JPH0323651Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0323651Y2 JPH0323651Y2 JP11843886U JP11843886U JPH0323651Y2 JP H0323651 Y2 JPH0323651 Y2 JP H0323651Y2 JP 11843886 U JP11843886 U JP 11843886U JP 11843886 U JP11843886 U JP 11843886U JP H0323651 Y2 JPH0323651 Y2 JP H0323651Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- sample holder
- lead wire
- semiconductor
- holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical group [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 8
- 238000001073 sample cooling Methods 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 239000010979 ruby Substances 0.000 claims description 4
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は電子顕微鏡等の試料冷却装置の改良に
関する。
関する。
近時、半導体の特性が結晶の格子欠陥（転位
等）によつて大きく変化することに着目し、該半
導体等を極低温である液体ヘリウム温度（4°K）
付近まで冷却して電子線を照射し、この欠陥の局
所的な観察を透過電子顕微鏡像によつて行つてい
る。
等）によつて大きく変化することに着目し、該半
導体等を極低温である液体ヘリウム温度（4°K）
付近まで冷却して電子線を照射し、この欠陥の局
所的な観察を透過電子顕微鏡像によつて行つてい
る。
このような従来の電子顕微鏡等の試料冷却装置
を第３図に示す。第３図において、１は半導体等
の試料、２は試料台、３は試料押え、４は熱伝導
板であり、該熱伝導板４は図示しない液体ヘリウ
ム槽に接続されている。
を第３図に示す。第３図において、１は半導体等
の試料、２は試料台、３は試料押え、４は熱伝導
板であり、該熱伝導板４は図示しない液体ヘリウ
ム槽に接続されている。
ところで、第３図に示す従来装置においては、
試料台２、試料押え３及び熱伝導板４が熱伝導率
の良い例えば銅（Cu）等で形成されているが、
熱伝導板４はアース電位にあるため、該試料装置
全体がアース電位となる。従つて、試料１にバイ
アス電圧を印加することができないばかりでな
く、このバイアスの印加のもとで該試料に電子線
を照射した時に試料中を流れる誘導電流
（Electron Beam Induced Current 以下EBIC
と略す）の変化（例えば温度、バイアス電圧に対
する変化、EBICのパルス状の電子ビームのパル
ス幅に対する変化）等を測定することができず、
半導体の格子欠陥又は不純物の局在している場所
での半導体の物性評価ができなかつた。
試料台２、試料押え３及び熱伝導板４が熱伝導率
の良い例えば銅（Cu）等で形成されているが、
熱伝導板４はアース電位にあるため、該試料装置
全体がアース電位となる。従つて、試料１にバイ
アス電圧を印加することができないばかりでな
く、このバイアスの印加のもとで該試料に電子線
を照射した時に試料中を流れる誘導電流
（Electron Beam Induced Current 以下EBIC
と略す）の変化（例えば温度、バイアス電圧に対
する変化、EBICのパルス状の電子ビームのパル
ス幅に対する変化）等を測定することができず、
半導体の格子欠陥又は不純物の局在している場所
での半導体の物性評価ができなかつた。
本考案は以上の欠点を解消して、半導体を液体
ヘリウム温度（4°K）付近まで冷却すると共に該
試料にバイアス電圧を印加して、前記したEBIC
信号の変化を測定可能にすることにより結晶の格
子欠陥又は不純物の局在している場所での半導体
の物性評価を可能にした電子顕微鏡等の試料冷却
装置を提供することを目的としている。
ヘリウム温度（4°K）付近まで冷却すると共に該
試料にバイアス電圧を印加して、前記したEBIC
信号の変化を測定可能にすることにより結晶の格
子欠陥又は不純物の局在している場所での半導体
の物性評価を可能にした電子顕微鏡等の試料冷却
装置を提供することを目的としている。
そのため本考案は、電子線が照射される半導体
試料を載置する試料台と、該試料を試料の上側よ
