JPH03239587A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH03239587A JPH03239587A JP2033845A JP3384590A JPH03239587A JP H03239587 A JPH03239587 A JP H03239587A JP 2033845 A JP2033845 A JP 2033845A JP 3384590 A JP3384590 A JP 3384590A JP H03239587 A JPH03239587 A JP H03239587A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- recording medium
- optical recording
- compound
- alkyl group
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- Granted
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、情報の記録・保存に関する光ディスク(WO
RM、 CD40RM、相変化型書替えディスク)およ
び光カードなどの光記録媒体に関する。
RM、 CD40RM、相変化型書替えディスク)およ
び光カードなどの光記録媒体に関する。
[従来の技術]
光ディスクや光カードなどの光記録媒体の記録層にシア
ニン色素(特開昭58−112790.56−4622
1など)、フタロシアニン色素(特開昭58−3649
0など)、ジチオール錯体(特開昭58−175693
など)やアントラキノン系色素(特開昭61−2916
51 )、インドフェノール系色素(特開昭6l−61
893)などを利用することは知られている。
ニン色素(特開昭58−112790.56−4622
1など)、フタロシアニン色素(特開昭58−3649
0など)、ジチオール錯体(特開昭58−175693
など)やアントラキノン系色素(特開昭61−2916
51 )、インドフェノール系色素(特開昭6l−61
893)などを利用することは知られている。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、シアニン色素は耐光性、耐湿熱安定性が不良な
こと、フタロシアニン色素は感度、ジッターの不良なこ
と、ジチオール錯体、アントラキノン系色素はモル吸光
係数が小さくかつ半導体レーザー領域(600〜850
nm )での屈折率が小さいなどの理由により、満足で
きる光記録媒体を得ることはできなかった。この発明の
目的は、これらの欠点のない光記録媒体を提供すること
である。
こと、フタロシアニン色素は感度、ジッターの不良なこ
と、ジチオール錯体、アントラキノン系色素はモル吸光
係数が小さくかつ半導体レーザー領域(600〜850
nm )での屈折率が小さいなどの理由により、満足で
きる光記録媒体を得ることはできなかった。この発明の
目的は、これらの欠点のない光記録媒体を提供すること
である。
[課題を解決するための手段]
本発明者らは、上記課題に鑑み鋭意検討した結果、下記
一般式(I) [式(I)中R1とR2は各々独立に置換又は無置換の
アルキル基を表わし、R1とR2は連結基を介して環を
形成することができ、Yは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、アシルアミノ 基を表わす] で表わされるインドフェノール化合物を記録層中に含有
してなる光記録媒体が、耐光性、耐候性、感度および反
射率において良好で、かつ、上記式(I)の化合物は記
録媒体基板への塗布性も良好であることを見出し、本発
明を完成するに至った。
一般式(I) [式(I)中R1とR2は各々独立に置換又は無置換の
アルキル基を表わし、R1とR2は連結基を介して環を
形成することができ、Yは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、アシルアミノ 基を表わす] で表わされるインドフェノール化合物を記録層中に含有
してなる光記録媒体が、耐光性、耐候性、感度および反
射率において良好で、かつ、上記式(I)の化合物は記
録媒体基板への塗布性も良好であることを見出し、本発
明を完成するに至った。
式(I)中Yで表わされるハロゲン原子は、フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素であり、低級アルキル基の例としては
