的に残る記録磁区の直径が決ま
っている。また、２００ｎｓ以上のパルス幅の領域には
、記録磁区が残る２５０ｎｓ以上の領域と、記録磁区が
残らない２５０ｎｓ以下の領域の２つの領域が存在する
。したがって、パルス幅を変調することにより、固定し
た印加磁界のもとで、単一レーザビームによるオーバー
ライドが可能となる。これに対して、磁性膜Ｂでは、現
存の記録磁区を４去することができないため、オーバー
ライドがイ可能となる。

第３図に、上記の２種類の磁性膜ＡおよびＢ（７キユリ
一温度近傍における保磁力Ｈｅ（○ｅ）の温度変化を示
す、磁性膜ＡおよびＢのキュリー温趨は、それぞれ２２
６°Ｃ，２２３℃であり、はぼ綱しい。第３図の横軸は
測定温度Ｔと各磁性膜のキュリー温度Ｔｃとの差ＣＴ−
Ｔｃ（度）〕である。

図に示すごとく、磁性膜Ａの保磁力は、磁性膜Ｂに比べ
て、キュリー温度近傍において非常に小さくなっている
。このような、キュリー温度近傍における保磁力の温度
特性の差が、固定磁界のもとにおけるオーバーライド特
性に影響を与えているものと考えられる。

光パルス照射による記録磁区の磁壁の移動は。

下記の（１）式に示すような円形磁区の磁壁に働く力の
バランスを用いて解析できることが知られている〔アイ
・ビー・エム、ジャーナル　オブリサーチ　アンド　デ
ベロップメント、１８（１９７４年）第１００頁から第
１０９頁（ＩＢＭ、Ｊ、Ｒｅｓ、Ｄｅｖ、、１８　（１
９７４）ｐρ１００−１０９））。

Ｈｅｘｔ　＋　Ｈｄ（ｒ） −ａ　ｗ（ｒ）／（２ｒＭｓ（ｒ）） （１／　２Ｍ５（ｒ））　・（ａ　ａ　ｗ（ｒ）／　ａ
　ｒ）≦Ｈｅ（ｒ）　　−（１）（１）式において、σ
ｗ、ＭｓおよびＨｅは、それぞれ、磁壁エネルギー密度
、飽和磁化および保磁力である。光パルス照射により、
磁性膜に温度分布が生ずるため、σｗ、ＭｓおよびＨｅ
は、いずれも光スポツト中心から磁壁までの距離（円形
磁区の半径）ｒに依存する量となる。（１）式における
左辺の各項は、磁壁に作用する力（磁界）であり、正の
場合は磁区を拡大、負の場合は磁区を縮小する方向の力
であることを示す。Ｈｅｘｔは外部から印加する磁界で
あり、磁界印加方向により正あるいは負の値をとる。Ｈ
ｄは、磁壁周囲の磁化からの反磁界であり、磁壁の位置
（ｒ）および温度分布による磁化の分布状態によって正
あるいは負の値をとる。σＷを含む左辺の第３項は、磁
壁の面積を小さくして磁壁エネルギーを小さくしようと
する力であり、磁区を縮小する方向に働く。

また、σＷの微分を含む第４項は、温度勾配によってσ
Ｗに勾配ができるために生ずる項である。

一般に、温度の高い磁区中心に近い位置に磁壁があるほ
どσＷが小さいため、この項も磁区を縮小する方向に働
く。（１）式の右辺の保磁力Ｈｃは磁壁の移動を妨げる
一種の摩擦力でり、左辺の総和がＨｅよりも大きい場合
に、磁壁は（１）式を満足する位置まで移動する。磁壁
の移動方向は。

