JPS62154347A - 光磁気記録方法 - Google Patents

光磁気記録方法

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JPS62154347A
JPS62154347A JP60294858A JP29485885A JPS62154347A JP S62154347 A JPS62154347 A JP S62154347A JP 60294858 A JP60294858 A JP 60294858A JP 29485885 A JP29485885 A JP 29485885A JP S62154347 A JPS62154347 A JP S62154347A
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recording
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  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気記録方式に係わる。
〔発明の概要〕
本発明は、光磁気記録層と、非磁性層と、バイアス磁性
層とを有する光磁気記録媒体を構成し、外部磁界を用い
ることなく、バイアス磁性層の磁化によって光磁気記録
層へのバイアス磁界を与えるようにし、光磁気記録層に
照射する例えばレーザー光のパワーレベルの切換のみで
、すなわち温度変化のみでバイアス磁性層の磁化の向き
を高い空間分解能で、かつ高速をもって反転させて光磁
気記録層へのバイアス磁界を反転させ、記録、消去、更
に例えば先に書き込まれた情報の上に他の情報を重ね書
きによって新しい情報に書き換えるいわゆるオーバーラ
イド　（ｏｖｅｒ−ｗｒｉｔｅ）を可能にした光磁気記
録方式である。
〔従来の技術〕
従来の光磁気記録媒体、例えば光磁気ディスクは第６図
に、その要部の断面構造を示すように、例えば、夫々一
方の面に記録トラック位置検出用の溝が形成された対の
透明基１ｆｆｌ　（１１が用意され、これら谷溝が構成
された面に、希土類金属−遷移金属系垂直磁化膜（２）
が被着形成されてこれら垂直磁化膜（２）を内側にして
両基板（１１を、接着剤（３）によって接合するという
構造が採られる。（４）は各垂直磁化膜（２）と基板＋
１１との間、及び磁化膜（２）の表面に被着形成した保
護膜である。
この垂直磁化膜（２）は、第７図に模式的に示すように
、そのＩＩ！ｉ！厚方向、すなわち垂直方向に、希土類
金属のスピン５Ｒ１ｉと遷移金属のスピンＳＴＭの作用
によって、垂直磁化もが得られているものである。
この垂直磁化膜（２）に対する記録は、キュリー点記録
、或いは補償点記録による熱磁気記録によって行う。す
なわち、例えばキュリー点記録による場合は、第６図に
示すように、その記録部に磁界発生手段（５）によって
外部磁界を与え、この状態でレーザー光（６）を、葉先
レンズ系（７）を介してその記録を行おうとする一方の
磁化膜（２）に、この磁化膜（２）を有する側の基板（
１）の背面より、この磁化膜（２）にフォーカシングす
るように照射して此処における温度をキュリー点に加熱
し、外部磁界によって磁化の向きを反転させることによ
ってその記録を行う。つまり、消去、ないしは未記録状
態では第８図に示すように磁化の向きが各部一様の状態
にあり、記録状態では第９図に示すように、その記録部
（２Ｗ）では、その磁化の向きが、他部とは逆向きとな
るようにするものである。
垂直磁化膜による記録は、高密度記録化に通するもので
あり、上述したキュリー点記録、或いは補償点記録によ
る熱磁気記録は、一般に、磁気テープや、磁気ディスク
等における、いわゆる磁気記録に比し、記録、消去時に
必要な外部磁界は極めて小さくて良いという利点がある
とされている。
ところが、実際上に、この種の光磁気記録媒体に対して
外部磁界を与えることには種々の問題点がある０例えば
外部磁界を垂直磁化膜の微小領域にのみ印加しようとす
る場合、導体パターン等をフォトエツチングなどの微細
加工技術によって形成し、これに電流を流すことによっ