、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが、
アシルアミノ基の例としては、アセチルアミノ基、プロ
ピオニルアミノ基、ブチルカルボニルアミノ基、ベンゾ
イルアミノ基などが挙げられる。
素、臭素、ヨウ素であり、低級アルキル基の例としては
、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが、
アシルアミノ基の例としては、アセチルアミノ基、プロ
ピオニルアミノ基、ブチルカルボニルアミノ基、ベンゾ
イルアミノ基などが挙げられる。
式(I)中のR1及びR2で示される置換又は無置換の
アルキル基は、直鎖または分岐のアルキル基、アルコキ
シアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基、アル
コキシアルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシカ
ルボニルアルキル基、アルコキシカルボニルオキシアル
キル基、アルコキシアルコキシカルボニルオキシアルキ
ル基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアルコキシア
ルキル基、ヒドロキシアルコキシアルコキシアルキル基
、アシルオキシアルキル基、アシルオキシアルコキシア
ルキル基、アシルオキシアルコキシアルコキシアルキル
基およびハロゲン化アルキル基の群から選ばれる。
アルキル基は、直鎖または分岐のアルキル基、アルコキ
シアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基、アル
コキシアルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシカ
ルボニルアルキル基、アルコキシカルボニルオキシアル
キル基、アルコキシアルコキシカルボニルオキシアルキ
ル基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアルコキシア
ルキル基、ヒドロキシアルコキシアルコキシアルキル基
、アシルオキシアルキル基、アシルオキシアルコキシア
ルキル基、アシルオキシアルコキシアルコキシアルキル
基およびハロゲン化アルキル基の群から選ばれる。
直鎖または分岐のアルキル基としては、炭素数1〜20
の炭化水素基で、ポリカーボネート基板、22基板、ア
クリル基板、エポキシ基板等への塗布による加工性を考
慮すれば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチ
ル基、n−ヘキシル基、4−エチルペンチル基、2−エ
チルヘキシル基、n−オクチル基、3,5.5−’)リ
メチルヘキシル基、2−メチル−1−iso−プロピル
プロピル基、3−メチル−1−iso−プロピルブチル
基、3−メチル−1−iso−ブチルブチル基などが挙
げられる。
の炭化水素基で、ポリカーボネート基板、22基板、ア
クリル基板、エポキシ基板等への塗布による加工性を考
慮すれば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチ
ル基、n−ヘキシル基、4−エチルペンチル基、2−エ
チルヘキシル基、n−オクチル基、3,5.5−’)リ
メチルヘキシル基、2−メチル−1−iso−プロピル
プロピル基、3−メチル−1−iso−プロピルブチル
基、3−メチル−1−iso−ブチルブチル基などが挙
げられる。
アルコキシアルキル基としては、メトキシメチル基、エ
トキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル
基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシ
エチル基、ブトキシエチル基、n−へキシルオキシエチ
ル基、4−メチルペントキシエチル基、1.3−ジメチ
ルブトキシエチル基、2−エチルへキシルオキシエチル
基、n−オクチルオキシエチル基、3,3.5− トリ
メチルへキシルオキシエチル基、2−メチル−1−1s
o −プロとルオキシエチル基、3−メチル−1−1s
o−プロピルブチルオキシエチル基、2−エトキシ−1
−メチルエチル基、3−メトキシブチル基などの総炭素
数2〜20のアルコキシアルキル基が挙げられる。
トキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル
基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシ
エチル基、ブトキシエチル基、n−へキシルオキシエチ
ル基、4−メチルペントキシエチル基、1.3−ジメチ
ルブトキシエチル基、2−エチルへキシルオキシエチル
基、n−オクチルオキシエチル基、3,3.5− トリ
メチルへキシルオキシエチル基、2−メチル−1−1s
o −プロとルオキシエチル基、3−メチル−1−1s
o−プロピルブチルオキシエチル基、2−エトキシ−1
−メチルエチル基、3−メトキシブチル基などの総炭素
数2〜20のアルコキシアルキル基が挙げられる。
アルコキシアルコキシアルキル基の例としては、メトキ
シエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロ
ポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、
ヘキシルオキシエトキシエチル基、1.2−メチルプロ
ポキシエトキシエチル基、3−メチル−1−iso−ブ
チルブトキシエトキシエチル基、2−メトキシ−1−メ
チルエトキシエチル基、2−ブトキシ−1−メチルエト
キシエチル基、2−(2’ −エトキシ−1′−メチル
エトキシ)−1−メチルエチル基などが挙げられる。
シエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロ
ポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、
ヘキシルオキシエトキシエチル基、1.2−メチルプロ
ポキシエトキシエチル基、3−メチル−1−iso−ブ
チルブトキシエトキシエチル基、2−メトキシ−1−メ
チルエトキシエチル基、2−ブトキシ−1−メチルエト
キシエチル基、2−(2’ −エトキシ−1′−メチル
エトキシ)−1−メチルエチル基などが挙げられる。
アルコキシアルコキシアルコキシアルキル基の例として
は、メトキシエトキシエトキシエチル基、エトキシエト
キシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエトキシエチ
ル基、2’ −(2”−エトキシ−1#−メチルエトキ
シ)−1′−メチルエトキシエチル基などが挙げられる
。
は、メトキシエトキシエトキシエチル基、エトキシエト
キシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエトキシエチ
ル基、2’ −(2”−エトキシ−1#−メチルエトキ
シ)−1′−メチルエトキシエチル基などが挙げられる
。
アルコキシカルボニルアルキル基の例としては、メトキ
シカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、
ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチ
ル基、エトキシカルボニルエチル基、ブトキシカルボニ
ルエチル基などか挙げられる。
シカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、
ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチ
ル基、エトキシカルボニルエチル基、ブトキシカルボニ
ルエチル基などか挙げられる。
アルコキシカルボニルオキシアルキル基の例としては、
メトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニ
ルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基
などが挙げられる。
メトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニ
ルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基
などが挙げられる。
アルコキシアルコキシカルボニルオキシアルキル基の例
としては、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル基
、エトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキ
シエトキシカルボニルオキシエチル基などが挙げられる
。
としては、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル基
、エトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキ
シエトキシカルボニルオキシエチル基などが挙げられる
。
ヒドロキシアルキル基の例としては、2−ビトロキシエ
チル基、4−ヒドロキシブチル基、2−ヒドロキシ−3
−メトキシプロピル基、2−ヒドロキシ−3−クロロプ
ロピル基、2−ヒドロキシ−3−エトキシプロピル基、
3−ブトキシ−2−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロ
キシ3−フェノキシプロピル基、2−ヒドロキシプロピ
ル基、2−ヒドロキシブチル基などが挙げられる。
チル基、4−ヒドロキシブチル基、2−ヒドロキシ−3
−メトキシプロピル基、2−ヒドロキシ−3−クロロプ
ロピル基、2−ヒドロキシ−3−エトキシプロピル基、
3−ブトキシ−2−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロ
キシ3−フェノキシプロピル基、2−ヒドロキシプロピ
ル基、2−ヒドロキシブチル基などが挙げられる。
ヒドロキシアルコキシアルキル基の例としては、ヒドロ
キシエトキシエチル基、2−(2’ヒドロキシ−1′−
メチルエトキシ)−1−メチルエチル基などが挙げられ
、ヒドロキシアルコキシアルコキシアルキル基の例とし
ては、ヒドロキシエトキシエトキシエチル基、(2’
(2″−ヒドロキシ−1″−メチルエトキシ)−1′
−メチルエトキシ]エトキシエチル基などが挙げられる
。
キシエトキシエチル基、2−(2’ヒドロキシ−1′−
メチルエトキシ)−1−メチルエチル基などが挙げられ
、ヒドロキシアルコキシアルコキシアルキル基の例とし
ては、ヒドロキシエトキシエトキシエチル基、(2’
(2″−ヒドロキシ−1″−メチルエトキシ)−1′
−メチルエトキシ]エトキシエチル基などが挙げられる
。
アシルオキシアルキル基の例としては、アセトキシエチ
ル基、プロピオニルオキシエチル基、ブチリルオキシエ
チル基、バレリルオキシエチル基、1−エチルペンチル
カルボニルオキシエチル基、2,4.4−トリメチルペ
ンチルカルボニルオキシエチル基などが挙げられ、アシ
ルオキシアルコキシアルキル基の例としては、アセトキ
シエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエチ
ル基、バレリルオキシエトキシエチル基、1−エチルペ
ンチルカルボニルオキシエトキシエチル基、2.4.4
− トリメチルペンチルカルボニルオキシエトキシエチ
ル基などが挙げられ、アシルオキシアルコキシアルコキ
シアルキル基の例としては、アセトキシエトキシエトキ
シエチル基、プロピオニルオキシエトキシエトキシエチ
ル基、バレリルオキシエトキシエトキシエチル基、1−
エチルペンチルカルボニルオキシエトキシエトキシエチ
ル基などが挙げられる。
ル基、プロピオニルオキシエチル基、ブチリルオキシエ
チル基、バレリルオキシエチル基、1−エチルペンチル
カルボニルオキシエチル基、2,4.4−トリメチルペ
ンチルカルボニルオキシエチル基などが挙げられ、アシ
ルオキシアルコキシアルキル基の例としては、アセトキ
シエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエチ
ル基、バレリルオキシエトキシエチル基、1−エチルペ
ンチルカルボニルオキシエトキシエチル基、2.4.4
− トリメチルペンチルカルボニルオキシエトキシエチ
ル基などが挙げられ、アシルオキシアルコキシアルコキ
シアルキル基の例としては、アセトキシエトキシエトキ
シエチル基、プロピオニルオキシエトキシエトキシエチ
ル基、バレリルオキシエトキシエトキシエチル基、1−
エチルペンチルカルボニルオキシエトキシエトキシエチ
ル基などが挙げられる。
ハロゲン化アルキル基の例としては、クロルメチル基、
クロルエチル基、2,2.2− トリフルオロエチル基
、トリフルオロメチル基、ブロムメチル基、ヨウ化エチ
ル基などが挙げられる。
クロルエチル基、2,2.2− トリフルオロエチル基
、トリフルオロメチル基、ブロムメチル基、ヨウ化エチ
ル基などが挙げられる。
RIとR2が連結基を介して環を形成する場合の連結基
の例としては、−(:H2CH2−、−CH21;H2
C)l、−。
の例としては、−(:H2CH2−、−CH21;H2
C)l、−。
−CH2CH2CH2CI2CH2
などが挙げられる。
本願発明の色素は、公知の方法(特開昭69−3129
2号;工化誌57291−3(+954))のようにし
て、次式で表わされるフェノール と式(II)で示されるアミン IN+ [式(II)中のR’、R2,Yは式(I)のR’ 、
R2,Yと同一の意味を表わす。コとを酸化剤の存在下