（１）式の左辺４項の総和の符号が正の場合には。

磁区を拡大する方向であり、負の場合には、縮小する方
向である。

今、記録磁区が既に存在する位置にレーザパルスを照射
して磁区を消去させる場合を考える。ある時点で、（１
）式の左辺の各項の和が負となり。

その絶対値が（１）式の右辺の保磁力Ｈｃよりも大きく
なると記録磁区は縮小し始める。そして。

その時の記録磁区の半径よりも小さな半径ｒで（１）式
が満足されなければ記録磁区は消滅する。

このような記録磁区の消滅は、磁性膜の保磁力が小さい
ほど容易に起きる。したがって、磁性膜Ｂと比較した場
合、高温における保磁力が小さい磁性膜Ａにおいては、
記録磁区の消滅が容易に起きるものと考えられる。

固定した印加磁界もしくは無磁界におけるオーバーライ
ド方式で、記録磁区の消去動作の再現性を高めるために
は、特に、記録磁区の消去が可能なレーザパルスのパル
ス幅τに対する十分なマージンを確保することが重要で
ある。このためには。

上記の検討から磁性膜の高温における保磁力ができるだ
け小さいことが望ましいと考えられる。保磁力をどの程
度小さくする必要があるかを知るために、Ｔａ性膜Ａの
温度を上げて記録磁区の変化を詳細に調べた。その結果
、以下のことが判明した。

（１）外部磁界を印加しない無磁界の状態で。

磁性膜全体の温度を上げていくと、約２２０℃において
円形の記録磁区がストライプ状に伸びる。

（２）さらに温度を上げていくと、磁気バルブ用ガーネ
ット膜でよく知られているストリップ磁区（縞状軸）が
磁性膜全面に観察される。

（３）ストリップ磁区の幅Ｗ（μｍ）は、第４図に示す
ごとく、温度Ｔ（’Ｃ）の上昇とともに小さくなり、２
２６℃以上の温度でストリップ磁区がｗＡ察できなくな
る。

（４）磁性膜の温度Ｔ　（’Ｃ）を徐々に下げていくと
、ストリップ磁区Ｋｗ（μｍ）は第５図に示すように、
２２６℃から２２０℃の温度範囲では。

第４図とほぼ同様の温度変化を示す。すなわち。

この温度範囲では昇温・降温に伴ってＷは可逆的に変化
する。そして、２２０℃以下の温度では記録磁区は変化
せず、Ｗは約８μｍでほぼ一定となる。

上記（４）で述べたように、２２０℃以下の温度でＷが
一定となるのは、温度の低下によって保磁力が増大して
磁壁の移動が妨げられるためである。そして、磁壁が固
定される温度（２２０℃）における保磁力の値は３０ｅ
である。したがって。

無磁界におけるオーバーライド方式で記録磁区の消去を
実現するためには、高温における保磁力が３０ｅ以下で
あることが必要と考えられる。

第３図に示すごとく、記録磁区の消去ができない磁性膜
Ｂにおいても、保磁力は温度の上昇とともに小さくなり
、キュリー温度のごく近傍における保磁力は磁性膜Ａの
場合と同程度に小さくなっている。しかし、保磁力が３
０ｅ以下となる温度範囲の幅が１桁以上小さい。この差
が記録磁区の消去特性に大きな影響を与えていると考え
られる。

そこで、保磁力が３０ｅ以下となる温度範囲の幅ΔＴ（
第３図参照）の異なる種々の磁性膜について、第１図と
同様の重ね書きの実験を行なった。

第６図に、保磁力が３エールステッド以下となる温度領
域の幅ΔＴ（度）と既存記録磁区の消去が可能なレーザ
パルス幅領域の幅Δτ（μｓ）〔第１図参照〕の関係を
示す。図に示すごとく、ΔＴが５度以上の領域で、Δτ
か４０ｎｓ（パルス幅での約２０％）以上となり、既存
記録磁区の消去に必要なレーザパルスのパルス幅τに対
する十分なマージンが確保できる。