て微小領域に限定的に磁界を発生させる方法がある。し
かしながらこのような方法では、大面積内の任意の微小
領域に磁界を印加することは、技術的にまた、コストの
上から問題がある。
また、磁界を高周波で駆動する際に障害となるのは、磁
界発生の巻線によるインダクタンスである。この巻線の
インダクタンスを小さくするには、その巻数を減らすこ
とになるが、このようにその巻数を減少させれば、所定
の磁界を発生させるに電流値を大きくする必要が生じ、
駆動電源の大型化や消費電力の増加を招来する。
また、上述の光磁気記録媒体においては、オーバーライ
ドを行うことができない。これについて説明すると、そ
の記録において、レーザー光照射によってキュリー点に
達した領域、或いは補償点記録では保磁力）１ｃが減少
して記録（磁化反転）の可能な温度（以下この温度を記
録温度という）に達した領域には、その周囲の磁化によ
る浮遊磁界ＨＳＦが与えられる。これによって、特に消
去時には、この浮遊磁界が、消去のための外部磁界を打
ち消す方向に作用するので、消去には大きな外部磁界を
必要とする。第１０図は、垂直磁化膜（２）に、レーザ
ー光（６）を照射して、部分ａをキュリー点ないしは記
録温度に加熱した状態を示すもので、この時、この部分
ａでは、例えばキュリー点では磁化が消失するが、ここ
にその周囲の磁化Ｍｓによって浮遊磁界）１ｓｐが与え
られる。したがって、今、この部分ａに外部磁界を与え
て記録、或いは消去を行うとき、この浮遊磁界Ｈ３Ｆが
有効磁界に影響を与える。すなわち、記録に当っては、
その記録部には前述したように周囲とは逆向きの磁化を
なすことから、記録時の外部磁界Ｈｅｘ−は、浮遊磁界
ＮＳＦと同方向であり、消去時の外部磁界Ｈｅｘｅはこ
れとは逆方向にあることから、記録時及び消去時の各有
効磁界）１ｅｆｆ−及びＨｅｆｆｅは夫々下記の式ｆｌ
ｌ及び（２）に示すようになり、消去時にはその有効磁
界が小さいことから大きな外部磁界Ｈｅｘｅが必要とな
る。
Ｈｅｆｆｗ＝　　Ｈ３Ｐ　＋　Ｈｅｘｗ　　　　　　　
・・＝　（１）Ｈｅｆｆｅ＝　−Ｈｓｐ　＋　）ｌｅｘ
ｅ　　　　　　・・・・（２）理想的な場合を考え、仮
に）ｔｅｘ−がな（でも充分な反転磁区が得られるとす
れば、記録時の有効磁界Ｈｅｆｆ−は１ｉｓｐのみで行
われていることになるが、その場合でも、消去には、少
くとも浮遊磁界）１ｓｐを超える外部磁界Ｈｅｘｅを必
要とし、更に充分な反転を行わしめる外部磁界Ｈｅｘｅ
としては、Ｈ３Ｐの２倍程度を要する。実際には、記録
時の反転磁区を飽和させるには数百０ｅ〜数ｋｏｅ程度
必要であり、消去時の外部磁界Ｈｅｘｅはこの程度の磁
界が必要となる。
この消去時の外部磁界Ｈｅｘｅを小さくするためには、
浮遊磁界ＨＳＦをできるだけ小さくすることであり、こ
の浮遊磁界Ｈ５Ｆを小さくするには、磁化膜（２）の飽
和磁化Ｍｓを小さくする補償点組成の近傍の組成とする
ことによって成る程度小さくすることができるが、この
場合、保磁力Ｈｃが増加して着磁が困難となる。また保
磁力Ｈｃの増加により作製された例えば光磁気ディスク
の検査が面倒になる。
何故なら一般にこの種のディスク検査は、ν罪（バイブ
レーティング・サンプル・マグネトメータ）によって測
定するが、この測定装置で発生可能な磁界は１５ｋＯｅ
程度であるので、他の特別の測定装置を用いるか、温度
を上昇させてＨｃを減少させた状態で測定するかの工夫
を要し、その作業が煩雑となる。また、保磁力Ｈｃを上
げずに、飽和値４ｐ　Ｍｓのみを低下させるような磁化
膜（２）を作製したとしても記録状態が不安定であり、
また高密度記録ができなくなるなどの問題点を招来する
。
一方、光磁気記録は、その光磁気記録媒体に対し、光磁
気記録、再生及び消去を行うにその光学磁気ヘッド、す
なわちレーザー光の照射手段、光学レンズ系、磁界印加
手段などを具備する光磁気ヘッド部は、光磁気記録媒体
に対接させることなくこれと所要の間隔を保持して走査
させる非接触型構成を採るという利点を有するものの、
これを実現するためには、磁界発生手段は、媒体の磁化
膜から、実質的に可成り、離間することになる。