で反応して得られる。
2号;工化誌57291−3(+954))のようにし
て、次式で表わされるフェノール と式(II)で示されるアミン IN+ [式(II)中のR’、R2,Yは式(I)のR’ 、
R2,Yと同一の意味を表わす。コとを酸化剤の存在下
で反応して得られる。
本発明の化合物を用いて光記録媒体を製造する方法には
、透明基板上にこれら化合物の1〜3種を1層または2
層に塗布あるいは蒸着する方法があり、塗布法としては
、例えば、バインダー樹脂20重量%以下、好ましくは
使用することなく、化合物0.05重量%〜20重量%
、好ましくは0.5重量%〜20重量%となるように溶
媒に溶解し、スピンコーターで塗布する方法がある。ま
た蒸着方法としては、例えば10−5〜10−’tor
r、100〜300℃の条件で基板上に堆積させる方法
がある。
、透明基板上にこれら化合物の1〜3種を1層または2
層に塗布あるいは蒸着する方法があり、塗布法としては
、例えば、バインダー樹脂20重量%以下、好ましくは
使用することなく、化合物0.05重量%〜20重量%
、好ましくは0.5重量%〜20重量%となるように溶
媒に溶解し、スピンコーターで塗布する方法がある。ま
た蒸着方法としては、例えば10−5〜10−’tor
r、100〜300℃の条件で基板上に堆積させる方法
がある。
本発明の光記録媒体に用いられる基板としては、光学的
に透明な樹脂であれば良い。例えば、アクリル樹脂、ポ
リエチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂
、ポリカーボネート樹脂、エチレン樹脂、ポリオレフィ
ン共重合樹脂、塩化ビニル共重合樹脂、塩化ビニリデン
共重合樹脂、スチレン共重合樹脂などが挙げられる。
に透明な樹脂であれば良い。例えば、アクリル樹脂、ポ
リエチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂
、ポリカーボネート樹脂、エチレン樹脂、ポリオレフィ
ン共重合樹脂、塩化ビニル共重合樹脂、塩化ビニリデン
共重合樹脂、スチレン共重合樹脂などが挙げられる。
また基板は熱硬化性樹脂または紫外線硬化性樹脂により
表面処理がされていてもよい。
表面処理がされていてもよい。
光記録媒体(光ディスク、光カード等)を作製する場合
、コスト面、ユーザーの取扱い面より、基板はポリアク
リレート基板またはポリカーボネート基板を用い、かつ
スピンコード法により塗布するのが好ましい。
、コスト面、ユーザーの取扱い面より、基板はポリアク
リレート基板またはポリカーボネート基板を用い、かつ
スピンコード法により塗布するのが好ましい。
スピンコードに用いる溶媒としては、ハロゲン化炭化水
素(例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭
素、テトラクロロエチレン、ジクロロジフルオロエタン
など)、エーテル類(例えば、テトラヒドロフラン、ジ
エチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテ
ルなど)、アルコール類(例えば、メタノール、エタノ
ール、プロパツールなど)、セロソルブ類(メチルセロ
ソルブ、エチルセロソルブなど)、炭化水素類(ヘキサ
ン、シクロヘキサン、オクタン、ベンゼン、トルエン、
キシレンなど)が基板の耐溶性を考慮すれば好適である
。
素(例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭
素、テトラクロロエチレン、ジクロロジフルオロエタン
など)、エーテル類(例えば、テトラヒドロフラン、ジ
エチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテ
ルなど)、アルコール類(例えば、メタノール、エタノ
ール、プロパツールなど)、セロソルブ類(メチルセロ
ソルブ、エチルセロソルブなど)、炭化水素類(ヘキサ
ン、シクロヘキサン、オクタン、ベンゼン、トルエン、
キシレンなど)が基板の耐溶性を考慮すれば好適である
。
記録媒体として加工するには、上記のように記録層を設
けた基板をエアーギャップを設けた保護板で覆う、ある
いは2枚の記録層を設けた基板をエアーギャップを設け
て対向させて張合わせる、または記録層上に反射層(ア
ルミニウムまたは金)を設け、熱硬化性または光硬化性
樹脂の保護層を積層する方法がある。
けた基板をエアーギャップを設けた保護板で覆う、ある
いは2枚の記録層を設けた基板をエアーギャップを設け
て対向させて張合わせる、または記録層上に反射層(ア
