JPH03233902A - Ptc素子の製造方法 - Google Patents
Ptc素子の製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 16
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 12
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 108010053481 Antifreeze Proteins Proteins 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 6
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 5
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、P T C(Posittve Tempe
ratureCoellicienl)特性を有する組
成物よりなる成形物よりなる素子本体に電極を接合して
PTC素子を形成するPTC素子の製造方法に関する。
ratureCoellicienl)特性を有する組
成物よりなる成形物よりなる素子本体に電極を接合して
PTC素子を形成するPTC素子の製造方法に関する。
(従来の技術)
カーボンブラック、ポーラスブラック等の導電性粒子を
、ポリエチレン、ポリプロピレン等の結晶性ポリマーに
分散されたPTC特性を有する組成物を成形体とし、こ
の成形体に電極を接合して結晶性ポリマーの融点附近で
急峻な抵抗値の上昇が起るPTC素子を形成することは
既に知られている。そしてPTC特性をもつ成形体に、
熱圧着により電極を接合させる方法としては、次のよう
な方法が知られている。
、ポリエチレン、ポリプロピレン等の結晶性ポリマーに
分散されたPTC特性を有する組成物を成形体とし、こ
の成形体に電極を接合して結晶性ポリマーの融点附近で
急峻な抵抗値の上昇が起るPTC素子を形成することは
既に知られている。そしてPTC特性をもつ成形体に、
熱圧着により電極を接合させる方法としては、次のよう
な方法が知られている。
a、米国特許第4426633号明細書に記載されてい
るように、PTC特性を有する組成物を押出成形して薄
板状成形体とし、この薄板状成形体の両面に金属箔より
なる電極を数分間の温度、圧力、時間を制御することに
より電気特性を決定しながら熱圧着し、次に成形体を電
極と共に所望の形状にカットして得られたPTC導電性
ポリマーから成る電気デバイス b、特開昭62−106602号公報に記載されている
ように、PTC特性をもつ組成物を成形しこの成形体の
上下両面に金属箔よりなる電極を当着し、先ず、組成物
を構成するポリマーの融点以下の温度で2分ずつ3回加
圧、加熱を繰返し、次にポリマーの融点よりも高い温度
で各2分ずつ3回加圧、加熱を施して成形体の両面に電
極を結合させる有機性正特性サーミスタの製造方法C0
特開昭60−196901号公報に記載されているよう
に、結晶性ポリマーとカーボンブラックよりなる組成物
を板状に成形し、この成形体の両面に片面を粗面化した
電極を熱間プレスにより150℃30分の条件で接合し
て成形物の両面に電極を結合させ、次に所定の大きさに
切断した有機質正特性サーミスタを得る方法 等である。
るように、PTC特性を有する組成物を押出成形して薄
板状成形体とし、この薄板状成形体の両面に金属箔より
なる電極を数分間の温度、圧力、時間を制御することに
より電気特性を決定しながら熱圧着し、次に成形体を電
極と共に所望の形状にカットして得られたPTC導電性
ポリマーから成る電気デバイス b、特開昭62−106602号公報に記載されている
ように、PTC特性をもつ組成物を成形しこの成形体の
上下両面に金属箔よりなる電極を当着し、先ず、組成物
を構成するポリマーの融点以下の温度で2分ずつ3回加
圧、加熱を繰返し、次にポリマーの融点よりも高い温度
で各2分ずつ3回加圧、加熱を施して成形体の両面に電
極を結合させる有機性正特性サーミスタの製造方法C0
特開昭60−196901号公報に記載されているよう
に、結晶性ポリマーとカーボンブラックよりなる組成物
を板状に成形し、この成形体の両面に片面を粗面化した
電極を熱間プレスにより150℃30分の条件で接合し
て成形物の両面に電極を結合させ、次に所定の大きさに
切断した有機質正特性サーミスタを得る方法 等である。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記従来法は何れも電極の熱圧着に際し
、分単位で加熱して、p’rcFft、形体を何れも一
旦完全に溶融している。このためPTC成形体に余分な
熱履歴が与えられその電気的特性に変化をもたらすこと
になる。したがって所望の抵抗値のPTC素子を得るた
