JPH032372A - 被処理物の処理方法および処理装置 - Google Patents

被処理物の処理方法および処理装置

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JPH032372A
JPH032372A JP13507489A JP13507489A JPH032372A JP H032372 A JPH032372 A JP H032372A JP 13507489 A JP13507489 A JP 13507489A JP 13507489 A JP13507489 A JP 13507489A JP H032372 A JPH032372 A JP H032372A
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reaction chamber
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Kouji Matai
又井 浩司
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ガスの反応を用いて半導体等の被処理物の処
理を行う処理方法および処理装置に関するものである。
[従来の技術] 反応ガスの化学作用を利用して、例えば半導体ウェハー
等の被処理物に対して、堆積物を形成したりエツチング
をしたりする場合の装置として、いわゆるロードロック
式の真空装置がある。このロードロック式の真空装置は
、反応ガスにより被処理物の処理が行われる反応室と、
反応室に送出される被処理物を待機させておく待機室と
を、ゲートバルブで連結したものであり、段数の被処理
物を順次処理する場合に6効である。
上記ロードロック式の真空装置では、つぎのようにして
被処理物の処理が行われる。
(a)複数の被処理物を待機室にセットする。
(b)待機室の排気を行う。
(c)ゲートバルブを開いて被処理物の一つを反応室に
移動し、ゲートバルブを閉じる。
(cl)反応室に反応ガスを導入し、反応ガスの流量お
よび反応室の圧力を調整する。
(e)反応ガスの化学反応により、被処理物に対して、
堆積物の形成やエツチング等の処理を行つ〇 <1>反応ガスの反応をストップさせ、被処理物に対す
る処理を終了させる。
(g)反応室への反応ガスの導入を止め、反応室の排気
を行う。
(h)ゲートバルブを開いて、処理の終了した被処理物
を待機室にもどすとともに、未処理の被処理物を反応室
に移動し、ゲートバルブを閉じる。
(i)上記(d)〜(h)の工程を、全ての被処理物に
対して繰り返し行う。
(j)全ての被処理物に対して処理が終わったならば、
待機室の圧力を大気圧にして、被処理物を取り出す。
[解決しようとする課題] 上記(d)の工程において反応ガスの流量および反応室
の圧力を調整する場合や、上記(g)の工程において反
応室の排気を行う場合、反応室の圧力を所定の圧力以下
にするためにかなりの時間を費やす。上記従来の処理で
は、」上記(d)〜(h)の工程を繰り返すごとに、反
応ガスの流量および反応室の圧力の調整と反応室の排気
とを行うため、これらの処理に費やす総時間は相当なも
のであった。従って、従来の処理方法ではスルーブツト
があまりよくなかった。
本発明の目的は、反応ガスの流量および反応室の圧力の
調整や反応室の排気等に費やす総時間を短縮して、スル
ーブツトの向上をはかることのできる処理方法およびそ
の処理装置を得ることである。
[課題を解決するための手段〕 本発明は、反応ガスにより被処理物の処理が行われる反
応室と、反応室に送出される被処理物を待機させておく
待機室と、反応室と待機室とを遮断する開閉自在な遮断
手段とを用い、遮断手段を開いて被処理物を待機室から
反応室に送出する前に、反応室および待機室に同一の反
応ガスを供給し、遮断手段を閉じた後に、反応室におい
て反応ガスにより被処理物の処理を行い、被処理物を処
理するものである。
上記処理方法を実施するために、本発明では、反応室と
、待機室と、ゲートバルブ等による遮断手段と、反応ガ
スの反応室への供給を制御する第1の供給制御手段と、
反応室の圧力を制御する第1の圧力制御手段とを設けた
生産装置に対して、反応室へ供給される反応ガスと同一
の反応ガスの待機室への供給を制御する第2の供給制御
手段と、待機室の圧力を制御する第2の圧力制御手段と
を設けている。
[実施例] 図は、本発明を用いた処理装置の一実施例を示した説明
図である。本実施例における処理装置の基本的な構成は
、すでに述べたいわゆるロードロック式のものである。
まず、図に示した各構成要素について説明を行つ0 1は反応室であり、反応ガスにより被処理物3aの処理
が行われるところである。1aは反応制御手段であり、
反応室1で行われる反応がプラズマ反応であるときには
、高周波が印加される一対の対向電極がこれを構成する
2は待機室であり、上記反応室に送出される被処理物3
bを待機させておくところである。
上記被処理物3aおよび3bとしては、例えばシリコン
ウェハーがある。
4は遮断手段であり、上記反応室1と上記待機室2とを
遮断する開閉自在なもので、例えばゲートバルブにより
構成される。
5は第1の供給制御手段であり、上記反応室1への反応
ガスの供給を制御するものである。この第1の供給制御
手段5は、ストップバルブ5aおよびマスフローコント