ルミニウムまたは金)を設け、熱硬化性または光硬化性
樹脂の保護層を積層する方法がある。
[実施例]
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明の実施の態様はこれにより限定されるものではない。
明の実施の態様はこれにより限定されるものではない。
各実施例の光記録媒体の性能を示す用語の定義、測定法
等を一括して述べる。
等を一括して述べる。
1、(記録)感度
その都度記載)
2、反射率(%)
3、耐光性
4、耐湿熱安定性
5、保存安定性
6、再生光安定性
7、耐久性
実施例1
C/N比をdBで示す(測定条件は
780na+のレーザー光で入射角
5°の正反射を基板側から読
む。
フェードメーター63℃100
時間照射後の記録層の状態で
判定。
80℃、90%RH,500時間
放置後の感度の変化により判
定。
室温で保存した場合の感度の
変化により判定。
780nn+のレーザー光で、0゜7
n+W、線速1.4m/sec、 10万回の記録にお
ける感度の変化に より判定。
ける感度の変化に より判定。
上記3〜6の総合。
下記式(A)
で表わされるフェノール誘導体12部、N、N−ジエチ
ル−p−ジアミノベンゼン10部を濱アンモニア水34
部、過硫酸アンモニウム40部とともに室温で5時間反
応し、濾過、水洗、乾燥し、下式(B)の化合物15部
を得た。
ル−p−ジアミノベンゼン10部を濱アンモニア水34
部、過硫酸アンモニウム40部とともに室温で5時間反
応し、濾過、水洗、乾燥し、下式(B)の化合物15部
を得た。
上記化合物(B)1重量部をジブチルエーテル200重
量部に溶解し、ポリカーボネート光ディスク基板に塗布
した。この上に金を蒸着し、続いて光硬化型ポリアクリ
ル樹脂によりオーバーコートして光硬化させた。このよ
うにして製作した光ディスクは線速2.8m/sec、
レーザーパワー10mW(780nm)においてC/N
比55dBであり、良好な感度であフだ。また、耐光性
試験で記録層の劣化は観察されなかった。
量部に溶解し、ポリカーボネート光ディスク基板に塗布
した。この上に金を蒸着し、続いて光硬化型ポリアクリ
ル樹脂によりオーバーコートして光硬化させた。このよ
うにして製作した光ディスクは線速2.8m/sec、
レーザーパワー10mW(780nm)においてC/N
比55dBであり、良好な感度であフだ。また、耐光性
試験で記録層の劣化は観察されなかった。
さらに前記化合物(B)1部をジブチルエーテル100
部に溶解し、ポリカーボネート光カード基板上に塗布し
記録層面を樹脂でオーバーコートして光カードを作製し
た。このカードは反射率35%、感度は、780nl、
10mW、線速1.3m/secでC/N比60dBで
あり、また、耐久性も良好であった。
部に溶解し、ポリカーボネート光カード基板上に塗布し
記録層面を樹脂でオーバーコートして光カードを作製し
た。このカードは反射率35%、感度は、780nl、
10mW、線速1.3m/secでC/N比60dBで
あり、また、耐久性も良好であった。
実施例2
実施例1と同様にして下記式(C)の化合物を合成した
。
。
上記化合物(C)1重量部をジブチルエーテル200重
量部に溶解し、ポリカーボネート光ディスク基板に塗布
した。この上に金を蒸着し、続いて光硬化型ポリアクリ
ル樹脂によりオーバーコートして光硬化させた。このよ
うにして製作した光ディスクは線速2.8 m/sec
、レーザーパワー10 mW (780nm)におい
てC/N比60dBであり、良好な感度であった。また
、耐光性試験で記録層の劣化は観察されなかった。
量部に溶解し、ポリカーボネート光ディスク基板に塗布
した。この上に金を蒸着し、続いて光硬化型ポリアクリ
ル樹脂によりオーバーコートして光硬化させた。このよ
うにして製作した光ディスクは線速2.8 m/sec
、レーザーパワー10 mW (780nm)におい
てC/N比60dBであり、良好な感度であった。また
、耐光性試験で記録層の劣化は観察されなかった。
さらに前記化合物(C)1部をジブチルエーテル100
部に溶解し、ポリカーボネート光カード基板上に塗布し
記録層面を樹脂でオーバーコートして光カードを作製し
た。このカードは反射率35%、感度は、780nm
、 6mW、線速1.3m/secでC/N比50dB
であり、また、耐久性も良好であった。
部に溶解し、ポリカーボネート光カード基板上に塗布し
記録層面を樹脂でオーバーコートして光カードを作製し
た。このカードは反射率35%、感度は、780nm
、 6mW、線速1.3m/secでC/N比50dB
