JPH03237613A - 面内磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
面内磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH03237613A JPH03237613A JP3213590A JP3213590A JPH03237613A JP H03237613 A JPH03237613 A JP H03237613A JP 3213590 A JP3213590 A JP 3213590A JP 3213590 A JP3213590 A JP 3213590A JP H03237613 A JPH03237613 A JP H03237613A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- atomic
- layer
- alloy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、固定磁気ディスク装置に搭載される磁気デ
ィスクなどの磁気記録媒体の製造方法に関する。
ィスクなどの磁気記録媒体の製造方法に関する。
磁気ディスクなどの磁気記録媒体(以下、単に媒体とも
称する〉は、通常、非磁性基板上に非磁性金属下地層、
磁性層、保護層が順次積層されて構成されている。媒体
表面の潤滑性能を高めるために、保護層上にさらに液体
潤滑層を形成することも多く行われている。
称する〉は、通常、非磁性基板上に非磁性金属下地層、
磁性層、保護層が順次積層されて構成されている。媒体
表面の潤滑性能を高めるために、保護層上にさらに液体
潤滑層を形成することも多く行われている。
このような媒体は、通常、以下のようにして製造される
。非磁性基板の材質としては、各種金属や合金、あるい
はガラス、セラミックなどが用いられる。中でも、アル
ミニウムまたはアルミニウムを主成分としこれにその他
の金属元素を加えて強度、m性、耐食性などを改良した
ものが多用されている。この基板の表面には、磁気ヘッ
ドの衝突による媒体面変形を防止するためにアルマイト
。
。非磁性基板の材質としては、各種金属や合金、あるい
はガラス、セラミックなどが用いられる。中でも、アル
ミニウムまたはアルミニウムを主成分としこれにその他
の金属元素を加えて強度、m性、耐食性などを改良した
ものが多用されている。この基板の表面には、磁気ヘッ
ドの衝突による媒体面変形を防止するためにアルマイト
。
N1−P合金無電解めっきなどにより高い硬度の強化層
が形成される。もちろん、ガラスやセラミックなどそれ
自体が十分な硬度を有する材質の基板の場合にはこのよ
うな強化層は省略されてもよい。
が形成される。もちろん、ガラスやセラミックなどそれ
自体が十分な硬度を有する材質の基板の場合にはこのよ
うな強化層は省略されてもよい。
このような基板の表面は研磨により通常中心線平均粗さ
Raで20人〜100人程度の平滑な表面とされ、続い
て、そのほぼ円層方向に沿ってテクスチャアリングと呼
ばれている微細な凹凸を形成される。
Raで20人〜100人程度の平滑な表面とされ、続い
て、そのほぼ円層方向に沿ってテクスチャアリングと呼
ばれている微細な凹凸を形成される。
このようにして所要の表面形状に加工された非磁性基板
を精密洗浄した後、その表面に、スパッタ法により、磁
性層の磁気特性を高め、また基板との密着性を改善する
ための非磁性金属下地層3例えばCr、 Cr合金、W
あるいはMoからなる層が形成され、続いてC0合金か
らなる磁性層が形成され、さらにその上に、磁性層を外
部環境から保護し、かつ、媒体表面の潤滑性能を高める
ための保護層。
を精密洗浄した後、その表面に、スパッタ法により、磁
性層の磁気特性を高め、また基板との密着性を改善する
ための非磁性金属下地層3例えばCr、 Cr合金、W
あるいはMoからなる層が形成され、続いてC0合金か
らなる磁性層が形成され、さらにその上に、磁性層を外
部環境から保護し、かつ、媒体表面の潤滑性能を高める
ための保護層。
例えばa−C層が形成されて媒体とされる。
近年、コンピュータなどの情報処理システムの処理能力
の増大、小型化に伴い、その補助記憶装置として用いら
れる固定磁気ディスク装置の大容量化、小型化が要望さ
れ、それに搭載される磁気ディスクも、高密度記録化の
ために、磁気特性の向上、磁性層の薄膜化、電磁変換特
性の向上が強く要求されてきている。
