JPH03233936A - シリコンウエーハの製造方法 - Google Patents

シリコンウエーハの製造方法

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JPH03233936A
JPH03233936A JP3005190A JP3005190A JPH03233936A JP H03233936 A JPH03233936 A JP H03233936A JP 3005190 A JP3005190 A JP 3005190A JP 3005190 A JP3005190 A JP 3005190A JP H03233936 A JPH03233936 A JP H03233936A
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Japan
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silicon wafer
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wafer
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JP3005190A
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Etsuro Morita
悦郎 森田
Jiro Tatsuta
龍田　次郎
Mikio Kishimoto
幹男 岸本
Yasushi Shimanuki
島貫　康
Toshiro Tanaka
俊郎 田中
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Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
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Mitsubishi Materials Corp
Japan Silicon Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明はシリコンウェーハの製造方法、特にシリコンウ
ェーハ中の微小欠陥核を除去することができるシリコン
ウェーハの製造方法に関する。
〈従来の技術〉 一般に、単結晶シリコンウェーハの製造方法としては以
下に示すプロセスによっている。すなわち、例えば通常
条件での引き上げ法により引き上げた単結晶シリコンを
スライサーでスライスし、そのウェーハ表面を研磨し、
さらにその表面を洗浄するものである。
そして、従来はこのシリコンウェーハの洗浄後にパーテ
ィクルカウンタによりそのウェーハ表面に付着したゴミ
等測定し、そのウェーハ表面の清浄度を検査していた。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、このような従来のシリコンウェーハの製
造方法にあって、融液から引き上げられたままの単結晶
シリコンにはその内部に微小欠陥核が存在することが推
測された。
すなわち、本願出願人が案出した方法での洗浄によれば
、当該シリコンウェーハの表面に多数の微小ビットが存
在することが発見された。この微小ビットは従来より知
られていた積層欠陥ＯＳＦ等とは異なるものである。そ
して、引き上げプロセス条件を異ならせることによりこ
の微小ビットの数量、分布は異なることも確かめられた
。したかって、この微小ピットはウェーハ中の微小欠陥
核の存在を示すものであり、この微小欠陥核が多い場合
にはウェーハの電気的特性等が劣るという課題が生じて
いた。
そこで、本発明は、引き上げ法により形成されたシリコ
ンウェーハにおいて微小欠陥核を除去、低減することの
できるシリコンウェーハの製造方法を提供することを、
その目的としている。
〈課題を解決するための手段〉 本発明は、引き上げ法により形成したシリコンウェーハ
を、８００℃〜１２５０℃の間の温度に１０時間以下加
熱したシリコンウェーハの製造方法を提供するものであ
る。
〈作用および効果〉 本発明に係るシリコンウェーハの製造方法にあっては、
引き上げ条件の如何によらず引き上げられたシリコンウ
ェーハにおいて、一定の熱処理を施すことにより、シリ
コンウェーハ中の微小欠陥核を大幅に低減することがで
きる。この結果、電気的特性等が向上したシリコンウェ
ーハを得ることができる。
例えばポリシング工程の後において、シリコンウェーハ
を、酸素ガスまたは窒素ガスの雰囲気中において８００
℃〜１２５０℃の間の温度に１０時間以下加熱したもの
である。好ましくは、１０ｏｏ０ｃ〜１２００℃で０．
　５〜２時間の加熱によるものとする。
そして、７００℃、５時間の加熱では微小欠陥核はほと
んど低減されないこと、また、１１００℃、１８時間の
加熱では新たな欠陥、例えばＯ５Ｆ等が発生することが
本願出願人により確認されている。
〈実施例〉 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのもので、熱
酸化処理の有無と微小ピット（微小欠陥核）との関係を
示すグラフである。
このグラフにおいて、横軸はアンモニア系洗浄液、例え
ばＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２０＝　１　：　　１　：
５の洗浄液による洗浄回数を、縦軸はパーティクルカウ
ンタにより０．　２μｍ以上で０．２５μｍ以下のパー
ティクルとして測定される微小ピットの数を、それぞれ
示している。
また、第１図中に示す熱酸化処理とは、１１００℃で２
時間の酸化処理である。
このグラフによれば、熱酸化処理を施すことにより、シ
リコンウェーハの表面に生じる微小ピットの数（縦軸で
０．２０μｍ以上で０．２５μｍ以下のパーティクルの
数として測定されている）は、熱酸化処理を施さない場
合に比べて大幅に減少していることがわかる。また、研
磨量の増減はこの微小ビット数の減少と無関係である。
そして、この微小ビット数はウェーハ内の微小欠陥核の
数と対応しているものである。