めには、aの米国特許第4426633号明細書に記載
されているように熱圧着時の温度、圧力、時間、冷却時
の加圧の制御が必要になる。
、分単位で加熱して、p’rcFft、形体を何れも一
旦完全に溶融している。このためPTC成形体に余分な
熱履歴が与えられその電気的特性に変化をもたらすこと
になる。したがって所望の抵抗値のPTC素子を得るた
めには、aの米国特許第4426633号明細書に記載
されているように熱圧着時の温度、圧力、時間、冷却時
の加圧の制御が必要になる。
また、時間を節約するために広い面積での電極付けが必
要となり電極を成形体に熱圧着した後所定の形状にカッ
トしている。そのため、カットに際して電極が成形体に
喰い込む等して成形体を変形させることによっても抵抗
値が変化する。また、得られる素子の形状は板状成形体
の両面に電極を形成したサンドイッチ構造のものしか得
られないという問題がある。
要となり電極を成形体に熱圧着した後所定の形状にカッ
トしている。そのため、カットに際して電極が成形体に
喰い込む等して成形体を変形させることによっても抵抗
値が変化する。また、得られる素子の形状は板状成形体
の両面に電極を形成したサンドイッチ構造のものしか得
られないという問題がある。
さらに、電極と成形体の接合面の面積が広いため、空気
が接合面に残存し易いという問題かありこの問題を解決
するためにbの特開昭62−106602号公報に記載
されているように2段階の加熱圧着手段により工程を煩
雑化するという問題もある。
が接合面に残存し易いという問題かありこの問題を解決
するためにbの特開昭62−106602号公報に記載
されているように2段階の加熱圧着手段により工程を煩
雑化するという問題もある。
また、単に短時間でPTC成形体に金属箔を圧着するだ
けならば、PTC成形体に接触させあらかしめ所望の温
度とした大きな金属熱板をコンプレッション成形機等で
数秒押しつけてから離す方法でもできるが、この場合冷
却時に圧力が加わらない。そのため、成形体と金属箔と
の接合が不安定で十分な接合力やオーミンクな接触を得
ることができないという問題がある。
けならば、PTC成形体に接触させあらかしめ所望の温
度とした大きな金属熱板をコンプレッション成形機等で
数秒押しつけてから離す方法でもできるが、この場合冷
却時に圧力が加わらない。そのため、成形体と金属箔と
の接合が不安定で十分な接合力やオーミンクな接触を得
ることができないという問題がある。
本発明は、上記問題に鑑み、電極の熱圧着による接合時
に、PTC組戒組成成形物よりなる素子本体の溶融を電
極との接合界面のみにおさえることで電極付は工程での
PTC素子本体への電気的特性その他の影響を可及的に
少なくし、素子本体の形状並に電極の取付は位置も任意
に選択でき、しかも大量生産も可能なPTC素子の製造
方法を提供するものである。
に、PTC組戒組成成形物よりなる素子本体の溶融を電
極との接合界面のみにおさえることで電極付は工程での
PTC素子本体への電気的特性その他の影響を可及的に
少なくし、素子本体の形状並に電極の取付は位置も任意
に選択でき、しかも大量生産も可能なPTC素子の製造
方法を提供するものである。
C発明の構成〕
(課題を解決するための手段)
本発明の請求項1に記載のPTC素子の製造方法は、導
電性粒子と結晶性ポリマーとからなるPTC特性を有す
る組成物を所望の形状と電気的特性を有するチップ状に
形成してチップ状素子本体を得、次にこの素子本体に金
属箔よりなる電極を当接し、次にこの電極をヒータチッ
プで前記素子本体に圧接するとともにこのヒータチップ
に温度制御加熱電源を介してパルス電流によるジュール
熱を発生させ前記素子本体の電極当接面を薄膜状に溶融
させ、次に前記電極の加圧状態を保持したまま素子本体
を放熱させ、電気的特性を変化させることなく素子本体
に電極を接合させるものである。
電性粒子と結晶性ポリマーとからなるPTC特性を有す
る組成物を所望の形状と電気的特性を有するチップ状に
形成してチップ状素子本体を得、次にこの素子本体に金
属箔よりなる電極を当接し、次にこの電極をヒータチッ
プで前記素子本体に圧接するとともにこのヒータチップ
に温度制御加熱電源を介してパルス電流によるジュール
熱を発生させ前記素子本体の電極当接面を薄膜状に溶融
させ、次に前記電極の加圧状態を保持したまま素子本体
を放熱させ、電気的特性を変化させることなく素子本体
に電極を接合させるものである。
本発明の請求項2に記載のPTC素子の製造方法は、請
求項1において、加熱時間は10秒以下であるものであ
る。
求項1において、加熱時間は10秒以下であるものであ
る。
本発明の請求項3に記載のPTC素子の製造方法は、請
求項1または2において、放熱時の加圧は、素子本体に
配合された結晶性ポリマー中で最も低融点のポリマーの
融点Tm〔℃〕に対し、Tm〔℃〕−50〔℃〕になる