の増大、小型化に伴い、その補助記憶装置として用いら
れる固定磁気ディスク装置の大容量化、小型化が要望さ
れ、それに搭載される磁気ディスクも、高密度記録化の
ために、磁気特性の向上、磁性層の薄膜化、電磁変換特
性の向上が強く要求されてきている。
媒体の磁気特性、電磁変換特性は磁性層に用いられる磁
性材料に大きく左右され、また、成膜時のスパッタ条件
〔基板温度、スパッタパワー、雰囲気ガス(例えばAr
ガス)圧など〕により変動する。
性材料に大きく左右され、また、成膜時のスパッタ条件
〔基板温度、スパッタパワー、雰囲気ガス(例えばAr
ガス)圧など〕により変動する。
現在、磁性材料としてはCo −Ni−Cr系合金が一
般的に使用されているが、その他にCo−Ni系合金。
般的に使用されているが、その他にCo−Ni系合金。
Co −Ni −Pt系合金、 Co−Cr系合金など
が提案され、一部実用化されている。また、これら磁性
材料に対応した好適なスパッタ条件の検討が鋭意進めら
れている。
が提案され、一部実用化されている。また、これら磁性
材料に対応した好適なスパッタ条件の検討が鋭意進めら
れている。
〔発明が解決しようとする!l!i)
上述のように、媒体の磁気特性、電磁変換特性の向上を
図って、磁性材料の成分およびその組成比の研究、成膜
時のスパッタ条件の検討が種々進められているが、市場
の要求を充分に満足する特性を有する媒体は現在まだ得
られていない。
図って、磁性材料の成分およびその組成比の研究、成膜
時のスパッタ条件の検討が種々進められているが、市場
の要求を充分に満足する特性を有する媒体は現在まだ得
られていない。
従来多用されているCo −Ni−Cr系合金を磁性材
料とする媒体は、分解能、耐食性などの点で優れテイル
が、媒体ノイズについてはいまひとつ良くないのが現状
である。特に、高密度記録達成のために、より高い周波
数で記録した場合には、再生時の出力信号が低下し、そ
の分だけS/N比が悪化するので、その対策として媒体
ノイズの改善が強く望まれる。
料とする媒体は、分解能、耐食性などの点で優れテイル
が、媒体ノイズについてはいまひとつ良くないのが現状
である。特に、高密度記録達成のために、より高い周波
数で記録した場合には、再生時の出力信号が低下し、そ
の分だけS/N比が悪化するので、その対策として媒体
ノイズの改善が強く望まれる。
この発明は、上述の点に鑑みてなされたものであって、
磁気特性、電磁変換特性が優れ、かつ、媒体ノイズの低
減された磁気記録媒体およびその製造方法を提供するこ
とを解決すべき課題とする。
磁気特性、電磁変換特性が優れ、かつ、媒体ノイズの低
減された磁気記録媒体およびその製造方法を提供するこ
とを解決すべき課題とする。
上記の課題は、この発明によれば、非磁性基板上に順次
形成された非磁性金属下地層、磁性層。
形成された非磁性金属下地層、磁性層。
保護層を備えてなる磁気記録媒体において、前記磁性層
がCO(+oo−x−v)CrxT1v合金(8原子%
≦X<20原子%;2原子%≦Y≦6原子%)からなる
磁気記録媒体とすることによって解決される。そして、
この発明の磁気記録媒体の製造方法では、非磁性基板を
280℃以上320℃以下の範囲内の温度に加熱した後
、その基板上にスパッタ法により非磁性金属下地層、
Co −Cr−Ta合金からなる磁性層。
がCO(+oo−x−v)CrxT1v合金(8原子%
≦X<20原子%;2原子%≦Y≦6原子%)からなる
磁気記録媒体とすることによって解決される。そして、
この発明の磁気記録媒体の製造方法では、非磁性基板を
280℃以上320℃以下の範囲内の温度に加熱した後
、その基板上にスパッタ法により非磁性金属下地層、
Co −Cr−Ta合金からなる磁性層。
保護層を順次形成する工程によって磁気記録媒体を製造
する。
する。
媒体の磁性材料としてCo−Cr系合金を用いると、従
来のCo−Ni系合金を用いた媒体よりも媒体ノイズが
小さくなる。しかし、Co−Cr2元系合金を用いた場
合には高保磁力が得られない。これに第3元素としてT
aを添加したCo−Cr−Ta系を用いると、33kP
CI程度以上の高密度記録に適した120006以上の
保磁力が得られるようになる。これはTaを添加するこ
とによりCoCrの結晶粒の大きさくダレインサイズ〉
が非常に小さくなり、かつ、Taが結晶粒界(グレイン
バウンダリ)に偏析することにより各結晶粒(グレイン
)の分離性が良くなり、低媒体ノイズ、高保磁力が実現
できるものと推定される。
