JPS61227184A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
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- JPS61227184A JPS61227184A JP6627685A JP6627685A JPS61227184A JP S61227184 A JPS61227184 A JP S61227184A JP 6627685 A JP6627685 A JP 6627685A JP 6627685 A JP6627685 A JP 6627685A JP S61227184 A JPS61227184 A JP S61227184A
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- JP
- Japan
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- chamber
- pressure
- valve
- plasma etching
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- Pending
Links
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 20
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 7
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 241000255789 Bombyx mori Species 0.000 description 1
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- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマエツチング装置、特に連続処理型プラ
ズマエツチング装置に関するものである。
ズマエツチング装置に関するものである。
従来のプラズマエツチング装置を第１図にょって説明す
ると、まず処理室１は反応ガスを流し、高周波を印加し
ておく、つぎにキャリアー１７にセットされた複数枚の
ウェハース１６から１枚のウェハースをあらかじめ大気
圧にしである予備室３に搬送ベルト１９によって入れ、
バルブ６ｔ−閉じ、予備室３を高真空引きし、バルブ５
を開け、搬送機構４からテーブル２にウェハースを移動
させ、バルブ５ｔ−閉じ、ウェハースのエツチングを行
ないながら、つぎに予備室３を高真空引きした後、バル
ブ１４を開けて予備室を大気圧にする。
ると、まず処理室１は反応ガスを流し、高周波を印加し
ておく、つぎにキャリアー１７にセットされた複数枚の
ウェハース１６から１枚のウェハースをあらかじめ大気
圧にしである予備室３に搬送ベルト１９によって入れ、
バルブ６ｔ−閉じ、予備室３を高真空引きし、バルブ５
を開け、搬送機構４からテーブル２にウェハースを移動
させ、バルブ５ｔ−閉じ、ウェハースのエツチングを行
ないながら、つぎに予備室３を高真空引きした後、バル
ブ１４を開けて予備室を大気圧にする。
同じようにして複数枚のウェハース１６をテーブル２に
移動させながらエツチングを行ない、連続的に処理し、
ある時間エツチングしたものはプラズマがかかった状態
で搬送機構４で順次テーブル２よシ取り出し、収納キャ
リア】８に収納する。
移動させながらエツチングを行ない、連続的に処理し、
ある時間エツチングしたものはプラズマがかかった状態
で搬送機構４で順次テーブル２よシ取り出し、収納キャ
リア】８に収納する。
この場合処理室１と予備室３とでは圧力差が違う為に処
理室１の圧力がバルブ５が開くたびに変動するという問
題がある。プラズマエツチングにおける処理室の処理圧
力変動及び処理ガスの分圧変動は加工形状を悪くすると
いう問題がある。
理室１の圧力がバルブ５が開くたびに変動するという問
題がある。プラズマエツチングにおける処理室の処理圧
力変動及び処理ガスの分圧変動は加工形状を悪くすると
いう問題がある。
本発明は前記問題点を解消するもので、まず処理室は反
応ガス金泥し高周波を印加しておき、キャリアーから送
られたウェハースは予備室に入れ、バルブ２５を閉じ高
真空に真空引きした後、予備室に反応ガスを流し圧力を
コントロールし、処理室と同じ圧力蚤こなった時にバル
ブ２４を開け、ウェハースを処理室へ供給することによ
シ、プラズマが常時かかった状態でウェハースの搬入、
搬出の際に処理室の圧力及び分圧を変えることなく、処
理を連続的に行なうことｔ＠畝とするものである。
応ガス金泥し高周波を印加しておき、キャリアーから送
られたウェハースは予備室に入れ、バルブ２５を閉じ高
真空に真空引きした後、予備室に反応ガスを流し圧力を
コントロールし、処理室と同じ圧力蚤こなった時にバル
ブ２４を開け、ウェハースを処理室へ供給することによ
シ、プラズマが常時かかった状態でウェハースの搬入、
搬出の際に処理室の圧力及び分圧を変えることなく、処
理を連続的に行なうことｔ＠畝とするものである。
以下本発明の一実施例を図面によって説明する。
第２図に示すように本発明装置は処理室２０と予備室２
２とを備えそれぞれのＮはバルブ２４で区切られて８シ
、このバルブ２４ｔ−開閉し、搬送機構２３にてウェハ
ースを予備室２２よシテーブル２１またはテーブル２１
から予備室２２へ運び、処理蚕２０は反応ガス源２８よ
り流れたガスをコントロールするガスコントロール機＠
２７と、反応ガスを排気する排気機構３０と、処理室２
０の圧力を検知する圧力計２９と、反応ガス圧力をコン
トロールする圧力コントロール機＃１３２とからなシ、
高周波２６を印加し、プラズマを発生させている。未処
理の複数枚のウェハース３５がキャリアー３６にセット
されていて、１枚をバルブ２５を造して搬送ベルト３９
で、予４ａ呈２ｉの搬送機＄２３に乗せ、バルブ２５が
閉じ、真空排気装ｆｔ３１で排気する。その後、反応ガ
ス源２８から流れたガスをガスコントロール機＄４０で
コントロールし、圧力コントロール機構３８で圧力コン
トロールを行ない、圧力計３４で圧力を検知し、処理室
２０と予備室２２の圧力が同じになるようにし、同じに
なったら排気機構３】とガスコントロール機構４０を止
め、テーブル２１を止め、テーブル２１の回転時間に合
わせてバルブ２４會開け、搬送機構２３でテーブル２１
に乗せる。その後バルブ２４を閉じ、排気機構３１で排
気し、バルブ１４を開けて予備室２２を大気に戻す。
２とを備えそれぞれのＮはバルブ２４で区切られて８シ
、このバルブ２４ｔ−開閉し、搬送機構２３にてウェハ
ースを予備室２２よシテーブル２１またはテーブル２１
から予備室２２へ運び、処理蚕２０は反応ガス源２８よ
り流れたガスをコントロールするガスコントロール機＠
２７と、反応ガスを排気する排気機構３０と、処理室２