まで保持されるものである。
求項1または2において、放熱時の加圧は、素子本体に
配合された結晶性ポリマー中で最も低融点のポリマーの
融点Tm〔℃〕に対し、Tm〔℃〕−50〔℃〕になる
まで保持されるものである。
本発明の請求項4に記載のPTC素子の製造方法は、請
求項1ないし3の何れかにおいて、温度制御加熱電源と
してサーモコントロールウェルダーが用いられるもので
ある。
求項1ないし3の何れかにおいて、温度制御加熱電源と
してサーモコントロールウェルダーが用いられるもので
ある。
(作用)
本発明のPTC素子の製造方法は、PTC特性を有する
組成物よりなるチップ状素子本体に電極を加圧加熱によ
り接合させる場合、電極当接面のみを薄膜状に溶融して
電極を圧着させるから、成形物全体に余分な熱履歴を与
えることがない。
組成物よりなるチップ状素子本体に電極を加圧加熱によ
り接合させる場合、電極当接面のみを薄膜状に溶融して
電極を圧着させるから、成形物全体に余分な熱履歴を与
えることがない。
このため、電極の接合に際して素子本体の電気的特性を
殆んど変化させることがない。電極接合に要する加熱、
放熱時間が数秒という極く短い時間ですみ、熱圧着に要
する時間が少なく、チップ状の素子本体一個毎に電極を
取付ける時間が生産コストに影響しない。
殆んど変化させることがない。電極接合に要する加熱、
放熱時間が数秒という極く短い時間ですみ、熱圧着に要
する時間が少なく、チップ状の素子本体一個毎に電極を
取付ける時間が生産コストに影響しない。
さらに、電極接合後にカットする必要がないため、′カ
ットによる素子本体への電極の喰い込みや残留応力等の
ストレスが生じない。
ットによる素子本体への電極の喰い込みや残留応力等の
ストレスが生じない。
またチップ状素子本体に電極を加熱圧着するため電極当
接面は小面積であり電極当接面に残存する空気は電極と
素子本体の電極当接面で薄膜状に溶融した溶融ポリマー
の流れにより容易に排除される。
接面は小面積であり電極当接面に残存する空気は電極と
素子本体の電極当接面で薄膜状に溶融した溶融ポリマー
の流れにより容易に排除される。
電極を熱圧着後の放熱時の加圧を保持する温度はポリマ
ーの融点よりも50℃以上低く保持させることにより、
ポリマーの完全な再凝固を行わせ、電極の接合が確実に
なる。
ーの融点よりも50℃以上低く保持させることにより、
ポリマーの完全な再凝固を行わせ、電極の接合が確実に
なる。
温度制御加熱電源としてのサーモコントロールウェルダ
ーは、パルス電流を流してジュール熱を発生させ瞬時に
熱を電極接合面に供給するとともに、ヒータチップの温
度や端子電圧を検知し電流制御を行いうるちのである。
ーは、パルス電流を流してジュール熱を発生させ瞬時に
熱を電極接合面に供給するとともに、ヒータチップの温
度や端子電圧を検知し電流制御を行いうるちのである。
(実施例)
本発明の実施例に用いられる装置の一例を第1図ないし
第3図によって説明する。
第3図によって説明する。
1はヒータチップで図示されないハンドプレスに取付け
られている。2は導電性粒子と結晶性ポリマーとからな
るPTC特性を有する組成物をチップ状に成形して成る
素子本体で、基板3上に支持されている。4は金属箔よ
りなる電極で、素子本体2上に重ね合わされ前記ヒータ
チップ1のハンドプレスによって素子本体2に圧着され
る。
られている。2は導電性粒子と結晶性ポリマーとからな
るPTC特性を有する組成物をチップ状に成形して成る
素子本体で、基板3上に支持されている。4は金属箔よ
りなる電極で、素子本体2上に重ね合わされ前記ヒータ
チップ1のハンドプレスによって素子本体2に圧着され
る。
5は温度制御加熱電源(サーモコンドロールウニルダー
、TCW)で、日本アビオニクス株式会社製TCW−1
15が用いられ、導体6.7によって前記ヒータチップ
1と接続されている。導体6゜7の電気抵抗は極めて小
さいため、温度制御加熱電源5のパルス電流による発熱
はヒータチップ1に集中し、ヒータチップ1には熱電対
8が取付けられており、この熱電対8の熱起電力は、温
度制御加熱電源5で検知される。そしてこれによって、
温度制御加熱電源5はヒータチップ1の温度を所定の値
に保つように電流を制御するようになっている。
、TCW)で、日本アビオニクス株式会社製TCW−1
15が用いられ、導体6.7によって前記ヒータチップ
1と接続されている。導体6゜7の電気抵抗は極めて小
さいため、温度制御加熱電源5のパルス電流による発熱
はヒータチップ1に集中し、ヒータチップ1には熱電対
8が取付けられており、この熱電対8の熱起電力は、温
度制御加熱電源5で検知される。そしてこれによって、
温度制御加熱電源5はヒータチップ1の温度を所定の値
に保つように電流を制御するようになっている。
ヒータチップエは、第2図、第3図に示すように、厚さ
2mmのモリブデン製の板を上向に開口したコ字形に屈