例えば第６図に示すように、磁界発生手段（５）を、媒
体との間隔ｄをｌ１１とすると、レーザー光（６）の照
射によって記録、再生、消去を行う目的とする磁化膜（
２）との間隔りは、基板（１）の厚さ、接着剤（３）の
厚さ等から、例えば２．５ｆｌ程度にも及ぶことになり
、前述したように目的とする磁化膜（２）に数百０ｅ〜
数ＫＯｅの磁界を与えるには、可成り強力な磁界発生手
段（５）を必要とし、このような強力な磁界発生手段（
５）を設計することは、技術的に大きな困難を伴う。例
えば、この磁界発生手段（５）を、電磁石によって構成
する場合、消費電力や、発熱の問題が生じる。また、永
久磁石による場合は、記録。
再生及び消去の切換サイクル、すなわち磁界反転速度を
速めることに無理がある。そして、弱い印加磁界での記
録では、Ｃ／Ｎが低く、また弱い印加磁界での消去では
、前の記録が充分に消去できず、これの上に再記録、す
なわちオーバーライティングを行うと情報のエラーが増
大するという問題が生じる。
因みに、特開昭５９−６０７４６号公開公報には、２Ｗ
Ｉの磁性層による磁気光学記録媒体の開示があるが、こ
れは後述する本発明のようにバイアス磁界の切換を行う
ことの技術思想によるものではない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は、光磁気記録において、外部磁界発生手段を設
けることな（情報の記録、消去を行うことができるよう
にして上述した諸問題の解消をはかる。
〔問題点を解決するための手段〕
第１図を参照して本発明を説明する。図中（１０）は光
磁気記録媒体を示す。この媒体（１０）は透明基板（１
１）の１主面上に、光磁気記録１’！（１２）と、非磁
性層（１３）と、バイアス磁性ｒＮ（１４）とを順次被
着し、更にこれの上に保護層（１５）を８［被着して成
る。
バイアス磁性層（１４）は、第２図Ａにその飽和磁化Ｍ
ｓの温度特性を実線で示し、同図に矢印をもって自発磁
化の状態を示すように、所要の動作温度範囲、例えば室
温ＴＬからこれより高い所要の温度ＴＢＩ迄の温度範囲
内で補償点ＴｃｏｍｐＢを有し、これを挾んで自発磁化
の向きが反転する特性を有し、そのキュリー点ｒｃｓは
、ＴＢＩを超える温度に存する組成の磁性層より構成す
る。このような特性はフェリ磁性体、例えば希土類−遷
移金属系の合金によって実現できる。すなわち、第７図
で説明したように希土類金属原子と遷移金属原子のスピ
ンＳＲＩ！及びＳＴＭは反平行状態にあり、夫々独自の
温度特性を有し、温度が上昇するにつれ、その磁気モー
メントの大きさが変化するので、これらによって決まる
磁化の大小及び向きが温度によって変化し、補償点Ｔｃ
ｏｍｐｓで自発磁化の向きが反転する特性が得られる。
尚、第２図Ａ中破線曲線は、この場合の保磁力Ｈｃの温
度特性を示す。
一方、光磁気記録層（１２）は、第２図Ｂに実線曲線で
示すようにそのキュリー点ＴＣＲが、バイアス磁性層（
１４）の補償点ＴｃｏｍｐＢより高く上述の温度ＴＲＩ
以下となるような同様に希土類−遷移全屈系磁性材より
構成する。
或いは第４図に磁化温度特性を示すように、バイアス磁
性層（１４）が第４図Ａ中実線図示のように前述したと
同様にこのバイアス磁性層（１４）に対する動作温度範
囲ＴＬ”’ＴＲＩ間において補償点Ｔｃｏｍｐｅが存在
する特性の磁性材より構成すると共に、光磁気記録層（
１２）についても、第４図Ｂに実線で示すように、この
光磁気記録層（１２）に対する動作温度範囲ＴＬ％ＴＲ
，内に補償点ＴｃｏｍｐＲが存在する特性のものによっ
て構成することができる。尚、第４図Ａ及びＢの各破線
曲線は夫々バイアス磁性層（１４）と光磁気記録層（１
２）との各保磁力Ｈｃの温度特性を示す。
そして、光磁気記録層（１２）と、バイアス磁性１’！
（１４）との間に介在させる非磁性１’５（１３）は、
バイアス磁性層（１４）の自発磁化による磁界が光磁気
記録層（１２）に影響を与えるように両１（１２）及び
（１４）が磁気的に結合し得るも交換結合せず、しかも
両層（１２）及び（１４）間を熱的に成る程度分離する
断熱性の材料及び厚さに選定する。