来のCo−Ni系合金を用いた媒体よりも媒体ノイズが
小さくなる。しかし、Co−Cr2元系合金を用いた場
合には高保磁力が得られない。これに第3元素としてT
aを添加したCo−Cr−Ta系を用いると、33kP
CI程度以上の高密度記録に適した120006以上の
保磁力が得られるようになる。これはTaを添加するこ
とによりCoCrの結晶粒の大きさくダレインサイズ〉
が非常に小さくなり、かつ、Taが結晶粒界(グレイン
バウンダリ)に偏析することにより各結晶粒(グレイン
)の分離性が良くなり、低媒体ノイズ、高保磁力が実現
できるものと推定される。
市場で要求される低媒体ノイズを実現するためにはCr
添加量は8原子%以上必要であるが、20原子%を超え
ると磁化量が小さくなる傾向がでてくるので好ましくな
い。また、高保磁力を得るためには2原子%以上のTa
を添加することが必要であるが、6原子%を超えると磁
化量が小さくなってくるので好ましくない。
添加量は8原子%以上必要であるが、20原子%を超え
ると磁化量が小さくなる傾向がでてくるので好ましくな
い。また、高保磁力を得るためには2原子%以上のTa
を添加することが必要であるが、6原子%を超えると磁
化量が小さくなってくるので好ましくない。
また、磁性層材料としてCo −Cr−Ta系合金を用
いた場合、従来のCo −Ni−Cr系合金を用いた場
合と同様のスパッタ条件で磁性層を底膜すると必ずしも
充分な角形比が得られない。角形比が悪い場合には、た
とえ高い保磁力を実現しても分解能が落ち信号出力が低
下するために結局SN比が悪くなり、Co −Cr−T
a系合金の優れた低媒体ノイズ性が生かされないことに
なる。Co −Cr−Ta系合金を用い、良好な角形比
を実現するためには、磁性層をスパッタ法で底膜すると
きの基板温度を280℃以上320℃以下とすることが
必要である。
いた場合、従来のCo −Ni−Cr系合金を用いた場
合と同様のスパッタ条件で磁性層を底膜すると必ずしも
充分な角形比が得られない。角形比が悪い場合には、た
とえ高い保磁力を実現しても分解能が落ち信号出力が低
下するために結局SN比が悪くなり、Co −Cr−T
a系合金の優れた低媒体ノイズ性が生かされないことに
なる。Co −Cr−Ta系合金を用い、良好な角形比
を実現するためには、磁性層をスパッタ法で底膜すると
きの基板温度を280℃以上320℃以下とすることが
必要である。
Mgを4%含むAA−Mg合金からなる外径95mm、
内径25+n+n、 厚さ1.27mmの板の表面に
無電解めっき法により膜厚15μmのN1−P合金層を
形成し、その表面を4μm程度研磨して平滑にし、さら
に研磨テープによりテープテクスチャアリングを施して
表面粗さが中心線平均粗さRaで70人の非磁性基板と
した。これらの基板を第2図に示したようなホルダーに
セットした。第2図(a)は基板1を複数個(図では6
個の場合を示す〉セットされたホルダー2の正面図であ
り、第2図(b)は第2図(a)のX−X断面図である
。
内径25+n+n、 厚さ1.27mmの板の表面に
無電解めっき法により膜厚15μmのN1−P合金層を
形成し、その表面を4μm程度研磨して平滑にし、さら
に研磨テープによりテープテクスチャアリングを施して
表面粗さが中心線平均粗さRaで70人の非磁性基板と
した。これらの基板を第2図に示したようなホルダーに
セットした。第2図(a)は基板1を複数個(図では6
個の場合を示す〉セットされたホルダー2の正面図であ
り、第2図(b)は第2図(a)のX−X断面図である
。
このようにホルダー2にセットされた基板1の両面に第
3図の概念図に示すようなスパッタ装置により底膜を行
う。基板のセットされたホルダー2は仕込み室11に搬
入され、ここで、I X 10−@Torrの真空に排
気して(真空排気系は図示せず〉充分に脱ガスを行う。
3図の概念図に示すようなスパッタ装置により底膜を行
う。基板のセットされたホルダー2は仕込み室11に搬
入され、ここで、I X 10−@Torrの真空に排
気して(真空排気系は図示せず〉充分に脱ガスを行う。
続いてドア12を通ってスパッタ室13の奥の加熱ゾー
ン14にまで高速搬送される(搬送機構は図示せず)。
ン14にまで高速搬送される(搬送機構は図示せず)。
ここで、シースヒータ15により両側から加熱される。
加熱ゾーン14の雰囲気温度は熱電対16によりモニタ
ーし所要温度に制御され、また、加熱ゾーン14でのホ
ルダー2の滞留時間も制御可能とされている。雰囲気温