曲し下面を電極圧着面9とした構造で、電極4を圧着す
る時の加圧に耐えうる構造的強度を有し放熱の効率を高
める構造となっている。。
2mmのモリブデン製の板を上向に開口したコ字形に屈
曲し下面を電極圧着面9とした構造で、電極4を圧着す
る時の加圧に耐えうる構造的強度を有し放熱の効率を高
める構造となっている。。
このヒータチップ1の電極圧着面9の面積は、II、X
l2=22叫×22閣、高さz3=20關である。
l2=22叫×22閣、高さz3=20關である。
0
ヒータチップ1は、短時間で加熱、冷却を可能にするた
めに熱容量を小さくすることが必要であり、このために
体積を小さくすることが望ましいが、電極圧着面9の面
積は電極4の面積と等しいかより大きくする必要がある
。
めに熱容量を小さくすることが必要であり、このために
体積を小さくすることが望ましいが、電極圧着面9の面
積は電極4の面積と等しいかより大きくする必要がある
。
ヒータチップ1の加熱電源としての温度制御加熱電源5
はパルス電流をヒータチップ1に流し発生するジュール
熱でヒータチップ1を瞬時に加熱し、ヒータチップ1の
温度をヒータチップ1に溶接した熱電対8で検知して、
ヒータチップ1を所定の温度に保つために電流を調整で
きる電源である。また所定の温度での加熱時間も熱電対
8の熱起電力を帰還することにより制御できる。
はパルス電流をヒータチップ1に流し発生するジュール
熱でヒータチップ1を瞬時に加熱し、ヒータチップ1の
温度をヒータチップ1に溶接した熱電対8で検知して、
ヒータチップ1を所定の温度に保つために電流を調整で
きる電源である。また所定の温度での加熱時間も熱電対
8の熱起電力を帰還することにより制御できる。
ヒータチップ1の放熱時間を短縮するための手段として
は、圧縮空気を吹き付ける方法がある。
は、圧縮空気を吹き付ける方法がある。
そのためには、放熱効率の高い形状例えば、第2図、第
3図に示すように金属板を上向きのコ字形に屈曲して放
熱面積を広くした構造にする。
3図に示すように金属板を上向きのコ字形に屈曲して放
熱面積を広くした構造にする。
次に上記装置を用いた本発明の製造工程を説明する。
1
■、カーボンブラック等の導電性粒子と結晶性ポリマー
から成るPTC特性を有する組成物は圧縮成形、射出成
形、カレンダー成形等の成形法により成形されチップ状
素子本体2が得られる。
から成るPTC特性を有する組成物は圧縮成形、射出成
形、カレンダー成形等の成形法により成形されチップ状
素子本体2が得られる。
この成形時に製品として得られるPTC素子の体積抵抗
率、形状等の基本的な性質が決定される。
率、形状等の基本的な性質が決定される。
この素子本体2は電極4が取付けていないので、必要に
応じてフライス盤などの加工機械により任意の形状にす
ることができる。
応じてフライス盤などの加工機械により任意の形状にす
ることができる。
2、素子本体2に電極4を当接し、この電極4に加熱し
てないヒータチップ1の電極圧着面9をハンドプレスの
操作によって押しつけて所定の圧力を与える。
てないヒータチップ1の電極圧着面9をハンドプレスの
操作によって押しつけて所定の圧力を与える。
3、電源5に接続したヒータチップ1にパルス電流を流
すことにより加熱を行い電極4が当接された素子本体2
の電極当接面を薄膜状に溶融する。同時にヒータチップ
1に取付けられた熱電対8の熱起電力を検知してヒータ
チップ1の過熱を防止する。
すことにより加熱を行い電極4が当接された素子本体2
の電極当接面を薄膜状に溶融する。同時にヒータチップ
1に取付けられた熱電対8の熱起電力を検知してヒータ
チップ1の過熱を防止する。
圧着のためのヒータチップtの加熱温度を12
50℃とすると、150℃に昇温するのに要する時間は
3秒である。
3秒である。
4、放熱は、ヒータチップ1を加熱するための電流をオ
フにし、圧縮空気をヒータチップ1に吹きつけることに
より行う。放熱によって素子本体2の薄膜状に溶融した
ポリマーが再凝固し、電極4が素子本体2に完全に接合
される。
フにし、圧縮空気をヒータチップ1に吹きつけることに
より行う。放熱によって素子本体2の薄膜状に溶融した
ポリマーが再凝固し、電極4が素子本体2に完全に接合
される。
ヒータチップ1を150℃から80℃まで温度低下する
のに要する時間は3秒程度である。
のに要する時間は3秒程度である。
素子本体2を構成する結晶性ポリマーの融点を132℃
とすると、電極4の圧着のために必要な温度はこの融点
よりも当然高くなる。
とすると、電極4の圧着のために必要な温度はこの融点
よりも当然高くなる。
冷却時に加圧を保ち続ける温度は、融点より50℃以上
低く設定されているが、この理由は、融点以下ぎりぎり
の温度であると、ポリマーの完全な再凝固が行われない
ため、接合が不十分になるためである。素子本体2に一