上述の光磁気記録媒体（１０）に対する情報の記録、オ
ーバライド、消去等は、レーザービーム照射等による第
１及び第２のパワーレベルを採り得る選択的加熱によっ
て行う。
すなわち、光磁気記録層（１２）をそのキュリー点近傍
ないしはそれ以上に加熱すると同時にバイアス磁性層（
１４）をその補償点を超える温度に加熱する加熱態様を
とる第１の加熱パワーレベルと、光磁気記録層（１２）
をそのキュリー点近傍ないしはそれ以上とすると同時に
バイアス磁性層（１４）をその補償点に至ることのない
温度に加熱する加熱！３様をとる第２の加熱パワーレベ
ルとによる。
このような構成による光磁気記録媒体（１０）は、例え
ばその製造の終段工程で、全面に一様に厚さ方向の磁界
を与え、光磁気記録層（１２）及びバイアス磁性ｊｉｉ
（１４）の双方に同−向きの着磁をなす。
第３図Ａは、この状態、つまり未記録状態ないしは無情
報状態を示す。
（作用〕 本発明によれば、情報の記録、オーバーライド、消去等
を行うことができる。これらは、第１図に示すように、
光磁気記録媒体（１０）に対する透明基板（１１）側か
らのレーザービームＬ、Ｂの走査と上述した第１及び第
２のパワーレベルによる加熱態様によって行う。
今、光磁気記録層（１２）は、第２図Ｂの温度特性を示
す磁性層によって構成するものについて説明する。そし
て、今、第３図Ａに示すように、光磁気記録媒体（１０
）が一方向に垂直磁化された未記録状態ないしは無情報
状態から第３図Ｃに示すように、光磁気記録層（１２）
において例えば領域■と領域■とで互いに逆向きの磁化
を与えることによって情報記録を行う場合について説明
すると、この場合、領域Ｉにおいて前述した第１の高い
パワーレベルによる加熱、すなわち、例えば透明基板（
１１）側から光磁気記録層（１２）に対するレーザービ
ームＬ、Ｂのフォーカシングによって、記録層（１２）
に対し第２図Ｂに示すように、この記録層（１２）のキ
ュリー点ＴＣＲの近傍或いはそれ以上の第１の高温動作
温度ＴＲＩとすると共に、この高温加熱に引きずられて
バイアス磁性ｒ５（１４）をこの磁性層（１４）の補償
点ＴｃｏｍｐＢより高くそのキュリー点ｔｅａより低い
第１の高温動作温度ＴＲＩに加熱する。このようにする
と、領域■において、バイアス磁性１ｉｔ（１４）が補
償点７００１１１９８以上とされたことによって磁化の
向きが第３図Ｂに示すように反転する。そしてこの状態
で例えばレーザー光が遠去けられるかすると、ｌ１ｉ（
１２）〜（１４）は領域Ｉにおいて冷却されて光磁気記
録層（１２）がその冷却によってキュリー点ｒｃａに達
する。この時バイアス磁性層（１４）も冷却されるもの
の、この時点で、バイアス磁性層（１４）は、未だその
補償点Ｔｃｏｍｐｓ以上の温度にあるようになされてい
て、領域Ｉにおいてこのバイアス磁性層（１４）の磁化
は、第３図Ｂに示すように、第３図Ａの初期の状態から
反転した向きにある。これがため、光磁気記録層（１２
）に発生する磁化は、バイアス磁性層（１４）との磁気
的結合によって、領域Ｉにおいて、第３図Ａの初期の状
態から反転する。そして、この状態で各層（１２）〜（
１４）は領域■において室温ＴＬ迄冷却され、バイアス
磁性層（１４）は、再び第２図中破線曲線のＴＬ近傍の
すなわち補償点Ｔｃｏｍｐｅより低い温度となることに
よって初期の磁化の向きになるが、この温度の低下によ
って、光磁気記録Ｆｊ（１２）は、第２図中破線曲線で
示すようにその保磁力Ｈｅは高くなるのでバイアス磁性
層（１４）の磁化の影響を受けにくくなり、これがため
、光磁気記録層（１２）は、第３図Ｃに示すように、領
域Ｉにおいて第３図Ａに示す磁化の向きから反転したま
まの状態に保持される。したがって光磁気記録層（１２
）においては、第３図Ｃに示すように、領域■と■とで
は異る磁化の向きが形成されることになり、これによっ
て情報の記録がなされる。そして、今、領域■における
ように第３図Ａで示した初期の磁化方向を保持した部分
を記録部として見立てれば、領域Ｉにおいては情報の消
去部として見立てることになる。
続いて、この第３図Ｃに示した情報の記録のなされた媒
