JPH0323684A - ジョセフソン接合素子 - Google Patents
ジョセフソン接合素子Info
- Publication number
- JPH0323684A JPH0323684A JP1159145A JP15914589A JPH0323684A JP H0323684 A JPH0323684 A JP H0323684A JP 1159145 A JP1159145 A JP 1159145A JP 15914589 A JP15914589 A JP 15914589A JP H0323684 A JPH0323684 A JP H0323684A
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明はジッセフソン接合を有する素子に関し、更に詳
しくは高温超電導薄膜を用いたジョセフソン接合素子に
関する． なお、本発明は、超高感度磁場計測用のＳＱＵＩＤや、
超高感度電磁波検出器等、ジッセフソン効果を利用した
あらゆるデバイスに応用可能である． 〈従来の技術〉 ＹＢＣＯに代表される高温超電導薄膜を用いたジッセフ
ソン接合に関しては、既に多くの報告がなされているが
、その接合はいずれも実質的に粒界接合であり、また、
その殆どのものが平面型のマイクロブリッジ構造のもの
である。
しくは高温超電導薄膜を用いたジョセフソン接合素子に
関する． なお、本発明は、超高感度磁場計測用のＳＱＵＩＤや、
超高感度電磁波検出器等、ジッセフソン効果を利用した
あらゆるデバイスに応用可能である． 〈従来の技術〉 ＹＢＣＯに代表される高温超電導薄膜を用いたジッセフ
ソン接合に関しては、既に多くの報告がなされているが
、その接合はいずれも実質的に粒界接合であり、また、
その殆どのものが平面型のマイクロブリッジ構造のもの
である。
く発明が解決しようとする課題〉
ところで、粒界を用いたジョセフソン接合では、粒界の
制御が不可能であり、同じ性能の接合を再現性よく製造
することは極めて困難である．また、平面型のマイクロ
ブリッジ構造では、その接合部の長さ（ウィークリンク
長）は平面的な微細加工に頼ることになるが、このウィ
ークリンク長は、低ノイズで良好な性能のジダセフソン
接合を得るためにはコヒーレント長の３〜５倍以下とす
る必要があり、このようなウィークリンク長を平面上で
の微細加工で実現することは極めて困難である。
制御が不可能であり、同じ性能の接合を再現性よく製造
することは極めて困難である．また、平面型のマイクロ
ブリッジ構造では、その接合部の長さ（ウィークリンク
長）は平面的な微細加工に頼ることになるが、このウィ
ークリンク長は、低ノイズで良好な性能のジダセフソン
接合を得るためにはコヒーレント長の３〜５倍以下とす
る必要があり、このようなウィークリンク長を平面上で
の微細加工で実現することは極めて困難である。
く課題を解決するための手段〉
本発明は以上のような従来のジョセフソン接合における
問題点を解消すべく威されたもので、その構威を実施例
に対応する第１図を参照しつつ説明すると、本発明では
、少なくとも一箇所に段部１ａが設けられた基板１の表
面の上段側および下段側にそれぞれＣ軸配向の高温超電
導薄膜２．３を形成し、その上段側と下段側の高温超電
導薄膜２と３を、基板１の表面の段部１ａに形成された
Ｃ軸配向の高温超電導ＩＷＡからなるリンク部４で接合
し、そのリンク部４による接合部分において、上段側の
高温超電導薄膜２の下面は、下段側の高温超電導薄膜３
の上面よりも上方にくるように構威している． く作用〉 ジゴセフソン接合としては、バンク部（電極部）で臨界
電流が大き＜ （１０，ＯＯＯＡ／ｄ以上）、接合部で
は小さいことが望まれる． ＹＢＣＯ膜を始めとする高温超電導膜では、一般に、臨
界電流密度に異方性があり、結晶Ｃ軸に平行な方向では
、Ｃ軸に直行する方向に対して臨界電流密度が約１桁小
さい。本発明はこの点を利用しようとするものである。
問題点を解消すべく威されたもので、その構威を実施例
に対応する第１図を参照しつつ説明すると、本発明では
、少なくとも一箇所に段部１ａが設けられた基板１の表
面の上段側および下段側にそれぞれＣ軸配向の高温超電
