JPS59114832A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS59114832A
JPS59114832A JP57223850A JP22385082A JPS59114832A JP S59114832 A JPS59114832 A JP S59114832A JP 57223850 A JP57223850 A JP 57223850A JP 22385082 A JP22385082 A JP 22385082A JP S59114832 A JPS59114832 A JP S59114832A
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semiconductor device
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） この発明は、半導体装置の製造方法に関するものである
。
（従来技術） 従来、ダイポンドは、Ａｕメツキフレームヲ使用してＡ
ｕ　−Ｓ１共晶プントで行ってきたが、最近。
Ａｇメッキフレームの導入にともなってＡｇペーストポ
ンドが行われるようになった。第１図はＡｇペーストダ
イポンドを行い、さらにワイヤポンディングを行った図
である。この図において、１は半導体素子、２はＡｇペ
ーストダイポンド剤、３はリードフレームのアイランド
部、４は同リードフレームのリード部％　５は金属細線
である。
ところでｈ　Ａｇペーストダイポンドを行った場合は、
そのＡｇペーストダイポンド剤が硬化する際にＡｇペー
ストダイポンド剤から発生した有機物質、ｌ：して＊シ
レン、エチルベンゼン、フェノール、ブチルアルコール
、ブチルセルソルブなどが半導体素子の表面に付着する
。そして、従来は。
その有機物質が付着したまま半導体装置の製造工程を進
めているが、この方法では半導体装置の信頼性が劣化す
る欠点があった。すなわち、　Ａｇペーストダイボン“
ドの工程で発生した有機物質が半導体素子表面に付着し
たままにしておくと、その有機物質とＡｔが反応してＡ
ｔ腐食反応をおこす。
さらに、半導体素子の表面に有機物質の極く薄い層が存
在するためにモールド樹脂によってパッケージした時に
樹脂と素子との密着が悪く、水分の浸入が生じ、この水
分によって前記Ａｔ腐食反応などが加速される。
（発明の目的） この発明は上記の点に鑑みなされたもので、信頼性の高
い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
（実施例） 以下この発明の一実施例を第２図を参照して説明する。
第２図において、１１はリードフレームのアイランド部
、１２は同リードフレームのリード部であシ、まず、前
記アイランド部１１に半導体素子１３　全Ａｇペースト
・ダイボンド剤１４全用いて固定する。次に、半導体素
子１３の電極を前記リード部１２に金属細線１５によシ
接続する。
しかる後、ワイヤデンディング部（金属細線１５を接続
した部分）を含む半導体素子１３の表面に、空気中（空
気中の酸素雰囲気中）で、紫外線照射装置１６によシ紫
外線を照射する。
この紫外線照射を行うと、前記ＡｇＪ−スＦダイゴンド
時にＡｇペーストダイボンド剤１４から発生して半導体
素子１３の表面に付着した有機物質が分解蒸発する。た
とえば、有機物質がブチルアルコールの場合、紫外線照
射にょ９１次のような反応が生じる。
紫外線 Ｃ）ｈ　（ＣＨ２）ａＯＨ＋０２−一一ン２　ＣＨ４＋
ＣＯｚ　＋ＣＯ＋Ｈ２この反応式を一例とするように、
紫外線照射を行うと、有機物質はガス（分子量の小さな
ガス）に分解されて半導体素子１３の表面から離脱して
いく。この有機物質の除去は半導体素子１３表面の接触
角からも証明できる。すなわち、グイボンド前の集子表
面の接触角θは約６００．　Ａｇペーストタイボンド後
の素子表面の接触角θは約８２°であったが、紫外線処
理、後の接触角θは約４５°に変化した。
なお、上記方法は、紫外線照射時に空気中の酸素を利用
して有機物質を分解するものであるが。
酸素を利用するよジもオゾン（０３）の雰囲気状態を作
って紫外線を照射する方が酸化分解反応の効果は向上す
る。そこで、オゾン雰囲気中で紫外線を照射するように
してもよい。
（発明の効果） 以上詳述したようにこの発明の半導体装置の製造方法に
おいては、ワイヤボンド工程直後に、ワイヤデンディン
グ部を含む半導体素子表面上に酸素またはオゾン雰囲気
中で紫外＃を照射して、半導体素子表面に付着した有機
物を分解除去する。
したがって、前記有機物によるＡｔ腐食反応や、前記有
機物層によるモールド樹脂と素子との密着性の悪化に基
づく浸入水分による前記Ａｔ腐食反応の加速などが防止
され、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。実
験したところ、従来の方法では１０６時間でＡｔ腐食が
発生したが、この発明の方法によれば、紫外線照射後約
４００時間後もＡｔ腐食が生じなかった。
【図面の簡単な説明】
第１図ＵＡｇペーストダイボンドを行い、さらにワイヤ
ボンディングを行った状態を示す図、第２図はこの発明
の半導体装置の製造方法の一実施例を説明するための図
である。 １１・・・リードフレームのアイランド部、１２・・・
リードフレームのリード部、１３・・・半導体素子。 １４・・・Ａｇペーストダイボンド剤、１５・・・金属
細線。 １６・・・紫外線照射装置。 特許出願人　沖電気工業株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 半導体素子組立工程のワイヤポンド工程直後に、ワイヤ
    ボンディング部を含む半導体素子表面上にｒＲ素または
    オゾン雰囲気中で紫外線を照射して。 半導体素子表面に付着した有機物を分解除去することを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
JP57223850A 1982-12-22 1982-12-22 半導体装置の製造方法 Granted JPS59114832A (ja)

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JPS59114832A true JPS59114832A (ja) 1984-07-03
JPH032343B2 JPH032343B2 (ja) 1991-01-14

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ID=16804692

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6139524A (ja) * 1984-07-31 1986-02-25 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエ−ハの洗浄装置
JPS63148990U (ja) * 1987-03-20 1988-09-30
US5756380A (en) * 1995-11-02 1998-05-26 Motorola, Inc. Method for making a moisture resistant semiconductor device having an organic substrate

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6139524A (ja) * 1984-07-31 1986-02-25 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエ−ハの洗浄装置
JPS63148990U (ja) * 1987-03-20 1988-09-30
US5756380A (en) * 1995-11-02 1998-05-26 Motorola, Inc. Method for making a moisture resistant semiconductor device having an organic substrate

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