り押えるため前記試料台と電気的に絶縁して配置
された試料押えと、該試料台と試料押えの双方に
接触して配置された試料押え支持部材と、該試料
押え支持部材を極低温温度付近まで冷却するため
の手段と、前記電子線の照射に伴い試料に誘導さ
れる電流を取り出すため前記試料台と試料押えの
うちの一方に接続されたリード線と、前記試料に
バイアス電圧を印加するため該他方に接続された
リード線とを備え、前記試料押え支持部材をルビ
ー又はサフアイアで形成したことを特徴としてい
る。〔実施例〕 本考案の実施例を添附図面に基づき詳述する。
試料を載置する試料台と、該試料を試料の上側よ
り押えるため前記試料台と電気的に絶縁して配置
された試料押えと、該試料台と試料押えの双方に
接触して配置された試料押え支持部材と、該試料
押え支持部材を極低温温度付近まで冷却するため
の手段と、前記電子線の照射に伴い試料に誘導さ
れる電流を取り出すため前記試料台と試料押えの
うちの一方に接続されたリード線と、前記試料に
バイアス電圧を印加するため該他方に接続された
リード線とを備え、前記試料押え支持部材をルビ
ー又はサフアイアで形成したことを特徴としてい
る。〔実施例〕 本考案の実施例を添附図面に基づき詳述する。
第１図は本考案の一実施例の構成図であり、第
３図の従来装置と同一構成要素には同一番号を付
してその説明を省略する。第１図において、１０
及び１１は極低温領域において電気抵抗が大きく
且つ熱伝導率の良い部材例えばルビーあるいはサ
フアイアで形成された、それぞれ試料押え支持
板、熱伝導板である。１２，１３はリード線であ
る。リード１２はバイアス源（図示せず）に接続
されており、又リード線１３は電流計Ａを介して
アースに接続され、それぞれ同軸ケーブルで形成
されている。
３図の従来装置と同一構成要素には同一番号を付
してその説明を省略する。第１図において、１０
及び１１は極低温領域において電気抵抗が大きく
且つ熱伝導率の良い部材例えばルビーあるいはサ
フアイアで形成された、それぞれ試料押え支持
板、熱伝導板である。１２，１３はリード線であ
る。リード１２はバイアス源（図示せず）に接続
されており、又リード線１３は電流計Ａを介して
アースに接続され、それぞれ同軸ケーブルで形成
されている。
このように構成された装置では、半導体試料１
は試料台２と試料押え３の間に保持されるが、該
試料台２と試料押え３の間には前記支持板１０が
配置されており、且つ半導体試料１に印加される
バイアスは逆バイアスであるため、試料台２と試
料押え３間は電気的に絶縁されている。又、試料
台２と試料押え３は支持板１０により熱伝導板１
１に対しても電気的に絶縁されている。従つて、
例えばリード線１２を介して試料１にバイアス電
圧を印加でき、この状態で半導体試料１に電子線
EBを照射すれば、EBIC信号は熱伝導板１１には
流れないためリード線１３を介して半導体試料１
中に流れるEBIC信号の変化を測定することがで
きる。
は試料台２と試料押え３の間に保持されるが、該
試料台２と試料押え３の間には前記支持板１０が
配置されており、且つ半導体試料１に印加される
バイアスは逆バイアスであるため、試料台２と試
料押え３間は電気的に絶縁されている。又、試料
台２と試料押え３は支持板１０により熱伝導板１
１に対しても電気的に絶縁されている。従つて、
例えばリード線１２を介して試料１にバイアス電
圧を印加でき、この状態で半導体試料１に電子線
EBを照射すれば、EBIC信号は熱伝導板１１には
流れないためリード線１３を介して半導体試料１
中に流れるEBIC信号の変化を測定することがで
きる。
第２図は第１図の実施例装置に試料冷却温度を
測定するための検出器を付加した実施例を示す図
であり、第２図において、１４は温度を測定する
ための熱電対で、該熱電対１４は例えば銅（Cu）
で形成された熱電対用台１５に取り付けられ、該
熱電対用台１５は前記した熱伝導板１１に固定さ
れている。
測定するための検出器を付加した実施例を示す図
であり、第２図において、１４は温度を測定する
ための熱電対で、該熱電対１４は例えば銅（Cu）
で形成された熱電対用台１５に取り付けられ、該
熱電対用台１５は前記した熱伝導板１１に固定さ
れている。
このように構成することにより、試料台２と熱
電対１４との間は支持板１０及び熱伝導板１１に
より電気的に絶縁されているため、リード線１３
を流れるEBIC信号と熱電対１４よりの温度を表
わす信号が分離される。そのため、試料１の温度
を検出できると共に、比較的微弱な信号である
EBIC信号に熱電対１４よりの信号がノイズとし
て重畳されることが防止される。又、リード線は
同軸ケーブルで形成されているため、外部よりの
浮遊ノイズが乗ることもない。
電対１４との間は支持板１０及び熱伝導板１１に
より電気的に絶縁されているため、リード線１３