導薄膜２．３を形成し、その上段側と下段側の高温超電
導薄膜２と３を、基板１の表面の段部１ａに形成された
Ｃ軸配向の高温超電導ＩＷＡからなるリンク部４で接合
し、そのリンク部４による接合部分において、上段側の
高温超電導薄膜２の下面は、下段側の高温超電導薄膜３
の上面よりも上方にくるように構威している． く作用〉 ジゴセフソン接合としては、バンク部（電極部）で臨界
電流が大き＜ （１０，ＯＯＯＡ／ｄ以上）、接合部で
は小さいことが望まれる． ＹＢＣＯ膜を始めとする高温超電導膜では、一般に、臨
界電流密度に異方性があり、結晶Ｃ軸に平行な方向では
、Ｃ軸に直行する方向に対して臨界電流密度が約１桁小
さい。本発明はこの点を利用しようとするものである。
すなわち、Ｃ軸配向の高温超電導薄膜２，３で電極部を
形戒することにより、この部分ではＣ軸と直行する方向
に電流が流れ、その臨界電流は大となる．一方、同じＣ
軸配向の高温超電導薄膜を基板１の段部１ａに設けてな
るリンク部４では、高温超電導薄膜２と３の基板１上で
の高さ関係によって、Ｃ軸と平行な方向に電流が流れる
ことになり、その臨界電流は小さくなる。
形戒することにより、この部分ではＣ軸と直行する方向
に電流が流れ、その臨界電流は大となる．一方、同じＣ
軸配向の高温超電導薄膜を基板１の段部１ａに設けてな
るリンク部４では、高温超電導薄膜２と３の基板１上で
の高さ関係によって、Ｃ軸と平行な方向に電流が流れる
ことになり、その臨界電流は小さくなる。
また、この構造におけるウィークリンク長は実質的に、
後述するように接合部における高温超電導薄膜２の下面
と高温超電導薄膜３の上面との距離に関連するものとな
り、平面上での微細加工に頼る従来の平面型マイクロブ
リッジ構造に比して大幅な短縮化が期待できる． 〈実施例〉 第１図は本発明実施例の構造を示す斜視図である． ＭｇＯ基板１にはその表面に段部１ａが形成されており
、その上段側および下段側のそれぞれに第１および第２
のＹＢＣＯ薄膜２および３が形成されている．この第１
および第２のＹＢＣＯ薄膜２および３はいずれもＣ軸配
向膜である．第１のＹＢＣＯ薄膜２の段部１ａ側端面は
段部１ａの手前で終焉し、その中央部に形成された突出
部２ａのみが段部１ａを越えて第２のＹＢＣＯ薄膜３の
上面にまで延び、その突出部２ａの下面所定面積のみが
第２のＹＢＣＯ薄膜３の上面に接している．これにより
、第ｌと第２のＹＢＣＯＩＭ２と３をバンク部とし、第
ｌのＹＢＣＯ薄膜２の突出部２ａと第２のＶＢＧＯ薄膜
３との接合部分をリンク部４とするジゴセフソン接合素
子が形成されている． 以上の構造によれば、バンク部たる第１と第２のＹＢＣ
Ｏ薄膜２と３ではそれぞれＣ軸と直行する方向に電流が
流れるが、Ｃ軸配向膜で形成されたリンク部４の下面が
同じくｃ軸配向膜の第２のＹＢＣＯ薄膜３の上面よりも
上方に位置することになる関係上、第ｌのＹＢＣＯｆｉ
膜２と第２のＹＢＣＯＩ膜３間を電流が流れるためには
Ｃ軸と平行な方向に電流が流れざるを得す、つまりリン
ク部４での電流、換言すれば接合電流はＣ軸に平行に電
流が流れることになり、リンク部４の臨界電流はバンク
部の臨界電流に比して大幅に小さくなる． この構造でもう一点注目すべきところは、ウィークリン
ク長が極めて短くなることが期待できる点である． すなわち、第２図にリンク部４近傍の断面図でその付近
の電流密度を例示するように、例えば第ｌのＹＢＣＯ薄
膜２から第２のＹＢＣＯ薄膜３に電流が流れると、突出
部２ａの下面の第２のＹＢＣＯ薄膜３との接合部（リン
ク部４）でＣ軸と平行な方向の電流が生じ、この部分の
面積が小さいが故にここで超電導破壊が生じる．素子全
体．の電流の流れから見ると、第ｌのＹＢＣＯＩ膜２の
内部では、このような超電導破壊の発生を阻止するよう
に、リンク部４の手前の電流バスが大なるとところでＣ
軸に平行な方向への電流が生じ、結局は上述のような超
電導破壊は生じないように電流の流れが決まる。
後述するように接合部における高温超電導薄膜２の下面
と高温超電導薄膜３の上面との距離に関連するものとな
り、平面上での微細加工に頼る従来の平面型マイクロブ
リッジ構造に比して大幅な短縮化が期待できる． 〈実施例〉 第１図は本発明実施例の構造を示す斜視図である． ＭｇＯ基板１にはその表面に段部１ａが形成されており