対の電極4が取付けられる面は、互に平行な面でなくて
もよい。例えば、素子本体2の形状に従って、一対の電
極4゜4が互に直交する方向でも、60’に傾斜した方
3 向でも接合することができる。また、必要に応じて、3
枚以上の電極4を任意の位置に接合することもできる。
低く設定されているが、この理由は、融点以下ぎりぎり
の温度であると、ポリマーの完全な再凝固が行われない
ため、接合が不十分になるためである。素子本体2に一
対の電極4が取付けられる面は、互に平行な面でなくて
もよい。例えば、素子本体2の形状に従って、一対の電
極4゜4が互に直交する方向でも、60’に傾斜した方
3 向でも接合することができる。また、必要に応じて、3
枚以上の電極4を任意の位置に接合することもできる。
さらに接合される電極4も任意の形状を選ぶことができ
る。
る。
実施例1
表 1
表1に示すPTC特性を有する組成物を加熱混練したの
ち、径2mm以下に粉砕したものについて圧縮成形を行
った。成形は上記粉砕品を金型に入れ、465kg1/
carの押し金型による圧力を与えながら、5分で室温
から200℃まで昇温し、200℃に3分保ったのち、
116kg1/carの圧力を加えながら50℃まで9
分で冷却したのち、金型4 から取り出すことで行い、第4図に示す14X7! 5
XA’ 6 =I3mmX13mmX3.5 mmの素
子本体2を得た。
ち、径2mm以下に粉砕したものについて圧縮成形を行
った。成形は上記粉砕品を金型に入れ、465kg1/
carの押し金型による圧力を与えながら、5分で室温
から200℃まで昇温し、200℃に3分保ったのち、
116kg1/carの圧力を加えながら50℃まで9
分で冷却したのち、金型4 から取り出すことで行い、第4図に示す14X7! 5
XA’ 6 =I3mmX13mmX3.5 mmの素
子本体2を得た。
この素子本体2の上下両面に、粗面電解ニッケル箔(福
田金属箔粉工業■製)よりなる厚さ25μmで面積がヒ
ータチップ1の電極圧着面9の面積と等しい電極4を次
の方法によって接合した。
田金属箔粉工業■製)よりなる厚さ25μmで面積がヒ
ータチップ1の電極圧着面9の面積と等しい電極4を次
の方法によって接合した。
第1段階:素子本体の表面に電極4を密着させ、その上
からヒータチップ1の 圧着面9で加圧する。加圧力は4 Qkgl/ciである。
からヒータチップ1の 圧着面9で加圧する。加圧力は4 Qkgl/ciである。
第2段階:ヒータチップ1を所望の温度(150°C)
に3秒間で昇温させ、そ の温度に3秒間保つ。この過程で 第11段階での加圧は保ち続けられ る。
に3秒間で昇温させ、そ の温度に3秒間保つ。この過程で 第11段階での加圧は保ち続けられ る。
第3段階:加圧を保ったままヒータチップ1を80℃以
下まで圧縮空気を吹き つけることにより放熱させる。お よそ3秒で放熱は完了する。更に 5 加圧を10秒程度保つ。
下まで圧縮空気を吹き つけることにより放熱させる。お よそ3秒で放熱は完了する。更に 5 加圧を10秒程度保つ。
この3段階の過程で電極4は素子本体2の表面にしっか
り接合される。要する時間は20秒程度である。
り接合される。要する時間は20秒程度である。
次に素子本体2を裏返して同様の操作をくり返し素子本
体2の裏面にも電極4を接合する。
体2の裏面にも電極4を接合する。
上述のようにして、素子本体2の表裏面に電極4.4が
接合されたPTC素子の抵抗値を測定し体積抵抗率を計
算した。
接合されたPTC素子の抵抗値を測定し体積抵抗率を計
算した。
また、比較例として、同じ方法で得られた素子本体の上
下両面に銀ペースト(■徳力化学研究所製;商品名シル
ベスト)を塗布して体積抵抗率を変化させることなく電
極を形成したPTC素子の抵抗値を測定し、体積抵抗率
を計算した。
下両面に銀ペースト(■徳力化学研究所製;商品名シル
ベスト)を塗布して体積抵抗率を変化させることなく電
極を形成したPTC素子の抵抗値を測定し、体積抵抗率
を計算した。
結果を表2に示す。
(以下次頁)
6
表
表2に示したように実施例1の方法で得られたPTC素
子の体積抵抗率は電極の形成によって体積抵抗率に変化
を示さない比較例1の体積抵抗率と略等しくなり、体積
抵抗率を変化させることなく電極付けを行えることがわ
かる。密着時に電極の周囲に少量のPTC組成物のパリ
がでるが、厚さの減少は、いずれも2%以下であり、成
形体の形状に変化を与えることなく電極付けを行えるこ
とがわかる。
子の体積抵抗率は電極の形成によって体積抵抗率に変化
を示さない比較例1の体積抵抗率と略等しくなり、体積
抵抗率を変化させることなく電極付けを行えることがわ
かる。密着時に電極の周囲に少量のPTC組成物のパリ
がでるが、厚さの減少は、いずれも2%以下であり、成
形体の形状に変化を与えることなく電極付けを行えるこ
とがわかる。
7
実施例2