であり、また、耐久性も良好であった。
実施例3
下記式(D)で表わされる化合物を実施例1と同様にし
て得た。
て得た。
上記化合物(D)
1重量部をn−オクタン250
重
置部に溶解し、ポリカーボネート光ディスク基板に塗布
した。この上に金を蒸着し、続いて熱硬化型ポリアクリ
ル樹脂によりオーバーコートして熱硬化させた。このよ
うにして製作した光ディスクは線速2.81II/se
c、レーザーパワー1o o+W (7sonm)にお
いてC/N比60dBであり、良好な感度であった。ま
た、耐光性試験で記録層の劣化は観察されなかった。
した。この上に金を蒸着し、続いて熱硬化型ポリアクリ
ル樹脂によりオーバーコートして熱硬化させた。このよ
うにして製作した光ディスクは線速2.81II/se
c、レーザーパワー1o o+W (7sonm)にお
いてC/N比60dBであり、良好な感度であった。ま
た、耐光性試験で記録層の劣化は観察されなかった。
実施例4
下記式(E)の化合物を実施例1と同様にして合成した
。
。
上記化合物(E)1部を、セロソルブ50部に溶解し、
ポリカーボネート基板に塗布した。この基板2枚をスペ
ーサーを介して対向させて張合わせることにより光記録
媒体を得た。8o+W、680nmのレーザー光にて記
録を行なったところ、C/N比60dBの信号が得られ
た。この媒体の耐湿熱安定性試験を行なりだが、得られ
る信号に変化は無かった。
ポリカーボネート基板に塗布した。この基板2枚をスペ
ーサーを介して対向させて張合わせることにより光記録
媒体を得た。8o+W、680nmのレーザー光にて記
録を行なったところ、C/N比60dBの信号が得られ
た。この媒体の耐湿熱安定性試験を行なりだが、得られ
る信号に変化は無かった。
さらに前記化合物(E)1部をジブチルエーテル100
部に溶解し、ポリカーボネート光カード基板上に塗布し
記録層面を樹脂でオーバーコートして光カードを作製し
た。このカートは反射率35%、感度は780r++n
、10mW、線速2.8m/secでC/N比50dB
であり、また、耐久性も良好であった。
部に溶解し、ポリカーボネート光カード基板上に塗布し
記録層面を樹脂でオーバーコートして光カードを作製し
た。このカートは反射率35%、感度は780r++n
、10mW、線速2.8m/secでC/N比50dB
であり、また、耐久性も良好であった。
実施例5
下記式(F)で表わされる化合物を実施例1と同様にし
て合成した。
て合成した。
CH。
上記化合物(F)1部とウレタンアクリレート型光硬化
樹脂オリゴマー1部をメチルセロソルブ100部に溶解
し、ポリカーボネート樹脂基板に塗布し、光硬化させた
。このように記録層を形成した基板2枚を記録層が対向
するようにスペーサーを介して張合わせ光記録媒体を作
製した。
樹脂オリゴマー1部をメチルセロソルブ100部に溶解
し、ポリカーボネート樹脂基板に塗布し、光硬化させた
。このように記録層を形成した基板2枚を記録層が対向
するようにスペーサーを介して張合わせ光記録媒体を作
製した。
この媒体は980部m、10n+Wのレーザー光でC/
N比50dBの記録が可能であった。
N比50dBの記録が可能であった。
実施例6〜20
第1表に示される置換基を有する前記一般式(I)で表
わされるインドフェノール色素を用いて実施例1〜5と
同様の方法で記録媒体を試作した。
わされるインドフェノール色素を用いて実施例1〜5と
同様の方法で記録媒体を試作した。
これらの媒体は、記録感度、保存安定性、再生安定性に
優れていた。
優れていた。
実施例
■
C2H5
C4H9
第1表
1
2
−CH2CH20CJ9
C4H9
CH3
−C2H40[:2)1.0cH3
−C2H4011:2H40C2H401;H3C4H
9 −NHCOC,H9 −NHCO−Q −NHCOCH3 CH3 −(:2日。
9 −NHCOC,H9 −NHCO−Q −NHCOCH3 CH3 −(:2日。
C2H3
−C,H4DC,H4QG)13
−CH2(:H(OC4H9) 2
C4H9
−C)12G)+2Ct((CH3) 2−C60,3
−(:2)15
−C2H40C2H40C2H5
−CH2CH3
−(:4H。
−CH2CH2CH2CH(CH+) 2比較例1
特開昭61−61893号の実施例1に開示された下記
構造式のインドフェノール系色素をポリカーボネート基
板に真空蒸着し、ついで金を蒸着し、光硬化型樹脂で保
護して光記録媒体を試作し、前記本発明の光記録媒体で
ある実施例1および2の光ディスクと性能を比較し、第
2表に示した。
構造式のインドフェノール系色素をポリカーボネート基