体（１０）に対してオーバーライドを行うことについて
説明する。この場合、第３図りに示すように、例えば先
の領域■の一部の領域■を記録部とし、先の領域■及び
■の各一部に亘る部分の領域■を消去部として他の情報
の記録を行う場合について説明すると、この場合、領域
■、すなわち、記録部においては、前述した第２のパワ
ーレベルでの加熱態様をとる。すなわち、領域■に、例
えば同様のレーザービームＬ、Ｂ、の照射によって、光
磁気記録層（１２）については、そのキュリー点ＴＣＲ
より高い温度とするが　第２図Ｂに示すように、例えば
前述した第１の動作温度ＴＲｒに比し低い第２の動作温
度ＴＦＬＩとすることによってバイアス磁性Ｊｉｉｉ（
１４）に関しては、第２図Ａに示すように、このバイア
ス磁性層（１４）の補償点Ｔｃｏｍｐｓよりは、低い温
度Ｔｅｌとなるようにする。このようにすれば、光磁気
記録媒体Ｆｉｔ（１２）においては、これがキュリー点
ＴＣＲ以上とされたことによって一旦磁化を失うが、バ
イアス磁性層（１４）の磁化によってこれに追従してこ
れと同方向に向けられる。一方、領域■においては、前
述した領域Ｉに対して行った第１のパワーレベルによる
動作を行わしめる。このようにすれば、第３図り示すよ
うに第３図Ｃとは異なるパターンの情報の記録に重ね書
きによって書き換えられる。
尚、この光磁気記録媒体（１０）からの情報の読み出し
は、同様に基板（１１）側からのレーザー光照射によっ
て行い得るがこの場合レーザー光のパワーレベルは光磁
気記録層（１２）においては、キュリー点ＴＣＲ以下と
なり、バイアス磁性層（１４）においては補償点′より
低い温度となる程度のパワーに選定され、光磁気効果に
よってその読み出しを行う。
尚、上述した説明は、光磁気記録層（Ｉ２）が、動作温
度範囲で補償点が存在しない磁性層によって形成した場
合であるが、ｇＰＪ４図Ｂで説明したように動作温度範
囲内に補償点ＴＣＯＩＩｐＲを有する特性の磁性層とす
るときにおいても、前述したと同様の第１及び第２のパ
ワーレベルによる記録、消去、オーバーライドを行うが
、光磁気記録層（１２）の磁化の方向は、そのキュリー
点ＴＣＲ以下で、且つその補償点ＴＣＯ１ＰＲ以上のと
ころで決定されるので問題は生じない。何故なら、補償
点ＴＣＯＩＩＩ）Ｒに近い温度領域では、保磁力Ｈｃは
、第４図Ｂに示すように、太き（なり、バイアス磁性層
（１４）からの磁気的な影響を受けなくなるからである
。しかしこの場合は、前述した光磁気記録層（１２）及
びバイアス磁性層（１４）における各記録部と消去部と
の磁化の関係は、逆の関係となる。
尚、光磁気記録層（１２）の前述した温度Ｔ［は、この
光磁気記録層（１４）の保磁力Ｈｅがそのキュリー点近
傍ないしはこれ以下で小さくなり、バイアス磁性層（１
４）からの磁界によって反転する場合には、更に非磁性
１ｍ（１３）は、光磁気記録層（１２）とバイアス磁性
層（１４）の交換結合がしないような膜であれば良く、
これがため２〜３原子層離れているだけでも良い、した
がって、この非磁性層（１３）は例えば光磁気記録層（
１２）の表面酸化物層によるものであっても良い、また
、理論的にはほんの僅かな断熱効果があれば良い。
〔実施例〕
本発明方式に用いる光磁気記録媒体の例を説明するに、
透明基板（１１）は、ガラス基板、或いはポリカーボネ
ート等の樹脂板より構成する。この基板（１１）の１主
面には必要に応じてトラッキングをとるための溝を図示
しないが形成する。そして、この主面に光磁気記録層（
１２）は、例えばＴｂ２１（Ｆｅ５ｓ　Ｃｏ５）　７９
　（Ｄ　３００〜８００人、例えば５００人の厚さの磁
性層によって構成する。
また、非磁性層（１３）は、　５ｉ０２＋　Ｓｉ３Ｎ４
．　ＺｎＳ　。
希土類酸化物、イツトリア（Ｙ２Ｌ）、アルミナ（４１
２０３）等によって構成し、これをＳ　ｉ　３Ｎ　４層
によって構成するときは、　１００〜４００人の厚さ例
えば２００人の厚さとする。
また、バイアス磁性層（１４）は、例えばＴｂ２１８Ｃ
ｏ７ｓ　、２より成り、その厚さが２５０〜１８００人
、例えは８００人とする。