以上のように、記録媒体として、ΔＴが５度以上、すな
わち、キュリー温度より少なくとも５度低い温度からキ
ュリー温度までの温度範囲における保磁力が３０ｅ以下
である磁性膜を用いることによって、固定した印加磁界
もしくは無磁界のもとてのオーバーライド方式における
記録磁区の消去動作の再現性を高めることができる。

記録磁区の消去動作は、室温からキュリー温度までの温
度範囲に補償温度が存在する磁性膜を記録媒体として用
いた方が確実に行なわれる。第１表に示す２種類のＧｄ
−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系の磁性膜ＣおよびＤを用いて消去
特性を評価した。その結果、室温からキュリー温度まで
の温度範囲に補償温度が存在しない磁性膜Ｃにくらべ、
補償温度が存在する磁性膜りの方が、記録磁区の消去が
可能なレーザパルスの幅領域の幅Δτか約２割大きかっ
た。この理由は、以下のように考えられる。すなわち。

第 表 室温からキュリー温度までの温度範囲に補償温度が存在
する磁性膜では、レーザパルス照射により補償温度以上
となった既存の記録磁区領域と、温度が補償温度以上に
上昇していない周辺領域で。

磁化の向きが同じになる。この周辺領域の磁化は。

記録磁区の磁壁位置において、記録磁区を消滅させる方
向の反磁界を作る。このため、記録磁区の消滅が容易に
起きるものと考えられる。

磁性膜の保磁力は９組成９作製条件、あるいは焼鈍条件
によって制御することができる。特に。

焼鈍処理は、カー回転角をほとんど変化させることなく
、保磁力を制御することができる点で優れている。また
、焼鈍処理によって記録媒体を熱的に安定化させること
ができるという利点もある。

第７図に、焼鈍温度と、保磁力が３０ｅ以下となる温度
領域の幅ΔＴの関係を示す。磁性膜は、ガラス基板上に
スパッタ法により作製した厚さ１１００ｎのＴｂ２４Ｆ
ｅＧＳＣＯ□□磁性膜である。焼鈍は、真空中において
各温度で３０分間行なった。

図に示すごとく、焼鈍温度の上昇とともにΔＴが大きく
なっている。これらの磁性膜を用いて消去特性を評価し
たところ、第６図と同様に八Ｔが大きいほど記録磁区の
消去が可能なレーザパルス幅領域の幅Δτが大きくなる
という結果が得られた３また。これらの磁性膜のカー回
転角は、焼鈍処理前後においてほとんど差は認められな
かった８第７図に示すように、焼鈍温度が約１８０　’
Ｃ以上の場合にΔＴの低減効果が見られた。

磁性膜を作製した後に焼鈍処理するかわりに。

スパッタ法による磁性膜の作製中に基板を所定の温度に
加熱することによってもΔＴが増大し、上記同様の効果
が得られた。

〔実施例〕

以下に本発明の実施例を挙げ９図面を参照しながら、さ
らに詳細に説明する。

（実施例１） 第８図に２本実施例において用いた光磁気記録再生装置
の構成の一例を示す。この光磁気記録再生装置の構成は
、従来の光変調型の記録再生装置と基本的にほぼ同じで
ある。図において、光ヘッド１１による記録は半導体レ
ーザ５からの光出力を変調することにより行ない、再生
はカー効果にによる偏光面の回転を光検出器（ａ）６お
よび光検出器（ｂ）７による差動で検出して行なった。

磁界印加機構１としては、対物レンズ４用のアクチュエ
ータの永久磁石による磁界を用いた。これは、磁性膜面
上で３００ｅの書き込み方向の磁界１２となる。一方２
回転駆動部１３にセットされて回転する光磁気記録媒体
２の線速度を１　ｍ　／　ｓとして、埋め込みクロック
方式で、パルス照射が毎回同じ位置で行なわれるように
した。