度を320℃とし、3分間滞留させて基板温度を300
℃とした。続いて、ホルダー2を^rガス圧2 Xl0
−’の雰囲気に調整されたスパッタ室13内を矢印への
方向に搬送しながら、DCマグネトロン方式で、Crタ
ーゲット17によりCr層下地層(膜厚1500A)
、 Co−Cru2Ta2合金ターゲット18により磁
性層(膜厚500人)、Cターゲット19によりC保護
層(膜厚250人)を基板両面にそれぞれ順次成膜した
後、ドア12を通って仕込み室11へ送り取り出し、ホ
ルダー2より作製された媒体を取りはずす。スパッタ時
の^rガス圧を低くすると、角形比は良くなるが搬送方
向に依存する磁気異方性が現れ、媒体面内で均一な磁気
特性が得られなくなる傾向が現れるのでこの点を考慮し
て^rガスを適切に決めることが必要である。
ーし所要温度に制御され、また、加熱ゾーン14でのホ
ルダー2の滞留時間も制御可能とされている。雰囲気温
度を320℃とし、3分間滞留させて基板温度を300
℃とした。続いて、ホルダー2を^rガス圧2 Xl0
−’の雰囲気に調整されたスパッタ室13内を矢印への
方向に搬送しながら、DCマグネトロン方式で、Crタ
ーゲット17によりCr層下地層(膜厚1500A)
、 Co−Cru2Ta2合金ターゲット18により磁
性層(膜厚500人)、Cターゲット19によりC保護
層(膜厚250人)を基板両面にそれぞれ順次成膜した
後、ドア12を通って仕込み室11へ送り取り出し、ホ
ルダー2より作製された媒体を取りはずす。スパッタ時
の^rガス圧を低くすると、角形比は良くなるが搬送方
向に依存する磁気異方性が現れ、媒体面内で均一な磁気
特性が得られなくなる傾向が現れるのでこの点を考慮し
て^rガスを適切に決めることが必要である。
以上の製造方法において、加熱ゾーンの雰囲気温度およ
びホルダーの滞留時間を変化させ、種々の基板温度で媒
体を作製した。
びホルダーの滞留時間を変化させ、種々の基板温度で媒
体を作製した。
このようにして得られた媒体について、VSMにより磁
気特性を測定した。その結果、得られた媒体の保磁力お
よび角形比の温度依存性を第1図の線図に示す。第1図
より、基板温度が高くなるにつれて保磁力、角形比とも
に向上し、280℃以上で保磁力14000e以上、角
形比0.9以上の優れた媒体を得ることができる。一方
、基板温度が320℃を超えると、基板のN1−P合金
が磁化してしまい好ましくないことが別途確認されてお
り、基板温度は280℃以上320℃以下の範囲内とす
ることが必要である。
気特性を測定した。その結果、得られた媒体の保磁力お
よび角形比の温度依存性を第1図の線図に示す。第1図
より、基板温度が高くなるにつれて保磁力、角形比とも
に向上し、280℃以上で保磁力14000e以上、角
形比0.9以上の優れた媒体を得ることができる。一方
、基板温度が320℃を超えると、基板のN1−P合金
が磁化してしまい好ましくないことが別途確認されてお
り、基板温度は280℃以上320℃以下の範囲内とす
ることが必要である。
この発明によれば、磁性材料としてCo(too−Xy
) CrxTav (8原子%≦X≦20原子%;2原
子%≦Y≦6原子%〉を用い、基板温度を280℃以上
320℃以下の範囲内としてスパッタ法で磁性層を底膜
することにより、磁気特性、電磁変換特性が優れ、媒体
ノイズの低減された磁気記録媒体を得ることができる。
) CrxTav (8原子%≦X≦20原子%;2原
子%≦Y≦6原子%〉を用い、基板温度を280℃以上
320℃以下の範囲内としてスパッタ法で磁性層を底膜
することにより、磁気特性、電磁変換特性が優れ、媒体
ノイズの低減された磁気記録媒体を得ることができる。
第1図はこの発明の磁気記録媒体の保磁力、角形比と製
造時の基板温度との関係を示すIIi図、第2図はこの
発明の製造方法を実施するために用いるホルダーの一例
を示すもので、第2図(a)は正面図、第2図(b)は
第2図(a)のX−X断面図、第3図はこの発明の媒体
の製造方法を実施するためのスパッタ装置の一例の概念
図である。 1 基板、 2 ホルダー、 3 スパッタ室、 4 加熱ゾーン、 5 シースヒータ、18 0 r 一 基板温度(”C) 第 ] 図
造時の基板温度との関係を示すIIi図、第2図はこの
発明の製造方法を実施するために用いるホルダーの一例
を示すもので、第2図(a)は正面図、第2図(b)は
第2図(a)のX−X断面図、第3図はこの発明の媒体
の製造方法を実施するためのスパッタ装置の一例の概念