更に、保護層（１５）としては、Ｓｉ３Ｎ＋　、　Ｚｎ
Ｓ　。
ＳｉＯ等によって構成し得る。
尚、非磁性層（１３）の厚さと、バイアス磁性層（１４
）の磁気的温度特性、すなわち組成と、その厚さは、バ
イアス磁性！（１４）の動作温度及び記録層に働く有効
磁界が決定されるものであり、この有効磁界に対して光
磁気記録ｊｉｉ（１２）で記録される磁化が追従される
ためには、光磁気記録層（１２）の温度特性も重要なパ
ラメータとなる。また、この光磁気記録層（１２）に与
えられる磁気的エネルギー、すなわちバイアス磁性層（
１４）の磁化Ｍｓや、上述の有効磁界によって光磁気記
録層（１２）の磁化の方向が決められることから、上述
の有効磁界が小さいときは光磁気記録層（１２）の厚さ
は大とするなどの対処がとられる。
尚、第５図は保磁力Ｈｃの温度特性の実測値で、白丸印
は、バイアス磁性層（１４）としてのＴｂ２ｓ　、ｓ　
Ｃｏｔｓ　、２、黒丸印は光磁気記録ｆｆｉ＜１２）と
してのＴｂｚｔ　（Ｆｅ５ｓ　Ｃｏ５）　７９のそれで
ある。
尚、上述したところは、バイアス磁性層（１４）の磁化
の切り換えを、したがって記録、消去書き換え（オーバ
ライド）をレーザービームで行った場合であるが、電子
ビーム照射等の加熱によることもできる。
更に、第１図における光磁気記録層（１２）と基板（１
１）との間に保護層を介在させ、各層（１２）〜（１３
）を挾む各保護層の厚さ、材料選定等による熱拡散も考
慮して温度上昇、冷却の時間的な変化も制御することが
できる。
〔発明の効果〕
上述したところから明らかなように本発明方式によれば
、オーバーライドが可能であり、更に何ら永久磁石、コ
イル等の外部磁界発生手段を設けることなく、光磁気記
録媒体（１０）に対する例えばレーザー光照射による選
択的加熱のパワーの選定のみで、光磁気記録層（１２）
に対するバイアス磁界の切り換えを行って、記録、消去
等を行うことができること、媒体（１０）自体にバイア
ス磁性層（１４）によるバイアス磁界の付与手段が光磁
気記録層（１２）の至近位置に配置されているスペーシ
ングロスが極めて小さいことなどから、これら情報の記
録、消去、再記録等を行うための消費電力を激減させる
ことができる。また、装置の簡略化、スイッチング速度
の高速化、分解能の向上等、極めて多くの且つ重要な利
点をもたらし、実用に供してその利益は極めて大である
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明方式に用いる光磁気記録媒体の断面図、
第２図及び第４図の各Ａ及びＢは夫々本発明方式の説明
に供する磁気的特性の温度特性曲線図、第３図Ａ−Ｄは
本発明方式の動作の説明に供する磁化状態を示す図、第
５図は本発明の一例の磁気的特性の温度特性曲線図、第
６図は従来の光磁気記録媒体の断面構造図、第７図はそ
の磁イし状態の説明図、第８図は消去状態における磁化
状態を示す図、第９図は記録状態における磁化状態を示
す図、第１０図は浮遊磁界発生の説明図である。 （１１）は透明基板、（１２）は光磁気記録層、（１３
）は非磁性層、（１４）はバイアス磁性層、（１５）は
保護層である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 光磁気記録層と、バイアス磁性層と、これら光磁気記録
    層とバイアス磁性層との間に介在される非磁性層とが積
    層されて成る光磁気記録媒体に対して上記光磁気記録層
    をそのキュリー点近傍或いはそれ以上に加熱すると同時
    に、上記バイアス磁性層をその補償点を超える温度に加
    熱する加熱態様をとる第１の加熱パワーレベルと上記光
    磁気記録層をそのキュリー点近傍或いはそれ以上とする
    と同時に上記バイアス磁性層をその補償点に至ることの
    ない温度に加熱する加熱態様をとる第２の加熱パワーレ
    ベルとにより上記光磁気記録層への情報を書き込み、重
    ね書き及び消去を行うことを特徴とする光磁気記録方式
    。
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