記録媒体としては、　Ｓｉ３Ｎ４膜（厚さ：８５ｒ＋ｍ
）。

Ｔｂ２４ＦｅＧ、Ｃｏ１１磁性膜（厚さ：　２００ｎｍ
）。

Ｓｉ、Ｎ、膜（厚さニア０ｎｍ）を、この順にガラス基
板上にスパッタ法によって形成したものを用いた。この
Ｔｂ２４Ｆ　ｅ、、Ｃｏ□１磁性膜のキュリー温度は２
２６°Ｃ９補償温度は９５℃、２５℃における保磁力は
４６０００ｅであった。また、キュリー温度近傍の保磁
力の温度変化は、上述した第３図の磁性膜Ａの例として
示しである。

記録は、長いパルス光と短いパルス光を用いた光パワー
のパルス状変調によって行なった。記録信号とパルスパ
ターンの一例を第９図（ａ）、（ｂ）に示す。記録信号
Ａ〔第９図（ａ）〕をもとに。

レーザ光を変調し、信号“１″に５００ｎｓの長パルス
を、信号″０″′に２２０ｎｓの短パルスを対応させる
。パルスのピーク膜面パワーはいずれも１７ｍＷとした
。これにより、記録磁区Ａのパターンが形成される。つ
ぎに、記録信号〔第９図（ｂ）〕をその上に重ね書きを
する。この際の信号変調は、レーザ出力Ｂとなるにの重
ね書き後に形成される磁区パターンは記録磁区Ｂとなり
。

オーバーライド動作が確認された。また、情報″１″′
の上に情報″Ｏ′″をオーバーライドした場合の既存記
録磁区の消し残りエラーの発生頻度は０．１％以下であ
った。

（実施例２） 光磁気記録再生装置および記録媒体としては実施例１で
用いたのと同じものを用いた。

記録は、パルス光のピーク強度の変調によって行なった
。記録信号とパルスパターンの一例を第１０図（ａ）、
（ｂ）に示す。記録信号Ａ〔第１０図（ａ）〕をもとに
、レーザ光を変調し、信号ｕ　１　ｎに膜面パワー１７
＋＋＋Ｗの強いパルスを、信号ａ　Ｏｎに膜面パワー１
２ｍＷの弱いパルスを対応させた。パルス幅は、いずれ
も５００ｎｓとした。

これにより、記録磁区Ａのパターンが形成される。

つぎに、記録信号Ｂ〔第１０図（ｂ）〕をその上に重ね
書きをした。この際の変調光出力は、レーザ出力Ｂとな
る。この重ね書き後に形成される磁区パターンは記録磁
区Ｂとなり、オーバーライド動作が確認された。また、
情報１１１　Ｉ＋の上に情報ｉｔ　Ｏ１９をオーバーラ
イドした場合の既存記録磁区の消し残りエラーの発生頻
度は０．１％以下であった。

（実施例３） 光磁気記録再生装置としては、実施例１で用いたものと
同じものを用いた。記録媒体としては。

Ｓｉ３Ｎ、膜（厚さ：８５ｎｍ）。

Ｔｂｚｔ　Ｆ　ｅＧｏ　Ｃｏ、。Ｎｂ、磁性膜（厚さ：
　１００膜ｍ）。

Ｓｉ、Ｎ、膜（厚さニア０ｎｍ）を、コノ順にガラス基
板上にスパッタ法によって形成し、これを真空中におい
て２６０℃で１０分間焼鈍したものを用いた。磁性膜の
キュリー温度は１９０°Ｃ９補償温度は１００’Ｃ，２
５℃における保磁力は６００００ｅであった。また、１
８４℃から１９０℃の温度範囲で保磁力の値は３０ｅ以
下であった。