、その上段側および下段側のそれぞれに第１および第２
のＹＢＣＯ薄膜２および３が形成されている．この第１
および第２のＹＢＣＯ薄膜２および３はいずれもＣ軸配
向膜である．第１のＹＢＣＯ薄膜２の段部１ａ側端面は
段部１ａの手前で終焉し、その中央部に形成された突出
部２ａのみが段部１ａを越えて第２のＹＢＣＯ薄膜３の
上面にまで延び、その突出部２ａの下面所定面積のみが
第２のＹＢＣＯ薄膜３の上面に接している．これにより
、第ｌと第２のＹＢＣＯＩＭ２と３をバンク部とし、第
ｌのＹＢＣＯ薄膜２の突出部２ａと第２のＶＢＧＯ薄膜
３との接合部分をリンク部４とするジゴセフソン接合素
子が形成されている． 以上の構造によれば、バンク部たる第１と第２のＹＢＣ
Ｏ薄膜２と３ではそれぞれＣ軸と直行する方向に電流が
流れるが、Ｃ軸配向膜で形成されたリンク部４の下面が
同じくｃ軸配向膜の第２のＹＢＣＯ薄膜３の上面よりも
上方に位置することになる関係上、第ｌのＹＢＣＯｆｉ
膜２と第２のＹＢＣＯＩ膜３間を電流が流れるためには
Ｃ軸と平行な方向に電流が流れざるを得す、つまりリン
ク部４での電流、換言すれば接合電流はＣ軸に平行に電
流が流れることになり、リンク部４の臨界電流はバンク
部の臨界電流に比して大幅に小さくなる． この構造でもう一点注目すべきところは、ウィークリン
ク長が極めて短くなることが期待できる点である． すなわち、第２図にリンク部４近傍の断面図でその付近
の電流密度を例示するように、例えば第ｌのＹＢＣＯ薄
膜２から第２のＹＢＣＯ薄膜３に電流が流れると、突出
部２ａの下面の第２のＹＢＣＯ薄膜３との接合部（リン
ク部４）でＣ軸と平行な方向の電流が生じ、この部分の
面積が小さいが故にここで超電導破壊が生じる．素子全
体．の電流の流れから見ると、第ｌのＹＢＣＯＩ膜２の
内部では、このような超電導破壊の発生を阻止するよう
に、リンク部４の手前の電流バスが大なるとところでＣ
軸に平行な方向への電流が生じ、結局は上述のような超
電導破壊は生じないように電流の流れが決まる。
従って、ウィークリンクの長さ、つまりリンク部４にお
いて実際にＣ軸と平行方向に電流が流れる距離は、第ｌ
のＹＢＣＯ薄膜２の突出部２ａの下面（リンク部４）と
第２のＹＢＣＯ薄膜３の上面間の極めて微小な距離とな
り、容易にコヒーレント長の３〜５倍以下の距離とする
ことができる．次に以上の実施例の製造方法についての
べる．第３図はその製造手順の説明図である。
いて実際にＣ軸と平行方向に電流が流れる距離は、第ｌ
のＹＢＣＯ薄膜２の突出部２ａの下面（リンク部４）と
第２のＹＢＣＯ薄膜３の上面間の極めて微小な距離とな
り、容易にコヒーレント長の３〜５倍以下の距離とする
ことができる．次に以上の実施例の製造方法についての
べる．第３図はその製造手順の説明図である。
まず、（ａ）に示すように平板状のＭｇＯ基板１の表面
適宜箇所にフォトレジスト（１４００−３７）１０を塗
布した後、露光および現像をおこなう。
適宜箇所にフォトレジスト（１４００−３７）１０を塗
布した後、露光および現像をおこなう。
そして、レジスト１０をマスクにして、ウェシトエッチ
ングによってＭｇＯ基板１を約５，−０００人エッチン
グし、（ｂ）に示すように段部１ａを形成する．エッチ
ャントはしゅう酸アンモニウム飽和水溶液とし、エッチ
ング時間は約３時間である． 次に、（ｂ）の状態のまま、その上方からＹＢＣ０１１
を５，０００人スパンタする。この状態を（Ｃ）に示す
。
ングによってＭｇＯ基板１を約５，−０００人エッチン
グし、（ｂ）に示すように段部１ａを形成する．エッチ
ャントはしゅう酸アンモニウム飽和水溶液とし、エッチ
ング時間は約３時間である． 次に、（ｂ）の状態のまま、その上方からＹＢＣ０１１
を５，０００人スパンタする。この状態を（Ｃ）に示す
。
その後、アセトンによってレジスト１０を除去すること
によって、上段側のＹＢＣＯＩＩをリフトオフで取り除
いた後、酸素雰囲気中でボストアニールする．これによ
って（ｄ）に示すように基板１の下段側に超電導性を持
つＹＢＣＯ薄膜３が形成されたことになる． 次に、（ｄ）の状態の基板１を加熱し、表面上からＹＢ
ＣＯをａｓ−ｇｒｏｗｎｐ／Ｊで全面スパンタする．こ