０の圧力を検知する圧力計２９と、反応ガス圧力をコン
トロールする圧力コントロール機＃１３２とからなシ、
高周波２６を印加し、プラズマを発生させている。未処
理の複数枚のウェハース３５がキャリアー３６にセット
されていて、１枚をバルブ２５を造して搬送ベルト３９
で、予４ａ呈２ｉの搬送機＄２３に乗せ、バルブ２５が
閉じ、真空排気装ｆｔ３１で排気する。その後、反応ガ
ス源２８から流れたガスをガスコントロール機＄４０で
コントロールし、圧力コントロール機構３８で圧力コン
トロールを行ない、圧力計３４で圧力を検知し、処理室
２０と予備室２２の圧力が同じになるようにし、同じに
なったら排気機構３】とガスコントロール機構４０を止
め、テーブル２１を止め、テーブル２１の回転時間に合
わせてバルブ２４會開け、搬送機構２３でテーブル２１
に乗せる。その後バルブ２４を閉じ、排気機構３１で排
気し、バルブ１４を開けて予備室２２を大気に戻す。
以上のことを連続的に行なっていく。以上のように行な
うと処理室２１の圧力及びガスの分圧は予備室２２の圧
力及び分圧に影響されることなく、プラズマがかかりた
状態のままウェハースを連続的に処理してい（ことがで
きる。
うと処理室２１の圧力及びガスの分圧は予備室２２の圧
力及び分圧に影響されることなく、プラズマがかかりた
状態のままウェハースを連続的に処理してい（ことがで
きる。
第１図は従来のプラズマエツチング装置の構成図、第２
図は本発明のプラズマエツチング装置の構成図である。 １．２０・・・・・・ウェハース処理室％２，２１・・
・・・・デープル、３，２２・・・・・・真空予備室、
４，２３・・・・・・搬送機構、５．２４・・・・・・
ウェハース処３！ｉ室と真空予備室の区切シのバルブ、
６．２５・・・・・・真空予備室と大気との区切シのバ
ルブ、７，２６・・・・・・高周波電源、８，２７・・
・・・・ウェハース処理室のガスコツトロール機構、９
，２８・・・・・・反応ガス源、１０．２９・・・・・
・ウェハース処理室の圧力計、１１゜３０・・・・・・
ウェハー処理室の排気機構、１２，３１・・・・・・真
空予備室の排気機構、１３，３２・・・・・・ウェハー
ス処理室の圧力コントロール機構、ｌ ４．３３・・・
・・・ベントバルブ、１５．３４・旧・・真空予備室の
圧力ｆｉ＋、１６−３５・・・・・・ウエノ１−ス％１
７，３６・・・・・・未処理側のキャリア、１８，３７
・・・・・・処理済側のキャリア、１９．３９・・・・
・・搬送ベルト、３８・・・・−・真空予備室の圧力コ
ントロール機構、４０・・・・・・真空予ｉｉのガスコ
ントロール機構。 代理人 弁理士 内 原 １：゛ パ−、・
図は本発明のプラズマエツチング装置の構成図である。 １．２０・・・・・・ウェハース処理室％２，２１・・
・・・・デープル、３，２２・・・・・・真空予備室、
４，２３・・・・・・搬送機構、５．２４・・・・・・
ウェハース処３！ｉ室と真空予備室の区切シのバルブ、
６．２５・・・・・・真空予備室と大気との区切シのバ
ルブ、７，２６・・・・・・高周波電源、８，２７・・
・・・・ウェハース処理室のガスコツトロール機構、９
，２８・・・・・・反応ガス源、１０．２９・・・・・
・ウェハース処理室の圧力計、１１゜３０・・・・・・
ウェハー処理室の排気機構、１２，３１・・・・・・真
空予備室の排気機構、１３，３２・・・・・・ウェハー
ス処理室の圧力コントロール機構、ｌ ４．３３・・・
・・・ベントバルブ、１５．３４・旧・・真空予備室の
圧力ｆｉ＋、１６−３５・・・・・・ウエノ１−ス％１
７，３６・・・・・・未処理側のキャリア、１８，３７
・・・・・・処理済側のキャリア、１９．３９・・・・
・・搬送ベルト、３８・・・・−・真空予備室の圧力コ
ントロール機構、４０・・・・・・真空予ｉｉのガスコ
ントロール機構。 代理人 弁理士 内 原 １：゛ パ−、・
Claims (1)
- プラズマエッチングするウエハース処理室と、ウエハー
スを前記処理室へ搬入、搬出する真空予備室とを有する
プラズマエッチング装置において、該真空予備室におい
て、処理室へ流しているガスと同成分の反応ガスを真空
予備室へ流す為のガスコントロール機構と、前記ガスを
排気し、圧力をコントロールする為の圧力コントロール
機構とを有することを特徴とする連続処理型のプラズマ
エッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6627685A JPS61227184A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6627685A JPS61227184A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61227184A true JPS61227184A (ja) | 1986-10-09 |
Family
ID=13311151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6627685A Pending JPS61227184A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61227184A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63233533A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-29 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| JPH03135024A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法 |
| JPH04137613A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 半導体装置の製造装置 |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP6627685A patent/JPS61227184A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63233533A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-29 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| JPH03135024A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法 |
| JPH04137613A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 半導体装置の製造装置 |
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