図である。 1 基板、 2 ホルダー、 3 スパッタ室、 4 加熱ゾーン、 5 シースヒータ、18 0 r 一 基板温度(”C) 第 ] 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)非磁性基板上に順次形成された非磁性金属下地層、
磁性層、保護層を備えてなる磁気記録媒体において、前
記磁性層がCo_(_1_0_0_−_X_−_Y_)
Cr_XTa_Y合金(8原子%≦X≦20原子%;2
原子%≦Y≦6原子%)からなることを特徴とする磁気
記録媒体。 2)非磁性基板を280℃以上320℃以下の範囲内の
温度に加熱した後、その基板上にスパッタ法により非磁
性金属下地層、Co−Cr−Ta合金からなる磁性層、
保護層を順次形成する工程を含むことを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2032135A JP2653204B2 (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 面内磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2032135A JP2653204B2 (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 面内磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03237613A true JPH03237613A (ja) | 1991-10-23 |
| JP2653204B2 JP2653204B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=12350454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2032135A Expired - Lifetime JP2653204B2 (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 面内磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2653204B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG89324A1 (en) * | 1999-04-13 | 2002-06-18 | Mitsui Mining & Smelting Co | Target on sputtering for forming protective film on optical recording media and process for preparing the target |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01133217A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-25 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録体 |
-
1990
- 1990-02-13 JP JP2032135A patent/JP2653204B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01133217A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-25 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG89324A1 (en) * | 1999-04-13 | 2002-06-18 | Mitsui Mining & Smelting Co | Target on sputtering for forming protective film on optical recording media and process for preparing the target |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2653204B2 (ja) | 1997-09-17 |
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