の膜厚も５，０００人とする。これにより、（ｅ）に示
すように基板１の上段側とＹＢＣＯＩ膜３の上方にまた
がって超電導性を持つＹＢＣＯｉｉ膜２が一様に形成さ
れる． その後、ＹＢＣＯ薄膜２の上面にフォトレジスト１３を
塗布した後、これを（ｆ）に示すようにパターン露光す
る。このとき、フォトレジスト１３の突出部１３ａが、
ＹＢＣＯ薄膜３にわずかに被さるようにする。
によって、上段側のＹＢＣＯＩＩをリフトオフで取り除
いた後、酸素雰囲気中でボストアニールする．これによ
って（ｄ）に示すように基板１の下段側に超電導性を持
つＹＢＣＯ薄膜３が形成されたことになる． 次に、（ｄ）の状態の基板１を加熱し、表面上からＹＢ
ＣＯをａｓ−ｇｒｏｗｎｐ／Ｊで全面スパンタする．こ
の膜厚も５，０００人とする。これにより、（ｅ）に示
すように基板１の上段側とＹＢＣＯＩ膜３の上方にまた
がって超電導性を持つＹＢＣＯｉｉ膜２が一様に形成さ
れる． その後、ＹＢＣＯ薄膜２の上面にフォトレジスト１３を
塗布した後、これを（ｆ）に示すようにパターン露光す
る。このとき、フォトレジスト１３の突出部１３ａが、
ＹＢＣＯ薄膜３にわずかに被さるようにする。
その状態でフォトレジスト１３をマスクとして、ＹＢＣ
Ｏ薄Ｍ３の露出部を取り去るようにエッチングを施すこ
とにより、第１図に示す構造の素子カ得ラレル．スナワ
チ、第１のＹＢｃＯｇｌＪＩＷ２は、その突出部２ａの
下面所定面積においてのみ、第２のＹＢＣＯ薄膜３の上
面にウイークに接合される。
Ｏ薄Ｍ３の露出部を取り去るようにエッチングを施すこ
とにより、第１図に示す構造の素子カ得ラレル．スナワ
チ、第１のＹＢｃＯｇｌＪＩＷ２は、その突出部２ａの
下面所定面積においてのみ、第２のＹＢＣＯ薄膜３の上
面にウイークに接合される。
第４図は本発明の他の実施例の構造を示す斜視図である
。
。
この例では、一体的に製膜されたＣ軸配向のＹＢＣＯ薄
膜をパターニングすることにより、２個のバンク部２１
．２２と一個のリンク部２３を得ている． すなわち、先の例と同様に段部１ａを有する基板１の表
面に、その上段側および下段側の双方にＣ軸配向の一体
製膜されたＹＢＣＯ薄膜からなるバンク部２１と２２が
形成されており、これらが同じ膜をパターニングして得
られたリンク部２３によって接合されている。
膜をパターニングすることにより、２個のバンク部２１
．２２と一個のリンク部２３を得ている． すなわち、先の例と同様に段部１ａを有する基板１の表
面に、その上段側および下段側の双方にＣ軸配向の一体
製膜されたＹＢＣＯ薄膜からなるバンク部２１と２２が
形成されており、これらが同じ膜をパターニングして得
られたリンク部２３によって接合されている。
この例においても、リンク部２３による接合部分におい
て、上段側のバンク部２１の下面は、下段側のバンク部
２２の上面よりも上方に位置し、これによってリンク部
２３におけるバンク２１〜２２間の接合電流は結晶Ｃ軸
と平行な方向に流れざるを得す、リンク部２３の臨界電
流はバンク部２１．２３に比して大幅に小さくなる。ま
た、ウィークリンク長についても第１図の例と同様なこ
とが言える。
て、上段側のバンク部２１の下面は、下段側のバンク部
２２の上面よりも上方に位置し、これによってリンク部
２３におけるバンク２１〜２２間の接合電流は結晶Ｃ軸
と平行な方向に流れざるを得す、リンク部２３の臨界電
流はバンク部２１．２３に比して大幅に小さくなる。ま
た、ウィークリンク長についても第１図の例と同様なこ
とが言える。
この第４図の実施例の製造方法の一例を、第５図に示す
。
。
まず、第３図の方法と同様にして、基板１に段部１ａを
形成したのち、この例ではその段部形或用のレジストを
除去する。その状態を（ａ）に示す． 次に、（ｂ）に示すように、その基Ｆｉ１の表面に、段
部１ａを跨ぐように一様にＣ軸配向のＹＢＣ Ｏａｓ−
ｇｒｏｗｎＷＸ２ ０を５，０００λの膜厚で製膜する
． その後、（ｃ）に示すように、Ｙ Ｂ Ｃ Ｏａｓ−ｇ
ｒｏ畦膜２０の上面にフォトレジスト１４を塗布して、
上段側および下段側のバンク部と、段部１ａの上方部分
に跨がるリンク部が残るようにパターニングし、そのフ
ォトレジスト１４をマスクとしてエッチングを施し、次