を流れるEBIC信号と熱電対１４よりの温度を表
わす信号が分離される。そのため、試料１の温度
を検出できると共に、比較的微弱な信号である
EBIC信号に熱電対１４よりの信号がノイズとし
て重畳されることが防止される。又、リード線は
同軸ケーブルで形成されているため、外部よりの
浮遊ノイズが乗ることもない。
尚、上記実施例は例示である。上記実施例にお
いては、リード線１２を介して半導体試料１にバ
イアス電圧を印加し、リード線１３を介して
EBIC信号を取り出す場合を説明したが、逆にリ
ード線１３を介して半導体試料１にバイアス電圧
を印加し、リード線１２を介してEBIC信号を取
り出すようにしても良い。
いては、リード線１２を介して半導体試料１にバ
イアス電圧を印加し、リード線１３を介して
EBIC信号を取り出す場合を説明したが、逆にリ
ード線１３を介して半導体試料１にバイアス電圧
を印加し、リード線１２を介してEBIC信号を取
り出すようにしても良い。
又、本実施例ではノイズを減らすためにシール
ド線を用いたが、信号量の多い場合にはかならず
しもシールド線を使用しなくても良い。
ド線を用いたが、信号量の多い場合にはかならず
しもシールド線を使用しなくても良い。
以上詳述したように本考案に基づく電子顕微鏡
等の試料冷却装置は、電子線が照射される半導体
試料を載置する試料台と、該試料を試料の上側よ
り押えるため前記試料台と電気的に絶縁して配置
された試料押えと、該試料台と試料押えの双方に
接触して配置された試料押え支持部材と、該試料
押え支持部材を極低温温度付近まで冷却するため
の手段と、前記電子線の照射に伴い試料に誘導さ
れる電流を取り出すため前記試料台と試料押えの
うちの一方に接続されたリード線と、前記試料に
バイアス電圧を印加するため該他方に接続された
リード線とを備え、前記試料押え支持部材をルビ
ー又はサフアイアで形成したため、極低温におけ
るEBIC信号の変化を測定して、結晶の格子欠陥
又は不純物の局在している場所での半導体試料の
物性評価を行うことができる。
等の試料冷却装置は、電子線が照射される半導体
試料を載置する試料台と、該試料を試料の上側よ
り押えるため前記試料台と電気的に絶縁して配置
された試料押えと、該試料台と試料押えの双方に
接触して配置された試料押え支持部材と、該試料
押え支持部材を極低温温度付近まで冷却するため
の手段と、前記電子線の照射に伴い試料に誘導さ
れる電流を取り出すため前記試料台と試料押えの
うちの一方に接続されたリード線と、前記試料に
バイアス電圧を印加するため該他方に接続された
リード線とを備え、前記試料押え支持部材をルビ
ー又はサフアイアで形成したため、極低温におけ
るEBIC信号の変化を測定して、結晶の格子欠陥
又は不純物の局在している場所での半導体試料の
物性評価を行うことができる。
第１図は本考案の一実施例の構成断面図、第２
図は他の実施例を説明するための図、第３図は従
来装置を説明するための図である。 １：試料、２：試料台、３：試料押え、１０：
試料押え支持板、１１：熱伝導板、１２，１３：
リード線、１４：熱電対、１５：熱電対用台。
図は他の実施例を説明するための図、第３図は従
来装置を説明するための図である。 １：試料、２：試料台、３：試料押え、１０：
試料押え支持板、１１：熱伝導板、１２，１３：
リード線、１４：熱電対、１５：熱電対用台。
Claims (1)
- 電子線が照射される半導体試料を載置する試料
台と、該試料を試料の上側より押えるため前記試
料台と電気的に絶縁して配置された試料押えと、
該試料台と試料押えの双方に接触して配置された
試料押え支持部材と、該試料押え支持部材を極低
温温度付近まで冷却するための手段と、前記電子
線の照射に伴い試料に誘導される電流を取り出す
ため前記試料台と試料押えのうちの一方に接続さ
れたリード線と、前記試料にバイアス電圧を印加
するため該他方に接続されたリード線とを備え、
前記試料押え支持部材をルビー又はサフアイアで
形成したことを特徴とする電子顕微鏡等の試料冷
却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11843886U JPH0323651Y2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11843886U JPH0323651Y2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6325456U JPS6325456U (ja) | 1988-02-19 |