記録は、実施例１と同様、長いパルス光と短いパルス光
を用いた光パワーのパルス状変調によって行なった。信
号ｒｔ　１　ｔｒに４０Ｏｎｓの長パルスを。

信号１１０　＋１に１９０ｎｓの短パルスを対応させ、
パルスのピーク膜面パワーをいずれも１５ｍＷとするこ
とにより、オーバーライド動作が確認された。

また、既存記録磁区の消し残りエラーの発生頻度は０．
１％以下であった。

（実施例４） 光磁気記録再生装置としては、実施例１で用いたものと
同じものを用いた。記録媒体としては。

Ｓｉ、Ｎ４膜（厚さ：８５ｎｍ）。

Ｇｄ□５Ｔｂ１．Ｆｅ、。Ｃｏ、磁性膜（厚さ：５０ｎ
ｍ）。

Ｓｉ、Ｎ、膜（厚さ：　７０ｎｆｆｌ）を、この順にガ
ラス基板上にスパッタ法によって形成したものを用いた
。磁性膜のキュリー温度は２１０℃、補償温度は１１０
℃、２５℃における保磁力は４００００ｅであった。ま
た、２０２℃から２１０℃の温度範囲で保磁力の値は３
０ｅ以下であった。

記録は、実施例１と同様、長いパルス光と短いパルス光
を用いた光パワーのパルス状変調によって行なった。信
号１１１　ＩＰに４００ｎｓの長パルスを。

信号１１０　Ｉ＋に１９０ｎｓの短パルスを対応させ、
パルスのピーク膜面パワーを、いずれも１５ｍＷとする
ことにより、オーバーライド動作が確認された。また、
既存記録磁区の消し残りエラーの発生頻度は０．１％以
下であった。