板に真空蒸着し、ついで金を蒸着し、光硬化型樹脂で保
護して光記録媒体を試作し、前記本発明の光記録媒体で
ある実施例1および2の光ディスクと性能を比較し、第
2表に示した。
比較例2
特開昭61−61893号の実施例3に開示された下記
構造式のインドフェノール系色素をクロロホルムに溶解
し、ガラス基板に塗布し金を蒸着、光硬化型樹脂で保護
して光記録媒体を試作し、その性能を比較例1と同様に
第2表に示した。なお、この色素は、メタノール、ジブ
チルエーテル、オクタン等のポリカーボネート基板塗布
に好適に用いられる溶媒に、充分には溶解しなかった。
構造式のインドフェノール系色素をクロロホルムに溶解
し、ガラス基板に塗布し金を蒸着、光硬化型樹脂で保護
して光記録媒体を試作し、その性能を比較例1と同様に
第2表に示した。なお、この色素は、メタノール、ジブ
チルエーテル、オクタン等のポリカーボネート基板塗布
に好適に用いられる溶媒に、充分には溶解しなかった。
第2表
[発明の効果]
以上説明したように、本発明のインドフェノール色素を
用いた光記録媒体は、耐光性、耐湿熱安定性が良好で、
また感度、ジッター共に良好なものであり、600〜8
50nmでの反射率、屈折率、も大きく優れた光記録媒
体である。
用いた光記録媒体は、耐光性、耐湿熱安定性が良好で、
また感度、ジッター共に良好なものであり、600〜8
50nmでの反射率、屈折率、も大きく優れた光記録媒
体である。
本発明に用いたインドフェノール色素はポリカーボネー
ト耐溶性溶媒に可溶である。
ト耐溶性溶媒に可溶である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) [式( I )中R^1とR^2は各々独立に置換又は無
置換のアルキル基を表わし、R^1とR^2は連結基を
介して環を形成することができ、Yは水素原子、ハロゲ
ン原子、トリクロロメチル基、低級アルキル基、アシル
アミノ基を表わす。] で示される化合物を含有してなることを特徴とする光記
録媒体。 2、式( I )の化合物が光ディスク基板上に層を形成
している請求項1に記載の光記録媒体。 3 式( I )の化合物の層の上に反射性物質の層があ
る請求項2に記載の光記録媒体。 4、反射性物質の層の上にさらに樹脂の層がある請求項
3に記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2033845A JP2541678B2 (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2033845A JP2541678B2 (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03239587A true JPH03239587A (ja) | 1991-10-25 |
| JP2541678B2 JP2541678B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=12397835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2033845A Expired - Lifetime JP2541678B2 (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2541678B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0757287A1 (en) | 1995-07-19 | 1997-02-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image formation method |
-
1990
- 1990-02-16 JP JP2033845A patent/JP2541678B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0757287A1 (en) | 1995-07-19 | 1997-02-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image formation method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2541678B2 (ja) | 1996-10-09 |
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