すなわち、通常の引き上げ法により形成されたシリコン
ウェーハにおいて、研磨後所定の酸化熱処理をする。そ
して、そのウェーハ表面に対して、例えばＮ　Ｈａ　Ｏ
Ｈ／　Ｈ２０２洗浄を行うと、その表面に微小ピットが
発生する。これをパーティクルカウンタによって測定す
る。この微小ピットは結晶中の微小欠陥の分布に対応し
ているものと考えられる。したがって、この酸化熱処理
によりシリコンウェーハての微小欠陥核の発生数が減少
したことが明かである。
ここて、このＮＨ４ＯＨ／８２０２／Ｈ２０（１：１：
５）洗浄液による１回の洗浄（８０℃、　　２０分程度
）で発生するピットの大きさは、０．　２μｍ以上のパ
ーティクルを測定できるパーティクルカウンタでは、通
常観測できない程度の大きさである。この場合に同一条
件で繰り返し洗浄を行うと、このビットは大きく成長す
る。そして、この成長したビット数を測定する。この洗
浄、測定を繰り返すことにより、微小ピットの発生数が
明かになるものである。
なお、非酸化雰囲気（窒素ガス雰囲気）での加熱によっ
ても同様である。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例に係る熱酸化処理の有無と発
生する微小ビット（パーティクル数）との関係を示すグ
ラフである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 引き上げ法により形成したシリコンウェーハを、８００
    ℃〜１２５０℃の間の温度に１０時間以下加熱したこと
    を特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05182975A (ja) * 1991-12-27 1993-07-23 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 半導体シリコンウエハの熱処理方法
US5629216A (en) * 1994-06-30 1997-05-13 Seh America, Inc. Method for producing semiconductor wafers with low light scattering anomalies
KR100384680B1 (ko) * 2000-10-24 2003-05-22 주식회사 하이닉스반도체 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5367362A (en) * 1976-11-27 1978-06-15 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS594117A (ja) * 1982-06-30 1984-01-10 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS60249336A (ja) * 1984-05-24 1985-12-10 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 半導体シリコン基板の処理方法
JPS624327A (ja) * 1985-06-29 1987-01-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS62123098A (ja) * 1985-11-22 1987-06-04 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコン単結晶の製造方法
JPH01242500A (ja) * 1988-03-25 1989-09-27 Mitsubishi Metal Corp シリコン基板の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5367362A (en) * 1976-11-27 1978-06-15 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS594117A (ja) * 1982-06-30 1984-01-10 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS60249336A (ja) * 1984-05-24 1985-12-10 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 半導体シリコン基板の処理方法
JPS624327A (ja) * 1985-06-29 1987-01-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS62123098A (ja) * 1985-11-22 1987-06-04 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコン単結晶の製造方法
JPH01242500A (ja) * 1988-03-25 1989-09-27 Mitsubishi Metal Corp シリコン基板の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05182975A (ja) * 1991-12-27 1993-07-23 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 半導体シリコンウエハの熱処理方法
US5629216A (en) * 1994-06-30 1997-05-13 Seh America, Inc. Method for producing semiconductor wafers with low light scattering anomalies
KR100384680B1 (ko) * 2000-10-24 2003-05-22 주식회사 하이닉스반도체 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법

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