表3に示した配合の導電性粒子と結晶性ポリマーとを加
熱混練したのち径2 mm以下に粉砕したものについて
、実施例1と同様に圧縮成形して素子本体2を得た。こ
の素子本体2の形状も実施例1と同様である。
熱混練したのち径2 mm以下に粉砕したものについて
、実施例1と同様に圧縮成形して素子本体2を得た。こ
の素子本体2の形状も実施例1と同様である。
表 3
(注)ポーラスブラックとは、カーボンブラックを気相
エツチング法により多孔質化したものである。
エツチング法により多孔質化したものである。
この素子本体2の上下両面に実施例1で用いた粗面電解
ニッケル箔よりなる電極4.4を実施例1と同じ方法で
接合させてPTC素子を得た。
ニッケル箔よりなる電極4.4を実施例1と同じ方法で
接合させてPTC素子を得た。
得られたPTC素子を100℃で2時間熱エージ8
ングしたのち、γ線を照射して架橋させてた。照射量は
10Mradと60Mradの二水準である。このもの
についてビール試験を行い、引き剥がし強度を測定した
。比較例2として、この実施例2と同じ条件での圧縮成
形をするときに、素子本体2を、はさみこむようにNi
箔よりなる電極を上下面に配置することにより、成形と
同時に電極付けを行い比較例2とした。この比較例2に
同様の熱エージングとγ線照射を行い、これをビール試
験にかけた。結果を表4に示す。
10Mradと60Mradの二水準である。このもの
についてビール試験を行い、引き剥がし強度を測定した
。比較例2として、この実施例2と同じ条件での圧縮成
形をするときに、素子本体2を、はさみこむようにNi
箔よりなる電極を上下面に配置することにより、成形と
同時に電極付けを行い比較例2とした。この比較例2に
同様の熱エージングとγ線照射を行い、これをビール試
験にかけた。結果を表4に示す。
(以下次頁)
表
表4から明らかなように同じγ線量を照射したもの同志
では、実施例2による電極4の密着強度は、比較例2よ
り大きい値を示す。この比較例2は完全に溶融したPT
C組成物に圧力を与えながら接合を行うので従来の熱圧
着工法と同様の接合強度となる 0 実施例2が大きい接合強度を示す理由は、比較例2では
冷却に時間がかかったため、ポリマーが再凝固する時の
結晶化度が高くなり、電極の金属箔の粗面に喰い込んだ
PTC組成物の収縮が進み、電極4の金属箔の粗面への
しっかりとした喰い込みが維持できなかったのに対して
、実施例2では、冷却速度が非常に大きいため、電極4
の金属箔の粗面に喰い込んだポリマーの結晶化度が低く
なり、収縮が少なかったため、粗面への喰い込みが維持
され接合強度が大になったと考えられる。
では、実施例2による電極4の密着強度は、比較例2よ
り大きい値を示す。この比較例2は完全に溶融したPT
C組成物に圧力を与えながら接合を行うので従来の熱圧
着工法と同様の接合強度となる 0 実施例2が大きい接合強度を示す理由は、比較例2では
冷却に時間がかかったため、ポリマーが再凝固する時の
結晶化度が高くなり、電極の金属箔の粗面に喰い込んだ
PTC組成物の収縮が進み、電極4の金属箔の粗面への
しっかりとした喰い込みが維持できなかったのに対して
、実施例2では、冷却速度が非常に大きいため、電極4
の金属箔の粗面に喰い込んだポリマーの結晶化度が低く
なり、収縮が少なかったため、粗面への喰い込みが維持
され接合強度が大になったと考えられる。
実施例3
実施例2と同様に製作した試料と比較例2による試料の
何れもγ線60Mrad照射品を実施例3、比較例3と
した。そして、実施例3と比較例3に何れも電圧を繰り
返し印加した。印加条件は30Vを5回、100Vを4
回、150Vを2回、200Vを2回、250Vを4回
で、印加時間は、それぞれ2分間であり、次の印加を行
うまで、20分以上の間隔をおいた。なお、双方の試料
の初期抵抗値と厚さは同じにしである。印加を繰り返1 していくに従い、実施例3、比較例3共に抵抗値の上昇
がみられた。この上昇度合は、双方共、はぼ同じであっ
た。前述した印加終了後に抵抗値変化率が双方共65%
アップになったので印加試験を打ち切り、実施例3、比
較例3についてそれぞれビール試験を行った。実施例3
は一面が0.62kgj/cnで反対面が0.73kg
+/(1)であった。それに対して比較例3では一面
が0.52kgf/anで反対面が0.57kg+/a
nであった。このことにより、実施例3による電極付け
ではPTC素子に、繰り返しPTC動作を行ったのちで
も、比較例3の熱圧着工法によるものより、強固に電極
4が素子本体2に密着していることがわかる。
何れもγ線60Mrad照射品を実施例3、比較例3と
した。そして、実施例3と比較例3に何れも電圧を繰り
返し印加した。印加条件は30Vを5回、100Vを4
回、150Vを2回、200Vを2回、250Vを4回
で、印加時間は、それぞれ2分間であり、次の印加を行