| JPH0323651Y2 true JPH0323651Y2 (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=31004889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11843886U Expired JPH0323651Y2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0323651Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-08-01 JP JP11843886U patent/JPH0323651Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6325456U (ja) | 1988-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100315605B1 (ko) | 고양된 온도에서의 반도체 소자의 급속테스팅장치및방법 | |
| JPH0697246A (ja) | 低温における半導体材料の性質を試験する装置および方法 | |
| WO2017038293A1 (ja) | 回路検査方法および試料検査装置 | |
| Mattoni et al. | Challenges in extracting nonlinear current-induced phenomena in Ca 2 RuO 4 | |
| JP3129417B2 (ja) | 加熱冷却装置及び電気特性評価装置 | |
| JP3266740B2 (ja) | 走査トンネル顕微鏡用試料ホルダ | |
| CA2006229A1 (en) | Method and apparatus for causing an open circuit in a conductive line | |
| Strunk et al. | Nonmonotonic superconducting transitions in mesoscopic Al structures induced by radio-frequency radiation | |
| Green et al. | Measurement of thermal diffusivity of semiconductors by Ångström's method | |
| Kiss et al. | Low temperature scanning laser microscopy of YBCO coated IBAD tapes | |
| US20200200841A1 (en) | Method for evaluating the electrical properties of a hts superconductor | |
| Raven | Charge transport and conductance oscillations in gold island films | |
| JP3372496B2 (ja) | 電気特性評価装置 | |
| KR20030075746A (ko) | 탐침형 깊은 준위 과도 전기 용량 분광기 | |
| WO2006059497A1 (ja) | 超電導体の臨界電流密度測定方法及び装置 | |
| Vila et al. | Thermally induced EMF in unirradiated MI cables | |
| Eichele et al. | Low-temperature scanning electron microscopy of superconducting microbridges | |
| JP3610000B2 (ja) | 熱電気測定装置の電極押さえユニット及び試料支持装置並びに熱電気測定装置 | |
| JPH06331308A (ja) | 走査トンネル顕微鏡用試料冷却保持装置 | |
| JPH02253172A (ja) | 物性測定装置 | |
| Wen et al. | Imaging spatial variations in resistance along electrical conductors | |
| JPS6325456U (ja) | ||
| SU767870A1 (ru) | Устройство дл измерени эдс поперечного эффекта нернста-этингсгаузена в полупроводниковых материалах | |
| JPH0765770A (ja) | 冷却通電機能を有する電子顕微鏡装置及びこの装置による超電導電流分布測定方法 | |
| SU1190315A1 (ru) | Способ диагностики двумерной проводимости в полупроводниковых материалах |