ローラ5bにより構成されている。
6は第2の供給制御手段であり、上記反応室1へ供給さ
れる反応ガスと同一の反応ガスの上記待機室2への供給
を制御するものである。この第2の供給制御手段6は、
ストップバルブ6aおよびマスフローコントローラ6b
により構成されている。
7は第1の圧力制御手段であり、上記反応室1の圧力を
制御するものである。この第1の圧力制御手段7は、ス
トップバルブ7aと、反応室1の圧力を調整するバリア
プルコンダクタンスバルブ7bとにより構成されている
8は第2の圧力制御手段であり、上記待機室2の圧力を
制御するものである。この第2の圧力制御手段8は、ス
トップバルブ8aと、待機室2の圧力を調整するバリア
プルコンダクタンスバルブ8bとにより構成されている
9は排気手段であり、上記第1の圧力制御手段7および
第2の圧力制御手段8を通して、上記反応室1および上
記待機室2の排気を行うものである。この排気手段9は
、ロータリーポンプやメカニカルブースタポンプ等の各
種真空ポンプを用いて構成されている。
つぎに、上記構成による本実施例の動作について説明す
る。
(a))32数の被処理物3bを待機室2にセットする
(b)排気手段9により、第2の圧力制御手段8を通し
て待機室の排気を行う。
(c)反応室1および待機室2に、それぞれ第1の供給
制御手段5および第2の供給制御手段6を通して同一の
反応ガスを導入し、反応ガスの流量調整と反応室1およ
び待機室2の圧力調整をする。反応ガスの流ffi調整
は、マスフローコントロラ5bおよび6bにより行う。
反応室1および待機室2の圧力調整は、それぞれバリア
プルコンダクタンスバルブ7bおよび8bにより行う。
なお、反応室1の圧力は、待機室2の圧力と同等か若干
低くしておくことが好ましい。
(d)遮断手段4を開いて被処理物3bの一つを反応室
1に移動し、遮断手段4を閉じる。反応室1の圧力は、
1−記(C)の工程においてすでに調整されているので
、あらためて、調整する必要はない。
(e)反応制御手段1aにより反応ガスの反応をスター
トさせ、被処理物3aに対して、堆積物の形成やエツチ
ング等の処理を行う。反応室1で行われる反応がプラズ
マ反応であるときには、反応制御手段1aを構成する一
対の対向電極間に高周波電圧を印加すればよい。
(f)反応ガスの反応をストップさせ、被処理物3aに
対する処理を終了させる。
(g)遮断手段4を開いて、処理の終了した被処理物3
aを待機室2にもどすとともに、未処理の被処理物3b
を反応室1に移動し、遮断手段4を閉じる。
(h)上記(e)〜(g)の工程を、全ての被処理物に
対して繰り返し行う。
(i)全ての被処理物に対して処理が終わったならば、
反応ガスの反応室1および待機室2への導入を止めて、
反応室1および待機室2の排気を行う。
(j)待機室1の圧力を大気圧にして、被処理物3bを
取り出す。
以上のように、本実施例では、反応室1と待機室2の圧
力とをほぼ等しく保っておき、被処理物の処理を終えた
後に反応室1の排気をすることなく被処理物を入れ替え
ることができる。
[効果] 本発明では、被処理物を待機室から反応室に送出する前
に反応室および待機室に同一の反応ガスを供給するため
、反応ガスの流量および反応室の圧力の調整や反応室の
排気等を繰り返すことがないため、処理に費やす総時間
を短縮することができ、スルーブツトの向上を大幅には
かることができる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明における一実施例を示した説明図である。 1・・・・・・反応室 2・・・・・・待機室 4・・・・・・遮断手段 5・・・・・・第1の供給制御手段 6・・・・・・第2の供給制御手段 7・・・・・・第1の圧力制御手段 8・・・・・・第2の圧力制御手段 以上

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)反応ガスにより被処理物の処理が行われる反応室
    と、上記反応室に送出される被処理物を待機させておく
    待機室と、上記反応室と上記待機室とを遮断する開閉自
    在な遮断手段とを用い、上記遮断手段を開いて被処理物
    を上記待機室から上記反応室に送出する前に、上記反応
    室および上記待機室に同一の反応ガスを供給し、 上記遮断手段を閉じた後に、上記反応室において上記反
    応ガスにより被処理物の処理を行う被処理物の処理方法
  2. (2)反応ガスにより被処理物の処理が行われる反応室
    と、 上記反応室に送出される被処理物を待機させておく待機
    室と、 上記反応室と上記待機室とを遮断する開閉自在な遮断手
    段と、 反応ガスの上記反応室への供給を制御する第1の供給制
    御手段と、 上記反応室へ供給される反応ガスと同一の反応ガスの上
    記待機室への供給を制御する第2の供給制御手段と、 上記反応室の圧力を制御する第1の圧力制御手段と、 上記待機室の圧力を制御する第2の圧力制御手段と からなる被処理物の処理装置。
JP13507489A 1989-05-29 1989-05-29 被処理物の処理方法および処理装置 Expired - Fee Related JPH0676663B2 (ja)

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