うまで、20分以上の間隔をおいた。なお、双方の試料
の初期抵抗値と厚さは同じにしである。印加を繰り返1 していくに従い、実施例3、比較例3共に抵抗値の上昇
がみられた。この上昇度合は、双方共、はぼ同じであっ
た。前述した印加終了後に抵抗値変化率が双方共65%
アップになったので印加試験を打ち切り、実施例3、比
較例3についてそれぞれビール試験を行った。実施例3
は一面が0.62kgj/cnで反対面が0.73kg
+/(1)であった。それに対して比較例3では一面
が0.52kgf/anで反対面が0.57kg+/a
nであった。このことにより、実施例3による電極付け
ではPTC素子に、繰り返しPTC動作を行ったのちで
も、比較例3の熱圧着工法によるものより、強固に電極
4が素子本体2に密着していることがわかる。
実施例4
実施例2と同様のPTC組成物を圧縮成形したのち、グ
ラインダーで角をけずり、第5図に示す形状に加工して
Al7=13閣、lS=+a恥、II 9 = 10.
5wn、I Io=51rrm、Az=11mmの素子
本体2を得た。互いに直交方向となるA、B面に夫々の
A、B面と同じ面積を持つ電極4.4を実施2 例1と同様な方法により密着接合させた。電極4゜4と
接合の条件は実施例1と同様である。この両面について
ビール試験を行った。また、比較例4として比較例2と
同様に、素子本体の成形と同時に平行に向きあった面に
一対の電極を密着させたものを形成しこれについてのビ
ール試験を行った。
ラインダーで角をけずり、第5図に示す形状に加工して
Al7=13閣、lS=+a恥、II 9 = 10.
5wn、I Io=51rrm、Az=11mmの素子
本体2を得た。互いに直交方向となるA、B面に夫々の
A、B面と同じ面積を持つ電極4.4を実施2 例1と同様な方法により密着接合させた。電極4゜4と
接合の条件は実施例1と同様である。この両面について
ビール試験を行った。また、比較例4として比較例2と
同様に、素子本体の成形と同時に平行に向きあった面に
一対の電極を密着させたものを形成しこれについてのビ
ール試験を行った。
結果を表5に示す。
表 5
表5に示したように、実施例4によれば、対面した方向
でなくとも、十分な強度をもって、素子本体2に電極を
密着できることがわかる。
でなくとも、十分な強度をもって、素子本体2に電極を
密着できることがわかる。
本発明によれば、導電性粒子と結晶性ポリマーとからな
るPTC特性を有する組成物よりなる3 チップ状の素子本体に電極を熱圧着するに際し、素子本
体を全体的に溶融することなく瞬間的な加熱により電極
当接面のみを薄膜状に溶融するため、素子本体に余分な
熱履歴を与えることがなく、電極の接合によって素子本
体の電気的特性や形状等の基本的特性を変化させること
がない。したがって従来は素子本体全体を溶融させたた
め電極付けに際し、圧力、温度、時間等により素子本体
の抵抗値が変化したため電極の熱圧着に際して温度、圧
力、時間等を制御したが、そのような必要がない。
るPTC特性を有する組成物よりなる3 チップ状の素子本体に電極を熱圧着するに際し、素子本
体を全体的に溶融することなく瞬間的な加熱により電極
当接面のみを薄膜状に溶融するため、素子本体に余分な
熱履歴を与えることがなく、電極の接合によって素子本
体の電気的特性や形状等の基本的特性を変化させること
がない。したがって従来は素子本体全体を溶融させたた
め電極付けに際し、圧力、温度、時間等により素子本体
の抵抗値が変化したため電極の熱圧着に際して温度、圧
力、時間等を制御したが、そのような必要がない。
また、電極付けに際し素子本体全体を溶融しないため、
素子本体が複雑な形状であっても殆んど形状を変化させ
ることがなく任意の形状の素子本体が得られる。また熱
履歴が少ないことは、ポリマー成分の熱劣化を防ぐこと
にもなる。
素子本体が複雑な形状であっても殆んど形状を変化させ
ることがなく任意の形状の素子本体が得られる。また熱
履歴が少ないことは、ポリマー成分の熱劣化を防ぐこと
にもなる。
さらに、電極の接合が極く短時間で行われるため、チッ
プ状の素子本体の一個ずつに電極付けを行っても時間の
無駄がな(、大量生産が可能になる。しかも、素子本体
は一個ずつに電極付けを4 行うことより素子本体の形状の如何を問わずかつ素子本
体の任意の位置に電極付けを行うことができる。
プ状の素子本体の一個ずつに電極付けを行っても時間の
無駄がな(、大量生産が可能になる。しかも、素子本体
は一個ずつに電極付けを4 行うことより素子本体の形状の如何を問わずかつ素子本
体の任意の位置に電極付けを行うことができる。
また、従来は大量生産のために大形の素子本体に電極付
けを行った後チップ状に切断したため、切断による素子
本体への電極の喰い込みや残留応力等のストレスが発生
したが、電極付は後チップ状に切断しないためこのよう
な問題の発生も避けられる。
けを行った後チップ状に切断したため、切断による素子