なお、上記本発明の実施例においては光磁気記録膜とし
て、ＴｂＦｅＣｏ系、ＴｂＦｅＣｏＮｂ系。

ＧｄＴｂＦｅＣｏ系の場合について述べたが、この他の
磁性ガーネットやＭｎＢ１などの多結晶膜ならびに希土
類金属（Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏなど）と３ｄ遷移金属
（Ｆ　ｅ　、　Ｃｏ　、　Ｎ　ｉ　）からなるアモルフ
ァス合金膜などの光磁気記録材料を２本発明の光磁気記
録媒体に適用することが可能である。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したごとく２本発明のキュリー温度より
少なくとも５度低い温度からキュリー温度までの温度範
囲における保磁力が３エールステッド以下である磁性膜
を有する光磁気記録媒体を用いる光磁気記録方式によれ
ば、磁界印加の機構を簡略化することができ、再現性良
くオーバーライドが可能な光磁気記録再生装置を実現す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は重ね書き後の磁区直径と重ね書きのために照射
したレーザパルスのパルス幅との関係を示すグラフ、第
２図は記録膜上の磁区が存在しない部分に記録を行なっ
た場合の磁区直径と記録に用いたレーザパルスのパルス
幅との関係を示すグラフ、第３図はキュリー温度近傍に
おける保磁力の温度変化を示すグラフ、第４図は昇温過
程におけるストリップ磁区幅と温度との関係を示すグラ
フ、第５図は降温過程におけるストリップ磁区幅と温度
との関係を示すグラフ、第６図は保磁力が３０ｅ以下と
なる温度領域の幅ΔＴと消去動作可能なレーザパルス幅
領域の幅Δτとの関係を示すグラフ、第７図は焼鈍温度
と保磁力が３０ｅ以下となる温度領域の幅ΔＴとの関係
を示すグラフ。 第８図は本発明の実施例１において用いた光磁気記録再
生装置の構成の一例を示す模式図、第９図（ａ）、（ｂ
）は本発明の実施例１における記録とオーバーライド時
の記録光出力と記録磁区の関係を示す説明図、第１０図
（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例２における記録とオー
バーライド時の記録光出力と記録磁区の関係を示す説明
図である。 １・・・磁界印加機構　　　２・・・光磁気記録媒体３
・・・記録磁区　　　　　４・・・対物レンズ５・・・
半導体レーザ　　　６・・・光検出器（ａ）７・・・光
検出器（ｂ）　　　８　・ビームスプリッタ９・・・偏
光ビームスプリッタ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. １．情報の記録磁区の形成と既存の記録磁区の消去を，
   固定した印加磁界もしくは無磁界のもとで行なう光磁気
   記録方式に用いる光磁気記録媒体であって，該光磁気記
   録媒体を構成する磁性膜は，そのキュリー温度より少な
   くとも５度低い温度からキュリー温度までの温度範囲に
   おける保磁力が３エールステッド以下であることを特徴
   とする光磁気記録媒体。
2. ２．請求の範囲第１項記載の磁性膜の補償温度は，３０
   ℃からキュリー温度までの温度範囲内にあることを特徴
   とする光磁気記録媒体。
3. ３．情報の記録磁区の形成と既存の記録磁区の消去を，
   固定した印加磁界もしくは無磁界のもとで行ない，記録
   の都度に磁界印加による記録膜の初期化を行なうことを
   必要としない光磁気記録方式に用いる光磁気記録媒体の
   製造方法であって，該光磁気記録媒体の磁性膜の形成中
   もしくは磁性膜を形成した後に，上記磁性膜を １８０℃以上の温度に加熱する熱処理を施し保磁力を低
   減させる工程を含むことを特徴とする光磁気記録媒体の
   製造法。
4. ４．請求の範囲第３項記載の光磁気記録媒体の製造方法
   において，磁性膜の保磁力は，そのキュリー温度より少
   なくとも５度低い温度からキュリー温度までの温度範囲
   における保磁力が３エールステッド以下であることを特
   徴とする光磁気記録媒体の製造法。
5. ５．請求の範囲第３項または第４項記載の光磁気記録媒
   体の製造方法において，磁性膜の補償温度が３０℃から
   キュリー温度までの温度範囲内にあることを特徴とする
   光磁気記録媒体の製造法。
6. ６．情報を記録保持するための光磁気記録媒体と，該光
   磁気記録媒体に情報を書き込むための書き込み手段と，
   上記光磁気記録媒体に書き込まれた情報を読み出すため
   の読み出し手段を少なくとも有する光磁気記録再生装置
   において，上記光磁気記録媒体は，そのキュリー温度よ
   り少なくとも５度低い温度からキュリー温度までの温度
   範囲における保磁力が３エールステッド以下の磁性膜を
   有することを特徴とする光磁気記録再生装置。
7. ７．情報を記録保持するための光磁気記録媒体と，該光
   磁気記録媒体に情報を書き込むための書き込み手段と，
   上記光磁気記録媒体に書き込まれた情報を読み出すため
   の読み出し手段を有し，かつ情報の記録磁区の形成と既
   存の記録磁区の消去を，固定した印加磁界もしくは無磁
   界のもとで行ない，記録の都度に磁界印加による記録膜
   の初期化を行なうことを必要としない光磁気記録方式を
   用いる光磁気記録再生装置であって，上記光磁気記録媒
   体は，そのキュリー温度より少なくとも５度低い温度か
   らキュリー温度までの温度範囲における保磁力が３エー
   ルステッド以下の磁性膜を有することを特徴とする光磁
   気記録再生装置。
8. ８．請求の範囲第７項記載の光磁気記録再生装置におい
   て，光磁気記録媒体は，そのキュリー温度より少なくと
   も５度低い温度からキュリー温度までの温度範囲におけ
   る保磁力が３エールステッド以下であり，かつ補償温度
   が３０℃からキュリー温度までの温度範囲内にある磁性
   膜を有することを特徴とする光磁気記録再生装置。
9. ９．請求の範囲第６項，第７項または第８項記載の光磁
   気記録再生装置において，単一ビームの光ヘッドを用い
   ，固定した印加磁界もしくは無磁界のもとでオーバーラ
   イトが可能な構造としたことを特徴とする光磁気記録再
   生装置。