いでそのフォトレジスト１４を除去する．この状熊を（
ｄ）に示す．そして、この（ｄ）の状態において、同図
に斜線で示す部分をエッチングによって除去し、第４図
に示す構造の素子を得る．このエッチングは、リンク部
２３による接合部において、バンク部２１の下面をバン
ク部２２の上面よりも上方に位置させることにより、リ
ンク部２３において必ずＣ軸と平行な接合電流が流れる
ようにするためである．′なお、以上の各実施例におい
て、ＹＢＣＯ薄膜は他の高温超電導薄膜であってもよく
、現在知られている高温超電導薄膜は、いずれも、結晶
Ｃ軸と直行する方向の臨界電流密度は同軸に平行な方向
の臨界電流密度に対して大幅に大きく、本発明の効果を
達戒することができる． また、製造方法としては、以上の例に限られることなく
、任意の方法を採用し得ることは勿論である． く発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、高温超電導薄膜
の臨界電流密度の結晶軸に対する異方性を利用し、バン
ク部ではＣ軸と直行する方向に電流が流れ、リンク部に
おける接合電流は必ずＣ軸と平行な方向に流れるように
構威したので、バンク部で臨界電流が大きく、かつ、リ
ンク部で臨界電流の小さい理想的なジョセフソン接合が
容易に得られるとともに、そのウィークリンク長も、従
来の平面型マイクロブリッジ構造のジョセフソン接合の
ように平面上での微細加工に頼ることなく、容易にコヒ
ーレント長の３〜５倍以下とすることができ、性能の優
れたジョセフソン接合を簡単に得ることができるように
なった．
形成したのち、この例ではその段部形或用のレジストを
除去する。その状態を（ａ）に示す． 次に、（ｂ）に示すように、その基Ｆｉ１の表面に、段
部１ａを跨ぐように一様にＣ軸配向のＹＢＣ Ｏａｓ−
ｇｒｏｗｎＷＸ２ ０を５，０００λの膜厚で製膜する
． その後、（ｃ）に示すように、Ｙ Ｂ Ｃ Ｏａｓ−ｇ
ｒｏ畦膜２０の上面にフォトレジスト１４を塗布して、
上段側および下段側のバンク部と、段部１ａの上方部分
に跨がるリンク部が残るようにパターニングし、そのフ
ォトレジスト１４をマスクとしてエッチングを施し、次
いでそのフォトレジスト１４を除去する．この状熊を（
ｄ）に示す．そして、この（ｄ）の状態において、同図
に斜線で示す部分をエッチングによって除去し、第４図
に示す構造の素子を得る．このエッチングは、リンク部
２３による接合部において、バンク部２１の下面をバン
ク部２２の上面よりも上方に位置させることにより、リ
ンク部２３において必ずＣ軸と平行な接合電流が流れる
ようにするためである．′なお、以上の各実施例におい
て、ＹＢＣＯ薄膜は他の高温超電導薄膜であってもよく
、現在知られている高温超電導薄膜は、いずれも、結晶
Ｃ軸と直行する方向の臨界電流密度は同軸に平行な方向
の臨界電流密度に対して大幅に大きく、本発明の効果を
達戒することができる． また、製造方法としては、以上の例に限られることなく
、任意の方法を採用し得ることは勿論である． く発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、高温超電導薄膜
の臨界電流密度の結晶軸に対する異方性を利用し、バン
ク部ではＣ軸と直行する方向に電流が流れ、リンク部に
おける接合電流は必ずＣ軸と平行な方向に流れるように
構威したので、バンク部で臨界電流が大きく、かつ、リ
ンク部で臨界電流の小さい理想的なジョセフソン接合が
容易に得られるとともに、そのウィークリンク長も、従
来の平面型マイクロブリッジ構造のジョセフソン接合の
ように平面上での微細加工に頼ることなく、容易にコヒ
ーレント長の３〜５倍以下とすることができ、性能の優
れたジョセフソン接合を簡単に得ることができるように
なった．
第１図は本発明実施例の構造を示す斜視図、第２図はそ
のリンク部４の近傍の電流密度の説明図、第３図は第１
図の素子の製造手順の一例の説明図、第４図は本発明の
他の実施例の構造を示す斜視図、第５図は第４図の素子
の製造手順の一例の説明図である． １・・・・基板 １ａ・・・・段部 ２・・・・第１のＹＢＣＯ薄膜 ２ａ・・・・突出部 ３・・・・第２のＹＢＣＯＩ膜 ４・・・・リンク部 第１国 第２図