本体への電極の喰い込みや残留応力等のストレスが発生
したが、電極付は後チップ状に切断しないためこのよう
な問題の発生も避けられる。
さらにチップ状素子本体と電極の接合面の面積が少ない
ためこの接合面に残存する空気は薄膜状に溶融したポリ
マーの流動に伴って容易に外部に排除され空気抜きの工
程を省くことができる。
ためこの接合面に残存する空気は薄膜状に溶融したポリ
マーの流動に伴って容易に外部に排除され空気抜きの工
程を省くことができる。
また、放熱時は、素子本体を構成するポリマーの融点よ
りも50℃以上低くなるまで加圧することより、ポリマ
ーの完全な再凝固が行われ、電極の接合が確実になる。
りも50℃以上低くなるまで加圧することより、ポリマ
ーの完全な再凝固が行われ、電極の接合が確実になる。
さらに、温度制御加熱電源としてサーモコントロールウ
ェルダーを使用することによりヒータチップにパルス電
流を流してジュール熱を発生させ瞬時に熱を電極接合面
に供5 給することができるとともにヒータチップの温度や端子
電圧を検知し電流制御を行うことができる。
ェルダーを使用することによりヒータチップにパルス電
流を流してジュール熱を発生させ瞬時に熱を電極接合面
に供5 給することができるとともにヒータチップの温度や端子
電圧を検知し電流制御を行うことができる。
第工図は本発明のPTC素子の製造方法に用いられる装
置の説明図、第2図は同上ヒータチップの正面図、第3
図は同上平面図、第4図は電極付は前の素子本体の斜視
図、第5図は同上性の実施例を示す素子本体の斜視図で
ある。 1・・ヒータチップ、2・・素子本体、3・・基板、4
・・電極、5・・電源。 手続補正書 (自発) 平成3年02月06
置の説明図、第2図は同上ヒータチップの正面図、第3
図は同上平面図、第4図は電極付は前の素子本体の斜視
図、第5図は同上性の実施例を示す素子本体の斜視図で
ある。 1・・ヒータチップ、2・・素子本体、3・・基板、4
・・電極、5・・電源。 手続補正書 (自発) 平成3年02月06
Claims (4)
- (1)導電性粒子と結晶性ポリマーとからなるPTC特
性を有する組成物を所望の形状と電気的特性を有するチ
ップ状に形成してチップ状素子本体を得、 次にこの素子本体に金属箔よりなる電極を当接し、 次にこの電極をヒータチップで前記素子本体に圧接する
とともにこのヒータチップに温度制御加熱電源を介して
パルス電流によるジュール熱を発生させ前記素子本体の
電極当接面を薄膜状に溶融させ、 次に前記電極の加圧状態を保持したまま素子本体を放熱
させ、電気的特性を変化させることなく素子本体に電極
を接合させることを特徴とするPTC素子の製造方法。 - (2)加熱時間は10秒以下であることを特徴とする請
求項1に記載のPTC素子の製造方法。 - (3)放熱時の加圧は、素子本体に配合された結晶性ポ
リマー中で最も低融点のポリマーの融点Tm〔℃〕に対
し、 Tm〔℃〕−50〔℃〕 になるまで保持されることを特徴とする請求項1または
2に記載のPTC素子の製造方法。 - (4)温度制御加熱電源としてサーモコントロールウェ
ルダーが用いられることを特徴とする請求項1ないし3
の何れかに記載のPTC素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2934190A JPH03233902A (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | Ptc素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2934190A JPH03233902A (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | Ptc素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03233902A true JPH03233902A (ja) | 1991-10-17 |
Family
ID=12273534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2934190A Pending JPH03233902A (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | Ptc素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03233902A (ja) |
-
1990
- 1990-02-08 JP JP2934190A patent/JPH03233902A/ja active Pending
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