JPH032343B2 - - Google Patents

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JPH032343B2
JPH032343B2 JP57223850A JP22385082A JPH032343B2 JP H032343 B2 JPH032343 B2 JP H032343B2 JP 57223850 A JP57223850 A JP 57223850A JP 22385082 A JP22385082 A JP 22385082A JP H032343 B2 JPH032343 B2 JP H032343B2
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JP
Japan
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semiconductor element
die bonding
semiconductor device
paste
manufacturing
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JP57223850A
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Yutaka Okuaki
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） この発明は、半導体装置の製造方法に関するも
のである。
（従来技術） 従来、ダイボンドは、Auメツキフレームを使
用してAu−Si共晶ボンドで行つてきたが、最近、
Agメツキフレームの導入にともなつてAgペース
ボンドが行われるようになつた。第１図はAgペ
ーストダイボンドを行い、さらにワイヤボンデイ
ングを行つた図である。この図において、１は半
導体素子、２はAgペースボンド剤、３はリード
フレームのアイランド部、４は同リードフレーム
のリード部、５は金属細線である。
ところで、Agペーストダイボンドを行つた場
合は、そのAgペーストダイボンド剤が硬化する
際にAgペーストダイボンド剤から発生した有機
物質、主としてキシレン、エチレンベンゼン、フ
エノール、ブチルアルコール、ブチルセルソルブ
などが半導体素子の表面に付着する。そして、従
来は、その有機物質が付着したまま半導体装置の
製造工程を進めているが、この方法では半導体装
置の信頼性が劣化する欠点があつた。すなわち、
Agペーストダイボンドの工程で発生した有機物
質が半導体素子表面に付着したままにしておく
と、その有機物質とAlが反応してAl腐食反応を
おこす。さらに、半導体素子の表面に有機物質の
極く薄い層が存在するためにモールド樹脂によつ
てパツケージした時に樹脂と素子との密着が悪
く、水分の浸入が生じ、この水分によつて前記
Al腐食反応などが加速される。
（発明の目的） この発明は上記の点に鑑みなされたもので、信
頼性の高い半導体装置を製造することができる半
導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
（実施例） 以下この発明の一実施例を第２図を参照して説
明する。第２図において、１１はリードフレーム
のアイランド部、１２は同リードフレームのリー
ド部であり、まず、前記アイランド部１１に半導
体素子１３をAgペーストダイボンド剤１４を用
いて固定する。次に、半導体素子１３の電極を前
記リード部１２に金属細線１５により接続する。
しかる後、ワイヤボンデイング部（金属細線１５
を接続した部分）を含む半導体素子１３の表面
に、空気中（空気中の酸素雰囲気中）で、紫外線
照射装置１６により紫外線を照射する。
この紫外線照射を行うと、前記Agペーストダ
イボンド時にAgペーストダイボンド剤１４から
発生して半導体素子１３の表面に付着した有機物
質が分解蒸発する。たとえば、有機物質がブチル
アルコールの場合、紫外線照射により、次のよう
な反応が生じる。
CH3（CH2）3OH＋O2紫外線 ――→ 2CH4 ＋CO2＋CO＋H2 この反応式を一例とするように、紫外線照射を
行うと、有機物質はガス（分子量の小さなガス）
に分解されて半導体素子１３の表面から離脱して
いく。この有機物質の除去は半導体素子１３表面
の接触角からも証明できる。すなわち、ダイボン
ド前の素子表面の接触角はθは約60゜、Agペース
トダイボンド後の素子表面の接触角θは約82゜で
あつたが、紫外線処理後の接触角θは約45゜に変
化した。
なお、上記方法は、紫外線照射時に空気中の酸
素を利用して有機物質を分解するものであるが、
酸素を利用するよりもオゾン（O3）の雰囲気状
態を作つて紫外線を照射する方が酸化分解反応の
効果は向上する。そこで、オゾン雰囲気中で紫外
線を照射するようにしてもよい。
（発明の効果） 以上詳述したようにこの発明の半導体装置の製
造方法においては、ダイスボンド工程後、半導体
素子表面上に酸素またはオゾン雰囲気中で紫外線
を照射して、半導体素子表面に付着した有機物を
分解除去する。したがつて、前記有機物による
Al腐食反応や、前記有機物層によるモールド樹
脂と素子との密着性の悪化に基づく浸入水分によ
る前記Al腐食反応の加速などが防止され、信頼
性の高い半導体装置を得ることができる。実験し
たところ、従来の方法では106時間にAl腐食が発
生したが、この発明の方法によれば、紫外線照射
後約400時間後もAl腐食が生じなかつた。
【図面の簡単な説明】
第１図はAgペーストダイボンドを行い、さら
にワイヤボンデイングを行つた状態を示す図、第
２図はこの発明の半導体装置の製造方法の一実施
例を説明するための図である。 １１……リードフレームのアイランド部、１２
……リードフレームのリード部、１３……半導体
素子、１４……Agペーストダイボンド剤、１５
……金属細線、１６……紫外線照射装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体素子組立工程のダイスボンド工程後、
    半導体素子表面上に酸素またはオゾン雰囲気中で
    紫外線を照射して、半導体素子表面に付着した有
    機物を分解除去することを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
JP57223850A 1982-12-22 1982-12-22 半導体装置の製造方法 Granted JPS59114832A (ja)

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JP57223850A JPS59114832A (ja) 1982-12-22 1982-12-22 半導体装置の製造方法

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JP57223850A JPS59114832A (ja) 1982-12-22 1982-12-22 半導体装置の製造方法

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JPS59114832A JPS59114832A (ja) 1984-07-03
JPH032343B2 true JPH032343B2 (ja) 1991-01-14

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ID=16804692

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JP57223850A Granted JPS59114832A (ja) 1982-12-22 1982-12-22 半導体装置の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6139524A (ja) * 1984-07-31 1986-02-25 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエ−ハの洗浄装置
JPS63148990U (ja) * 1987-03-20 1988-09-30
US5756380A (en) * 1995-11-02 1998-05-26 Motorola, Inc. Method for making a moisture resistant semiconductor device having an organic substrate

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JPS59114832A (ja) 1984-07-03

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