のリンク部４の近傍の電流密度の説明図、第３図は第１
図の素子の製造手順の一例の説明図、第４図は本発明の
他の実施例の構造を示す斜視図、第５図は第４図の素子
の製造手順の一例の説明図である． １・・・・基板 １ａ・・・・段部 ２・・・・第１のＹＢＣＯ薄膜 ２ａ・・・・突出部 ３・・・・第２のＹＢＣＯＩ膜 ４・・・・リンク部 第１国 第２図
Claims (1)
- 少なくとも一箇所に段部が設けられた基板の表面の上段
側および下段側にそれぞれｃ軸配向の高温超電導薄膜が
形成され、その上段側と下段側の高温超電導薄膜が、上
記基板表面の段部に形成されたｃ軸配向の高温超電導薄
膜からなるリンク部で接合され、そのリンク部による接
合部分において、上段側の高温超電導薄膜の下面は、下
段側の高温超電導薄膜の上面よりも上方にあることを特
徴とするジョセフソン接合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1159145A JPH0323684A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | ジョセフソン接合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1159145A JPH0323684A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | ジョセフソン接合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323684A true JPH0323684A (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=15687240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1159145A Pending JPH0323684A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | ジョセフソン接合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0323684A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08228029A (ja) * | 1995-02-20 | 1996-09-03 | Hitachi Ltd | 超電導トランジスタ |
| JPH0923029A (ja) * | 1993-11-29 | 1997-01-21 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 高温超伝導ジョセフソン素子の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6411376A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Hitachi Ltd | Josephson element with oxide superconductor |
-
1989
- 1989-06-20 JP JP1159145A patent/JPH0323684A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6411376A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Hitachi Ltd | Josephson element with oxide superconductor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0923029A (ja) * | 1993-11-29 | 1997-01-21 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 高温超伝導ジョセフソン素子の製造方法 |
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