JPH03239215A

JPH03239215A - 電極配線基板

Info

Publication number: JPH03239215A
Application number: JP3698490A
Authority: JP
Inventors: Mikio Katayama; 幹雄片山; Hiroshi Oka; 岡　博史; Kiyoshi Nakazawa; 中沢　清
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1990-02-16
Filing date: 1990-02-16
Publication date: 1991-10-24

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は電極配線基板に関し、特に、耐エツチャント性
が高く、剥離し難い低抵抗電極配線を有する電極配線基
板に関する。

（従来の技術）ガラス、石英（＄１０゜）、シリコンウェハ、セラミッ
ク等の基板上の配線には、Ａｔ、Ｍｏ等が配線材料とし
てしばしば使用される。その理由は、ＡｌＳＭｏ等がこ
れらの基板との密着性に優れているからである。

（発明が解決しようとする課題）ところが、液晶表示装置等を構成する電極配線基板上に
、ＡＩ、Ｍｏ等を用いて配線を形成すると、後の薄膜ト
ランジスタ、ＭＩＭ　（金属−絶縁周一金属）等の機能
素子の形成時に、この配線が弗酸系のエツチング液によ
ってエツチングされてしまうことがある。このような配
線のエツチングが生じると、これらの配線の抵抗が増大
し、更には断線を生じることがある。このような配線を
有する電極配線基板は、正常な機能を果たし得なくなる
。

上述の欠点を解消する配線材料として、Ａｕが挙げられ
る。Ａｕは、弗酸系のエツチング液によってエツチング
され難い。また、Ａｕは比抵抗が小さいために、シリコ
ンウェハプロセスでは配線材料として用いられることが
ある。Ａｕのこのような特徴を生かして、液晶表示装置
等に用いられる電極配線基板の配線材料として、Ａｕを
用いることが考えられる。

ところが、Ａｕは電極配線基板の下地の基板として用い
られるガラス、５ｉ０２等との密着性が低１− ２− いため、これらの基板上にＡｕを用いて配線を形成する
と、容易に剥がれてしまうという問題点がある。

本発明は、このような問題点を解決するものであり、本
発明の目的は、弗酸系のエッチャントによってエツチン
グされ難く、しかも、剥離し難い配線を有する電極配線
基板を提供することである。

（課題を解決するための手段）本発明の電極配線基板は、基板上に形成されたＡｕから
なる電極配線を有する電極配線基板であって、該基板と
該電極配線との間に、Ｔａ２Ｏ５層が形成されており、
そのことによって上記目的が達成される。

（実施例）本発明を実施例について以下に説明する。

第１図に本発明の電極配線基板の一実施例の要部断面図
を示す。ガラス基板１上の全面に、Ｔａ２Ｏ５層２が形
成されている。ガラス基板の他に、ガラス等の上に３１
０２薄膜を形成したもの、石英（Ｓ１０２）、シリコン
ウェハ、セラミック等を基板として用いることができる
。Ｔａ２Ｏ５層２の適切な層厚は０．３〜１．０μｍで
ある。本実施例では約０．６μｍとした。Ｔａ２Ｏ５層
２上にはＡｕ電極配線が形成されている。Ａｕ電極配線
の適切な層厚は、０．０５〜１．０μｍである。本実施
例では０．１〜０．３μｍとした。

Ｔａ２Ｏ５層２は、ガラス基板１上にＣＶＤ法により形
成されたものである。Ｔａ２Ｏ５層２の形成方法として
は、ＣＶＤ法以外に、スパッタリング法等の各種の成膜
方法が使用可能である。

Ａｕ電極配線３は、Ｔａ２Ｏ５層２上の全面にＡＰＣＶ
Ｄ法により形成されたＡｕ層を、通常の方法により所望
の電極配線の形状にバターニングしたものである。Ａｕ
層の形成方法としても、本実施例で用いたＡＰＣＶＤ法
以外に、スパッタリング法等の各種の成膜方法が使用可
能である。

本実施例では、Ａｕ電極配線３とガラス基板１との間に
Ｔａ２Ｏ６層２が形成されている。このＴａ２Ｏ５層２
は、Ａｕ電極配線３及びガラス基板１の両方に対して高
い密着性を有している。従って、＝３− ４− 低抵抗のＡｕ電極配線３はＴａ２Ｏ５層２によってガラ
ス基板１に密着され、剥離し難くなっている。

第２図は、本実施例の電極配線基板上のＡｕ電極配線３
の密着性と、ガラス基板上に直接形成されたＡｕ１４極
配線の密着性とを比較するために作製した、試験用基板
の断面図である。ガラス基板１の約２分の１の面積の領
域４に、Ｔａ２Ｏ５層２が形成されている。Ｔａ２Ｏ５
層２が形成された基板１上の全面に、Ａｕ層１３が形成
されている。

従って、基板１の領域４以外の領域５では、ガラス基板
１上に直接Ａｕ層１３が形成されている。

第２図の試験用基板を用いて、クロスカット法による密
着性試験を行った。試験用基板の領域４及び５のそれぞ
れに、第３図に示す形状の傷をつけた。この傷により多
くの矩形領域が形成される。

次に、これらの矩形領域の上から粘着テープ（Ｓｃｏｔ
ｃｈ社製）を貼り付けて剥し、各矩形領域に於けるＡｕ
層１３の剥離を観察した。Ａｕ層１３が剥離した領域の
数により、Ａｕ層１３の密着性を判断した。その結果、
基板ｌとＡｕ層１３との間にＴａ２Ｏ５層２が形成され
ている領域４では、Ａｕ１３は全く剥離しなかった。こ
れに対し、基板ｌに直接Ａｕ層１３が形成されている領
域５では、Ａｕ層１３はほぼ全面にわたって剥離した。

第１図の実施例の電極配線基板に、更に薄膜トランジス
タ、絵素電極等を形成し、液晶表示装置を構成するため
の絵素電極基板を作製した。この絵素電極基板上の薄膜
トランジスタ、絵素電極等は、多くのエツチング工程を
経て形成された。これらのエツチング工程には、弗酸系
のエッチャントを用いる工程も含まれていたが、第１図
に示すＡｕ電極配線３は全くエツチングされなかった。

なお、本実施例では、Ｔａ２Ｏ５層２がガラス基板１上
の全面に形成されている例を示したが、Ａｕ電極配線３
が形成されない領域には、必ずしもＴａ２’ｓ層２が形
成されていなくても良い。

（発明の効果）本発明の電極配線基板では、Ａｕ配線がＴａ２Ｏ５層上
に形成されているので、剥離し難くなっている。しかも
、Ａｕ配線は弗酸系の工・ンチャントに５− ６一よってエツチングされ難い。従って、本発明によれば、
剥離し難く、耐エツチャント性に優れた配線を有する電
極配線基板が提供され得る。

４、−　の。　なＩＢ第１図は本発明の電極配線基板の一実施例をｆｉ＼す断
面図、第２図は密着性試験のための試験用基板の断面図
、第３図は密着性試験の際に基板に・〕けられる傷のパ
ターンを示す図である。

１・・・ガラス基板、２・・−Ｔａ２Ｏ５層、３・・・
Ａｕ電極配線、１３・・・Ａｕ層。

以上

Claims

【特許請求の範囲】１、基板上に形成されたＡｕからなる電極配線を有する
電極配線基板であって、該基板と該電極配線との間に、Ｔａ＿２Ｏ＿５層が形成
されている電極配線基板。